本发明涉及一种控制μled像素结构的方法，更具体而言，本发明涉及一种具有如下特征的控制μled像素结构的方法，该方法在确定流向μled的电流的大小时，完全消除驱动pmos阈值电压的干扰，从而更容易控制μled的灰度。
背景技术：
近来，μled(micro-led)作为lcd(liquidcrystaldisplay)和oled(organiclightemittingdiode)之后的下一代显示器μled(micro-led)引起了人们的关注。
所述μled通常指的是芯片的尺寸只有5到10μm的超小型led，并且led芯片本身可以用作像素，因此其特征是，可以克服现有阻碍led实现的弯曲或破裂等问题。
所述μled虽然在使用超小型粒子作为发光材料这一点上与量子点(quantumdot)相似，但其优点在于，在低电力、小型化、轻量化方面更加改善了性能。
所述μled可以与柔性显示器(flexibledisplay)、纤维和led相结合的智能纤维、贴身及植入式医疗器械、生物隐形眼镜、虚拟现实(vr)显示器等各种产业领域融复合的扩张性也非常受青睐。
为了实现显示器，这种μled以像素单位而构成并将多个像素设置在晶片上形成矩阵，并且在每个μled像素结构中，驱动pmos(drivingp-channelmetaloxidesemiconductor)控制流向μled的电流，从而调整μled的灰度。
所述电流由电子迁移率(mobility)、驱动pmos的特定值和元件特性等各种参数而确定，并且工艺流程中，大多数电流可以控制，但驱动pmos的阈值电压具有不受控制的问题。
因为若不采取任何措施，由于驱动pmos的阈值电压，μled的灰度将出现±15％的散布，这对于使用μled的显示器的开发和商业化来说是一个大难题。
另外，在μled像素结构中，因驱动pmos的阈值电压引起相应的晶体管不完全被关断而微小地被导通的现象。例如，存在的问题是，使用μled像素结构难以实现完美的黑色(black)，并且最终缺点是干扰采用μled的显示装置的质量。
据此，在确定流向μled的电流时，能够完全消除驱动pmos阈值电压干扰的结构或方法成为最迫切的需要。
技术实现要素：
技术问题
为解决现有技术的上述问题而发明了本发明，其目的在于，提供一种控制μled像素结构的方法，该方法通过完全消除μled像素结构中驱动pmos阈值电压的干扰，从而控制μled的灰度变得更加容易。
另外，本发明的另一目的在于，防止因驱动pmos的阈值电压引起晶体管不被完全关断而微小地被导通的现象，从而使μled和μled像素模块可以实现全黑(black)。
本发明要解决的技术问题不限于上述的技术问题，并且本领域技术人员根据本发明的描述将清楚地理解未提及的其他技术问题。
技术方案
根据用于解决上述的现有技术问题的本发明，其提供用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，该方法包括：通过根据预信号(pre)导通预充电nmos10，从而将驱动pmos的栅极偏置(vbias)保持在0v的预充电(pre-charge)步骤；从源驱动器(sourcedriver)向μled像素提供数据时，根据使能信号(en)将所述预充电nmos和使能关断pmos关断之后，导通使能导通pmos，从而使所述驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[数据值-驱动pmos的阈值电压(vth)]的数据使能(dataenable)的步骤；以及根据所述具有使能信号(en)和非重叠(non-overlap)区间的发射信号(emm)而将所述使能关断pmos导通，并且在关断所述使能导通pmos之后，导通处于关断状态的发射nmos和发射pmos，从而驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[数据值-驱动pmos的阈值电压(vth) 由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)]，并且通过随之而来的驱动pmos的栅源电压(vgs)而电流(id)流向μled的发射(emission)步骤。
在本发明中，电压变化量(δv)优选地由下面公式确定。
(此时，δv是由连接至驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量，vled是电源电压，cst是第一电容器，ccc是第二电容器。)
优选地，为了由所述第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)具有与所述驱动pmos的阈值电压(vth)相同的值而分别调整第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)的电容比(capacitance)之后而应用。
在本发明中，所述驱动pmos的栅源电压(vgs)优选地成为[电源电压(vled)-数据值 驱动pmos的阈值电压(vth-由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)]
本发明中，当前id优选地由下面公式确定。
(此时，id是电流，μn是电子迁移率(mobility)，cox是驱动pmos栅极的电容，w是驱动pmos栅极的宽度，l是驱动pmos栅极的长度，vgs是驱动pmos的栅源电压，vth是驱动pmos的阈值电压，δv是由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量。)
在本发明中，优选地，使用转换器(converter)提供与每个栅极相反的电压而控制所述使能导通pmos和使能关断pmos执行彼此相反的导通或关断操作。
在本发明中，优选地，通过使用转换器提供与每个栅极相反的电压而控制所述发射nmos和发射pmos执行彼此相同的导通或关断操作。
在本发明中，优选地，所述使能导通pmos包括第一使能导通pmos和第二使能导通pmos，其中所述第一使能导通pmos的漏极配置为连接到所述驱动pmos的源极，其中所述第二使能导通pmos的源极配置为连接到驱动pmos的漏极，其中第二使能导通pmos的漏极配置为连接到驱动pmos的栅极。
在本发明中，优选地，通过以多个所述μled像素构成矩阵来形成显示器，所述显示器由ddi(displaydriveric)控制，该ddi包括：扫描控制器(scancontroller)，其用于扫描构成矩阵的μled像素行；源驱动器(sourcedriver)，其用于将数据提供给所述扫描控制器扫描的行的相应μled像素；时序控制器(timingcontroller)，其配置为控制所述扫描控制器和源极驱动器的时序；以及接口，其包括串行外围设备接口(serialperipheralinterface:spi)、低压差分信号(lowvoltagedifferentialsignaling；lvds)或rgb(red-green-blue)接口中的任何一个或多个。
发明效果
根据本发明的控制μled像素结构方法,利用应用于nled像素结构的nmos和pmos等元件特性可以完全消除驱动pmos阈值电压对流向lled的电流的干扰。
据此，本发明可以更完全地控制μled的灰度并可以进一步减少现有μled灰度的±15％的散布，从而使散布在±1.5％内。
另外，根据本发明，防止因驱动pmos的阈值电压引起晶体管不完全被关断而微小地导通的现象，从而使μled和μled像素模块可以实现全黑(black)。
另外，本发明使用μled改善显示效率和性能，从而以更低电力来实现可小型化或轻量化的显示设备的开发和商业化。
附图说明
图1是显示根据现有技术的控制μled像素结构的方法的基本概念的示意图：
图2是根据本发明一实施例的控制μled像素结构的方法的流程图；
图3是根据本发明一实施例的μled像素结构的构成图：
图4是显示根据本发明一实施例的控制μled像素结构方法的预充电步骤的控制状态的示意图：
图5是显示根据本发明一实施例的控制μled像素结构的方法的预充电步骤期间施加的预信号的示意图：
图6是显示根据本发明一实施例的控制μled像素结构方法的数据使能步骤的控制状态的示意图：
图7是显示根据本发明一实施例的在控制μled像素结构方法的数据使能步骤期间施加的使能信号的示意图；
图8是显示根据本发明一实施例的控制μled像素结构方法的发射步骤的控制状态的示意图：
图9是显示在根据本发明一实施例的控制μled像素结构方法的发射步骤期间施加的发射信号的示意图：
图10是显示根据本发明一实施例的测量针对μled灰度的μled电流的结果的示意图：
图11是显示根据本发明一实施例的测量针对三个灰度值的像素数据的结果的示意图：
图12是显示根据本发明一实施例的通过以多个包括扫描控制器、源驱动器、时序控制器、串行外围设备接口、低压差分信号及rgb接口的显示驱动器ddi(displaydriveric)和，μled像素构成矩阵而形成的显示器的状态的示意图。
具体实施方式
根据本发明的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法包括：通过根据预信号(pre)导通预充电nmos10，从而将驱动pmos的栅极偏置(vbias)保持在0v的预充电(pre-charge)步骤；从源驱动器(sourcedriver)向μled像素提供数据时，根据使能信号(en)将所述预充电nmos和使能关断pmos关断之后，导通使能导通pmos，从而使所述驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[数据值-驱动pmos的阈值电压(vth)]的数据使能(dataenable)的步骤；以及根据所述具有使能信号(en)和非重叠(non-overlap)区间的发射信号(emm)而将所述使能关断pmos导通，并且在关断所述使能导通pmos之后，导通处于关断状态的发射nmos和发射pmos，从而驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[数据值-驱动pmos的阈值电压(vth) 由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)]，并且通过随之而来的驱动pmos的栅源电压(vgs)而电流(id)流向μled的发射(emission)步骤。
在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。
首先，图1是显示根据现有技术的控制μled像素结构的方法的基本概念的示意图。
通过以多个μled像素构成矩阵而形成显示器，图1显示一个μled像素结构的概念，通过扫描μled像素的行的扫描控制器110而获得的扫描数据和通过将数据提供给相应的μled像素的源极驱动器120获得的源数据，将通过时序控制器130的时序控制而提供于μled像素。
此时，流向μled40的电流通过pmos(drivingp-channelmetaloxidesemiconductor)100的栅源电压(vgs)而确定，并且所述电流的大小与下面的公式1相同。
【公式1】
在所述公式1中，id是电流，μn是电子迁移率(mobility)，cox是驱动pmos栅极的电容，w是驱动pmos栅极的宽度，l是驱动pmos栅极的长度，vgs是驱动pmos的栅源电压，vth是驱动pmos的阈值电压。
可以由上面的公式1表示的当前电流(id)的大小确定相应μled的灰度(grayscale)，并且所述电流由各种参数而确定，而且大多数可以在工艺流程中轻松控制，但当前的工艺技术很难控制驱动pmos100的阈值电压(thresholdvoltage；vth)，因此，若不采取任何措施，则μled的灰度一般会显示为±15％的散布。
即，在图1流向μled40的电流(id)由驱动pmos的栅源电压(vgs)而确定，但根据上面的公式1，电流(id)与驱动pmos的阈值电压(vth)的变化的平方成比例，并且在这种情况下，电流(id)的散布通过驱动pmos的vth散布而受到影响。
据此，要补偿驱动pmos的阈值电压(vth)，并且在流向μled40的电流(id)处驱动pmos的阈值电压(vth)的干扰被减小到最小，从而减少led灰度的散布并使其易于控制，进而，在为了完全消除驱动pmos的阈值电压(vth)的干扰并通过μled实现全黑实现的目的下发明了本发明。
根据本发明的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法包括：1)通过根据预信号(pre)导通预充电nmos10，从而将驱动pmos的栅极偏置(vbias)保持在0v的预充电(pre-charge)步骤；
2)从源驱动器(sourcedriver)向μled像素提供数据时，根据使能信号(en)将所述预充电nmos10和使能关断pmos23关断之后，导通使能导通pmos，从而使所述驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[数据值-驱动pmos的阈值电压(vth)]的数据使能(dataenable)的步骤；以及
3)根据所述具有使能信号(en)和非重叠(non-overlap)区间的发射信号(emm)而将所述使能关断pmos23导通，并且在所述使能导通pmos20被关断之后，处于关断状态的发射nmos30和发射pmos31被导通，从而驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[数据值-驱动pmos的阈值电压(vth) 由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)]，并且通过随之而来的驱动pmos的栅源电压(vgs)而电流(id)流向μled的发射(emission)步骤。
为了帮助对此的理解,图2是显示根据本发明实施例的控制μled像素结构的方法的流程图，图3是显示根据本发明实施例的μled像素结构的构成图，参照图2至图3将描述构成本发明的每个步骤。
首先，如图4所示，本发明中，通过根据预信号pre导通预充电nmos10而执行将驱动pmos的栅极偏置(vbias)保持在0v的预充电步骤(s10)。
此时，使能导通pmos20、发射nmos30和发射pmos31都处于off状态，仅使能关断pmos23处于on状态，可以将这种状况称为可以防止不必要的电流流向μled40的方向并用于通过连接到第一使能导通pmos21和第二使能导通pmos22的线而接受数据值输入的前哨步骤。
因此，在预充电步骤中，预充电nmos10处于on状态并使电流从驱动pmos100的栅极流向所述预充电nmos方向，从而将所述驱动pmos的栅极偏置(vbias)保持在0v(vbias＝0)。
之后，从源极驱动器将数据提供给μled像素时，执行数据使能步骤，以使所述驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[数据值-驱动pmos的阈值电压(vth)](s20)。
所述数据使能步骤是在预充电步骤之后，将μled像素初始化并准备接受数据输入的步骤。如图7所示，根据使能信号(en)使在所述预充电步骤中处于on状态的预充电nmos10和使能关闭pmos23处于off状态，与此同时，通过让使能导通pmos20处于on状态而使驱动pmos100的栅极偏置(vbias)充电量等于[数据值-vth]。
参照图6更详而言，所述使能导通pmos20构成为包括第一使能导通pmos21和第二使能导通pmos22，并且所述第一使能导通pmos，其漏极连接到驱动pmos100的源极的同时，所述第二使能导通pmos，其源极连接到驱动pmos的漏极，第二使能导通pmos的漏极连接到驱动pmos的栅极。
在这种情况下，电流从第一使能导通pmos21流向第二使能导通pmos22，结果，给驱动pmos的栅极充电的电压等于从源极驱动器输入的数据值减去驱动pmos的阈值的值(驱动pmos的数据值-阈值电压(vth)的电压(vbias＝data-vth)。
据此，在数据使能步骤中，利用已充电的驱动pmos100的栅极偏置(vbias)在后述的发射步骤中将电流(id)驱动至μled，这种情况下可以说μled40的发光准备完成。
这里，优选地，通过在每个栅极处使用转换器(converter)来向所述使能导通pmos20和使能关断pmos23提供彼此相反的电压，从而彼此相反地执行on或off操作。
图8是显示根据本发明一实施例的控制μled像素结构方法的发射步骤的控制状态的示意图，并且根据已充电于驱动pmos100的栅源电压(vgs)而执行电流流向μled40的最后步骤发光步骤(s30)。
如图9所示，所述发射步骤，通过根据具有所述使能信号(en)和非重叠(non-overlap)区间的发射信号(emm)将所述使能关断pmos23导通并将所述使能导通pmos20关断的同时，将处于关断状态的发射nmos30和发射pmos31导通而构成，电流(id)通过驱动pmos的栅源电压(vgs)流向μled40。
参照图8，驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[因驱动pmos的数据值-阈值电压(vth) 由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)](vbias＝data-vth δv)。
这里，电压变化量(δv)由下面公式2确定。
【公式2】
此时，δv是由连接至驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量，vled是电源电压，cst是第一电容器，并且ccc是第二电容器。
据此，在发步骤中，驱动pmos的栅源电压(vgs)成为[电源电压(vled)-数据值 驱动器pmos的栅极偏置(vbias)]，因此最终成为[电源电压(vled)-数据值 驱动pmos的阈值电压(vth)-由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)的电压变化量(δv)](vgs＝vled-data vth-δv)。
另一方面，在所述发射步骤中，可以由下面的公式3确定通过驱动pmos的栅源电压(vgs)流向μled40的电流(id)。
【公式3】
所述公式3中，id是电流，μn是电子迁移率(mobility)，cox是驱动pmos栅极的电容，w是驱动pmos栅极的宽度，l是驱动pmos栅极的长度，vgs是驱动pmos的栅源电压，vth是驱动pmos的阈值电压，δv是由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量。
即，如上所述，流向μled40的电流(id)的散布受到驱动pmos的阈值电压(vth)的散布的影响，并且电流(id)与vth变化的平方成比例地受到影响。
据此，在本发明中，通过使与所述第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)和所述驱动pmos的阈值电压(vth)具有相同的值，从而可以完全消除vth的影响。即，通过根据所述公式2调整第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)的电容比而使电压变化量(δv)具有与驱动pmos的阈值电压(vth)的相同的值，从而具有可以消除驱动pmos的阈值电压(vth)的影响的优点。
这样，当因所述第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)与驱动pmos的阈值电压(vth)具有相同的值时，流向μled40的电流(id)的大小与下面的公式4相同。
【公式4】
即，若通过分别调整第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)的电容比，使所述电压变化量(δv)具有与驱动pmos的阈值电压(vth)相同的值，则完全消除驱动pmos的阈值电压(vth)对所述电流(id)的干扰。
例如，为了简单地补偿驱动pmos的阈值电压(vth)，若仅形成为“vbias＝data-vth”，在这种情况下，为了使μled40表现黑色(black)，必须完全关断将vbias作为栅极的p型晶体管，但若形成为“vbias＝data-vth”，则μled40或μled模块被细小地导通，从而难以显示完美的黑色(black)。
因此，如本发明一样，将μled40在发光的时间点，即，在发射信号(emm)变高时间点，通过第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)发射信号(emm)成为“vbias＝data-vthδv”，并且通过调整第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)的电容比成为“vth＝δv”，从而确保p型晶体管或pmos完全关断并可以实现完整的黑色(black)显示。
另一方面，以与上述数据使能步骤相同的原理，在发射步骤中，可以通过使用转换器提供与每个栅极相反的电压来控制发射nmos30和发射pmos31以执行相同的on或off操作。
另一方面，如图9所示，发射信号(emm)形成为具有与使能信号(en)的非重叠(non-overlap)区间并被输入，但将使能关断pmos23预先导通，并且将第一使能导通pmos21和第二使能导通pmos22预先关断之后，设置non-overlap区间并通过信号(emm)输出电流，从而起到可以防止在输出电流的公共节点发生电流路径错误的作用。此外，通过控制发射信号(emm)的高区间(发射区间)，可以单独控制输出步骤的电流发射时间，从而最终可以控制μled模块的整体亮度。
为了显示由上述步骤组成的本发明的结果，图10是显示根据本发明一实施例的测量针对μled灰度的μled电流的结果的示意图，图11是显示根据本发明一实施例的测量针对三个灰度值的像素数据的结果的示意图。
首先，图11中，显示将μled灰度(从0灰度(black)到255灰度(white)共256灰度等级)的μled40电流测量的结果，并且可以看出从0灰度到255灰度获得了线性(linear)曲线。
此外，图11显示针对4灰度(低)、128灰度(中)和255灰度(高)3个灰度值而收集的9个像素数据。
如上所述，在该测量图中，可以看出灰度显示为±1.5％以内的散布，这里，之所用4灰度而不是0灰度来测量数据，是因为电流接近“0”，0灰度对数据没有意义，因此可以选择任意4个灰度进行测量以满足测量数据的要求。
图12是显示根据本发明一实施例的通过以多个包括扫描控制器、源驱动器、时序控制器、串行外围设备接口、低压差分信号及rgb接口的显示驱动器ddi(displaydriveric)和，μled像素构成矩阵而形成的显示器的状态的示意图。
总体而言，如图12所示，通过以多个所述μled像素构成矩阵来形成显示器。
这里，所述显示器由ddi(displaydriveric)控制，该ddi包括：扫描控制器(scancontroller)110，其用于扫描构成矩阵的μled像素行；源驱动器(sourcedriver)，其用于将数据提供给所述扫描控制器扫描的行的相应μled像素；时序控制器(timingcontroller)130，其配置为控制所述扫描控制器和源极驱动器120的时序；以及接口，其包括串行外围设备接口(serialperipheralinterface)140、低压差分信号(lowvoltagedifferentialsignaling)或rgb(red-green-blue)接口160中的任何一个或多个。
如上所述，本发明具有在μled像素结构中可以利用nmos和pmos等的元件特性来消除驱动pmos阈值电压对流向μled的电流的干扰的优点。
据此，本发明可以更容易地控制μled的灰度，并且将现有μled的灰度所具有的±15％的散布进一步减小以具有在±1.5％内的散布。
进而，本发明防止因驱动pmos的阈值电压引起晶体管不完全被关断而微小地导通的现象，从而使μled和μled像素模块可以实现全黑(black)，因此其具有可以提高使用μled的显示器的效率和性能来帮助改善与μled相关的装置和设备的质量的优点。
尽管上面已经结合本发明的特定实施例描述了本发明，但这仅是举例说明而已，并且本发明不限于此。本领域技术人员可以在不脱离本发明的范围的情况下修改或变形所描述的实施例，并且在本发明的技术宗旨和描述的专利请求范围的均等范围内，可以进行多种修改和变形。
1.一种用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，其特征在于，包括：
通过根据预信号(pre)导通预充电nmos，从而将驱动pmos的栅极偏置(vbias)保持在0v的预充电(pre-charge)步骤；
从源驱动器(sourcedriver)向μled像素提供数据时，根据使能信号(en)将所述预充电nmos和使能关断pmos关断之后，导通使能导通pmos，从而使所述驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[数据值-驱动pmos的阈值电压(vth)]的数据使能(dataenable)的步骤；以及
根据具有所述使能信号(en)和非重叠(non-overlap)区间的发射信号(emm)而将所述使能关断pmos导通，并且在关断所述使能导通pmos之后，导通处于关断状态的发射nmos和发射pmos，从而驱动pmos的栅极偏置(vbias)成为[数据值-驱动pmos的阈值电压(vth) 由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)]，并且通过随之而来的驱动pmos的栅源电压(vgs)而电流(id)流向μled的发射(emission)步骤。
2.权利要求1所述的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，其特征在于，
所述电压变化量(δv)由下面公式确定
此时，δv是由连接至驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量，vled是电源电压，cst是第一电容器，ccc是第二电容器。
3.权利要求1所述的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，其特征在于，
为了由所述第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)具有与所述驱动pmos的阈值电压(vth)相同的值而分别调整第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)的电容比(capacitance)之后而应用。
4.权利要求1所述的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，其特征在于，
所述驱动pmos的栅源电压(vgs)成为[电源电压(vled)-数据值 驱动pmos的阈值电压(vth)-由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量(δv)]。
5.权利要求1所述的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，其特征在于，
所述电流(id)由下面公式确定
此时，id是电流，μn是电子迁移率(mobility)，cox是驱动pmos栅极的电容，w是驱动pmos栅极的宽度，l是驱动pmos栅极的长度，vgs是驱动pmos的栅源电压，vth是驱动pmos的阈值电压，δv是由连接到驱动pmos的栅极节点的第一电容器(cst)和第二电容器(ccc)引起的电压变化量。
6.权利要求1所述的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，其特征在于，
通过使用转换器(converter)提供与每个栅极相反的电压而控制所述使能导通pmos和使能关断pmos执行彼此相反的导通或关断操作。
7.权利要求1所述的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，其特征在于，
通过使用转换器提供与每个栅极相反的电压而控制所述发射nmos和发射pmos执行彼此相同的导通或关断操作。
8.权利要求1所述的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，其特征在于，
所述使能导通pmos包括第一使能导通pmos和第二使能导通pmos，
其中所述第一使能导通pmos的漏极配置为连接到所述驱动pmos的源极，
其中所述第二使能导通pmos的源极配置为连接到驱动pmos的漏极，所述第二使能导通pmos的漏极配置为连接到驱动pmos的栅极。
9.权利要求1所述的用于完全消除驱动pmos阈值电压的干扰的控制μled像素结构方法，其特征在于，
通过以多个所述μled像素构成矩阵来形成显示器，
所述显示器由ddi(displaydriveric)控制，
该ddi包括：扫描控制器(scancontroller)，其用于扫描构成矩阵的μled像素行；
源驱动器(sourcedriver)，其用于将数据提供给所述扫描控制器扫描的行的相应μled像素；
时序控制器(timingcontroller)，其配置为控制所述扫描控制器和源极驱动器的时序；以及
接口，其包括串行外围设备接口(serialperipheralinterface:spi)、低压差分信号(lowvoltagedifferentialsignaling；lvds)或rgb(red-green-blue)接口中的任何一个或多个。
技术总结