一种高Bs、高频低损耗磁性材料的制作方法

专利2022-06-29  68

本发明涉及磁性材料技术领域,尤其涉及一种高bs、高频低损耗磁性材料。



背景技术:

现代电子设备向小型化和高频化方向发展已经成为必然趋势,而作为其中的核心器件-磁性组件势必也必须实现小型化和高频化,这样对作为磁性组件中的核心基础材料—磁性材料提出的更高的特性要求,且对材料特性的分类要求更加细化和专业化。。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种高bs、高频低损耗磁性材料,该材料具有高的磁饱和强度bs和高频低损耗,该材料的使用可以有效的减小在高频状态下使用的磁芯的体积,该材料命名为mbp93铁氧体材料,实现了在具备高bs的情况下,又实现了高频低损耗的特性要求,可以满足现代电子设备小型化和高频化的要求,从而提高了它的使用范围和使用过程中的稳定性。

本发明的技术方案如下:

一种高bs、高频低损耗磁性材料,其特征在于:由氧化铁、四氧化三锰、氧化锌、氧化亚镍四种主要原材料组成基础配方并加入添加物构成,其配方组成范围如下:

进一步的,成份组成为:

进一步的,成份组成为:

进一步的,成份组成为:

进一步的,成份组成为:

进一步的,成份组成为:

本发明的有益效果:

本发明具有高的磁饱和强度bs和高频低损耗,该材料的使用可以有效的减小在高频状态下使用的磁芯的体积,该材料命名为mbp93铁氧体材料,实现了在具备高bs的情况下,又实现了高频低损耗的特性要求,可以满足现代电子设备小型化和高频化的要求,从而提高了它的使用范围和使用过程中的稳定性。

具体实施方式

一种高bs、高频低损耗磁性材料在生产加工时,选择物化活性好、且满足软磁铁氧体使用要求的配方组成原辅材料,按不同的配方比例将组成原辅材料充分混合后,经过一次振磨、轧片、整形、预烧、二次振磨、砂磨超细粉碎、制浆、配方分析与调整、烘干、造粒及筛分等工艺制备流程后,完成mbp93软磁铁氧体材料颗粒料的制备,通过对颗粒料进行试压和试烧试验,试压的样品选择为h25/15/10磁环,并对样品进行相关电磁特性检测与分析。

使用合格的mbp93材料进行相应铁氧体磁芯的制造,磁芯制造的主要工艺流程为:颗粒料调湿、成型、烧结、研磨、清洁、分测、包装。该材料具有高的磁饱和强度bs和高频低损耗,该材料的使用可以有效的减小在高频状态下使用的磁芯的体积,该材料命名为mbp93铁氧体材料,实现了在具备高bs的情况下,又实现了高频低损耗的特性要求,可以满足现代电子设备小型化和高频化的要求,从而提高了它的使用范围和使用过程中的稳定性

实施例一,一种高bs、高频低损耗磁性材料,成份组成为:

实施例二,成份组成为:

实施例三,成份组成为:

实施例四,成份组成为:

实施例五,成份组成为:

与现有材料性能比较

各实施例与现有技术中对照例材料制成磁芯性能对照表

由上表数据可以看出:本项发明开发的mbp93材料其bs略低于mb90材料,但远高于mp50材料,而高频下的磁芯损耗,大于mp50材料,但远低于mb90材料,实现了在具备高bs的情况下,又实现了高频低损耗的特性要求,可以满足现代电子设备小型化和高频化的要求。

以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进或替换,这些改进或替换也应视为本发明的保护范围。


技术特征:

1.一种高bs、高频低损耗磁性材料,其特征在于:由氧化铁、四氧化三锰、氧化锌、氧化亚镍四种主要原材料组成基础配方并加入添加物构成,其配方组成范围如下:

2.根据权利要求1所述的一种高bs、高频低损耗磁性材料,其特征在于,由以下成份组成:

3.根据权利要求1所述的一种高bs、高频低损耗磁性材料,其特征在于,由以下成份组成:

4.根据权利要求1所述的一种高bs、高频低损耗磁性材料,其特征在于,由以下成份组成:

5.根据权利要求1所述的一种高bs、高频低损耗磁性材料,其特征在于,由以下成份组成:

6.根据权利要求1所述的一种高bs、高频低损耗磁性材料,其特征在于,由以下成份组成:

技术总结
本发明涉及磁性材料技术领域,尤其涉及一种高Bs、高频低损耗磁性材料。本发明采用的技术方案是:配方组成范围如下:氧化铁(Fe2O3):66.5~68.5wt%;四氧化三锰(Mn3O4)24.5~26.3wt%;氧化锌(ZnO)4.5~5.8wt%;氧化亚镍(NiO)1.0~3.0wt%;五氧化二铌(Nb2O5)200~600ppm;四氧化三钴(Co3O4)500~2000ppm;二氧化铋(BiO2)0~300ppm;五氧化二钒(V2O5)00~600ppm;氧化铟(In2O3)0~200ppm;二氧化锡(SnO2)100~400ppm。本发明的优点是:实现了在具备高Bs的情况下,又实现了高频低损耗的特性要求,可以满足现代电子设备小型化和高频化的要求,从而提高了它的使用范围和使用过程中的稳定性。

技术研发人员:李前军;颜茂山;校荣升;王亮;邰阿强;袁翔;马鑫圣
受保护的技术使用者:泰州茂翔电子器材有限公司
技术研发日:2018.11.28
技术公布日:2020.06.05

转载请注明原文地址: https://bbs.8miu.com/read-53627.html

最新回复(0)