本申请涉及电子科技领域，尤其涉及一种电子设备内部尘点检测方法。
背景技术：
在手机质量检测的过程中，通常需要检测手机内部是否附着白点毛丝之类的尘点，然而，手机盖板等的器件的外表面也时常会附着白点毛丝之类的尘点，手机盖板外表面的尘点会影响到手机内部的检测，使得检测的结果无法反映手机内部的尘点。
技术实现要素：
本申请提供一种电子设备内部尘点检测方法，所述电子设备内部尘点检测方法在除去所述透光盖板外表面的外部尘点之后，再检测所述导光通道内的尘点；避免所述透光盖板外表面的外部尘点，干扰检测所述导光通道内的尘点。
所述电子设备内部尘点检测方法包括：提供电子设备，所述电子设备包括本体和透光盖板，所述本体具有待检测区域，所述透光盖板正对所述待检测区域；向所述透光盖板外表面输出含有阴离子的除尘气体，所述除尘气体中和所述透光盖板外表面的阳离子，降低所述透光盖板外表面的静电吸附力；除去吸附在所述透光盖板外表面的外部尘点；检测导光通道内的尘点，其中，所述导光通道为光线透过所述透光盖板至所述待检测区域的通道。
本实施方式在检测所述所述导光通道内的尘点之前，除去吸附在所述透光盖板外表面的外部尘点，避免所述透光盖板外表面的所述外部尘点干扰对所述导光通道内的尘点的检测。进一步地，本实施方式通过向所述透光盖板外表面输出含有阴离子的气体，降低所述透光盖板外表面的静电吸附力，使得附着在所述透光盖板外表面的所述外部尘点更易于脱落，提高了除去吸附在所述透光盖板外表面的外部尘点的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。
图2为本申请另一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。
图3为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。
图4为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。
图5为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。
图6为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。
图7为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。
图8为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。
图9为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。所述电子设备可以是任何具备通信和存储功能的设备。例如：平板电脑、手机、电子阅读器、遥控器、个人计算机(personalcomputer，pc)、笔记本电脑、车载设备、网络电视、可穿戴设备等具有网络功能的智能设备。所述检测方法包括s100、s200、s300、及s400，s100、s200、s300、及s400具体阐述如下。
s100：提供电子设备，所述电子设备包括本体和透光盖板，所述本体具有待检测区域，所述透光盖板正对所述待检测区域。
所述本体不限于为中框、电路板等。所述本体安装有摄像头、显示屏等的部件。所述本体正对所述透光盖板的区域为所述待检测区域。所述透光盖板为用于为所述待检测区域提供防护的部件，所述透光盖板不限于由玻璃、塑料等的任意一种或者任意多种材料组成。具体地，所述透光盖板不限于为镜片、显示屏保护膜。具体地，所述镜片覆盖在所述摄像头，以保护所述摄像头；所述显示屏保护膜覆盖所述显示屏，以保护所述显示屏。
s200：向所述透光盖板外表面输出含有阴离子的除尘气体，所述除尘气体中和所述透光盖板外表面的阳离子，降低所述透光盖板外表面的静电吸附力。
所述透光盖板外表面的阳离子会增大所述透光外表面的静电吸附力，进而吸附空气中带阴离子的尘点，使带阴离子的尘点附着在所述透光盖板的外表面上。在本实施方式中，通过向所述透光盖板外表面输出含有阴离子的气体，所述气体中得阴离子吸引所述透光盖板外表面的阳离子，进而中和所述透光盖板外表面的阳离子，使所述透光盖板外表面呈电中性，降低所述透光盖板外表面的静电吸附力。
具体地，在本实施方式中，提供离子风机，所述离子风机生成所述含有阴离子的气体。可以理解地，所述离子风机不限于为离子风棒等的用于生成含有离子气体的设备。
s300：除去吸附在所述透光盖板外表面的外部尘点。
所述外部尘点不限于为毛丝等的细微颗粒，所述外部尘点不限于为带阳离子的尘点、显电中性的尘点的任意一种或者多种。除去吸附在所述透光盖板外表面的外部尘点的方式不限于为吹拂、或者擦拭等。具体地，本实施方式通过向所述透光盖板外表面输出气体，所述气体将所述外部尘点从所述透光盖板外表面带走，以除去所述外部尘点。
具体地，所述离子风机生成所述含有阴离子的气体，所述气体中和所述透光盖板外表面的阳离子，降低所述透光盖板外表面的静电吸附力之后，再带走附着在所述透光盖板外表面的外部尘点。
s400：检测导光通道内的尘点，其中，所述导光通道为光线透过所述透光盖板至所述待检测区域的通道。
所述导光通道为光线透过所述透光盖板至所述待检测区域的通道。其中，所述导光通道不限于为透过所述透光盖板内表面、照射至光电器件的光线通道。所述导光通道内的尘点不限于为透光盖板内表面的尘点、光电器件正对所述透光盖板的区域内的尘点，所述光电器件不限于为摄像头、显示屏等的器件。
在除去所述透光盖板外表面的外部尘点之后，再检测所述导光通道内的尘点；避免所述透光盖板外表面的外部尘点，干扰检测所述导光通道内的尘点。
相关技术中，所述透光盖板外表面的外部尘点往往会干扰检测所述导光通道内的尘点，导致检测的结果并不能准确反映所述所述导光通道内的尘点。
相比于相关技术，本实施方式在检测所述所述导光通道内的尘点之前，除去吸附在所述透光盖板外表面的外部尘点，避免所述透光盖板外表面的所述外部尘点干扰对所述导光通道内的尘点的检测。进一步地，本实施方式通过向所述透光盖板外表面输出含有阴离子的气体，降低所述透光盖板外表面的静电吸附力，使得附着在所述透光盖板外表面的所述外部尘点更易于脱落，提高了除去吸附在所述透光盖板外表面的外部尘点的效率。
在本实施方式中，所述除尘气体的速度大于或者等于18m/s。所述除尘气体的速度大于或者等于18m/s，以使所述透光盖板外表面的外部尘点从所述透光盖板脱落。
在本实施方式中，所述除尘气体的洁净度大于或者等于100级。所述除尘气体的洁净度大于或者等于100级，以减少所述除尘气体内的尘土附着在所述透光盖板外表面。
请参阅图2，图2为本申请另一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。本实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法可以结合前面实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法。在本实施方式中，除了包括s100～s400之外，在s100之后、s200之前，所述检测方法还包括：s110、及s120。其中，s100～s400的描述请参阅图1及其相关描述，s110、及s120的具体阐述如下。
s110：提供初始气体。
s120：将所述初始气体进行加工，以形成含有阴离子的除尘气体。
在本实施方式中，将所述初始气体进行加工，所述加工的方式不限于于对所述初始气体进行过滤、电离，以形成含有阴离子的除尘气体。
请参阅图3，图3为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。本实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法可以结合前面实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法。在本实施方式中，除了包括s100～s400、s110、及s120之外，s120包括：s121、及s122。其中，s100～s400、s110及s120的描述请参阅前面的相关描述，s121、及s122的具体阐述如下。
s121：将所述初始气体进行过滤，过滤所述初始气体中的尘点，以形成无尘气体。
在本实施方式中，将所述初始气体进行过滤，除去所述初始气体的尘点，避免所述初始气体中的尘点附着所述透光盖板外表面，干扰检测所述导光通道内的尘点。
具体地，将初始气体进行过滤的方式不限于离子风棒、离子风机、无尘车间将吸入的初始气体进行过滤。可以理解地，所述离子风棒、所述离子风机或者所述无尘车间设有过滤器，所述过滤器包括超细玻璃纤维等的滤芯，以过滤去直径大于0.05微米的尘点。所述离子风棒、所述离子风机或者所述无尘车间具有出风口，所处出风口的直径为5-10毫米。
s122：对所述无尘气体进行电离，以形成含有阴离子的除尘气体。
在本实施方式中，提供高压发生器，所述高压发生器形成一稳定的高强电场，所述高强电场电离过滤后的所述无尘气体，形成含有阴离子的所述除尘气体，所述除尘气体吹佛所述透光盖板外表面，以中和所述透光盖板外表面的电荷。可以理解地，所述高压发生器设置于离子风机或者离子风棒内。所述离子风机或者所述离子风棒设有至少一个出风口，所述含有阴离子的除尘气体经所述出风口输出至所述透光盖板外表面。
请参阅图4，图4为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。本实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法可以结合前面实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法。在本实施方式中，除了包括s100～s400、s110、及s120之外，s120包括：s123、及s124。其中，s100～s400、s110及s120的描述请参阅前面的相关描述，s123、及s124的具体阐述如下。
s123：将所述初始气体进行电离，以形成阴离子气体。
在本实施方式中，提供高压发生器，所述高压发生器形成一稳定的高强电场，所述高强电场电离过滤后的所述无尘气体，形成含有阴离子的所述除尘气体，所述除尘气体吹佛所述透光盖板外表面，以中和所述透光盖板外表面的电荷。可以理解地，所述高压发生器设置于离子风机或者离子风棒内。所述离子风机或者所述离子风棒设有至少一个出风口，所述含有阴离子的除尘气体经所述出风口输出至所述透光盖板外表面。
s124：对所述阴离子气体进行过滤，以形成含有阴离子的除尘气体。
在本实施方式中，将所述初始气体进行过滤，除去所述初始气体的尘点，避免所述初始气体中的尘点附着所述透光盖板外表面，干扰检测所述导光通道内的尘点。
具体地，将初始气体进行过滤的方式不限于离子风棒、离子风机、无尘车间将吸入的初始气体进行过滤。可以理解地，所述离子风棒、所述离子风机或者所述无尘车间设有过滤器，所述过滤器包括超细玻璃纤维等的滤芯，以过滤去直径大于0.05微米的尘点。所述离子风棒、所述离子风机或者所述无尘车间具有出风口，所处出风口的直径为5-10毫米。
在本实施方式中，对初始气体进行电离形成阴离子气体后，再对所述阴离子气体进行过滤，过滤了阴离子气体中的尘点。
请参阅图5，图5为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。本实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法可以结合前面任一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法。在本实施方式中，除了包括s100～s400之外，在s400的步骤中，包括：s410、及s420。其中，s100～s300的描述请参阅前面的相关描述，s410、及s420的具体阐述如下。
s410：获取目标图像和参考图像，其中，所述目标图像为透过所述透光盖板拍摄所述待检测部所获取的图像。
s420：将所述目标图像和所述参考图像进行比较，以检测导光通道内的尘点。
在本实施方式中，提供处理器，所述处理器获取所述目标图像和所述参考图像，所述处理器获取所述目标图像和所述参考图像的方式不限于从存储器、服务器中获取。所述处理器将所述目标图像与所述参考图像进行比较，根据所述目标图像与所述参考图像的差异来检测所述导光通道的尘点。可以理解地，所述参考图像为所述导光通道内无尘点的图像。在另一实施方式，所述参考图像为将所述目标图像和所述参考图像进行比较，通过检测所述目标图像中与所述参考图像相似的部分来检测所述所述导光通道内的尘点。
请参阅图6，图6为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。本实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法可以结合前面实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法。在本实施方式中，除了包括s100～s300、s410、及s420之外，在s410的步骤中，包括：s411、s412及s413。其中，s100～s300、s410、及s420的描述请参阅前面的相关描述，s411、s412及s413的具体阐述如下。
s411：提供光源和传感器。
可以理解地，所述光源发出的光线不限于可见光、红外线等的光线。所述传感器为图像传感器，所述传感器设有感光面，所述感光面接受光线，以形成图像电信号。
s412：所述光源向所述透光盖板发出光线，所述光线透过所述透光盖板至所述待检测区域。
可以理解地，所述光源发出的光线传至所述透光盖板，所述光线透过所述透光盖板至所述待检测区域，所述光线照射至所述本体中正对所述透光盖板的光电器件
s413：所述传感器接收从所述透光玻璃透射出来的待检测光线，以形成目标图像。
可以理解地，所述传感器的感光面接受接收从所述透光玻璃透射出来的待检测光线，以形成所述目标图像。从所述透光玻璃投射出来的待检测光线不限于为从所述光电器件反射的光线、所述光电器件的尘点的光线、及所述透光玻璃内表面的尘点反射的光线，形成相应的图像电信号，所述传感器将形成的图像电信号传至与所述传感器电连接的处理器，所述处理器接受所述图像电信号，并根据所述图像电信号生成目标图像。
请参阅图7，图7为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。本实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法可以结合前面实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法。在本实施方式中，除了包括s100～s300、s410、s411、s412、s413及s420，在s420的步骤中，包括：s421、s422、及s423。其中，s100～s300、s410、s411、s412、s413的描述请参阅前面的相关描述，s421、s422、及s423的具体阐述如下。
s421：确定所述目标图像的多个第一像素值、及所述参考图像的多个第二像素值。
s422：将每个所述第一像素值与对应于所述第一像素值的所述第二像素值进行比较，以获取含有差异值的矩阵，其中，所述差异值为所述第一像素值与对应于所述第一像素值的所述第二像素值之间的差值。
s423：根据所述矩阵来检测导光通道内的尘点。
在本实施方式中，所述处理器解析所述目标图像，以确定所述目标图像中的多个第一像素值。可以理解地，所述目标图像中包括多个像素点，所述第一像素值为所述像素点的像素值。所述第一像素值不限于包括rgb值、灰度值等用于表示图像画面内容的数值。所述处理器将所述第一像素值与所述参考图像的所述第二像素值进行比较，以获取含有差异值的矩阵。其中，所述差异值为所述第一像素值与对应于所述第一像素值的所述第二像素值之间的差值。所述处理器根据所述矩阵来检测所述导光通道内的尘点。
请参阅图8，图8为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。本实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法可以结合前面实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法。在本实施方式中，除了包括s100～s300、s410、s411、s412、s413、s421、s422、及s423，在s424的步骤中，包括：s4241、s4242、及s4243。其中，s100～s300、s410、s411、s412、s413、s421、s422、及s423的描述请参阅前面的相关描述，s4241、s4242、及s4243的具体阐述如下。
s4241：根据所述矩阵确定导光通道内的尘点数量。
s4242：判断所述导光通道内的尘点数量是否在预设数量范围内。
s4243：若否，则对所述电子设备内部进行第一模式去尘处理。
在本实施方式中，所述处理器根据所述矩阵确定导光通道内的尘点数量，其中，所述导光通道内的尘点数量。所述处理器将所述导光通道内的尘点数量与预设数量范围的数值进行比较，判断所述导光通道内的尘点数量是否在所述预设范围内。可以理解地，所述预设数量范围用于判断所述导光通道内的尘点数量是否处于合理的范围。当所述导光通道内的尘点数量不在预设范围内，则所述导光通道内的尘点数量过多。对所述电子设备内部进行第一模式去尘处理。所述第一模式用于除去所述过多的尘点。在一实施方式中，检测出所述尘点数量密度较大的区域，对该区域进行去尘处理。在另一实施方式中，用第一强度的除尘气体吹拂所述电子设备内部。
若所述导光通道内的尘点数量在预设数量范围内，则不处理。所述导光通道内的尘点数量在预设范围内，则表明所述导光通道内的尘点数量在合理的范围内。
请参阅图9，图9为本申请又一实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法的流程图。本实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法可以结合前面实施方式提供的电子设备内部尘点检测方法。在本实施方式中，除了包括s100～s300、s410、s411、s412、s413、s421、s422、s423、及s424，在s424的步骤中，包括：s4244、s4245、及s4246。其中，s100～s300、s410、s411、s412、s413、s421、s422、及s423的描述请参阅前面的相关描述，s4244、s4245、及s4246的具体阐述如下。
s4244：根据所述矩阵确定导光通道内的尘点直径。
s4245：判断所述导光通道内的尘点直径是否在预设直径范围内。
s4246：若否，则对所述电子设备内部进行第二模式去尘处理。
所述处理器将所述导光通道内的尘点直径与预设直径范围的数值进行比较，判断所述导光通道内的尘点直径是否在所述预设直径范围内。在本实施方式中，所述处理器根据所述矩阵确定导光通道内的尘点直径。可以理解地，所述导光通道内的尘点的数量大于或者等于1个时，所述导光通道内的尘点直径指的是任意一个导光通道内的尘点的直径。若存在任意一个导光通道内的尘点的直径不在预设直径范围内，则对所述电子设备内部进行第二模式去尘处理。可以理解地，在一实施方式中，所述第二模式用第二强度的所述除尘气体吹佛所述电子设备内部，其中，所述第二强度大于所述第一强度。
可以理解地，所述预设直径范围用于判断所述导光通道内的尘点直径。是否处于合理的范围。当所述导光通道内的尘点直径不在预设范围内，则导光通道内的尘点直径过大。所述处理器发出提示信号，所述提示信号用于提示导光通道内的尘点直径过大。可以理解地，所述导光通道内的尘点直径过大时，会直接影响导光通道的透光性能，进而影响光电器件的工作。具体地，所述光电器件为摄像头时，则所述光电器件的拍摄的画面会存在白点。所述光电器件为显示屏时，则所述光电器件的画面存在白点。
若所述导光通道内的尘点直径在预设直径范围内，则不处理。所述导光通道内的尘点直径在预设范围内则表明所述导光通道内的尘点直径较小，不会直接影响所述光电器件的正常工作。
在另一实施方式，根据所述矩阵确定导光通道内的尘点直径判断导光通道内的尘点直径是否在预设直径范围内、或者根据导光通道内的尘点数量是否在预设数量范围内；当所述尘点直径不在预设直径范围内且根据导光通道内的尘点数量不在预设数量范围内，则对所述电子设备内部进行第三模式去尘处理。其中，所述第三模式为用第三强度的所述除尘气体吹佛所述电子设备内部，其中，所述第三强度大于或者等于第二强度。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
1.一种电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，所述电子设备内部尘点检测方法包括：
提供电子设备，所述电子设备包括本体和透光盖板，所述本体具有待检测区域，所述透光盖板正对所述待检测区域；
向所述透光盖板外表面输出含有阴离子的除尘气体，所述除尘气体中和所述透光盖板外表面的阳离子，降低所述透光盖板外表面的静电吸附力；
除去吸附在所述透光盖板外表面的外部尘点；
检测导光通道内的尘点，其中，所述导光通道为光线透过所述透光盖板至所述待检测区域的通道。
2.如权利要求1所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，在提供电子设备的步骤之后，在向所述透光盖板外表面输出含有阴离子的除尘气体的步骤之前，所述电子设备内部尘点检测方法还包括：
提供初始气体；
将所述初始气体进行加工，以形成含有阴离子的除尘气体。
3.如权利要求2所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，在对所述初始气体进行加工，以形成含有阴离子的除尘气体的步骤，包括：
将所述初始气体进行过滤，过滤所述初始气体中的尘点，以形成无尘气体；
对所述无尘气体进行电离，以形成含有阴离子的除尘气体。
4.如权利要求2所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，在对所述初始气体进行加工，以形成含有阴离子的除尘气体的步骤，包括：
将所述初始气体进行电离，以形成阴离子气体；
对所述阴离子气体进行过滤，以形成含有阴离子的除尘气体。
5.如权利要求1所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，在检测导光通道内的尘点的步骤，包括：
获取目标图像和参考图像，其中，所述目标图像为透过所述透光盖板拍摄所述待检测部所获取的图像；
将所述目标图像和所述参考图像进行比较，以检测导光通道内的尘点。
6.如权利要求5所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，在获取目标图像的步骤中，包括：
提供光源和传感器；
所述光源向所述透光盖板发出光线，所述光线透过所述透光盖板至所述待检测区域；
所述传感器接收从所述透光玻璃透射出来的待检测光线，以形成目标图像。
7.如权利要求5所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，在将所述目标图像和所述参考图像进行比较，以检测导光通道内的尘点的步骤中，包括：
确定所述目标图像的多个第一像素值、及所述参考图像的多个第二像素值；
将每个所述第一像素值与对应于所述第一像素值的所述第二像素值进行比较，以获取含有差异值的矩阵，其中，所述差异值为所述第一像素值与对应于所述第一像素值的所述第二像素值之间的差值；
根据所述矩阵来检测导光通道内的尘点。
8.如权利要求7所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，在根据所述矩阵来检测导光通道内的尘点的步骤中，包括：
根据所述矩阵确定导光通道内的尘点数量；
判断所述导光通道内的尘点数量是否在预设数量范围内；
若否，则对所述电子设备内部进行第一模式去尘处理。
9.如权利要求7所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，在根据所述矩阵来检测导光通道内的尘点的步骤中，包括：
根据所述矩阵确定导光通道内的尘点直径；
判断所导光通道内的尘点直径是否在预设直径范围内；
若否，则对所述电子设备内部进行第二模式去尘处理。
10.如权利要求1所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，所述除尘气体的速度大于或者等于18m/s。
11.如权利要求1所述的电子设备内部尘点检测方法，其特征在于，所述除尘气体的洁净度大于或者等于100级。
技术总结