本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术：
以往，已知由于重金属等污染物质侵入半导体装置的硅衬底中而对半导体装置的半导体元件产生影响。因此，在硅衬底的背面(形成有半导体元件的面的相反的面)附近形成被称作吸杂层(getteringlayer)的层。吸杂层能够捕获重金属元素。由此，吸杂层能够抑制污染物质向硅衬底中的侵入。
近年来，推进着半导体装置的小型化，与此相伴也实现了硅衬底的薄型化。因此，提出了即使是薄型化了的硅衬底也可形成吸杂层的半导体装置的制造方法(例如参考专利文献1和非专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-317805号公报。
非专利文献
非专利文献1：“impactofbacksidecucontaminationinthe3dintegrationprocess”(2009symposiumonvlsitechnologydigestoftechnicalpapers，172页-173页)。
技术实现要素：
发明要解决的问题
在专利文献1所公开的半导体装置的制造方法中，在将半导体元件形成在硅衬底的表面之后，在硅衬底的背面形成吸杂层。具体而言，在硅衬底的背面，通过注入氩离子等杂质来形成吸杂层。此外，在非专利文献1所公开的半导体装置的制造方法中，也通过将氩离子注入硅衬底来形成吸杂层。由此，因为能够用吸杂层捕获铜等杂质，所以能够抑制硅衬底被污染物质污染。
另一方面，可认为在硅衬底更加薄型化的情况下(例如20μm以下)，注入到硅衬底的离子会到达硅衬底的表面。可认为到达硅衬底的表面的离子对半导体元件造成影响而不优选。因此，优选在硅衬底更加薄型化的情况下也形成吸杂层。
本发明的目的在于，提供即使在衬底更加薄型化的情况下也可形成吸杂层的半导体装置的制造方法以及形成有吸杂层的半导体装置。
用于解决问题的方案
(i)本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置层叠了多个衬底，具有：对第一衬底层叠第二衬底的工序；对所述第二衬底的面之中形成有器件层的面的相反的面进行抛光的工序；以及向被抛光了的所述第二衬底的面照射包含有助于吸杂的构成元素的团簇离子从而构成吸杂层的工序，所述吸杂层包含团簇离子的构成元素。
(ii)此外，优选：在对所述第一衬底层叠所述第二衬底的工序中，所述第二衬底的面之中形成有器件层的面相对于所述第一衬底相向配置。
(iii)此外，优选：在对所述第一衬底层叠所述第二衬底的工序中，所述第二衬底的面之中形成有器件层的面的相反的面相对于所述第一衬底相向配置。
(iv)此外，优选：在构成所述吸杂层的工序中，所述吸杂层被构成在所述第二衬底的面的一部分区域。
(v)此外，优选：构成所述吸杂层的工序具有：在所述第二衬底的面上形成抗蚀剂的工序；向所述第二衬底的面和所述抗蚀剂照射团簇离子的工序；以及除去所述抗蚀剂的工序。
(vi)此外，优选：在形成所述抗蚀剂的工序中，所述抗蚀剂在与形成于所述第二衬底内的元件区域中的如下区域重叠的位置形成，所述区域与所述吸杂层的距离为规定值以下。
(vii)此外，优选：在形成所述抗蚀剂的工序中，所述抗蚀剂在与形成于所述第二衬底内的如下区域中的极性变化的边界重叠的位置形成，所述区域露出到所述第二衬底的被抛光的面。
(viii)此外，优选：在形成所述抗蚀剂的工序中，所述抗蚀剂被比形成所述吸杂层的厚度更厚地形成。
(ix)此外，优选：在照射团簇离子的工序中，团簇离子被照射到围绕充填有金属的导孔的位置。
(x)此外，优选：在对第一衬底层叠第二衬底的工序中，多个上述(ii)～(viii)中任一项所述的所述第二衬底被层叠在所述第一衬底。
(xi)此外，本发明涉及一种半导体装置，其层叠了多个衬底，具有：第一衬底；以及与所述第一衬底重叠的第二衬底，至少所述第二衬底具有吸杂层，所述吸杂层包含团簇离子的构成元素，所述吸杂层被形成在所述第二衬底的被抛光了的面侧。
发明效果
根据本发明，能够提供一种即使在衬底更加薄型化的情况下也可形成吸杂层的半导体装置的制造方法以及形成有吸杂层的半导体装置。
附图说明
图1为在本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法中重叠两个衬底时的半导体装置的概略侧视图。
图2为在第一实施方式的半导体装置的制造方法中一个衬底被抛光后的半导体装置的侧视图。
图3为在第一实施方式的半导体装置的制造方法中半导体装置被团簇离子照射时的半导体装置的侧视图。
图4为图3所示的半导体装置的局部放大剖视图。
图5为在第一实施方式的半导体装置的制造方法中进一步重叠衬底时的半导体装置的侧视图。
图6为在第一实施方式的半导体装置的制造方法中重叠又一衬底时的半导体装置的侧视图。
图7为在第一实施方式的半导体装置的制造方法中抛光又一衬底后的半导体装置的侧视图。
图8为在第一实施方式的半导体装置的制造方法中向又一衬底照射团簇离子时的半导体装置的侧视图。
图9为将本发明的第二实施方式的半导体装置的衬底的一部分放大了的局部放大剖视图。
图10为在第二实施方式的半导体装置的制造方法中团簇离子被照射时的形成了抗蚀剂层的半导体装置的局部放大剖视图。
图11为示出在第二实施方式的半导体装置的制造方法中重叠两个衬底时的半导体衬底的局部放大剖视图。
图12为将本发明的第三实施方式的半导体装置的衬底的一部分放大了的局部放大剖视图。
图13为在第三实施方式的半导体装置的制造方法中团簇离子被照射时的半导体装置的局部放大剖视图。
图14为在本发明的第四实施方式的半导体装置的制造方法中在导孔的周围形成了吸杂层的半导体装置的局部放大剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的各实施方式的半导体装置以及半导体装置的制造方法的各实施方式进行说明。
首先，对各实施方式的半导体装置的概要进行说明。
半导体装置层叠多个衬底而形成。半导体装置例如为dram(dynamicrandomaccessmemory，动态随机存取存储器)。
在各个衬底形成有用于捕获重金属等污染物质的吸杂层。吸杂层沿着衬底的板面方向形成。吸杂层捕获重金属等污染物质。由此，吸杂层抑制由污染物质导致的衬底内部的污染。
[第一实施方式]
接下来，参考图1～图8对本发明的第一实施方式的半导体装置1以及半导体装置1的制造方法进行说明。
如图1所示，半导体装置1例如层叠多个衬底10而形成。
各个衬底10具有衬底主体20和器件层30。
衬底主体20例如为硅衬底。衬底主体20在厚度方向的一个面侧具有吸杂层40(参考图4)。在本实施方式中，配置于最下方(图1的图面下方)的衬底10(以下，称作第一衬底10a。以下，在记载为衬底10的情况下，表示可以为多个衬底10中的任一个。)的衬底主体20a被较厚地形成。而且，另一衬底10(以下，称作第二衬底10b)的衬底主体20b被较薄地形成。即，在本实施方式中，具有较薄的衬底主体20b的第二衬底10b被重叠地配置在一个具有较厚的(最厚的)衬底主体20a的第一衬底10a上。如图4所示，在衬底主体20中形成有极性不同的多个区域。
在以下的说明中，对第一衬底10a具有的结构的标注标记“a”、对第二衬底10b具有的结构的标注标记“b”来进行说明。另一方面，在“a”和“b”都没有被标注的情况下，表示任一衬底10都可以具有。
吸杂层40为所谓的位错层(晶体缺陷层)。特别地，第二衬底10b的吸杂层40b包含团簇离子的构成元素(例如碳、氢原子)，通过团簇离子向衬底主体20b的照射(注入)来形成。吸杂层40b从衬底主体20b的厚度方向的一侧的面起以规定的厚度形成。在本实施方式中，吸杂层40b以例如100nm以下的厚度形成。
器件层30例如为具有晶体管31a、31b和绝缘层32a、32b等的层。器件层30配置于衬底主体20的厚度方向的另一个面侧。在本实施方式中，器件层30a在具有较厚的衬底主体20a的第一衬底10a中配置于衬底主体20a的朝向上方(图1的图面上方)的面侧。此外，器件层30b在具有较薄的衬底主体20b的第二衬底10b中配置于衬底主体20b的朝向下方(图1的图面下方)的面侧。器件层30与邻接的衬底10之间电连接。
接下来，对本实施方式的半导体装置1的制造方法进行说明。
半导体装置1的制造方法具有：对第一衬底10a层叠第二衬底10b的工序；对第二衬底10b的面之中形成有器件层30b的面的相反的面进行抛光的工序；以及向被抛光了的第二衬底10b的面照射包含有助于吸杂的构成元素(例如碳、氢)的团簇离子从而构成包含团簇离子的构成元素的吸杂层40b的工序。
首先，进行层叠的工序被实施。如图1所示，第一衬底10a和第二衬底10b以使形成有器件层30a、30b的面(另一个面)相向的状态配置。然后，第一衬底10a和第二衬底10b以器件层30a、30b的表面重叠来接合。
接下来，进行抛光的工序被实施。如图2所示，第二衬底10b的面的另一侧(形成有器件层30b的面的相反的面侧)被抛光。即，第二衬底10b的衬底主体20b的另一个面侧被抛光。由此，对第二衬底10b的衬底主体20b的形成有器件层30b的面的相反的面被抛光。第二衬底10b的衬底主体20b被抛光到例如5～20μm的薄厚。
接下来，构成吸杂层40b的工序被实施。具体而言，如图3所示，吸杂层40b从第二衬底10b的衬底主体20b的一面起以规定的厚度(例如100nm以下)形成。在本实施方式中，吸杂层40b通过向第二衬底10b的衬底主体20b的一个面侧照射团簇离子来形成。关于利用团簇离子的照射的吸杂层40b的形成，在后面详细描述。
如图5所示，在进一步层叠衬底10的情况下，第三衬底10c被对齐到第二衬底10b上。此时，第三衬底10c以使器件层30c与第二衬底10b的衬底主体20b的一个面相向的状态对齐。
接下来，如图6所示，第三衬底10c与第二衬底10b接合。然后，如图7所示，第三衬底10c的衬底主体20c的一个面被抛光。
接下来，如图8所示，吸杂层40c被形成。具体而言，吸杂层40c通过向第三衬底10c的衬底主体20c的一个面侧照射团簇离子(例如碳、氢)来形成。
对利用团簇离子的照射的吸杂层40b的形成进行详细描述。
团簇离子例如为包含碳、氢分子的原子或分子聚集的聚集体。团簇离子当被照射(注入)到衬底主体20b的一个面侧时因其能量瞬间变成1350～1400℃左右的高温状态。团簇离子通过变成高温来熔解衬底主体20b。其后，衬底主体20b被急速地冷却。由此，被照射的团簇离子所包含的碳、氢分子固溶在衬底主体20b的一个面的表面附近。即，吸杂层40b是指照射的离子的构成元素固溶在衬底主体20b表面的晶体的格子间位置或置换位置的层。当在sims(secondaryionmassspectrometry，二次离子质谱)中对衬底主体20b在深度方向(厚度方向)上的构成元素的浓度分布进行测定时，吸杂层40b被指定为更多地检测到本底的范围。
根据以上的第一实施方式的半导体装置1的制造方法以及半导体装置1，起到以下的效果。
(1)半导体装置1的制造方法具有：对第一衬底10a层叠第二衬底10b的工序；对第二衬底10b的面之中形成有器件层30b的面的相反的面进行抛光的工序；以及向被抛光了的第二衬底10b的面照射包含有助于吸杂的构成元素的团簇离子从而构成包含团簇离子的构成元素的吸杂层40b的工序。由此，能够将离子的注入区域(深度)限定在第二衬底10b的相反的面侧。因此，能够抑制离子达到第二衬底10b的形成有器件层30的面，从而制造可靠性高的半导体装置1。
(2)在对第一衬底10a层叠第二衬底10b的工序中，第二衬底10b的面之中形成有器件层30b的面相对于第一衬底10a相向配置。由此，能够将第一衬底10a和第二衬底10b电连接。
(3)半导体装置1具有第一衬底10a和重叠于第一衬底10a的第二衬底10b，至少第二衬底10b具有包含团簇离子的构成元素的吸杂层40b，吸杂层40b被形成在第二衬底10b的被抛光了的面侧。由此，即使在第二衬底10b较薄的情况下也能够构成吸杂层40b。
[第二实施方式]
接下来，参考图9～图11对本发明的第二实施方式的半导体装置1的制造方法以及半导体装置1进行说明。在说明第二实施方式时，对同一结构要素标注同一标记，省略或简化其说明。
第二实施方式的半导体装置1在吸杂层40b被构成在第二衬底10b的面的一部分区域这方面与第一实施方式不同。此外，第二实施方式的半导体装置1在第二衬底10b的形成有器件层30b的面的相反的面相对于第一衬底10a相向配置这方面与第一实施方式不同。另外，在第二实施方式中，第一衬底10a与第二衬底10b同样地被抛光，并且具有使用了团簇离子的吸杂层40a(参考图11)。即，在第二实施方式中，第一衬底10a和第二衬底10b以相同的结构形成。
第二衬底10b的衬底主体20b沿着形成有器件层30b的面具有极性不同的多个区域50b。此外，第二衬底10b的衬底主体20b在比极性不同的多个区域50b更深的位置具有极性不同的另一区域60b(将多个区域整体称作元件区域70)。第二衬底10b被比第一实施方式更薄地形成。第二衬底10b的衬底主体20b以例如5μm左右的薄厚形成。
极性不同的多个区域50b例如为n阱的区域51b和p阱的区域52b被邻接配置的区域。极性不同的多个区域50b从第二衬底10b的衬底主体20b的另一个面(相反侧的面)起以规定的厚度形成。
极性不同的另一区域60b横跨极性不同的多个区域50b的一部分与极性不同的多个区域50b重叠地配置。极性不同的另一区域60b例如横跨n阱的区域51b和p阱的区域52b的一部分重叠地配置。极性不同的另一区域60b以规定的厚度形成。即，极性不同的另一区域60b被形成在比极性不同的多个区域50b靠近衬底主体20b的一个面侧(形成有吸杂层40b的面侧)的位置。
接下来，对第二实施方式的半导体装置1的制造方法进行说明。
首先，第二衬底10b的一个面被抛光。具体而言，第二衬底10b的衬底主体20b的一个面(形成有器件层30b的面的相反的面)被抛光。接下来，构成吸杂层40b。
形成吸杂层40b的工序具有：在第二衬底10b的面上形成抗蚀剂80b的工序；向第二衬底10b的面和抗蚀剂80b照射团簇离子的工序；以及除去抗蚀剂80b的工序。
首先，在第二衬底10b的面上形成抗蚀剂80b的工序被实施。如图10所示，抗蚀剂80b被形成在第二衬底10b的一个面侧(被抛光了的面侧)。抗蚀剂80b在与形成于第二衬底10b内的元件区域70b(极性不同的多个区域50b以及极性不同的另一区域60b)中的如下区域重叠的位置形成，所述区域与吸杂层40b的距离为规定值以下。在本实施方式中，抗蚀剂80b被形成在与极性不同的另一区域60b重叠的位置。
接下来，向第二衬底10b的面和抗蚀剂80b照射团簇离子的工序被实施。由此，从第二衬底10b的衬底主体20b的一个面侧起规定的深度的吸杂层40b被形成。具体而言，吸杂层40b被形成在第二衬底10b的衬底主体20b的一个面之中未形成抗蚀剂80b的面区域的位置。另一方面，吸杂层40b不被形成在第二衬底10b的衬底主体20b的一个面之中形成有抗蚀剂80b的面区域的位置。即，在与极性不同的另一区域60b重叠的位置没有形成吸杂层40b。
接下来，除去抗蚀剂80b的工序被实施。由此，抗蚀剂80b被从第二衬底10b的衬底主体20b的一个面上除去。此外，第一衬底10a也被与第二衬底10b同样地形成。
接下来，如图11所示，对第二衬底10b层叠第一衬底10a的工序被实施。在本实施方式中，第一衬底10a具有与第二衬底10b同样的结构。第二衬底10b与第一衬底10a以使一个面彼此相向的状态接合。即，第二衬底10b的吸杂层40b与第一衬底10a的吸杂层40a以相向的状态接合。
根据以上的第二实施方式的半导体装置1的制造方法以及半导体装置1，起到以下的效果。
(4)在对第一衬底10a层叠第二衬底10b的工序中，第二衬底10b的面之中形成有器件层30b的面的相反的面相对于第一衬底10a相向配置。由此，能够提高半导体装置1的通用性。
(5)在构成吸杂层40b的工序中，吸杂层40b被构成在第二衬底10b的面的一部分区域。由此，因为能够在符合目的的位置构成吸杂层40b，所以能够更加提高半导体装置1的通用性。
(6)构成吸杂层40b的工序具有：在第二衬底10b的面上形成抗蚀剂80b的工序；向第二衬底10b的面和抗蚀剂80b照射团簇离子的工序；以及除去抗蚀剂80b的工序。由此，能够酌情决定构成吸杂层40b的区域。
(7)在形成抗蚀剂80b的工序中，抗蚀剂80b在与形成于第二衬底10b内的元件区域70b中的如下区域重叠的位置形成，所述区域与吸杂层40b的距离为规定值以下。由此，因为能够在吸杂层40b和元件区域70b之间空出规定以上的距离，所以能够抑制在吸杂层40b和元件区域70b之间发生漏电。
(8)在形成抗蚀剂80b的工序中，抗蚀剂80b被比形成吸杂层40b的厚度更厚地形成。由此，能够抑制透过抗蚀剂80b而在第二衬底10b上形成吸杂层40b。
[第三实施方式]
接下来，参考图12和图13对本发明的第三实施方式的半导体装置1以及半导体装置1的制造方法进行说明。在说明第三实施方式时，对同一结构要素标注同一标记，省略或简化其说明。
第三实施方式的半导体装置1在衬底10被更薄地形成这方面与第二实施方式不同。由此，第三实施方式的半导体装置1在极性不同的多个区域50b也露出到衬底主体20b的另一面这方面与第二实施方式不同。此外，第三实施方式的半导体装置1在吸杂层40b被形成在极性不同的多个区域50b这方面与第一实施方式和第二实施方式不同。第三实施方式中的第一衬底10a以与第二衬底10b同样的结构形成。
第二衬底10b的衬底主体20b为例如2～5μm的厚度。如图12所示，第二衬底10b的衬底主体20b例如由极性不同的多个区域50b构成。
吸杂层40b被独立地形成在各个极性不同的多个区域50b。换言之，吸杂层40b不被配置在极性不同的多个区域50b的各个极性变化的边界b。吸杂层以规定的厚度形成在衬底主体20b的一个面侧。
接下来，对第三实施方式的半导体装置1的制造方法进行说明。
首先，抛光第二衬底10b的工序被实施。由此，第二衬底10b的衬底主体20b被抛光到2～5μm的厚度。接下来，构成吸杂层40b的工序被实施。
如图13所示，在将抗蚀剂80b构成在第二衬底10b的面上的工序中，抗蚀剂80b在形成于第二衬底10b内的如下区域中的极性变化的边界b重叠的位置形成，所述区域露出到第二衬底10b的被抛光的面。接下来，向第二衬底10b的面和抗蚀剂80b照射团簇离子的工序被实施。
在照射团簇离子的工序中，吸杂层40b被形成在第二衬底10b的衬底主体20b的一个面。在此，吸杂层40b不被形成在第二衬底10b的衬底主体20b的一个面之中形成有抗蚀剂80b的位置。即，吸杂层40b不被形成在极性变化的边界b。由此，吸杂层40b被独立地形成在各个极性变化的多个区域50b。
接下来，在除去抗蚀剂80b的工序中，抗蚀剂80b被除去。此外，第一衬底10a也被与第二衬底10b同样地形成。然后，在层叠多个衬底10的工序中，第二衬底10b和第一衬底10a被与第一实施方式或第二实施方式同样地层叠。
根据以上的第三实施方式的半导体装置1的制造方法以及半导体装置1，除了上述(8)的效果以外，还起到以下的效果。
(9)在形成抗蚀剂80b的工序中，抗蚀剂80b在与形成于第二衬底10b内的如下区域中的极性变化的边界b重叠的位置形成，所述区域露出到第二衬底10b的被抛光的面。由此，能够抑制在极性变化的多个区域50b间发生漏电。
[第四实施方式]
接下来，参考图14对第四实施方式的半导体装置1以及半导体装置1的制造方法进行说明。在说明第四实施方式时，对同一结构要素标注同一标记，省略或简化其说明。
如图14所示，第四实施方式的半导体装置1在第二衬底10b具有充填有金属的导孔90b这方面与第一～第三实施方式不同。此外，第四实施方式的半导体装置1在吸杂层40b被形成在围绕导孔90b的位置这方面与第一～第三实施方式不同。与此相伴，第四实施方式的半导体装置1的制造方法在照射团簇离子的工序中团簇离子被照射到围绕充填有金属m的导孔90b的位置，在这方面与第一～第三实施方式不同。另外，在第四实施方式中，第一衬底10a具有与第二衬底10b相同的结构。
导孔90b在厚度方向上贯通器件层30b和衬底主体20b而形成。在本实施方式中，导孔90b贯通p阱的区域52b而形成。此外，导孔90b在从衬底主体20b朝向器件层30b的厚度方向上逐渐扩径而形成。导孔90b被例如铜等金属m充填。即，导孔90b被配置在形成有布线的位置。
吸杂层40b被形成在围绕导孔90b的位置。具体而言，吸杂层40b被形成在第二衬底10b的衬底主体20b的一个面之中围绕导孔90b的位置。
接下来，对本实施方式的半导体装置1的制造方法进行说明。
进行抛光的工序与第三实施方式相同。接下来，在形成抗蚀剂80b的工序中，与第二衬底10b的衬底主体20b的一个面之中除了围绕导孔90b的位置以外的区域重叠的抗蚀剂80b被形成。接下来，在照射团簇离子的工序中，团簇离子被照射到第二衬底10b的衬底主体20b的一个面和抗蚀剂80b。由此，吸杂层40b被构成在第二衬底10b的衬底主体20b的一个面之中围绕导孔90b的位置。
接下来，在除去抗蚀剂80b的工序中，抗蚀剂80b被除去。此外，第一衬底10a也被与第二衬底10b同样地形成。层叠第二衬底10b和第一衬底10a的工序与第二实施方式、第三实施方式相同。
根据以上的第四实施方式的半导体装置1的制造方法以及半导体装置1，除了上述(9)的效果以外，还发挥以下的效果。
(10)在照射团簇离子的工序中，团簇离子被照射到围绕充填有金属m的导孔90b的位置。由此，能够抑制导孔90b所填充的金属m侵入衬底主体20b，能够提高半导体装置1的可靠性。
以上，对本发明的半导体装置以及半导体装置的制造方法的优选的各实施方式进行了说明，但本发明不限于上述实施方式，能够酌情变更。
例如，上述实施方式中的团簇离子虽然包含了碳和氢原子，但是不限于此。即，团簇离子能够包含可形成吸杂层40b的其它各种原子、分子。例如，也可以对在第三实施方式中极性不同的多个区域50b之中p阱的区域52b照射作为团簇离子的b10h14、b18h22等。在该情况下，以覆盖区域51b的方式形成有抗蚀剂80b。
此外，在上述实施方式中，虽然对层叠第一衬底10a、第二衬底10b和第三衬底10c的方式进行了说明，但是也可以层叠四个以上的衬底10。此外，第一衬底10a也可以是不形成器件层30a的仅由衬底主体20a构成的衬底，或者还可以是由例如玻璃材料等构成的支承衬底。在该情况下，第一衬底也可以在多个衬底被层叠在其上之后被去掉。此外，在向照射了团簇离子的面进一步层叠衬底10的情况下，也可以进一步抛光照射了团簇离子的面再进行层叠。此外，在第二～第四实施方式中，在使第一衬底10a与第一实施方式相同后，也可以使除了第一衬底10a以外的衬底10为与第二衬底10b相同的构造。此外，在层叠三个以上的衬底10的情况下，位于最上方的衬底(例如图7的图面最上方的第三衬底10c)也可以仅抛光衬底主体20的一个面。
此外，在上述实施方式中，第一衬底10a也可以在衬底主体20a的一个面侧形成有内吸杂层(intrinsicgetteringlayer)。
此外，在上述第二～第四实施方式中，虽然为使第一衬底10a与第二衬底10b相同的结构，但是也可以为使第一衬底10a与第一实施方式相同、使第二衬底10b与第三衬底10c相同的结构。
附图标记说明
1：半导体装置
10a：第一衬底
10b：第二衬底
20、20a、20b：衬底主体
30、30a、30b：器件层
40、40a、40b：吸杂层
70b：元件区域
80b：抗蚀剂
90b：导孔
b：边界
1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置层叠了多个衬底，具有：
对第一衬底层叠第二衬底的工序；
对所述第二衬底的面之中形成有器件层的面的相反的面进行抛光的工序；以及
向被抛光了的所述第二衬底的面照射包含有助于吸杂的构成元素的团簇离子从而构成吸杂层的工序，所述吸杂层包含团簇离子的构成元素。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在对所述第一衬底层叠所述第二衬底的工序中，所述第二衬底的面之中形成有器件层的面相对于所述第一衬底相向配置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
在对所述第一衬底层叠所述第二衬底的工序中，所述第二衬底的面之中形成有器件层的面的相反的面相对于所述第一衬底相向配置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在构成所述吸杂层的工序中，所述吸杂层被构成在所述第二衬底的面的一部分区域。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
构成所述吸杂层的工序具有：
在所述第二衬底的面上形成抗蚀剂的工序；
向所述第二衬底的面和所述抗蚀剂照射团簇离子的工序；以及
除去所述抗蚀剂的工序。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
在形成所述抗蚀剂的工序中，所述抗蚀剂在与形成于所述第二衬底内的元件区域中的如下区域重叠的位置形成，所述区域与所述吸杂层的距离为规定值以下。
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
在形成所述抗蚀剂的工序中，所述抗蚀剂在与形成于所述第二衬底内的如下区域中的极性变化的边界重叠的位置形成，所述区域露出到所述第二衬底的被抛光的面。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在形成所述抗蚀剂的工序中，所述抗蚀剂被比形成所述吸杂层的厚度更厚地形成。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在照射团簇离子的工序中，团簇离子被照射到围绕充填有金属的导孔的位置。
10.一种半导体装置的制造方法，
在对第一衬底层叠第二衬底的工序中，多个权利要求2至8中任一项所述的所述第二衬底被层叠在所述第一衬底。
11.一种半导体装置，其层叠了多个衬底，具有：
第一衬底；以及
与所述第一衬底重叠的第二衬底，
至少所述第二衬底具有吸杂层，所述吸杂层包含团簇离子的构成元素，
所述吸杂层被形成在所述第二衬底的被抛光了的面侧。
技术总结