一种体积小的大功率跳频滤波器的制作方法

专利2022-06-28  156


本实用新型涉及通信领域,具体涉及一种体积小的大功率跳频滤波器。



背景技术:

随着社会的不断发展与进步,人民在各种器件中需要经常用到滤波器,滤波器,即一种由电容、电阻、电感等组成的电路,具有滤波的功能。该电路能够对电源线中特定频率的频点进行滤除,同样通过设置,也可以对其他频率进行有效滤除,得到一个特定频率的电源信号,或消除一个特定频率后得到电源信号。

现有的大功率跳频滤波器,为了保证能够输出较大的功率以及稳定的输出,尺寸往往很大,而一些体积较小的滤波器输出大功率的话,稳定性会很差,且在具体使用时候,使用环境往往十分复杂,尺寸过大占地空间大,移动也十分不便,导致没有较好的应用前景。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种体积小的大功率跳频滤波器,以解决体积小的滤波器输出高功率不稳定的问题。

本实用新型通过以下技术手段实现解决上述技术问题的:

一种体积小的大功率跳频滤波器,包含射频模块、电容矩阵模块和数字控制电路板,其中,所述射频模块与电容矩阵模块连接,所述电容矩阵模块与数字控制电路连接。

所述射频模块包括rf输入口、第一电感、第一电容、连接件、第二电容、第二电感、rf输出口、抽口及螺旋柱,所述第一电感的前侧设置有焊接的rf输入口,所述第二电感的前侧设置有焊接的rf输出口,所述第一电感与第二电感上焊接有相互靠近的抽口,两个抽口贯穿螺旋柱,且两个抽口相互靠近的一端与螺旋柱焊接,从而固定螺旋柱。

进一步的,所述螺旋柱的两端分别设置有第一电容和第二电容,所述螺旋柱的中间设置有接地的连接件。

本实用新型体积较小,而且包含的控制电路能够使信号放大并输入至电容矩阵电路中,为扼流圈提供信号,从而输出较高的功率。

作为本实用新型进一步的方案:所述螺旋柱为“l”型,所述螺旋柱的长边部分贯穿抽口的中心部分,所述螺旋柱的短边部分与抽口焊接相连

作为本实用新型进一步的方案:所述电容矩阵模块包括电容矩阵电路,所述电容矩阵电路中输入端和输出端均包括若干个数量相等的电感,且输入端的每个电感可以与控制电路电性连接。

作为本实用新型进一步的方案:所述电容矩阵电路包括电感l1、电感l2、电感l3、电感l4、电感l5、电感l6、电感l7、电感l8、电感l9、电感l10、电感l11、电感l12、电感l13、电感l14、电感l15、电感l16、电容c1、电容c2、电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8、电容c9、电容c10、电容c11、电容c12、电容c13、电容c14、电容c15、电容c16、电容c17、电容c18、电容c19、电容c20、二极管d1、二极管d2、二极管d3、二极管d4、二极管d5、二极管d6、二极管d7、二极管d8、二极管d9、二极管d10、二极管d11、二极管d12、二极管d13、二极管d14、二极管d15、二极管d16,其中,

所述电感l1-l8的一端均与或者部分与控制电路电性相连;

所述电感l1的另一端与二极管d4的负极电性连接;

所述电感l2的另一端与二极管d3的负极电性连接;

所述电感l3的另一端与二极管d2的负极电性连接;

所述电感l4的另一端与二极管d1的负极电性连接;

所述电感l5的另一端与二极管d9的负极电性连接;

所述电感l6的另一端与二极管d10的负极电性连接;

所述电感l7的另一端与二极管d11的负极电性连接;

所述电感l8的另一端与二极管d12的负极电性连接;

所述电感l9的一端与二极管d5的负极电性连接,所述电感l9的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l10的一端与二极管d6的负极电性连接,所述电感l10的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l11的一端与二极管d7的负极电性连接,所述电感l11的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l12的一端与二极管d8的负极电性连接,所述电感l12的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l13的一端与二极管d6的负极电性连接,所述电感l13的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l14的一端与二极管d15的负极电性连接,所述电感l14的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l15的一端与二极管d14的负极电性连接,所述电感l15的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l16的一端与二极管d13的负极电性连接,所述电感l16的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述二极管d1-d16的正极均接地;

所述电容c1的一端与二极管d1的正极电性连接,所述电容c1的另一端与电容c2的一端电性连接,所述电容c2的另一端与二极管d9的正极电性连接,所述电容c19的一端与二极管d8的正极电性连接,所述电容c19的另一端与电容20的一端电性连接,所述电容20的另一端与二极管d16的正极电性连接。

所述电容c3的一端与二极管d1的负极电性连接,所述电容c3的另一端与电容c4的一端电性连接,所述电容c4的另一端与二极管d9的负极电性连接;

所述电容c5的一端与二极管d2的负极电性连接,所述电容c5的另一端与电容c6的一端电性连接,所述电容c6的另一端与二极管d10的负极电性连接;

所述电容c7的一端与二极管d3的负极电性连接,所述电容c7的另一端与电容c8的一端电性连接,所述电容c8的另一端与二极管d11的负极电性连接;

所述电容c9的一端与二极管d4的负极电性连接,所述电容c9的另一端与电容c10的一端电性连接,所述电容c10的另一端与二极管d12的负极电性连接;

所述电容c11的一端与二极管d5的负极电性连接,所述电容c11的另一端与电容c12的一端电性连接,所述电容c12的另一端与二极管d13的负极电性连接;

所述电容c13的一端与二极管d6的负极电性连接,所述电容c13的另一端与电容c14的一端电性连接,所述电容c14的另一端与二极管d14的负极电性连接;

所述电容c15的一端与二极管d7的负极电性连接,所述电容c15的另一端与电容c16的一端电性连接,所述电容c16的另一端与二极管d15的负极电性连接;

所述电容c17的一端与二极管d8的负极电性连接,所述电容c17的另一端与电容c18的一端电性连接,所述电容c18的另一端与二极管d16的负极电性连接。

作为本实用新型进一步的方案:所述控制电路包括驱动电路、主控芯片u0、以及开关电路,其中,所述驱动电路与主控芯片电性相连,所述主控芯片还与开关电路电性连接;所述开关电路的输出端与电容矩阵电路的输入端电性连接。

作为本实用新型进一步的方案:所述主控芯片u0的型号为sst39vf400。

作为本实用新型进一步的方案:所述驱动电路数量为若干,本实施例中数量与电容矩阵电路中输入端的电感数量相等,依次与电感l1-l8电性连接,以其中一个驱动电路为例,该驱动电路与电感l1相连。

作为本实用新型进一步的方案:所述驱动电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、主控芯片u1、电容c21、电容c22,所述主控芯片u1的第3引脚与电阻r1的一端电性连接,所述电阻r1的另一端接地,所述主控芯片u1的第4引脚与电容c21的一端连接,所述电容c21的另一端接地,所述主控芯片u1的第5引脚与电阻r2的一端连接,所述电阻r2的另一端接地;

所述主控芯片u1的型号为ad8040;所述主控芯片u1还与主控芯片u0电性连接;

所述主控芯片u1的第12引脚与电阻r3的一端连接,所述电阻r3的另一端接地;

所述主控芯片u1的第11引脚与电容c22的一端连接,所述电容c22的另一端接地;

所述主控芯片u1的第10引脚与电阻r4的一端连接,所述电阻r4的另一端接地;

作为本实用新型进一步的方案:所述开关电路包括电阻r5、电阻r6

、电阻7、电阻8、mos管q1、mos管q2、mos管q3、二极管d18、二极管d19、二极管d20、二极管d21、二极管d22、二极管d23、二极管d24、二极管d25、二极管d17,其中;

所述电阻r5的一端与外界供电设备相连,外界供电设备用来提供高压,所述电阻r5的另一端与mos管q1的栅极电性连接,所述mos管q1的漏极与电阻r6的一端电性连接,所述电阻r6的另一端接外界供电设备,所述mos管q1的栅极与二极管d19的负极电性连接,所述二极管d19的正极与二极管d20的正极电性连接,所述二极管d20的负极与二极管d21的正极电性连接,所述二极管d21的负极与mos管q1的漏极电性连接;

所述mos管q1的栅极还与二极管d18的负极电性连接,所述二极管d18的正极与mos管的衬底电性连接,且所述二极管d18的正极与电容矩阵电路电性连接;

所述mos管q2的栅极与二极管d25的负极电性连接,所述二极管d25的正极与二极管d26的正极电性连接,所述二极管d26的负极与二极管d17的正极电性连接,所述二极管d17的负极与mos管q2的漏极电性连接;所述mos管q2的漏极还与mos管q1的衬底电性连接,所述mos管q2的衬底与电源vcc电性连接。

所述mos管q3的漏极与二极管d18的负极电性连接,所述mos管q3的栅极与二极管d22的负极电性连接,所述二极管d22的正极与二极管d23的正极电性连接,所述二极管d23的负极与二极管d24的正极电性连接,所述二极管d24的负极与mos管q3的漏极电性连接。

所述mos管q3的栅极还与电阻r7的一端电性连接,所述电阻r7的另一端与主控芯片u0电性连接,同时电阻r7、主控芯片u0相连的一端与电阻r8的一端电性连接,所述电阻r8的另一端与mos管q2的栅极电性连接,且mos管q3的衬底与电源vcc电性连接。

其中,所述二极管d18的正极与mos管q2的漏极电性连接,且同时与电感l1电性连接。本实用新型的优点在于:

1、本实用新型中,射频模块与电容矩阵模块相连,且射频模块中采用一个螺旋柱即作为耦合电感器,又作为谐振电感器,从而减小尺寸,而且这种螺旋体结构,在大功率下,拥有更好的稳定性,从而保证稳定输出较高的功率。

2、本实用新型中的电容矩阵电路简单,含有若干个电感与电容,具有降低成本的优点。

3、本实用新型实用性强,具有较好的应用前景,控制电路包括驱动电路和开关电路,能够实现对信号的放大,与电容矩阵电路相配合输出高功率的信号。

附图说明

图1为本实用新型中滤波器的结构示意图。

图2为本实用新型中滤波器的部分立体示意图。

图3为本实用新型中电容矩阵电路的原理图。

图4为本实用新型中驱动电路的原理图。

图5为本实用新型中开关电路的原理图。

图中,1-rf输入口,2-第一电感,3-第一电容,4-连接件,5-第二电容,6-第二电感,7-rf输出口,8-抽口,9-螺旋柱。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

如图1-图2,图1为本实用新型中滤波器的结构示意图;图2为本实用新型中滤波器的部分立体示意图;一种体积小的大功率跳频滤波器,包含射频模块、电容矩阵模块和数字控制电路板,其中,所述射频模块与电容矩阵模块连接,所述电容矩阵模块与数字控制电路连接。

所述射频模块包括rf输入口1、第一电感2、第一电容3、连接件4、第二电容5、第二电感6、rf输出口7、抽口8及螺旋柱9,所述第一电感2的前侧设置有焊接的rf输入口1,所述第二电感6的前侧设置有焊接的rf输出口7,所述第一电感2与第二电感6上焊接有相互靠近的抽口8,两个抽口8贯穿螺旋柱9,且两个抽口8相互靠近的一端与螺旋柱9焊接,从而固定螺旋柱9。

进一步的,所述螺旋柱9的两端分别设置有第一电容3和第二电容5,所述螺旋柱9的中间设置有接地的连接件4;进一步的,所述第一电容3和第二电容5为二进制电容。

优选的,本实施例中,所述抽口8为“l”型,所述抽口8的长边部分贯穿螺旋柱9的中心部分,所述抽口8的短边部分与螺旋柱9焊接相连。

如图3,图3为本实用新型中电容矩阵电路的原理图;本实施例中,所述电容矩阵模块包括电容矩阵电路,所述电容矩阵电路中输入端和输出端均包括若干个数量相等的电感,且输入端的每个电感可以与控制电路电性连接。

具体的,所述电容矩阵电路包括电感l1、电感l2、电感l3、电感l4、电感l5、电感l6、电感l7、电感l8、电感l9、电感l10、电感l11、电感l12、电感l13、电感l14、电感l15、电感l16、电容c1、电容c2、电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8、电容c9、电容c10、电容c11、电容c12、电容c13、电容c14、电容c15、电容c16、电容c17、电容c18、电容c19、电容c20、二极管d1、二极管d2、二极管d3、二极管d4、二极管d5、二极管d6、二极管d7、二极管d8、二极管d9、二极管d10、二极管d11、二极管d12、二极管d13、二极管d14、二极管d15、二极管d16,其中,

所述电感l1-l8的一端可以均与或者部分与控制电路电性相连;本实施例中,所述电感l1-l8的一端均与控制电路电性相连,控制电路用于通过电感l1-l8输入信号;

所述电感l1的另一端与二极管d4的负极电性连接;

所述电感l2的另一端与二极管d3的负极电性连接;

所述电感l3的另一端与二极管d2的负极电性连接;

所述电感l4的另一端与二极管d1的负极电性连接;

所述电感l5的另一端与二极管d9的负极电性连接;

所述电感l6的另一端与二极管d10的负极电性连接;

所述电感l7的另一端与二极管d11的负极电性连接;

所述电感l8的另一端与二极管d12的负极电性连接;

所述电感l9的一端与二极管d5的负极电性连接,所述电感l9的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l10的一端与二极管d6的负极电性连接,所述电感l10的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l11的一端与二极管d7的负极电性连接,所述电感l11的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l12的一端与二极管d8的负极电性连接,所述电感l12的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l13的一端与二极管d6的负极电性连接,所述电感l13的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l14的一端与二极管d15的负极电性连接,所述电感l14的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l15的一端与二极管d14的负极电性连接,所述电感l15的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述电感l16的一端与二极管d13的负极电性连接,所述电感l16的另一端与外界设备相连,用于输出信号;

所述二极管d1-d16的正极均接地;

所述电容c1的一端与二极管d1的正极电性连接,所述电容c1的另一端与电容c2的一端电性连接,所述电容c2的另一端与二极管d9的正极电性连接,所述电容c19的一端与二极管d8的正极电性连接,所述电容c19的另一端与电容20的一端电性连接,所述电容20的另一端与二极管d16的正极电性连接。

所述电容c3的一端与二极管d1的负极电性连接,所述电容c3的另一端与电容c4的一端电性连接,所述电容c4的另一端与二极管d9的负极电性连接;

所述电容c5的一端与二极管d2的负极电性连接,所述电容c5的另一端与电容c6的一端电性连接,所述电容c6的另一端与二极管d10的负极电性连接;

所述电容c7的一端与二极管d3的负极电性连接,所述电容c7的另一端与电容c8的一端电性连接,所述电容c8的另一端与二极管d11的负极电性连接;

所述电容c9的一端与二极管d4的负极电性连接,所述电容c9的另一端与电容c10的一端电性连接,所述电容c10的另一端与二极管d12的负极电性连接;

所述电容c11的一端与二极管d5的负极电性连接,所述电容c11的另一端与电容c12的一端电性连接,所述电容c12的另一端与二极管d13的负极电性连接;

所述电容c13的一端与二极管d6的负极电性连接,所述电容c13的另一端与电容c14的一端电性连接,所述电容c14的另一端与二极管d14的负极电性连接;

所述电容c15的一端与二极管d7的负极电性连接,所述电容c15的另一端与电容c16的一端电性连接,所述电容c16的另一端与二极管d15的负极电性连接;

所述电容c17的一端与二极管d8的负极电性连接,所述电容c17的另一端与电容c18的一端电性连接,所述电容c18的另一端与二极管d16的负极电性连接。

所述控制电路包括驱动电路、主控芯片u0、以及开关电路,其中,所述驱动电路与主控芯片电性相连,所述主控芯片还与开关电路电性连接;所述开关电路的输出端与电容矩阵电路的输入端电性连接;

本实施例中,所述主控芯片u0的型号为sst39vf400;

进一步的,所述驱动电路数量为若干,本实施例中数量与电容矩阵电路中输入端的电感数量相等,依次与电感l1-l8电性连接,以其中一个驱动电路为例,该驱动电路与电感l1相连。

如图4,图4为本实用新型中驱动电路的原理图;所述驱动电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、主控芯片u1、电容c21、电容c22,所述主控芯片u1的第3引脚与电阻r1的一端电性连接,所述电阻r1的另一端接地,所述主控芯片u1的第4引脚与电容c21的一端连接,所述电容c21的另一端接地,所述主控芯片u1的第5引脚与电阻r2的一端连接,所述电阻r2的另一端接地;

本实施例中,所述主控芯片u1的型号为ad8040;所述主控芯片u1还与主控芯片u0电性连接;

所述主控芯片u1的第12引脚与电阻r3的一端连接,所述电阻r3的另一端接地;

所述主控芯片u1的第11引脚与电容c22的一端连接,所述电容c22的另一端接地;

所述主控芯片u1的第10引脚与电阻r4的一端连接,所述电阻r4的另一端接地。

如图5,图5为本实用新型中开关电路的原理图;所述开关电路为若干组,分别依次与电容矩阵电路输入端的电感电性连接,本实施例中为八组,依次与电感l1-l8电性连接,以其中第一组为例进行详细描述;

所述开关电路包括电阻r5、电阻r6、电阻7、电阻8、mos管q1、mos管q2、mos管q3、二极管d18、二极管d19、二极管d20、二极管d21、二极管d22、二极管d23、二极管d24、二极管d25、二极管d17,其中;

所述电阻r5的一端与外界供电设备相连,外界供电设备用来提供高压,所述电阻r5的另一端与mos管q1的栅极电性连接,所述mos管q1的漏极与电阻r6的一端电性连接,所述电阻r6的另一端接外界供电设备,所述mos管q1的栅极与二极管d19的负极电性连接,所述二极管d19的正极与二极管d20的正极电性连接,所述二极管d20的负极与二极管d21的正极电性连接,所述二极管d21的负极与mos管q1的漏极电性连接;

所述mos管q1的栅极还与二极管d18的负极电性连接,所述二极管d18的正极与mos管的衬底电性连接,且所述二极管d18的正极与电容矩阵电路电性连接;

所述mos管q2的栅极与二极管d25的负极电性连接,所述二极管d25的正极与二极管d26的正极电性连接,所述二极管d26的负极与二极管d17的正极电性连接,所述二极管d17的负极与mos管q2的漏极电性连接;所述mos管q2的漏极还与mos管q1的衬底电性连接,所述mos管q2的衬底与电源vcc电性连接。

所述mos管q3的漏极与二极管d18的负极电性连接,所述mos管q3的栅极与二极管d22的负极电性连接,所述二极管d22的正极与二极管d23的正极电性连接,所述二极管d23的负极与二极管d24的正极电性连接,所述二极管d24的负极与mos管q3的漏极电性连接。

所述mos管q3的栅极还与电阻r7的一端电性连接,所述电阻r7的另一端与主控芯片u0电性连接,同时电阻r7、主控芯片u0相连的一端与电阻r8的一端电性连接,所述电阻r8的另一端与mos管q2的栅极电性连接,且mos管q3的衬底与电源vcc电性连接。

其中,所述二极管d18的正极与mos管q2的漏极电性连接,且同时与电感l1电性连接。

工作原理:具体工作时,驱动电路起到放大信号的作用,开关电路能够输出高压,为电容矩阵电路提供信号输入,电感l1-l16为高频扼流圈,能够起到遏制高频信号的传输,减小滤波器中谐振滤波电路与直流电电路的相互影响,且电容c3-c18是二极管可悬空的加载电容,电容c1、电容c2、电容c19、电容c20是所有跳频点上参与谐振的电容。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。


技术特征:

1.一种体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,包含射频模块、电容矩阵模块和数字控制电路板,其中,所述射频模块与电容矩阵模块连接,所述电容矩阵模块与数字控制电路连接;

所述射频模块包括rf输入口(1)、第一电感(2)、第一电容(3)、连接件(4)、第二电容(5)、第二电感(6)、rf输出口(7)、抽口(8)、螺旋柱(9),所述第一电感(2)的前侧设置有焊接的rf输入口(1),所述第二电感(6)的前侧设置有rf输出口(7),所述第一电感(2)与第二电感(6)上焊接有相互靠近的抽口(8),所述抽口(8)贯穿螺旋柱(9),且两个抽口(8)相互靠近的一端与螺旋柱(9)固定连接,所述螺旋柱(9)的两端分别设置有第一电容(3)和第二电容(5),所述螺旋柱(9)的中间设置有接地的连接件(4)。

2.根据权利要求1所述的体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,所述抽口(8)为“l”型,所述抽口(8)的长边部分贯穿螺旋柱(9)的中心部分,所述抽口(8)的短边部分与螺旋柱(9)相连。

3.根据权利要求1所述的体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,所述电容矩阵模块包括电容矩阵电路,所述电容矩阵电路中输入端和输出端均包括若干个数量相等的电感,且输入端的每个电感分别与一个控制电路电性连接。

4.根据权利要求3所述的体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,所述电容矩阵电路包括电感l1、电感l2、电感l3、电感l4、电感l5、电感l6、电感l7、电感l8、电感l9、电感l10、电感l11、电感l12、电感l13、电感l14、电感l15、电感l16、电容c1、电容c2、电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8、电容c9、电容c10、电容c11、电容c12、电容c13、电容c14、电容c15、电容c16、电容c17、电容c18、电容c19、电容c20、二极管d1、二极管d2、二极管d3、二极管d4、二极管d5、二极管d6、二极管d7、二极管d8、二极管d9、二极管d10、二极管d11、二极管d12、二极管d13、二极管d14、二极管d15、二极管d16,其中;

所述电感l1-l8的一端与控制电路相连;

所述电感l1的另一端与二极管d4的负极电性连接;

所述电感l2的另一端与二极管d3的负极电性连接;

所述电感l3的另一端与二极管d2的负极电性连接;

所述电感l4的另一端与二极管d1的负极电性连接;

所述电感l5的另一端与二极管d9的负极电性连接;

所述电感l6的另一端与二极管d10的负极电性连接;

所述电感l7的另一端与二极管d11的负极电性连接;

所述电感l8的另一端与二极管d12的负极电性连接;

所述电感l9的一端与二极管d5的负极电性连接,所述电感l9的另一端与外界设备相连;

所述电感l10的一端与二极管d6的负极电性连接,所述电感l10的另一端与外界设备相连;

所述电感l11的一端与二极管d7的负极电性连接,所述电感l11的另一端与外界设备相连;

所述电感l12的一端与二极管d8的负极电性连接,所述电感l12的另一端与外界设备相连;

所述电感l13的一端与二极管d6的负极电性连接,所述电感l13的另一端与外界设备相连;

所述电感l14的一端与二极管d15的负极电性连接,所述电感l14的另一端与外界设备相连;

所述电感l15的一端与二极管d14的负极电性连接,所述电感l15的另一端与外界设备相连;

所述电感l16的一端与二极管d13的负极电性连接,所述电感l16的另一端与外界设备相连;

所述二极管d1-d16的正极均接地;

所述电容c1的一端与二极管d1的正极电性连接,所述电容c1的另一端与电容c2的一端电性连接,所述电容c2的另一端与二极管d9的正极电性连接,所述电容c19的一端与二极管d8的正极电性连接,所述电容c19的另一端与电容20的一端电性连接,所述电容20的另一端与二极管d16的正极电性连接;

所述电容c3的一端与二极管d1的负极电性连接,所述电容c3的另一端与电容c4的一端电性连接,所述电容c4的另一端与二极管d9的负极电性连接;

所述电容c5的一端与二极管d2的负极电性连接,所述电容c5的另一端与电容c6的一端电性连接,所述电容c6的另一端与二极管d10的负极电性连接;

所述电容c7的一端与二极管d3的负极电性连接,所述电容c7的另一端与电容c8的一端电性连接,所述电容c8的另一端与二极管d11的负极电性连接;

所述电容c9的一端与二极管d4的负极电性连接,所述电容c9的另一端与电容c10的一端电性连接,所述电容c10的另一端与二极管d12的负极电性连接;

所述电容c11的一端与二极管d5的负极电性连接,所述电容c11的另一端与电容c12的一端电性连接,所述电容c12的另一端与二极管d13的负极电性连接;

所述电容c13的一端与二极管d6的负极电性连接,所述电容c13的另一端与电容c14的一端电性连接,所述电容c14的另一端与二极管d14的负极电性连接;

所述电容c15的一端与二极管d7的负极电性连接,所述电容c15的另一端与电容c16的一端电性连接,所述电容c16的另一端与二极管d15的负极电性连接;

所述电容c17的一端与二极管d8的负极电性连接,所述电容c17的另一端与电容c18的一端电性连接,所述电容c18的另一端与二极管d16的负极电性连接。

5.根据权利要求4所述的体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,所述控制电路包括驱动电路、主控芯片u0、以及开关电路,其中,所述驱动电路与主控芯片电性相连,所述主控芯片还与开关电路电性连接;所述开关电路的输出端与电容矩阵电路的输入端电性连接。

6.根据权利要求5所述的体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,所述主控芯片u0的型号为sst39vf400。

7.根据权利要求5-6任一所述的体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,所述驱动电路数量为若干,依次与电感l1-l8中的部分或者全部电性连接。

8.根据权利要求5所述的体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,所述驱动电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、主控芯片u1、电容c21、电容c22,所述主控芯片u1的第3引脚与电阻r1的一端电性连接,所述电阻r1的另一端接地,所述主控芯片u1的第4引脚与电容c21的一端连接,所述电容c21的另一端接地,所述主控芯片u1的第5引脚与电阻r2的一端连接,所述电阻r2的另一端接地,

所述主控芯片u1的第12引脚与电阻r3的一端连接,所述电阻r3的另一端接地;

所述主控芯片u1的第11引脚与电容c22的一端连接,所述电容c22的另一端接地;

所述主控芯片u1的第10引脚与电阻r4的一端连接,所述电阻r4的另一端接地,所述主控芯片u1还与主控芯片u0电性连接。

9.根据权利要求6所述的体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,

所述开关电路包括电阻r5、电阻r6、电阻7、电阻8、mos管q1、mos管q2、mos管q3、二极管d18、二极管d19、二极管d20、二极管d21、二极管d22、二极管d23、二极管d24、二极管d25、二极管d17,其中;

所述电阻r5的一端与外界供电设备相连,外界供电设备用来提供高压,所述电阻r5的另一端与mos管q1的栅极电性连接,所述mos管q1的漏极与电阻r6的一端电性连接,所述电阻r6的另一端接外界供电设备,所述mos管q1的栅极与二极管d19的负极电性连接,所述二极管d19的正极与二极管d20的正极电性连接,所述二极管d20的负极与二极管d21的正极电性连接,所述二极管d21的负极与mos管q1的漏极电性连接;

所述mos管q1的栅极还与二极管d18的负极电性连接,所述二极管d18的正极与mos管的衬底电性连接,且所述二极管d18的正极与电容矩阵电路电性连接;

所述mos管q2的栅极与二极管d25的负极电性连接,所述二极管d25的正极与二极管d26的正极电性连接,所述二极管d26的负极与二极管d17的正极电性连接,所述二极管d17的负极与mos管q2的漏极电性连接;所述mos管q2的漏极还与mos管q1的衬底电性连接,所述mos管q2的衬底与电源vcc电性连接;

所述mos管q3的漏极与二极管d18的负极电性连接,所述mos管q3的栅极与二极管d22的负极电性连接,所述二极管d22的正极与二极管d23的正极电性连接,所述二极管d23的负极与二极管d24的正极电性连接,所述二极管d24的负极与mos管q3的漏极电性连接;

所述mos管q3的栅极还与电阻r7的一端电性连接,所述电阻r7的另一端与主控芯片u0电性连接,同时电阻r7、主控芯片u0相连的一端与电阻r8的一端电性连接,所述电阻r8的另一端与mos管q2的栅极电性连接,且mos管q3的衬底与电源vcc电性连接,所述二极管d18的正极与mos管q2的漏极电性连接,且同时与驱动电路电性连接。

10.根据权利要求8所述的体积小的大功率跳频滤波器,其特征在于,所述主控芯片u1的型号为ad8040。

技术总结
本实用新型涉及一种体积小的大功率跳频滤波器,包含射频模块、电容矩阵模块和数字控制电路板,其中,所述射频模块与电容矩阵模块连接,所述电容矩阵模块与数字控制电路连接。所述射频模块包括RF输入口、第一电感、第一电容、连接件、第二电容、第二电感、RF输出口、抽口、螺旋柱,所述第一电感的前侧设置有焊接的RF输入口,所述第二电感的前侧设置有焊接的RF输出口,所述第一电感与第二电感上焊接有相互靠近的抽口,两个抽口贯穿螺旋柱,且两个抽口相互靠近的一端与螺旋柱焊接,从而固定螺旋柱;本实用新型体积较小,而且在控制电路的作用下能够放大信号,即使在体积较小的情况下也能够输出较高的功率。

技术研发人员:陶有红;黄月亮
受保护的技术使用者:合肥天力源电子科技有限公司
技术研发日:2019.10.14
技术公布日:2020.06.09

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