本发明涉及一种电路组件，尤其涉及一种利用桥接电路板的半桥电路组件。
背景技术：
随着科技的进步，电子装置也越来越普及，例如电视、电脑主机、电脑屏幕、电冰箱、音响…等。因为大部分电子装置的内部电子元件大多采用直流电源，故需要一个装置来将属于交流电且固定电压的市电转换成各种不同大小的直流电压，并供应给各个内部电子元件，使其运作发挥其功能。而将交流电转换成直流电的装置就是电源供应器。
一般来说，电源供应器依其电路的不同，可以分为线性电源供应器(linearpowersupply)与切换式电源供应器(switchmodepowersupply；smps)。线性电源供应器的优点为电路简单、耐用、稳定度高、暂态响应快。然而，线性电源供应器具有体积大、重量重、效率低、输入电压范围较窄、保持时间较短等缺点，使线性电源供应器在近年已渐渐被切换式电源供应器所取代。
又为了因应各种不同的输出功率，切换式电源供应器遂发展出以下几种常见的电路拓扑(topology)，有返驰式(flyback)、顺向式(forward)、全桥式(fullbridge)、半桥式(halfbridge)与推挽式(push-pull)等。
请参阅图1与图2，图1显示现有技术的切换式电源供应器的电路示意图；以及，图2显示现有技术的切换式电源供应器的立体示意图。如图1、图2所示，一种切换式电源供应器pa100，包含至少一电路板、一第一晶体管pa12、一第二晶体管pa13、一驱动信号源pa14、一电感pa15、一电容pa16与一输入电压源pa17。在本实施例中，切换式电源供应器pa100包含二电路板pa11与pa11a。
第一晶体管pa12、第二晶体管pa13与驱动信号源pa14设置于电路板pa11，电感pa15与电容pa16设置于电路板pa11a。但不以此为限，在现有技术中，上述元件也可皆设置于同一块电路板上。输入电压源pa17，藉由电压连接端pah2与pah3电性连接第一晶体管pa12与第二晶体管pa13。
第一晶体管pa12与第二晶体管pa13将以金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor；mosfet)做说明，但不以此为限。第一晶体管pa12具有一栅极(gate)pag12、一漏极(drain)pad12与一源极(source)pas12，而第二晶体管pa13具有一栅极(gate)pag13、一漏极(drain)pad13与一源极(source)pas13。第一晶体管pa12与第二晶体管pa13电性连接会形成一半桥式电路，更精确地说，第一晶体管pa12的源极pas12与第二晶体管pa13的漏极pad13电性连接。
第一晶体管pa12的栅极pag12会自驱动信号源pa14接收一第一驱动信号pas1，而第二晶体管pa13的栅极pag13会自驱动信号源pa14接收一第二驱动信号pas2，其中，第一驱动信号pas1与第二驱动信号pas2互为反向信号。也就是说，在半桥式电路中，第一晶体管pa12导通时，第二晶体管pa13便断开；第二晶体管pa13导通时，第一晶体管pa12便断开，藉以避免第一晶体管pa12与第二晶体管pa13同时导通，而造成电路短路，甚至是第一晶体管pa12与第二晶体管pa13被烧毁等问题。
然而，源极pas12与漏极pad13之间藉由一布线pal3电性连接，在布线pal3上具有一节点pan，节点pan经由一布线pal1与一电感连接端pah1电性连接电感pa15。电容pa16电性连接电感pa15，并利用一布线pal2电性连接至电压连接端pah3，其中，布线pal1、布线pal2与布线pal3可为电线，亦可为印刷电路板上的走线(trace)。因为第一晶体管pa12与第二晶体管pa13不断切换的关系，节点pan与经过节点pan的布线pal1、pal3会形成一信号干扰源，并以节点pan与布线pal1、pal3为基础而向外扩充形成一信号干扰区pair。在此需说明的是，信号干扰区并非仅为二维平面，也可能是三维空间，附图是绘制信号干扰区形成于电路板pa11的部分，并标示为信号干扰区pair。此外，只要有电流流经的地方或多或少都会产生干扰，因并非信号干扰区pair的主要成因，故不多加赘述。
在此，驱动信号源pa14邻近于第一晶体管pa12，因此传送的第一驱动信号pas1不会经过信号干扰区pair。但是，当驱动信号源pa14传送第二驱动信号pas2至第二晶体管pa13时，就会经过信号干扰区pair，进而造成第二驱动信号pas2受到干扰。甚至有可能使本来应该断开的第二晶体管pa13导通，使得第一晶体管pa12与第二晶体管pa13同时导通导致电路短路进而烧毁等问题。若驱动信号源pa14邻近于第二晶体管pa13，则有可能经过信号干扰区pair被干扰的就是传送到离驱动信号源pa14较远的第一晶体管pa12的第一驱动信号pas1。
现有技术中的解决办法为设法将布线(电线或印刷电路板上的走线)绕开信号干扰区pair，如图2所示。然而，此举却会使得电路板pa11上的使用密度降低或是增加电路板pa11的面积体积进而增加空间占用率，不符合现今社会追求重量轻量化或是体积最小化的需求。而且，若电路板pa11上有多组第一晶体管pa12与第二晶体管pa13时，信号干扰区pair也会随之变多，故涵盖范围就会越大。布线若要完全绕开信号干扰区，将会使上述使用密度降低与增加空间占用率的问题更加明显。此外，如同前述只要有布线的地方或多或少都会有干扰，因此，将布线绕开信号干扰区pair仍有可能会受到电路板pa11上其他布线的干扰。
技术实现要素：
有鉴于在现有技术中，第一晶体管与第二晶体管所形成的节点，以及以节点与经过节点的布线为基础而向外扩充所形成的信号干扰区，会造成第一驱动信号与第二驱动信号中经过信号干扰区的一者受到信号干扰区干扰，有可能造成第一晶体管与第二晶体管同时导通导致电路短路，甚至是烧毁第一晶体管与第二晶体管的问题。而将布线绕开信号干扰区，又会造成电路板上的使用密度降低，或是增加电路板的空间占用率，与现今追求重量轻量化与体积最小化的需求背道而驰。本发明的一主要目的在于提供一种半桥电路组件及切换式电源供应器，用以使第一驱动信号与第二驱动信号皆不会经过信号干扰区。
本发明为解决现有技术的问题，所采用的必要技术手段为提供一种半桥电路组件，用以接收一第一驱动信号及与第一驱动信号反向的一第二驱动信号，并包含一主电路板、一第一晶体管、一第二晶体管与一桥接电路板。
主电路板，具有一第一晶体管设置区与一第二晶体管设置区。第一晶体管，设置于第一晶体管设置区。第二晶体管，设置于第二晶体管设置区，并电性串接第一晶体管，第一晶体管与第二晶体管之间具有一节点，且以节点与至少一连接节点的布线为基础而向外扩充定义出一信号干扰区。
桥接电路板，自第一晶体管设置区跨越信号干扰区桥接至第二晶体管设置区，其中第一晶体管的一控制端接收第一驱动信号，第二晶体管的一控制端通过桥接电路板接收第二驱动信号，藉以避免第二驱动信号经过信号干扰区而受到干扰。
在上述必要技术手段的基础下，本发明所衍生的一附属技术手段为使半桥电路组件中的第一晶体管，其一源极(source)与第二晶体管的一漏极(drain)电性连接，并形成上述节点。
在上述必要技术手段的基础下，本发明所衍生的一附属技术手段为使半桥电路组件，更包含一连接器，且连接器电性连接主电路板与桥接电路板。
在上述必要技术手段的基础下，本发明所衍生的一附属技术手段为使半桥电路组件，更包含一第三晶体管，第三晶体管设置于第一晶体管设置区，并电性串接第一晶体管，且第三晶体管的一控制端接收第一驱动信号。
在上述必要技术手段的基础下，本发明所衍生的一附属技术手段为使半桥电路组件，更包含一第四晶体管，第四晶体管设置于第二晶体管设置区，并电性串接第二晶体管，且第四晶体管的一控制端通过桥接电路板接收第二驱动信号。
在上述必要技术手段的基础下，本发明所衍生的一附属技术手段为使半桥电路组件，更包含彼此电性串接的多个第三晶体管，第三晶体管设置于第一晶体管设置区，第三晶体管中最靠近第一晶体管的一者的一源极与第一晶体管的一漏极电性连接，且第三晶体管的多个控制端接收第一驱动信号。
在上述必要技术手段的基础下，本发明所衍生的一附属技术手段为使半桥电路组件，更包含多个第四晶体管，第四晶体管设置于第二晶体管设置区，第四晶体管中最靠近第二晶体管的一者的一漏极与第二晶体管的一源极电性连接，且第四晶体管的多个控制端通过桥接电路板接收第二驱动信号。
本发明为解决现有技术的问题，所采用的必要技术手段为另外提供一种切换式电源供应器，包含至少一半桥电路组件与一驱动信号源。每一半桥电路组件包含一主电路板、一第一晶体管、一第二晶体管与一桥接电路板。
主电路板，具有一第一晶体管设置区与一第二晶体管设置区。第一晶体管，设置于第一晶体管设置区。第二晶体管，设置于第二晶体管设置区，并电性串接第一晶体管，第一晶体管与第二晶体管之间具有一节点，且以节点与至少一经过节点的布线为基础而向外扩充定义出一信号干扰区。桥接电路板，自第一晶体管设置区跨越信号干扰区桥接至第二晶体管设置区。
驱动信号源，邻设于半桥电路组件，第一晶体管的一控制端自驱动信号源接收一第一驱动信号，第二晶体管的一控制端通过桥接电路板而自驱动信号源接收与第一驱动信号反相的一第二驱动信号。
在上述必要技术手段的基础下，本发明所衍生的一附属技术手段为使切换式电源供应器中的第一晶体管，其一源极与第二晶体管的一漏极电性连接并形成上述节点。
在上述必要技术手段的基础下，本发明所衍生的一附属技术手段为使切换式电源供应器，更包含一连接器，且连接器电性连接主电路板与桥接电路板。
承上所述，本发明所提供的半桥电路组件，利用桥接电路板自第一晶体管设置区跨越信号干扰区桥接至第二晶体管设置区，使得第二晶体管的控制端通过桥接电路板接收第二驱动信号，避免第二驱动信号经过信号干扰区而受到干扰。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1显示现有技术的切换式电源供应器的电路示意图；
图2显示现有技术的切换式电源供应器的立体示意图；
图3显示本发明第一较佳实施例所提供的切换式电源供应器的电路示意图；
图4显示本发明第一较佳实施例所提供的切换式电源供应器的立体示意；
图5显示本发明第二实施例所提供的切换式电源供应器的电路示意图；
图6显示本发明第二实施例所提供的切换式电源供应器的立体示意图；
图7显示本发明第三实施例所提供的切换式电源供应器的立体示意图；以及
图8显示本发明第三实施例所提供的切换式电源供应器的另一视角的立体示意图。
其中，附图标记
pa100切换式电源供应器
pa11、pa11a电路板
pa12第一晶体管
pa13第二晶体管
pa14驱动信号源
pa15电感
pa16电容
pa17输入电压源
pad12、pad13漏极
pag12、pag13栅极
pas12、pas13源极
pah1电感连接端
pah2、pah3电压连接端
pair信号干扰区
pal1、pal2、pal3布线
pan节点
pas1第一驱动信号
pas2第二驱动信号
100、100a、100b切换式电源供应器
1、1a、1b、1c、1d、1e、1f半桥电路组件
11主电路板
12、12b、12c、12d、12e、12f第一晶体管
13、13b、13c、13d、13e、13f第二晶体管
14、14b、14c、14d、14e、14f桥接电路板
15连接器
16第三晶体管
17第四晶体管
2驱动信号源
3电感
4电容
5输入电压源
6电路板
7驱动信号连接器
d12、d13、d16、d17漏极
g12、g13、g16、g17栅极
s12、s13、s16、s17源极
h1、h1b电感连接端
h2、h3、h2b、h3b电压连接端
l1、l2、l3、l1a布线
n节点
r1第一晶体管设置区
r2第二晶体管设置区
ri、ria信号干扰区
s1第一驱动信号
s2第二驱动信号
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
请参阅图3与图4，其中，图3显示本发明第一较佳实施例所提供的切换式电源供应器的电路示意图；以及，图4显示本发明第一较佳实施例所提供的切换式电源供应器的立体示意图。如图所示，一种切换式电源供应器100，包含一半桥电路组件1、一驱动信号源2、一电感3、一电容4、一输入电压源5与一电路板6。半桥电路组件1，包含一主电路板11、一第一晶体管12、一第二晶体管13与一桥接电路板14。为了避免附图线条过多造成本发明的实施方式不明了，图内的布线(印刷电路的走线或电线)都仅以线条作为示意，用以表达线条两端元件的电性连接关系。
主电路板11，具有一第一晶体管设置区r1与一第二晶体管设置区r2。第一晶体管12，设置连接于第一晶体管设置区r1，而第二晶体管13，设置连接于第二晶体管设置区r2且电性串接第一晶体管12。为了避免图中线条过于凌乱，第一晶体管设置区r1与第二晶体管设置区r2在此仅用箭头标示，即为供第一晶体管12与第二晶体管13所设置的区域。在本实施例中，第一晶体管12与第二晶体管13是为金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor；mosfet)，但不以此为限。第一晶体管12与第二晶体管13也可为双极性接面型晶体管(bipolarjunctiontransistor；bjt)、绝缘栅双极晶体管(insulatedgatebipolartransistor；igbt)等功率晶体管。
第一晶体管12具有一漏极(drain)d12、一栅极(gate)g12与一源极(source)s12，而第二晶体管13具有一漏极(drain)d13、一栅极(gate)g13与一源极(source)s13。输入电压源5经由电压连接端h2与h3电性连接第一晶体管12的漏极d12与第二晶体管13的源极s13。第一晶体管12的源极s12与第二晶体管13的漏极d13电性串接会形成一半桥式电路，而在第一晶体管12的源极s12与第二晶体管13的漏极d13会具有一节点n。
驱动信号源2，连接于主电路板11，并通过驱动积体电路(integratedcircuit；ic)(图未示)传送出一第一驱动信号s1与一第二驱动信号s2，其中，第一驱动信号s1与第二驱动信号s2互为反相信号。第一晶体管12的一控制端，可视为栅极g12，接收第一驱动信号s1，而第二晶体管13的一控制端，可视为栅极g13，接收第二驱动信号s2。因为第一驱动信号s1与第二驱动信号s2互为反相信号，故第一晶体管12与第二晶体管13仅会有一者导通，另一者为断开，藉以避免第一晶体管12与第二晶体管13同时导通导致电路短路。因为第一晶体管12与第二晶体管13个别的电阻值很小，故同时导通会使电流过大，甚至是烧毁第一晶体管12、第二晶体管13或主电路板11。
节点n，位于一电性连接源极s12与漏极d13的一布线l3上，并利用一布线l1经由一电感连接端h1电性连接至电感3。因为第一晶体管12与第二晶体管13的导通断开切换关系，节点n与经过节点n的布线l1、l3会形成一信号干扰源，并且以节点n与布线l1、l3为基础而向外扩充形成一信号干扰区ri。更详细的说明，信号干扰区并非仅为二维平面，也可能为三维空间，图式仅绘制信号干扰区形成于主电路板11的部分，并标示为信号干扰区ri。此外，信号干扰区ri的形状范围也仅为示意，会依实际施行的电路规格而有所增减，但是皆会以节点n与经过节点n的布线为基础而向外扩充。电容4利用一布线l2经由电压连接端h3电性连接至输入电压源5，其中，布线l1、l2与l3可为电线，也可为印刷电路板上的走线。在本实施例中，电感3与电容4设置于电路板6，但不以此为限，电感3与电容4也可设置于主电路板11上。
桥接电路板14，自第一晶体管设置区r1跨越信号干扰区ri桥接至第二晶体管设置区r2。在本实施例中，桥接电路板14是利用多个连接器15(在此仅标示其中一者示意)同时电性连接与连接主电路板11。
在本实施例中，驱动信号源2邻近第一晶体管12，因此，驱动信号源2传送第一驱动信号s1至第一晶体管12，并不会经过信号干扰区ri。而驱动信号源2传送第二驱动信号s2至第二晶体管13时，就会经过信号干扰区ri。因此，驱动信号源2会藉由桥接电路板14传送第二驱动信号s2至第二晶体管13，藉以跨越信号干扰区ri避免第二驱动信号s2受到信号干扰区ri的干扰。此外，桥接电路板14与位于主电路板11上的信号干扰区ri之间，还有空气作为阻隔层，相较于现有技术利用在电路板上绕开信号干扰区pair的方式，可以更有效避免第二驱动信号s2受到信号干扰区ri的干扰。
传送第二驱动信号s2的电路改为设置于桥接电路板14上，可以清出主电路板11上的空间改配置其他电路，增加主电路板11上的空间利用率，也不需要增加主电路板11的面积体积进而提升空间占用率。
接着，请一并参阅图4至图6，其中，图5显示本发明第二实施例所提供的切换式电源供应器的电路示意图；以及，图6显示本发明第二实施例所提供的切换式电源供应器的立体示意图。如图所示，一种切换式电源供应器100a大部分与切换式电源供应器100相同，差别仅在于半桥电路组件1a。另外，相同部份的电感3、电容4与电路板6在本实施例中省略，可参阅图4。
半桥电路组件1a包含与第一实施例相同的主电路板11、第一晶体管12、第二晶体管13、桥接电路板14，以及一第三晶体管16与一第四晶体管17。第三晶体管16与第四晶体管17同样为mosfet，因此各自具有一源极(s16、s17)、一漏极(d16、d17)与一栅极(g16、g17)。第三晶体管16与第四晶体管17也可为bjt、igbt等晶体管。
第三晶体管16的源极s16电性串接第一晶体管12的漏极d12，第四晶体管17的漏极d17电性串接第二晶体管13的源极s13。第三晶体管16的栅极g16与第一晶体管12一同接收第一驱动信号s1，第四晶体管17的栅极g17与第二晶体管13一同接收第二驱动信号s2。因此，第三晶体管16与第一晶体管12会一同导通或一同断开，不会产生如第一晶体管12与第二晶体管13相对的导通断开切换关系，故第三晶体管16与第一晶体管12之间不会产生信号干扰区。同理，第四晶体管17与第二晶体管13的关系亦同。
第一晶体管12与第二晶体管13电性连接仍会形成节点n，节点n与经过节点n的布线，在此仅显示出布线l1a，仍会形成信号干扰源，进而向外扩充产生信号干扰区ria，因为与第一实施例相同，故不多加赘述。而桥接电路板14仍会跨越信号干扰区ria。
在本实施例中，因为晶体管的数量相较于第一实施例增多，故晶体管个别的耐压要求可以降低。举例来说，输入电压源5为1000v，在第一实施例中，第一晶体管12导通且第二晶体管13断开的情况下，第一晶体管12的跨压为1000v；而在第一晶体管12断开且第二晶体管13导通的情况下，第二晶体管13的跨压为1000v。
而在本实施例中，第一晶体管12与第三晶体管16导通且第二晶体管13与第四晶体管17断开的情况下，第一晶体管12与第三晶体管16各自的跨压降为500v；第一晶体管12与第三晶体管16断开且第二晶体管13与第四晶体管17导通的情况下，第二晶体管13与第四晶体管17各自的跨压降为500v。第三晶体管16与第四晶体管17的数量越多，各自的跨压也会下降越多，对晶体管个别的耐压要求也就随的降低。
在本发明其他实施例中，第三晶体管与第四晶体管的数量可各自为多个，而电性串接方式为：最接近第一晶体管(第二晶体管)的第三晶体管(第四晶体管)，利用第三晶体管(第四晶体管)的源极电性串接第一晶体管(第二晶体管)的漏极，其余彼此相邻的第三晶体管(第四晶体管)，利用源极电性串接相邻者的漏极。而输入电压源电性连接最接近的第三晶体管的漏极与最接近的第四晶体管的源极。而所有第三晶体管(第四晶体管)都是接收与第一晶体管(第二晶体管)相同的第一驱动信号(第二驱动信号)。
最后，请一并参阅图3、图4、图7与图8，其中，图7显示本发明第三实施例所提供的切换式电源供应器的立体示意图；以及，图8显示本发明第三实施例所提供的切换式电源供应器的另一视角的立体示意图。如图所示，一种切换式电源供应器100b，包含多个半桥电路组件1、1b、1c、1d、1e与1f、电压连接端h2b、h3b、电感连接端h1b与驱动信号连接器7。
半桥电路组件1与第一实施例相同，包含主电路板11、第一晶体管12、第二晶体管13与桥接电路板14(皆标示于图3)。半桥电路组件1b、1c、1d、1e、1f大致与半桥电路组件1相同，包含第一晶体管12b、12c、12d、12e、12f、第二晶体管13b、13c、13d、13e、13f与桥接电路板14b、14c、14d、14e、14f，只是皆与半桥电路组件1共用主电路板11。
电压连接端h2b与h3b、电感连接端h1b与第一实施例中的电压连接端h2与h3、电感连接端h1相同，仍会电性连接输入电压源、电容与电感，故不多加赘述，但是图中并未绘示出输入电压源、电容与电感。驱动信号连接器7电性连接驱动信号器(如驱动信号源2)，用以接收与传送第一驱动信号s1与第二驱动信号s2。
切换式电源供应器大部分都包含多组彼此电性串接的第一晶体管与第二晶体管，而一组彼此电性串接的第一晶体管与第二晶体管，就会形成一个节点与一信号干扰区，其中，信号干扰区以节点与经过节点的布线为基础而向外扩充所定义的。多组就会形成多个节点与多个信号干扰区。
如图7与图8所示，半桥电路组件1、1b、1c、1d、1e与1f就会有六组对接的第一晶体管与第二晶体管，就会形成六个节点(如图3与图4中的节点n)，并随之形成六个信号干扰区(如图4中的信号干扰区ri)。若按照现有技术的解决办法，当信号干扰区越多时，布线就要绕更远，电路板上的使用率就会更低，或是电路板的面积体积就会增加更多。
而在本实施例中，每组半桥电路组件各自利用其桥接电路板14b、14c、14d、14e、14f跨过信号干扰区(如图4中的信号干扰区ri)，不仅可以增加主电路板11的使用密度，更可以利用桥接电路板与主电路板11之间的空气作为阻隔层，避免第二驱动信号受到信号干扰区的干扰，以解决现有技术中形成信号干扰区所衍生出的种种问题。
在本实施例中，第一晶体管12、12b、12c、12d、12e、12f设置于邻近驱动信号连接器7的同一侧，第二晶体管13、13b、13c、13d、13e、13f相对于第一晶体管12、12b、12c、12d、12e、12f，而设置于远离驱动信号连接器7的另一侧，但不以此为限。
第一晶体管与第二晶体管也可交错地排列。以本实施例中的元件符号举例说明，第一晶体管12、12c、12e与第二晶体管13b、13d、13f设置于邻近驱动信号连接器7的同一侧，且依序排列为第一晶体管12、第二晶体管13b、第一晶体管12c、第二晶体管13d、第一晶体管12e与第二晶体管13f；同理，远离驱动信号连接器7的另一侧依序排列为第二晶体管13、第一晶体管12b、第二晶体管13c、第一晶体管12d、第二晶体管13e与第一晶体管12f。
一般来说，半桥式电路中的晶体管又可分为高侧(highside)晶体管与低侧(lowside)晶体管。在本实施例，第一晶体管12、12b、12c、12d、12e、12f为高侧晶体管，第二晶体管13、13b、13c、13d、13e、13f为低侧晶体管。因为高侧晶体管与低侧晶体管的功率损耗不同，故高侧晶体管与低侧晶体管所产生出的热能也不同。而将各组半桥式电路中的高侧晶体管与低侧晶体管交错地排列，不让各组半桥式电路中的高侧晶体管都位于同一侧，可以有效分散半桥式电路所产生的热能，避免因为高侧晶体管都位于同一侧，使得该侧的温度远高于低侧晶体管所位于的另一侧。
应注意的是，上述的第一晶体管12、12b、12c、12d、12e、12f与第二晶体管13、13b、13c、13d、13e、13f的排列仅为例示，并不以上述的排列为限。
综上所述，本发明所提供的切换式电源供应器，利用半桥电路组件中的桥接电路板跨越信号干扰区，同时利用桥接电路板与主电路板之间的空气作为阻隔，避免驱动信号受到信号干扰区的干扰，以解决现有技术中信号干扰区所衍生出的种种问题；此外，本发明的半桥电路组件并不限于应用在切换式电源供应器中，凡是有使用到本发明的半桥电路组件皆属于本发明保护的范畴。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
1.一种半桥电路组件，用以接收一第一驱动信号及与该第一驱动信号反相的一第二驱动信号，其特征在于，该半桥电路包含：
一主电路板，具有一第一晶体管设置区与一第二晶体管设置区；
一第一晶体管，设置于该第一晶体管设置区；
一第二晶体管，设置于该第二晶体管设置区，并电性串接该第一晶体管，该第一晶体管与该第二晶体管之间具有一节点，且以该节点与至少一连接该节点的布线为基础而向外扩充定义出一信号干扰区；以及
一桥接电路板，自该第一晶体管设置区跨越该信号干扰区桥接至该第二晶体管设置区，其中该第一晶体管的一控制端接收该第一驱动信号，该第二晶体管的一控制端通过该桥接电路板接收该第二驱动信号。
2.根据权利要求1所述的半桥电路组件，其特征在于，该第一晶体管的一源极与该第二晶体管的一漏极电性连接并形成该节点。
3.根据权利要求1所述的半桥电路组件，其特征在于，更包含一连接器，且该连接器电性连接该主电路板与该桥接电路板。
4.根据权利要求1所述的半桥电路组件，其特征在于，更包含一第三晶体管，该第三晶体管设置于该第一晶体管设置区，并电性串接该第一晶体管，且该第三晶体管的一控制端接收该第一驱动信号。
5.根据权利要求1所述的半桥电路组件，其特征在于，更包含一第四晶体管，该第四晶体管设置于该第二晶体管设置区，并电性串接该第二晶体管，且该第四晶体管的一控制端通过该桥接电路板接收该第二驱动信号。
6.根据权利要求1所述的半桥电路组件，其特征在于，更包含彼此电性串接的多个第三晶体管，该些第三晶体管设置于该第一晶体管设置区，该些第三晶体管中最靠近该第一晶体管的一者的一源极与该第一晶体管的一漏极电性连接，且该些第三晶体管的多个控制端接收该第一驱动信号。
7.根据权利要求1所述的半桥电路组件，其特征在于，更包含彼此电性串接的多个第四晶体管，该些第四晶体管设置于该第二晶体管设置区，该些第四晶体管中最靠近该第二晶体管的一者的一漏极与该第二晶体管的一源极电性连接，且该些第四晶体管的多个控制端通过该桥接电路板接收该第二驱动信号。
8.一种切换式电源供应器，其特征在于，包含：
至少一半桥电路组件，每一该至少一半桥电路组件包含：
一主电路板，具有一第一晶体管设置区与一第二晶体管设置区；
一第一晶体管，设置于该第一晶体管设置区；
一第二晶体管，设置于该第二晶体管设置区，并电性串接该第一晶体管，该第一晶体管与该第二晶体管之间具有一节点，且以该节点与至少一连接该节点的布线为基础而向外扩充定义出一信号干扰区；及
一桥接电路板，自该第一晶体管设置区跨越该信号干扰区桥接至该第二晶体管设置区；以及
一驱动信号源，邻设于该至少一半桥电路组件，且该第一晶体管的一控制端自该驱动信号源接收一第一驱动信号，该第二晶体管的一控制端通过该桥接电路板而自该驱动信号源接收与该第一驱动信号反相的一第二驱动信号。
9.根据权利要求8所述的切换式电源供应器，其特征在于，该第一晶体管的一源极与该第二晶体管的一漏极电性连接并形成该节点。
10.根据权利要求8所述的切换式电源供应器，其特征在于，更包含一连接器，且该连接器电性连接该主电路板与该桥接电路板。
技术总结