本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种pcb及电子设备。
背景技术：
随着电子技术的发展，电子设备的通讯频率越来越高，数据传输速率越来越快。在高频电路中，常用的电子设备中的印制电路板(printedcircuitboard，pcb)的传输线可以包括微带线或者带状线。当电子设备中pcb的传输线的传输阻抗与负载阻抗不匹配时，会影响传输信号的质量和传输效率。
图1为现有技术提供的pcb的微带线示意图，如图1所示，pcb的参考层上设置有绝缘电介质层，绝缘电介质层上设置有微带线，其中，微带线的线底宽度w1可以大于或等于微带线的线面宽度w2，微带线与参考层之间的距离为h1。现有技术中，pcb的生成商在制作pcb时，可以通过调整微带线的线面宽度w2和微带线的厚度t1的方式，达到调整微带线的传输阻抗的目的。但pcb制作完成后，pcb的传输线的传输阻抗便成为pcb的固定属性。
随着电子设备的数据传输速率越来越快，电子设备需要适应更多的工作频点，但pcb一旦制作完成后其传输线的传输阻抗便为所述pcb的固定属性，因此，现有技术中的pcb的传输线的传输阻抗只能与相应的某一种工作频点的负载阻抗相匹配，无法与其它工作频点的负载阻抗相匹配，从而导致会存在传输信号的质量较差和传输效率较低的问题。
技术实现要素：
本申请实施例提供一种pcb及电子设备，解决了现有技术中传输信号的质量较差和传输效率较低的问题。
第一方面，本申请实施例提供一种印制电路板pcb，包括：所述pcb的第一柔性参考层上的第一区域设置有第一变形层，所述第一柔性参考层上的第二区域和所述第一变形层上设置有第一绝缘电介质层，所述第一绝缘电介质层上与所述第一变形层对应的第三区域设置有传输线；其中，所述第二区域为所述第一柔性参考层上除所述第一区域之外的其它区域；
其中，所述第一变形层的厚度随所述pcb的工作频点变化而变化。
在一种可能的实现方式中，所述第一变形层包括：半导体柔性介质层，其中，所述半导体柔性介质层的厚度可变；或者，
所述第一变形层包括：温度调节层和气体介质层，其中，所述温度调节层用于增加或者降低所述气体介质层的温度，所述气体介质层的温度变化使得所述气体介质层的厚度变化。
在一种可能的实现方式中，所述传输线包括：微带线或者带状线。
在一种可能的实现方式中，若所述传输线包括带状线，所述第一绝缘电介质层上的第四区域和所述带状线上设置有第二绝缘电介质层，所述第二绝缘电介质层上与所述带状线对应的凹型区域设置有第二变形层，所述第二变形层和所述第二绝缘电介质层上除所述凹型区域之外的其它区域上设置有第二柔性参考层；其中，所述第四区域为所述第一绝缘电介质层上除所述第三区域之外的其它区域。
在一种可能的实现方式中，所述第一变形层的宽度大于或等于所述传输线的宽度。
第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括：处理器以及印制电路板pcb；其中，所述pcb的第一柔性参考层上的第一区域设置有第一变形层，所述第一柔性参考层上的第二区域和所述第一变形层上设置有第一绝缘电介质层，所述第一绝缘电介质层上与所述第一变形层对应的第三区域设置有传输线；所述第二区域为所述第一柔性参考层上除所述第一区域之外的其它区域；所述处理器与所述第一变形层耦合连接；
其中，所述处理器用于根据所述pcb的工作频点控制所述第一变形层的厚度，使得所述第一变形层的厚度随所述pcb的工作频点变化而变化。
在一种可能的实现方式中，若所述第一变形层包括：半导体柔性介质层，则所述处理器用于根据所述pcb的工作频点控制所述半导体介质层的输入电压，以控制所述半导体介质层的厚度。
在一种可能的实现方式中，所述处理器具体用于：
根据预设工作频点与输入电压之间的映射信息，控制所述半导体介质层的输入电压等于所述映射信息中与所述pcb的工作频点对应的输入电压。
在一种可能的实现方式中，所述设备还包括：电压检测器，所述电压检测器与所述处理器耦合连接，用于检测所述半导体介质层的输入电压，并向所述处理器反馈所述半导体介质层的输入电压。
在一种可能的实现方式中，若所述第一变形层包括：温度调节层和气体介质层，所述处理器与所述温度调节层耦合连接，则所述处理器用于根据所述pcb的工作频点控制所述温度调节层的温度，以控制所述气体介质层的厚度。
在一种可能的实现方式中，所述处理器具体用于：
根据预设工作频点与温度之间的映射信息，控制所述温度调节层的温度等于所述映射信息中与所述pcb的工作频点对应的温度。
在一种可能的实现方式中，所述设备还包括：温度检测器，所述温度检测器与所述处理器耦合连接，用于检测所述温度调节层的温度，并向所述处理器反馈所述温度调节层的温度。
在一种可能的实现方式中，所述传输线包括：微带线或者带状线。
在一种可能的实现方式中，若所述传输线包括带状线，所述第一绝缘电介质层上的第四区域和所述带状线上设置有第二绝缘电介质层，所述第二绝缘电介质层上与所述带状线对应的凹型区域设置有第二变形层，所述第二变形层和所述第二绝缘电介质层上除所述凹型区域之外的其它区域上设置有第二柔性参考层；其中，所述第四区域为所述第一绝缘电介质层上除所述第三区域之外的其它区域。
在一种可能的实现方式中，所述第一变形层的宽度大于或等于所述传输线的宽度。
本申请实施例提供的pcb及电子设备，通过在电子设备中pcb的传输线与柔性参考层之间设置有变形层，所述变形层的厚度会随pcb的工作频点变化而变化，从而可以动态调节传输线与柔性参考层之间的距离，实现了pcb的传输线的传输阻抗会随着pcb的工作频点变化而动态可调，使得pcb的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配，从而可以提高传输效率和改善传输信号的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的pcb的微带线示意图；
图2为本申请实施例提供的应用场景示意图；
图3为本申请实施例提供的pcb的结构示意图一；
图4为本申请实施例提供的pcb的结构示意图二；
图5为本申请实施例提供的pcb沿传输线长度方向的切面示意图；
图6为本申请实施例提供的pcb的结构示意图三；
图7为本申请实施例提供的pcb的结构示意图四；
图8为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
首先，对本申请实施例所涉及的应用场景和部分词汇进行介绍。
通常情况下，电子设备中pcb的传输线的传输阻抗与负载阻抗相匹配是高频传输系统的重要指标，阻抗匹配度的高低会决定高频传输系统的数据性能。例如，电子设备中pcb的传输线的传输阻抗与负载阻抗不匹配时，会在负载端(例如数据接收端)产生反射信号，导致改变传输信号的形状，从而会影响传输信号的质量和传输效率。
随着通信技术的发展，电子设备需要适应更多的工作频点和带宽，但现有技术中的pcb一旦制作完成后其传输线的传输阻抗便为pcb的固定属性，因此，现有技术中的pcb的传输线的传输阻抗只能与相应的某一种工作频点的负载阻抗相匹配，无法与其它工作频点的负载阻抗相匹配，从而导致会存在传输信号的质量较差和传输效率较低的问题。
本申请实施例中涉及的传输线可以包括但不限于：微带线或带状线。
为了便于理解，本申请实施例的下述部分首先以传输线为微带线为例，对传输线的传输阻抗的计算方式进行介绍。
如图1所示，pcb的微带线的传输阻抗可以满足以下公式：
其中，z代表微带线的传输阻抗，erl代表pcb的绝缘电介质的介电常数(在绝缘电介质选定的情况下，erl便为定值)，h1代表微带线与参考层之间的距离，w2代表微带线的线面宽度，t1代表微带线的厚度。
现有技术中，pcb的生成商在制作pcb时，可以通过调整微带线的线面宽度w2和厚度t1的方式，达到调整微带线的传输阻抗的目的。但pcb制作完成后，pcb的传输线的传输阻抗便成为pcb的固定属性，无法调节。
本申请实施例中，提出电子设备中pcb的传输线的传输阻抗会随着pcb的工作频点变化而动态可调，使得pcb的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配，从而可以提高传输效率和改善传输信号的质量，使得高频传输系统的传输信号的质量和传输效率得到保证，对于第四代移动通信技术(the4thgenerationmobilecommunicationtechnology，4g)、第五代移动通信技术(5thgenerationmobilenetworks，5g)，和/或第六代移动通信技术(6thgenerationmobilenetworks，6g)等通信技术中的高频传输线设计有深远的意义。
示例性地，本申请实施例中提出：通过在电子设备中pcb的传输线与柔性参考层之间设置有变形层，所述变形层的厚度会随pcb的工作频点变化而变化，使得传输线与柔性参考层之间的距离会随pcb的工作频点变化而变化，从而实现了传输线的传输阻抗随着pcb的工作频点变化而动态可调。
图2为本申请实施例提供的应用场景示意图，如图2所示，本申请实施例提供的pcb可以应用于电子设备中，所述电子设备中可以包括但不限于：处理器201、pcb202和检测器203(例如本申请下述实施例中涉及的电压检测器，或者温度检测器)。其中，pcb202中的传输线与柔性参考层之间可以设置有变形层，处理器201可以与pcb202中的变形层耦合连接用于控制变形层的厚度，检测器203可以与处理器201耦合连接，用于向处理器201反馈所检测到的变形层的相关信息(例如本申请下述实施例中涉及的温度调节层的温度，或者半导体介质层的输入电压等)。
其中，处理器201用于根据pcb202的工作频点控制变形层的厚度(相当于根据pcb202的工作频点控制传输线与柔性参考层之间的距离)，从而实现了pcb202的传输线的传输阻抗会随着pcb202的工作频点变化而动态可调，使得pcb202的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
示例性地，本申请实施例中涉及的耦合连接可以是指电性连接，包括直接相连，或者间接相连，本申请对此不做限定。
示例性地，本申请实施例中涉及的电子设备可以包括但不限于：智能手机、平板电脑、笔记本电脑，或者物联网(internetofthings，iot)设备。例如，iot设备可以包括但不限于：智能穿戴设备或者智能家居设备。
应理解，电子设备中还可以包括其它pcb，处理器201可以设置在pcb202上，或者可以设置在电子设备中的其它pcb上。
示例性地，本申请实施例中涉及的变形层(例如第一变形层，和/或第二变形层)的宽度大于或等于传输线的宽度。应理解，本申请实施例中涉及的传输线的线面宽度和线底宽度可以相同；当二者不相同时，则本申请实施例中涉及的传输线的宽度可以为所述传输线的线面宽度或者线底宽度。
示例性地，本申请实施例中涉及的变形层(例如第一变形层，和/或第二变形层)可以通过以下可实现方式来实现：
一种可能的实现方式中，本申请实施例中涉及的变形层可以包括但不限于：温度调节层和气体介质层，其中，所述温度调节层用于增加或者降低所述气体介质层的温度，所述气体介质层的温度变化使得所述气体介质层的厚度可以随pcb的工作频点变化而变化，从而可以动态调节传输线与柔性参考层之间的距离)，实现了传输线的传输阻抗会随着pcb的工作频点变化而动态可调，使得pcb的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
示例性地，本申请实施例中的温度调节层的材料可以为半导体硅，当然，还可以为具有温度调节特性的其它半导体材料。
示例性地，本申请实施例中的气体介质层的材料可以为以下任意一项：氦、氖、氩、氪，或氙；当然，还可以为稳定性较好的其它气体。
另一种可能的实现方式中，本申请实施例中涉及的变形层可以包括但不限于：半导体柔性介质层，其中，所述半导体柔性介质层的厚度可以随pcb的工作频点变化而变化，从而可以动态调节传输线与柔性参考层之间的距离，实现了传输线的传输阻抗会随着pcb的工作频点变化而动态可调，使得pcb的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
示例性地，本申请实施例中的半导体柔性介质层的材料可以为通电后会发生变形的半导体材料，例如半导体陶瓷；当然，还可以为具有柔性特性的其它半导体材料。
示例性地，本申请实施例中涉及的柔性参考层(例如第一柔性参考层，和/或第二柔性参考层)的材料可以为铜或者合金；当然，还可以为具有导电特性的其它柔性材料。
示例性地，本申请实施例中涉及的绝缘电介质层(例如第一绝缘电介质层，和/或第二绝缘电介质层等)的材料可以为氧化铝陶瓷、聚烯烃，或者编织玻璃纤维材料；当然，还可以为其它绝缘材料。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。
图3为本申请实施例提供的pcb的结构示意图一，如图3所示，本申请实施例提供的pcb的第一柔性参考层301上的第一区域a设置有第一变形层302，第一柔性参考层301上的第二区域b(可以为第一柔性参考层301上除第一区域a之外的其它区域)和第一变形层302上设置有第一绝缘电介质层303，第一绝缘电介质层303上与第一变形层302对应的第三区域c设置有传输线304。示例性地，本申请实施例中的传输线304可以包括但不限于：微带线或者带状线。
其中，第一变形层302的厚度可以在电子设备中处理器的控制下随所述pcb的工作频点变化而变化，从而可以动态调节传输线304与第一柔性参考层301之间的距离h，实现了传输线304的传输阻抗会随着pcb的工作频点变化而动态可调，使得pcb的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
示例性地，本申请实施例中涉及的第一柔性参考层301的材料可以为铜或者合金；当然，还可以为具有导电特性的其它柔性材料。
示例性地，本申请实施例中涉及的第一绝缘电介质层303的材料可以为氧化铝陶瓷、聚烯烃，或者编织玻璃纤维材料；当然，还可以为其它绝缘材料。
示例性地，本申请实施例中涉及的第一变形层302的宽度w大于或等于传输线304的宽度。
示例性地，本申请实施例中涉及的第一变形层302可以通过以下可实现方式来实现。
一种可能的实现方式中，图4为本申请实施例提供的pcb的结构示意图二，图5为本申请实施例提供的pcb沿传输线长度方向的切面示意图，如图4和图5所示，本申请实施例中涉及的第一变形层302可以包括但不限于：温度调节层302a和气体介质层302b，其中，温度调节层302a用于在电子设备中处理器的控制下增加或者降低气体介质层302b的温度，气体介质层302b的温度变化使得气体介质层302b的厚度可以随pcb的工作频点变化而变化，从而可以动态调节传输线304与第一柔性参考层301之间的距离h，实现了传输线304的传输阻抗会随着pcb的工作频点变化而动态可调，使得pcb的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
例如，当温度调节层302a在电子设备中处理器的控制下增加气体介质层302b的温度时，气体介质层302b的体积会遇热膨胀，使得微带线304与第一柔性参考层301之间的距离增大，从而增加了微带线304的传输阻抗；当温度调节层302a在电子设备中处理器的控制下降低气体介质层302b的温度时，气体介质层302b的体积会遇冷收缩，使得微带线304与第一柔性参考层301之间的距离减小，从而减小了微带线304的传输阻抗。
示例性地，本申请实施例中的温度调节层302a的材料可以为半导体硅，当然，还可以为具有温度调节特性的其它半导体材料。
示例性地，本申请实施例中的气体介质层302b的材料可以为以下任意一项：氦、氖、氩、氪，或氙；当然，还可以为稳定性较好的其它气体。
另一种可能的实现方式中，本申请实施例中涉及的第一变形层302可以包括但不限于：半导体柔性介质层，其中，所述半导体柔性介质层的厚度可以在电子设备中处理器的控制下随pcb的工作频点变化而变化，从而可以动态调节传输线304与第一柔性参考层301之间的距离h，实现了传输线304的传输阻抗会随着pcb的工作频点变化而动态可调，使得pcb的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
例如，当电子设备中的处理器控制所述半导体介质层的输入电压增大时，所述半导体介质层的变形会增大，使得微带线304与第一柔性参考层301之间的距离增大，从而增加了微带线304的传输阻抗；当电子设备中的处理器控制所述半导体介质层的输入电压减小时，所述半导体介质层的变形会减小，使得微带线304与第一柔性参考层301之间的距离减小，从而减小了微带线304的传输阻抗。
示例性地，本申请实施例中的半导体柔性介质层的材料可以为通电后会发生变形的半导体材料，例如半导体陶瓷；当然，还可以为具有柔性特性的其它半导体材料。
需要说明的是，图3可以为pcb中需要调节传输阻抗的任意传输线所处pcb的部分结构示意图，需要调节传输阻抗的其它传输线所处的pcb的结构也如图3所示，具体的可实现方式也如图3所示实施例的可实现方式，本申请实施例中对此不再赘述。另外，对于pcb中无需调节传输阻抗的任意传输线所处pcb的结构可以采用现有技术中的结构，或者也可以采用如图3所示的结构。
综上所述，本申请实施例中，通过在电子设备中pcb的传输线与柔性参考层之间设置有变形层，所述变形层的厚度会随pcb的工作频点变化而变化，从而可以动态调节传输线与柔性参考层之间的距离，实现了pcb的传输线的传输阻抗会随着pcb的工作频点变化而动态可调，使得pcb的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配，从而可以提高传输效率和改善传输信号的质量。
图6为本申请实施例提供的pcb的结构示意图三。在上述实施例的基础上，本申请实施例中对上述传输线304为带状线时的一种可能的实现方式进行介绍。如图6所示，第一绝缘电介质层303上的第四区域(可以为第一绝缘电介质层303上除第三区域c之外的其它区域)和带状线304上设置有第二绝缘电介质层305，第二绝缘电介质层305上设置有第二柔性参考层306。
示例性地，本申请实施例中涉及的第二柔性参考层306的材料可以为铜或者合金；当然，还可以为具有导电特性的其它柔性材料。
示例性地，本申请实施例中涉及的第二绝缘电介质层305的材料可以为氧化铝陶瓷、聚烯烃，或者编织玻璃纤维材料；当然，还可以为其它绝缘材料。
本实现方式中，虽然带状线304与第二柔性参考层306之间并没有设置任何变形层，但由于带状线304与第一柔性参考层301之间设置有第一变形层302，第一变形层302的厚度可以在电子设备中处理器的控制下随所述pcb的工作频点变化而变化，从而使得pcb的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
图7为本申请实施例提供的pcb的结构示意图四。在上述实施例的基础上，本申请实施例中对上述传输线304为带状线时的另一种可能的实现方式进行介绍。如图7所示，第一绝缘电介质层303上的第四区域(可以为第一绝缘电介质层303上除第三区域c之外的其它区域)和带状线304上设置有第二绝缘电介质层305，第二绝缘电介质层305上与带状线304对应的凹型区域d设置有第二变形层307，第二变形层307和第二绝缘电介质层305上除凹型区域d之外的其它区域上设置有第二柔性参考层306。
其中，第二变形层307的厚度也可以在电子设备中处理器的控制下随所述pcb的工作频点变化而变化，从而使得pcb的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
需要说明的是，第二变形层307的可实现方式可以参考上述第一变形层302的可实现方式，本申请实施例中对此不再赘述。
本实现方式中，带状线304与第一柔性参考层301之间设置有第一变形层302，以及带状线304与第二柔性参考层306之间也设置有第二变形层307，上述电子设备中的处理器可以单独地控制第一变形层302的厚度随所述pcb的工作频点变化而变化，从而使得pcb的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配，或者，上述电子设备中的处理器可以单独地控制第二变形层307的厚度随所述pcb的工作频点变化而变化，从而使得pcb的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配，或者，上述电子设备中的处理器可以同时控制第一变形层302和第二变形层307的厚度随所述pcb的工作频点变化而变化，从而使得pcb的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
需要说明的是，上述处理器控制第二变形层307的厚度的可实现方式可以参考上述处理器控制第一变形层302的厚度的可实现方式，本申请实施例中对此不再赘述。
图8为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图，如图8所示，本申请实施例提供的电子设备可以包括但不限于：处理器801和pcb802，pcb802的结构可以参考如图3所示实施例的相关内容，此处不再赘述。
其中，处理器801可以与pcb802中的第一变形层(图8中未示出)耦合连接，用于根据pcb802的工作频点控制pcb802中的第一变形层的厚度(相当于根据pcb802的工作频点控制传输线与第一柔性参考层之间的距离)，从而实现了pcb802的传输线的传输阻抗会随着pcb802的工作频点变化而动态可调，使得pcb802中的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
示例性地，本申请实施例中的传输线可以包括但不限于：微带线或者带状线。
示例性地，处理器801可以通过以下可实现方式来控制第一变形层的厚度：
一种可能的实现方式中，如图4所示，若第一变形层302可以包括但不限于：温度调节层302a和气体介质层302b。其中，温度调节层302a用于增加或者降低气体介质层302b的温度，气体介质层302b的温度变化使得气体介质层302b的厚度可以随pcb的工作频点变化而变化。对应地，处理器801可以与温度调节层302a耦合连接，用于根据pcb802的工作频点控制温度调节层302a的温度，以达到控制气体介质层302b的厚度的目的，从而实现了pcb802的传输线的传输阻抗会随着pcb802的工作频点变化而动态可调，使得pcb802中的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
示例性地，处理器801具体用于：根据预设工作频点与温度之间的映射信息，控制温度调节层302a的温度等于所述映射信息中与pcb802的工作频点对应的温度。
本申请实施例中，处理器801中可以预置有预设工作频点与温度之间的映射信息，其中，所述映射信息中可以包括：不同的工作频点与对应的温度之间的映射信息。需要说明的是，任意工作频点对应的温度是指当温度调节层302a的温度等于所述工作频点对应的温度时，气体介质层302b的厚度所对应的传输阻抗可以与所述工作频点对应的负载阻抗相匹配。
应理解，处理器801中可以预置有预设工作频点、传输阻抗与温度三者之间的映射信息，相当于预置有预设工作频点与传输阻抗之间的映射信息，预设工作频点与温度之间的映射信息，预设传输阻抗与温度之间的映射信息。
本申请实施例中，处理器801可以通过将预设工作频点与温度之间的映射信息中与pcb802的工作频点所对应的温度作为温度调节层302a的温度，使得气体介质层302b的厚度所对应的传输阻抗可以与pcb802的工作频点对应的负载阻抗相匹配，从而实现了pcb802的传输线的传输阻抗会随着pcb802的工作频点变化而动态可调，使得pcb802中的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
示例性地，处理器801可以通过控制温度调节层302a的输入电流的方式，来控制温度调节层302a的温度。例如，处理器801中可以预置有预设温度与输入电流之间的映射信息，其中，预设温度与输入电流之间的映射信息中可以包括：不同的温度与对应的输入电流之间的映射信息，处理器801在确定出温度调节层302a所需调节的温度时，可以根据预设温度与输入电流之间的映射信息确定出与温度调节层302a所需调节的温度所对应的输入电流，从而实现通过控制温度调节层302a的输入电流来控制温度调节层302a的温度。
当然，处理器801还可以通过其它方式来控制温度调节层302a的温度。
为了便于处理器801可以准确地控制温度调节层302a的温度，本申请实施例的电子设备还可以包括：与处理器801耦合连接的温度检测器(图8中未示出)，用于检测温度调节层302a的温度，并向处理器801反馈温度调节层302a的温度，从而有利于处理器801可以更加准确地控制气体介质层302b的厚度。
另一种可能的实现方式中，若第一变形层可以包括但不限于：半导体柔性介质层，其中，所述半导体柔性介质层的厚度可以在电子设备中处理器的控制下随pcb的工作频点变化而变化。对应地，处理器801可以与所述半导体柔性介质层耦合连接，用于根据pcb802的工作频点控制所述半导体介质层的输入电压，以达到控制所述半导体介质层的厚度的目的，从而实现了pcb802的传输线的传输阻抗会随着pcb802的工作频点变化而动态可调，使得pcb802中的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
示例性地，处理器801具体用于：根据预设工作频点与输入电压之间的映射信息，控制所述半导体介质层的输入电压等于所述映射信息中与pcb802的工作频点对应的输入电压。
本申请实施例中，处理器801中可以预置有预设工作频点与输入电压之间的映射信息，其中，所述映射信息中可以包括：不同的工作频点与对应的输入电压之间的映射信息。需要说明的是，任意工作频点对应的输入电压是指当所述半导体介质层的输入电压等于所述工作频点对应的输入电压时，所述半导体介质层的厚度所对应的传输阻抗可以与所述工作频点对应的负载阻抗相匹配。
应理解，处理器801中可以预置有预设工作频点、传输阻抗与输入电压三者之间的映射信息，相当于预置有预设工作频点与传输阻抗之间的映射信息，预设工作频点与输入电压之间的映射信息，预设传输阻抗与输入电压之间的映射信息。
本申请实施例中，处理器801可以通过将预设工作频点与输入电压之间的映射信息中与pcb802的工作频点所对应的输入电压作为所述半导体介质层的输入电压，使得所述半导体介质层的厚度所对应的传输阻抗可以与pcb802的工作频点对应的负载阻抗相匹配，从而实现了pcb802的传输线的传输阻抗会随着pcb802的工作频点变化而动态可调，使得pcb802中的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
为了便于处理器可以准确地控制所述半导体介质层的输入电压，本申请实施例的电子设备还可以包括：与处理器801耦合连接的电压检测器(图8中未示出)，用于检测所述半导体介质层的输入电压，并向处理器801反馈所述半导体介质层的输入电压，从而有利于处理器801可以更加准确地控制所述半导体介质层的厚度。
综上所述，本申请实施例提供的电子设备，通过处理器801根据pcb的工作频点控制pcb中的变形层的厚度，从而可以动态调节传输线与柔性参考层之间的距离，实现了pcb的传输线的传输阻抗会随着pcb的工作频点变化而动态可调，使得pcb802中的传输线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配，从而可以提高传输效率和改善传输信号的质量。
示例性地，如图6所示，若上述传输线304为带状线时，上述处理器801用于根据pcb802的工作频点控制pcb802中的第一变形层302的厚度，相当于根据pcb802的工作频点控制带状线304与第一柔性参考层之间的距离，从而实现了pcb802的带状线304的传输阻抗会随着pcb802的工作频点变化而动态可调，使得pcb802中的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
又一示例性地，如图7所示，若上述传输线304为带状线时，上述处理器801还可以与第二变形层307连接，还可以用于根据pcb802的工作频点控制pcb802中的第二变形层307的厚度，相当于根据pcb802的工作频点控制带状线304与第二柔性参考层之间的距离，从而实现了pcb802的带状线304的传输阻抗会随着pcb802的工作频点变化而动态可调，使得pcb802中的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
应理解，上述处理器801可以单独地控制第一变形层302的厚度随pcb802的工作频点变化而变化，从而使得pcb802中的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配，或者，上述电子设备中的处理器可以单独地控制第二变形层307的厚度随所述pcb802的工作频点变化而变化，从而使得pcb802中的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配，或者，上述电子设备中的处理器可以同时控制第一变形层302和第二变形层307的厚度随所述pcb802的工作频点变化而变化，从而使得pcb802中的带状线的传输阻抗可以与不同的工作频点对应的负载阻抗相匹配。
需要说明的是，处理器801控制第二变形层307的可实现方式可以参考上述处理器801控制第一变形层302的可实现方式，本申请实施例中对此不再赘述。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
1.一种印制电路板pcb，其特征在于，所述pcb的第一柔性参考层上的第一区域设置有第一变形层，所述第一柔性参考层上的第二区域和所述第一变形层上设置有第一绝缘电介质层，所述第一绝缘电介质层上与所述第一变形层对应的第三区域设置有传输线；其中，所述第二区域为所述第一柔性参考层上除所述第一区域之外的其它区域；
其中，所述第一变形层的厚度随所述pcb的工作频点变化而变化。
2.根据权利要求1所述的pcb，其特征在于，所述第一变形层包括：半导体柔性介质层，其中，所述半导体柔性介质层的厚度可变；或者，
所述第一变形层包括：温度调节层和气体介质层，其中，所述温度调节层用于增加或者降低所述气体介质层的温度，所述气体介质层的温度变化使得所述气体介质层的厚度变化。
3.根据权利要求2所述的pcb，其特征在于，所述传输线包括：微带线或者带状线。
4.根据权利要求3所述的pcb，其特征在于，若所述传输线包括带状线，所述第一绝缘电介质层上的第四区域和所述带状线上设置有第二绝缘电介质层，所述第二绝缘电介质层上与所述带状线对应的凹型区域设置有第二变形层，所述第二变形层和所述第二绝缘电介质层上除所述凹型区域之外的其它区域上设置有第二柔性参考层；其中，所述第四区域为所述第一绝缘电介质层上除所述第三区域之外的其它区域。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的pcb，其特征在于，所述第一变形层的宽度大于或等于所述传输线的宽度。
6.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器以及印制电路板pcb；其中，所述pcb的第一柔性参考层上的第一区域设置有第一变形层，所述第一柔性参考层上的第二区域和所述第一变形层上设置有第一绝缘电介质层，所述第一绝缘电介质层上与所述第一变形层对应的第三区域设置有传输线；所述第二区域为所述第一柔性参考层上除所述第一区域之外的其它区域；所述处理器与所述第一变形层耦合连接；
其中，所述处理器用于根据所述pcb的工作频点控制所述第一变形层的厚度，使得所述第一变形层的厚度随所述pcb的工作频点变化而变化。
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，若所述第一变形层包括：半导体柔性介质层，则所述处理器用于根据所述pcb的工作频点控制所述半导体介质层的输入电压，以控制所述半导体介质层的厚度。
8.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，若所述第一变形层包括：温度调节层和气体介质层，所述处理器与所述温度调节层耦合连接，则所述处理器用于根据所述pcb的工作频点控制所述温度调节层的温度，以控制所述气体介质层的厚度。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的设备，其特征在于，所述传输线包括：微带线或者带状线。
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，若所述传输线包括带状线，所述第一绝缘电介质层上的第四区域和所述带状线上设置有第二绝缘电介质层，所述第二绝缘电介质层上与所述带状线对应的凹型区域设置有第二变形层，所述第二变形层和所述第二绝缘电介质层上除所述凹型区域之外的其它区域上设置有第二柔性参考层；其中，所述第四区域为所述第一绝缘电介质层上除所述第三区域之外的其它区域。
技术总结