本实用新型涉及一种封装结构，尤其涉及一种薄膜覆晶封装结构。
背景技术：
随着液晶电视、便携式移动设备等电子产品不断向着“轻薄短小”化发展，所需的集成电路元件也需要实现高密度封装，在此发展趋势下，薄膜覆晶封装逐渐成为业界主流。薄膜覆晶封装将芯片所设的金属凸块与可挠性线路载板上的引脚相连，以将芯片直接搭载在可挠性线路载板上，从而实现电子线路与封装结构的高度集成化与可挠化。随着芯片的线路排布密度越来越高，为进一步提高凸块的排布密度，目前的主要技术方案是将芯片的凸块以及与其相连的引脚双排交错排布。
然而，采用双排交错排布时，内排凸块所连接的内排引脚会从外排凸块间穿过，当引脚间的线距进一步缩小，在现有的薄膜覆晶封装工艺能力下，连接位置会有一定的误差，从而使内排引脚与外排凸块相搭接，造成短路。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种薄膜覆晶封装结构。
为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种薄膜覆晶封装结构，包括：薄膜卷带，其包括可挠性介电层、内排引脚和外排引脚，所述内排引脚和所述外排引脚设在所述可挠性介电层之上，所述内排引脚起始端设于所述外排引脚起始端内侧，其中所述内排引脚的高度小于所述外排引脚的高度；芯片，设置于所述薄膜卷带上，其底部设有内排凸块和外排凸块，所述内排凸块设于所述外排凸块内侧，其中所述内排凸块的高度大于所述外排凸块的高度；所述内排引脚与所述内排凸块电性连接，所述外排引脚与所述外排凸块电性连接。
作为本实用新型的进一步改进，所述内排引脚与所述外排引脚之间依次间隔交错排列。
作为本实用新型的进一步改进，所述内排凸块与所述外排凸块之间依次间隔交错排列。
作为本实用新型的进一步改进，所述内排引脚与所述外排引脚均沿着由内向外方向引出。
作为本实用新型的进一步改进，所述内排引脚和所述内排凸块的累加高度与所述外排引脚和所述外排凸块的累加高度相同。
作为本实用新型的进一步改进，所述薄膜覆晶封装结构还包括防焊层，所述防焊层形成于所述可挠性介电层上，覆盖所述内排引脚和所述外排引脚。
作为本实用新型的进一步改进，所述防焊层设有开口，以露出所述内排引脚与所述内排凸块的接合区域以及所述外排引脚与所述外排凸块的接合区域。
作为本实用新型的进一步改进，所述薄膜覆晶封装结构还设有封装层，所述封装层设于所述薄膜卷带和所述芯片之间，由封装胶体填充而成。
作为本实用新型的进一步改进，所述封装层包覆所述内排引脚和所述外排引脚以及所述内排凸块和所述外排凸块。
作为本实用新型的进一步改进，所述封装层还包覆所述防焊层开口露出的部分所述内排引脚和所述外排引脚区域。
本实用新型的有益效果是：通过立体的双排交错排布薄膜覆晶封装结构，使内排引脚穿过外排凸块与外排引脚接合区域时，避免了应工艺精度不够而导致的内排引脚易与外排凸块搭接的问题，从而避免了短路的风险。
附图说明
图1是本实用新型一实施方式中的薄膜覆晶封装结构的示意图。
图2是本实用新型一实施方式中的薄膜覆晶封装结构的薄膜卷带的上透视图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
下面详细描述本实用新型的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
如图1，在本实用新型一实施方式中，薄膜覆晶封装结构，包括：薄膜卷带1和芯片2，所述芯片2设置于所述薄膜卷带1上。
所述薄膜卷带1包括可挠性介电层11，所述可挠性介电层11邻近所述芯片2的表面分别设有内排引脚12和外排引脚13，在本实施例中，设有沿相对方向引出的两排所述内排引脚12和两排所述外片引脚13，沿同一方向引出的所述内排引脚12和所述外排引脚13位于同一侧。所述内排引脚12起始端设于靠近所述可挠性介电层11被所述芯片2覆盖区域中心处的位置，相对于所述内排引脚12，所述外排引脚13起始端设于远离所述可挠性介电层11被所述芯片2覆盖区域中心处的位置。
进一步地，位于同侧的所述内排引脚12与所述外排引脚13之间依次间隔交错排列，每相邻的两个所述内排引脚12之间设有一个所述外排引脚13。
在本实施方式中，所述芯片2邻近所述薄膜卷带1的表面分别设有内排凸块21和外排凸块22，在本实施例中，芯片相对的两侧均分别设有所述内排凸块21和所述外排凸块22。所述内排凸块21设于靠近所述芯片2中心处的位置，相对于所述内排凸块21，所述外排凸块22设于远离所述芯片2中心处的位置。
进一步地，位于所述芯片2同侧的所述内排凸块21与所述外排凸块22之间依次间隔交错排列，每相邻的两个所述内排凸块21之间设有一个所述外排凸块22。
位于芯片同侧的所述内排凸块21与所述内排引脚12电性连接，所述外排凸块22与所述外排引脚13电性连接。
进一步地，所述内排凸块21与相邻所述外排凸块22间的排布间距应根据芯片实际需求来设计确定。所述内排引脚12与相邻所述外排引脚13间的排布间距应配合所述内排凸块21和所述外排凸块22的排布间距，以使凸块和引脚能够电性连接。
在本实施例中，于芯片两侧均设有所述内排凸块21和所述外排凸块22，以及相对应地设于所述可挠性介电层上的所述内排引脚12和所述外排引脚13，然而本实用新型的凸块以及引脚排布方式并不以此为限，在其它实施例中，也可以依据芯片的不同设计，于芯片一侧设置所述内排凸块21和所述外排凸块22，于芯片另一侧设置单排凸块，并设置与凸块相对应的引脚，或者于芯片及可挠性介电层上采取其它凸块与引脚的排布方式，并至少有一处采取所述内排凸块21和所述外排凸块22以及相对应的所述内排引脚12和所述外排引脚13交错排布的设置。
所述内排引脚12与所述外排引脚13均沿着由所述芯片2中心处向远离所述芯片2中心处的方向引出。
进一步地，所述内排引脚12与所述外排引脚13在靠近起始端的一段沿着互相平行的方向接续排列，以保证所述内排凸块21以及所述外排凸块22与相对应的所述内排引脚12以及所述外排引脚13电性连接时，不会与其它引脚发生干涉。
如图2，在本实施方式中，所述内排引脚12的高度小于所述外排引脚13的高度；所述内排凸块21的高度大于所述外排凸块22的高度。
由于所述内排凸块21高度大于所述外排凸块22，并且所述内排引脚12高度小于所述外排引脚13高度，从而使所述内排引脚12在穿过所述外排凸块22和所述外排引脚13的接合区域时，所述内排引脚12与所述外排凸块22之间存在一定间隔距离，所述内排引脚12两侧相邻的面为高于其的所述外排引脚13，而不会暴露在所述外排凸块22之间，从而避免了因工艺精度问题使所述内排引脚12与所述外排凸块22偏离其所预设的位置，导致两者发生搭接造成短路的可能。
进一步地，所述内排凸块21连接于所述内排引脚12邻近起始端处，所述内排引脚12自其起始端至所述内排凸块21靠近所述内排引脚12起始端一侧的部分为内排凸块内引脚段121。相邻的所述内排引脚12和所述外排引脚13在引脚引出方向上之间的间距应大于所述内排凸块21的长度与所述内排凸块内引脚段121的长度之和，从而在由于工艺精度不足而导致的凸块与引脚间连接位置发生偏差的条件下，所述内排凸块21不易与所述外排引脚13接触，发生短路。
另外，由于所述外排引脚13的宽度小于所述外排凸块22的宽度，所述内排引脚12与所述外排引脚13间搭接短路的可能性很小。
在本实施方式中，所述内排引脚12和所述内排凸块21的累加高度与所述外排引脚13和所述外排凸块22的累加高度相同，由于所述芯片2下表面平行，从而可使所述可挠性介电层11与所述芯片2下表面相对平行设置，避免发生不必要的弯折。
进一步地，在本实施方式中，所述薄膜覆晶封装结构还包括防焊层3，所述防焊层3形成于所述可挠性介电层11上，并覆盖所述内排引脚12和所述外排引脚13，以防止所述内排引脚12和所述外排引脚13外露而被污染导致短路失效。
所述防焊层3设有开口，以露出所述内排引脚12与所述内排凸块21的接合区域以及所述外排引脚13与所述外排凸块22的接合区域，从而不会影响所述芯片2与所述薄膜卷带1之间的连接。
另外，在本实施方式中，所述薄膜覆晶封装结构还设有封装层4，所述封装层4设于所述薄膜卷带1和所述芯片2之间，由封装胶体填充而成。
所述封装层4填充满所述薄膜卷带1和所述芯片2之间存在的空隙，完整包覆所述内排引脚12和所述外排引脚13以及所述内排凸块21和所述外排凸块22，所述封装层4还包覆防焊层3开口露出的部分所述内排引脚12和所述外排引脚13区域，从而对所述内排凸块21和所述外排凸块22以及所述内排引脚12和所述外排引脚13起到密封和保护的作用。
综上所述，本实用新型提供的一种薄膜覆晶封装结构，芯片上设有交错的内排凸块和外排凸块，所述内排凸块高度低于所述内排凸块的高度；并于薄膜卷带上设有分别与所述内排凸块和所述外排凸块相连的内排引脚和外排引脚，所述所述内排引脚的高度小于所述外排引脚的高度，通过此结构，从而使所述内排引脚穿过所述外排凸块与所述外排引脚接合区域时，不会因工艺精度问题而与所述外排凸块搭接。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明，并非用以限制本实用新型的保护范围，凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。
1.一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，包括：
薄膜卷带，其包括可挠性介电层、内排引脚和外排引脚，所述内排引脚和所述外排引脚设在所述可挠性介电层之上，所述内排引脚起始端设于所述外排引脚起始端内侧，其中所述内排引脚的高度小于所述外排引脚的高度；
芯片，设置于所述薄膜卷带上，其底部设有内排凸块和外排凸块，所述内排凸块设于所述外排凸块内侧，其中所述内排凸块的高度大于所述外排凸块的高度；
所述内排引脚与所述内排凸块电性连接，所述外排引脚与所述外排凸块电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述内排引脚与所述外排引脚之间依次间隔交错排列。
3.根据权利要求2所述的一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述内排凸块与所述外排凸块之间依次间隔交错排列。
4.根据权利要求3所述的一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述内排引脚与所述外排引脚均沿着由内向外方向引出。
5.根据权利要求4所述的一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述内排引脚和所述内排凸块的累加高度与所述外排引脚和所述外排凸块的累加高度相同。
6.根据权利要求1所述的一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述薄膜覆晶封装结构还包括防焊层，所述防焊层形成于所述可挠性介电层上，覆盖所述内排引脚和所述外排引脚。
7.根据权利要求6所述的一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述防焊层设有开口，以露出所述内排引脚与所述内排凸块的接合区域以及所述外排引脚与所述外排凸块的接合区域。
8.根据权利要求6所述的一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述薄膜覆晶封装结构还设有封装层，所述封装层设于所述薄膜卷带和所述芯片之间，由封装胶体填充而成。
9.根据权利要求8所述的一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述封装层包覆所述内排引脚和所述外排引脚以及所述内排凸块和所述外排凸块。
10.根据权利要求9所述的一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述封装层还包覆所述防焊层开口露出的部分所述内排引脚和所述外排引脚区域。
技术总结