一种过压保护电路的制作方法

专利2022-06-28  69


本实用新型涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种过压保护电路。



背景技术:

目前电子产品日益丰富,种类繁多,大至电脑,电视,小至蓝牙耳机,手机,平板,音响等,越来越多的移动终端正在进入人们的生活,每个移动终端产品都需要适配器,蓄电池,充电宝等来充电。

而现在市面上的适配器种类繁多,鱼龙混杂,质量参差不齐;蓄电池,充电宝等在向外放电过程中电量会越来越低;如果不加保护会给充电产品带来极大的影响,若工作不稳定,严重的会直接损坏我们的移动终端产品。因此,亟需设计一种过压保护电路来解决上述问题。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种过压保护电路。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

一种过压保护电路,包括外接电源接口,所述外接电源接口的一端电性连接有第一二极管,且电源接口和第一二极管之间电性连接有直流电源in,所述第一二极管的一端电性连接有pmos管,且第一二极管通过导线电性连接在pmos管的s极上,所述pmos管的d极上电性连接有或非门,所述第一二极管和pmos管之间的导线上电性连接有选通脉冲、第一电阻和三极管。

进一步的,所述第一电阻和三极管靠近所述pmos管一端的集电极电性连接,所述三极管的基极上电性连接有第二电阻,且三极管的基极通过第二电阻与第一电阻电性连接。

进一步的,所述三极管的集电极上电性连接有第四电阻,且第四电阻的一端接地,所述三极管的集电极通过导线电性连接在pmos管的g极上,且三极管的集电极和pmos管的g极之间电性连接有第二电容,且第二电容的另一端电性连接在三极管的发射极和pmos管的s极之间。

进一步的,所述第一电阻远离第一二极管的一端电性连接有第二二极管,所述第二二极管的一端电性连接有第三电阻,且第三电阻的一端通过导线接地,所述第一电阻和第二二极管之间的导线上电性连接有第一电容,且第一电容的一端接地。

进一步的,所述外接电源接口和第一二极管之间的导线上电性连接有电解电容,且电解电容的负极接地。

进一步的,所述直流电源in、选通脉冲和或非门的电压均为12v。

本实用新型的有益效果为:

1.通过设置的本电路,在电压超出设定的范围时可以自动切断电源,保护移动终端产品不受损坏,并且本专利电路简单,触发反应快,响应迅速,成本低廉,有很好的应用前景。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种过压保护电路的结构示意图。

图中:cn1外接电源接口、in直流电源、stb选通脉冲、nor或非门、d1第一二极管、d2第二二极管、e1电解电容、r1第一电阻、r2第二电阻、r3第三电阻、r4第四电阻、c1第一电容、c2第二电容、q1三极管、q2pmos管。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是,当组件被称为“固定于”另一个组件,它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件,它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件,它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

参照图1,一种过压保护电路,包括外接电源接口cn1,电源接口cn1的型号为dc-005-2.0mm,起连接作用,将外接电流引入,外接电源接口cn1的一端电性连接有第一二极管d1,第一二极管d1为防反接二极管,当外接正负极接反时可以保护后级电路不受损坏,且电源接口cn1和第一二极管d1之间电性连接有直流电源in,第一二极管d1的一端电性连接有pmos管q2,pmos管q2的型号为gn3401,用做开关管,有截止和导通两个状态,且第一二极管d1通过导线电性连接在pmos管q2的s极上,pmos管q2的d极上电性连接有或非门nor,用于输出,第一二极管d1和pmos管q2之间的导线上电性连接有选通脉冲stb、第一电阻r1和三极管q1,第一电阻r1的大小为330ω,第一电阻r1是限流分压电阻。

进一步的,第一电阻r1和三极管q1靠近pmos管q2一端的集电极电性连接,三极管q1的基极上电性连接有第二电阻r2,第二电阻r2的大小为4.7kω,用作限流电阻保护三极管q1,且三极管q1的基极通过第二电阻r2与第一电阻r1电性连接。

进一步的,三极管q1的集电极上电性连接有第四电阻r4,第四电阻r4的大小为200kω,将电流转换为电压为q2提供驱动信号,且第四电阻r4的一端接地,三极管q1的集电极通过导线电性连接在pmos管q2的g极上,且三极管q1的集电极和pmos管q2的g极之间电性连接有第二电容c2,第二电容c2的大小为0.1μf,pmos管q2的软启动电容,并且保护pmos管q2,且第二电容c2的另一端电性连接在三极管q1的发射极和pmos管q2的s极之间。

进一步的,第一电阻r1远离第一二极管d1的一端电性连接有第二二极管d2,稳压二极管,作用是当输入电压小于13v时电路不工作,第二二极管d2的一端电性连接有第三电阻r3,第三电阻r3的大小为330ω,限流分压电阻,且第三电阻r3的一端通过导线接地,第一电阻r1和第二二极管d2之间的导线上电性连接有第一电容c1,第一电容c1的大小为10uf,第一电容c1为瓷片电容,可以稳定电压,防止误因电压波动而出发电路进入保护状态,且第一电容c1的一端接地。

进一步的,外接电源接口cn1和第一二极管d1之间的导线上电性连接有电解电容e1,电解电容e1的大小为470μf,稳定外接电压,滤除引入的交流成分,且电解电容e1的负极接地。

进一步的,直流电源in、选通脉冲stb和或非门nor的电压均为12v,充电电压。

工作原理:使用时,左侧外接电源接口cn1为dc输入端,可以是适配器输入,也可以蓄电池等,当外接电源接口cn1插入12v适配器时,电解电容e1充电,同时in电流流过第一二极管d1来到选通脉冲stb,此时三极管q1的发射极电压为12v,基级电压也为12v,三极管q1不导通,pmos管q2由于第四电阻r4接地,栅极为0v,所以pmos管q2打开,或非门nor正常,电路正常工作;当电压超过限定范围13v时,第二二极管d2开始工作,钳位在13v,三极管q1饱和导通,pmos管q2关断,或非门nor为0v,切断后级电源,电路进入保护状态。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。


技术特征:

1.一种过压保护电路,包括外接电源接口(cn1),其特征在于,所述外接电源接口(cn1)的一端电性连接有第一二极管(d1),且电源接口(cn1)和第一二极管(d1)之间电性连接有直流电源(in),所述第一二极管(d1)的一端电性连接有pmos管(q2),且第一二极管(d1)通过导线电性连接在pmos管(q2)的s极上,所述pmos管(q2)的d极上电性连接有或非门(nor),所述第一二极管(d1)和pmos管(q2)之间的导线上电性连接有选通脉冲(stb)、第一电阻(r1)和三极管(q1)。

2.根据权利要求1所述的一种过压保护电路,其特征在于,所述第一电阻(r1)和三极管(q1)靠近所述pmos管(q2)一端的集电极电性连接,所述三极管(q1)的基极上电性连接有第二电阻(r2),且三极管(q1)的基极通过第二电阻(r2)与第一电阻(r1)电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种过压保护电路,其特征在于,所述三极管(q1)的集电极上电性连接有第四电阻(r4),且第四电阻(r4)的一端接地,所述三极管(q1)的集电极通过导线电性连接在pmos管(q2)的g极上,且三极管(q1)的集电极和pmos管(q2)的g极之间电性连接有第二电容(c2),且第二电容(c2)的另一端电性连接在三极管(q1)的发射极和pmos管(q2)的s极之间。

4.根据权利要求1所述的一种过压保护电路,其特征在于,所述第一电阻(r1)远离第一二极管(d1)的一端电性连接有第二二极管(d2),所述第二二极管(d2)的一端电性连接有第三电阻(r3),且第三电阻(r3)的一端通过导线接地,所述第一电阻(r1)和第二二极管(d2)之间的导线上电性连接有第一电容(c1),且第一电容(c1)的一端接地。

5.根据权利要求1所述的一种过压保护电路,其特征在于,所述外接电源接口(cn1)和第一二极管(d1)之间的导线上电性连接有电解电容(e1),且电解电容(e1)的负极接地。

6.根据权利要求1所述的一种过压保护电路,其特征在于,所述直流电源(in)、选通脉冲(stb)和或非门(nor)的电压均为12v。

技术总结
本实用新型公开了一种过压保护电路,包括外接电源接口,外接电源接口的一端电性连接有第一二极管,且电源接口和第一二极管之间电性连接有直流电源IN,第一二极管的一端电性连接有PMOS管,且第一二极管通过导线电性连接在PMOS管的S极上,PMOS管的D极上电性连接有或非门,第一二极管和PMOS管之间的导线上电性连接有选通脉冲、第一电阻和三极管,第一电阻和三极管靠近PMOS管一端的集电极电性连接,三极管的基极上电性连接有第二电阻,且三极管的基极通过第二电阻与第一电阻电性连接。本实用新型在电压超出设定的范围时可以自动切断电源,保护移动终端产品不受损坏,并且本专利电路简单,触发反应快,响应迅速,成本低廉,有很好的应用前景。

技术研发人员:黄栎硬
受保护的技术使用者:深圳市通久电子有限公司
技术研发日:2019.12.13
技术公布日:2020.06.09

转载请注明原文地址: https://bbs.8miu.com/read-8159.html

最新回复(0)