本实用新型涉及砷化镓粘接托架技术领域，具体为一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架。
背景技术：
砷化镓(galliumarsenide)，化学式gaas。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓是一种重要的半导体材料。属ⅲ－ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。
砷化镓在工业中有着重要的用途，因此一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架设备。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，包括底座，其特征在于：所述底座的顶端两侧设有支撑板，所述支撑板的顶端设有支撑横梁，所述支撑横梁的中心处设有倒扣的气缸，所述气缸的底部设有连接件，所述连接件的底部设有切割设备，所述底座的外侧设有电机，所述电机上设有第二带轮，所述底座左侧的前后两端设有垂直设置的一支撑柱，两个所述第一支撑柱的顶端之间设有第一辊轮，所述第一辊轮的转轴一端伸出第一支撑柱外并设有第一带轮，所述第一带轮和第二带轮上套设有皮带，所述底座右侧的前后两端设有倾斜设置的第二支撑柱，两个所述第二支撑柱之间设有第二辊轮，所述第一辊轮和第二辊轮上套设有传送带，所述传送带上设有若干个均匀分布的薄片托架。
进一步的，所述薄片托架的左侧设有激光发射器，所述薄片托架位于激光发射器的右侧四个输出端均朝向内侧的电动伸缩杆，所述电动伸缩杆的输出端设有挤压块，四个所述电动伸缩杆的底部设有筛网。
进一步的，所述挤压块的外侧设有胶垫，所述胶垫的外侧设有黏胶。
进一步的，所述切割设备的底部设有切割刀片，所述切割刀片的一侧设有倒扣的激光接收设备。
进一步的，所述气缸通过螺栓固定在支撑横梁上。
进一步的，所述第一支撑柱和第二支撑柱均与底座固定连接。
进一步的，所述电机的底部设有载物板，所述载物板与底座固定连接，所述电机与载物板之间通过螺栓相连接。
进一步的，所述底座的顶端设有软垫。
与现有技术相比，本实用新型的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架有益效果是：实现了砷化镓的切割以及砷化镓高速切割中的固定问题，同时在砷化镓薄片托架底部设置软垫，避免在切割过程中砷化镓掉落摔坏，同时采用传送带为托架的支撑设备，大大提高了工作效率。
附图说明
图1是本实用新型一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架的主视图；
图2是本实用新型一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架薄片托架示意图；
图3是本实用新型一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架的电动伸缩杆以及挤压块示意图；
图4是本实用新型一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架的切割设备示意图。
附图标记说明如下：
图中：1、底座；2、软垫；3、载物板；4、电机；5、第一带轮；6、第一支撑柱；7、皮带；8、第一辊轮；9、第二带轮；10、传送带；11、连接件；12、气缸；13、切割设备；14、薄片托架；15、第二支撑柱；16、第二辊轮；17、激光发射器；18、电动伸缩杆；19、挤压块；20、筛网；21、胶垫；22、激光接收设备；23、切割刀片；24、支撑板；25、支撑横梁。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4，本实用新型提供一种技术方案：一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，包括底座1，其特征在于：所述底座1的顶端两侧设有支撑板24，所述支撑板24的顶端设有支撑横梁25，所述支撑横梁25的中心处设有倒扣的气缸12，所述气缸12的底部设有连接件11，所述连接件11的底部设有切割设备13，所述底座1的外侧设有电机4，所述电机4上设有第二带轮9，所述底座1左侧的前后两端设有垂直设置的一支撑柱，两个所述第一支撑柱6的顶端之间设有第一辊轮8，所述第一辊轮8的转轴一端伸出第一支撑柱6外并设有第一带轮5，所述第一带轮5和第二带轮9上套设有皮带7，所述底座1右侧的前后两端设有倾斜设置的第二支撑柱15，两个所述第二支撑柱15之间设有第二辊轮16，所述第一辊轮8和第二辊轮16上套设有传送带10，所述传送带10上设有若干个均匀分布的薄片托架14。
进一步的，所述薄片托架14的左侧设有激光发射器17，所述薄片托架14位于激光发射器17的右侧四个输出端均朝向内侧的电动伸缩杆18，所述电动伸缩杆18的输出端设有挤压块19，四个所述电动伸缩杆18的底部设有筛网20。
进一步的，所述挤压块19的外侧设有胶垫21，所述胶垫21的外侧设有黏胶。
进一步的，所述切割设备13的底部设有切割刀片23，所述切割刀片23的一侧设有倒扣的激光接收设备22。
进一步的，所述气缸12通过螺栓固定在支撑横梁25上。
进一步的，所述第一支撑柱6和第二支撑柱15均与底座1固定连接。
进一步的，所述电机4的底部设有载物板3，所述载物板3与底座1固定连接，所述电机4与载物板3之间通过螺栓相连接。
进一步的，所述底座1的顶端设有软垫2。
本实用新型的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架薄片托架的工作原理：使用时，砷化镓薄片放置在薄片托架14上，通过电动伸缩杆18伸张，夹紧薄片，启动电机4，带动第一辊轮8运转，第一辊轮8带动传送带10转动，传送带上的薄片托架14随之移动，薄片托架14上的激光发射器17发射激光，切割设备上的激光接收设备22接收到激光时，气缸12伸张，切割设备13进行切割，气缸12切割后收缩，然后再次激光接收设备22感应到下一个激光发射器17，以此重复，完成切割，如果切割时不慎掉落则掉落到软垫2上，本实用新型实现了砷化镓的切割以及砷化镓高速切割中的固定问题，同时在砷化镓薄片托架14底部设置软垫14，避免在切割过程中砷化镓掉落摔坏，同时采用传送带10为托架的支撑设备，大大提高了工作效率。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
1.一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的顶端两侧设有支撑板(24)，所述支撑板(24)的顶端设有支撑横梁(25)，所述支撑横梁(25)的中心处设有倒扣的气缸(12)，所述气缸(12)的底部设有连接件(11)，所述连接件(11)的底部设有切割设备(13)，所述底座(1)的外侧设有电机(4)，所述电机(4)上设有第二带轮(9)，所述底座(1)左侧的前后两端设有垂直设置的第一支撑柱(6)，两个所述第一支撑柱(6)的顶端之间设有第一辊轮(8)，所述第一辊轮(8)的转轴一端伸出第一支撑柱(6)外并设有第一带轮(5)，所述第一带轮(5)和第二带轮(9)上套设有皮带(7)，所述底座(1)右侧的前后两端设有倾斜设置的第二支撑柱(15)，两个所述第二支撑柱(15)之间设有第二辊轮(16)，所述第一辊轮(8)和第二辊轮(16)上套设有传送带(10)，所述传送带(10)上设有若干个均匀分布的薄片托架(14)。
2.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，其特征在于：所述薄片托架(14)的左侧设有激光发射器(17)，所述薄片托架(14)位于激光发射器(17)的右侧四个输出端均朝向内侧的电动伸缩杆(18)，所述电动伸缩杆(18)的输出端设有挤压块(19)，四个所述电动伸缩杆(18)的底部设有筛网(20)。
3.根据权利要求2所述的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，其特征在于：所述挤压块(19)的外侧设有胶垫(21)，所述胶垫(21)的外侧设有黏胶。
4.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，其特征在于：所述切割设备(13)的底部设有切割刀片(23)，所述切割刀片(23)的一侧设有倒扣的激光接收设备(22)。
5.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，其特征在于：所述气缸(12)通过螺栓固定在支撑横梁(25)上。
6.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，其特征在于：所述第一支撑柱(6)和第二支撑柱(15)均与底座(1)固定连接。
7.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，其特征在于：所述电机(4)的底部设有载物板(3)，所述载物板(3)与底座(1)固定连接，所述电机(4)与载物板(3)之间通过螺栓相连接。
8.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，其特征在于：所述底座(1)的顶端设有软垫(2)。
技术总结