本实用新型涉及锂电池技术领域，尤其涉及一种可快速关断的mos管驱动电路。
背景技术：
目前，多数开关电源电路方案中都会用到mos管驱动电路，主要是通过控制芯片输出可调的pwm波形到mos管的栅极，控制mos管的导通和关断时间，以达到控制输出电压的目的。现有的mos管驱动电路通常是通过振荡电路或控制芯片输出pwm波形，经过限流电阻到mos管的栅极，以实现对mos管的开关控制。上述驱动方式由于mos管栅源极结电容的存在，无法使mos管快速的关断，从而使其效率降低，开关损耗增加。虽然专用驱动芯片可以解决这一问题，但由于成本较高，则不利于在低成本产品上的使用。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提出一种缩短mos管的关断时间的mos管驱动电路。
本实用新型所采用的技术方案是：
一种可快速关断的mos管驱动电路，包括mos管、开关电路、第一电阻和第三电阻；
驱动信号的输出端通过第一电阻与mos管的栅极连接，所述mos管的漏极连接输入电压，所述开关电路的第一端用于接收驱动信号，所述开关电路的第二端与mos管的栅极连接，所述开关电路的第三端与mos管的源极连接，所述第三电阻连接在mos管的栅极和源极之间。
进一步，所述开关电路为pnp型双极性晶体管或p沟道场效应晶体管。
进一步，还包括第二电阻，所述第二电阻连接在mos管的栅极和开关电路的第二端之间。
进一步，所述第二电阻为小阻值电阻。
进一步，还包括二极管，所述二极管的正极与开关电路的第三端连接，所述二极管的负极与mos管的源极连接。
本实用新型的有益效果是：本实用新型通过电子开关对截止的mos管的栅极进行快速放电，使其快速关断，减小开关损耗；另外，该电路结构简单易实现，且性能稳定，成本低，可普遍应用于锂电池的技术领域。
附图说明
图1是具体实施例中可快速关断的mos管驱动电路第一种实现方式的电子电路图；
图2是具体实施例中可快速关断的mos管驱动电路第二种实现方式的电子电路图。
具体实施方式
如图1所示，一种可快速关断的mos管q1驱动电路，包括mos管q1、pnp型双极性晶体管q2、第一电阻r1和第三电阻r3；
驱动信号的输出端通过第一电阻r1与mos管q1的栅极连接，所述mos管q1的漏极连接输入电压，所述pnp型双极性晶体管q2的第一端用于接收驱动信号，所述pnp型双极性晶体管q2的第二端与mos管q1的栅极连接，所述pnp型双极性晶体管q2的第三端与mos管q1的源极连接，所述第三电阻r3连接在mos管q1的栅极和源极之间。
输入的驱动信号是占空比可调的方波信号，用于控制mos管q1的导通和关断时间，从而控制输出的电压。当信号位于高电平的时候，驱动信号经过第一电阻r1到mos管q1的栅极，使得mos管q1导通，电阻r1起到限流作用，减小mos管q1栅极充电峰值电流；高电平的驱动信号连接到pnp型双极性晶体管q2的基极，则此时pnp型双极性晶体管q2处于截止状态。当驱动信号位于低电平时，pnp型双极性晶体管q2导通，mos管q1的栅源两端通过pnp型双极性晶体管q2形成放电回路，快速泄放mos管q1栅源极结电容的电荷，从而达到快速关断mos管q1的目的；同时第一电阻r1、第三电阻r3也是电荷释放通路，加快mos管q1的关断。通过上述电路使得mos管q1快速关断，减小开关损耗，提高效率，并且具有电路简单稳定、容易实现、成本低的特点。
如图2所示，本实施例提供了一种包括mos管q1、p沟道场效应晶体管q2、第一电阻r1和第三电阻r3；
驱动信号的输出端通过第一电阻r1与mos管q1的栅极连接，所述mos管q1的漏极连接输入电压，所述p沟道场效应晶体管q2的第一端用于接收驱动信号，所述p沟道场效应晶体管q2的第二端与mos管q1的栅极连接，所述p沟道场效应晶体管q2的第三端与mos管q1的源极连接，所述第三电阻r3连接在mos管q1的栅极和源极之间。
当信号位于高电平的时候，mos管q1导通，p沟道场效应晶体管q2截止。当信号变为低电平时，p沟道场效应晶体管q2导通，快速泄放mos管q1栅源极结电容的电荷，从而达到快速关断mos管q1的目的；同时第一电阻r1、第三电阻r3也是电荷释放通路，加快mos管q1的关断。通过上述电路使得mos管q1快速关断，减小开关损耗，提高效率，并且具有电路简单稳定、容易实现、成本低的特点。
参照图1，进一步作为优选的实施方式，还包括第二电阻r2，所述第二电阻r2连接在mos管q1的栅极和开关电路的第二端之间；所述第二电阻为小阻值电阻。
所述第二电阻r2为小阻值电阻，防止瞬间较大电流对pnp型双极性晶体管或p沟道场效应晶体管造成损坏，可对开关电路起到一定的保护作用，防止损坏，延长三极管或场效应管的使用寿命。
参照图1，进一步作为优选的实施方式，还包括二极管d1，所述二极管d1的正极与开关电路的第三端连接，所述二极管d1的负极与mos管q1的源极连接。
所述二极管d1为了防止在开关电源电路中的输出电压尖峰对电子开关造成损坏，起到电路保护作用。
综上所述，本实用新型至少具有如下的有益效果：
(1)mos管关断时使用pnp型双极性晶体管或p沟道场效应晶体管或对栅极进行快速放电，使其快速关断，减小开关损耗。
(2)第二电阻可对三极管起到一定的保护作用，防止损坏，延长三极管或场效应管的使用寿命。
(3)通过二极管可防止在开关电源电路中的输出电压尖峰对pnp型双极性晶体管或p沟道场效应晶体管造成损坏。
(4)本实施例的电路简单易实现，且性能稳定，成本低，可普遍应用于锂电池的技术领域。
以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
1.一种可快速关断的mos管驱动电路，其特征在于，包括mos管、开关电路、第一电阻和第三电阻；
驱动信号的输出端通过第一电阻与mos管的栅极连接，所述mos管的漏极连接输入电压，所述开关电路的第一端用于接收驱动信号，所述开关电路的第二端与mos管的栅极连接，所述开关电路的第三端与mos管的源极连接，所述第三电阻连接在mos管的栅极和源极之间。
2.根据权利要求1所述的一种可快速关断的mos管驱动电路，其特征在于，所述开关电路为pnp型双极性晶体管或p沟道场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的一种可快速关断的mos管驱动电路，其特征在于，还包括第二电阻，所述第二电阻连接在mos管的栅极和开关电路的第二端之间。
4.根据权利要求3所述的一种可快速关断的mos管驱动电路，其特征在于，所述第二电阻为小阻值电阻。
5.根据权利要求1所述的一种可快速关断的mos管驱动电路，其特征在于，还包括二极管，所述二极管的正极与开关电路的第三端连接，所述二极管的负极与mos管的源极连接。
技术总结