本发明涉及一种高效型uv解黏保护膜及其制备方法。
背景技术：
在大规模集成电路的制造和半导体器件的制造加工过程中，在对晶元材料进行切割、磨削加工时，需要用一种特殊的保护膜进行粘结固定，确保芯片边沿整齐，无多角、崩边，裂纹，表面无划伤。无脏污污染，加工完毕后要求保护膜能完全剥离，不影响晶元材料本身，需要使用具有高粘度而uv光照后又迅速彻底失去粘性的uv解黏保护膜。现有技术中uv解黏保护膜存在uv解黏差的缺陷。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是克服现有技术中uv解黏保护膜存在uv解黏差的缺陷，提供一种高效型uv解黏保护膜及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：
一种高效型uv解黏保护膜，其胶黏剂的配比包括以下重量份数的各组分：
压克力胶95～105份
固化剂0.6～0.85份
光引发剂1～2份
抗静电剂1～2份
乙酸乙酯40～60份。
进一步的，其胶黏剂包括：
n-90压克力胶100份
l75固化剂0.73份
184光引发剂1.4份
a9抗静电剂1.5份
s0003乙酸乙酯50份。
上述高效型uv解黏保护膜的制备方法，其特征在于，在150μm哑雾po电晕面上胶贴合50μmpetr离型面，温度设定为50-110℃，烘干过程中依次设置7个温度区段：45℃-55℃、65℃-75℃、85℃-95℃、105℃-115℃、105℃-115℃、95℃-105℃和85℃-95℃。优选的，温度设定为：50℃、70℃、90℃、110℃、110℃、100℃、90℃，厚度c/w＝20±1。
进一步的，生产在5000级洁净车间中进行，车速为30m/min。
本发明所达到的有益效果是：本发明的高效型uv解黏保护膜用紫外线照射后，能大幅降低黏着力，并具备光学胶特性与良好切割性与耐温，可广泛用于晶元与pc塑类面堡上，具有高精密涂布，剪切性佳，强黏着力，高保持力的黏接性能，膜切加工性能佳。
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
一种高效型uv解黏保护膜，其胶黏剂包括以下重量份数的各组分：
n-90压克力胶95份
l75固化剂0.6份
184光引发剂1份
a9抗静电剂1份
s0003乙酸乙酯40份。
上述高效型uv解黏保护膜的制备方法为在在5000级洁净车间中，150μm哑雾po电晕面上胶贴合50μmpetr离型面，车速为30m/min，温度设定为：50℃、70℃、90℃、110℃、110℃、100℃、90℃，厚度c/w＝20±1。
实施例2
一种高效型uv解黏保护膜，其胶黏剂包括以下重量份数的各组分：
n-90压克力胶105份
l75固化剂0.85份
184光引发剂2份
a9抗静电剂2份
s0003乙酸乙酯60份。
本实施例的制备方法同实施例1。
实施例3
一种高效型uv解黏保护膜，其胶黏剂包括以下重量份数的各组分：
n-90压克力胶100份
l75固化剂0.73份
184光引发剂1.4份
a9抗静电剂1.5份
s0003乙酸乙酯50份。
本实施例的制备方法同实施例1。
实施例3的测试参数
备注：uv照射条件：uv-200，波长365nm，15秒。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
1.一种高效型uv解黏保护膜，其特征在于，其胶黏剂的配比包括以下重量份数的各组分：
压克力胶95～105份
固化剂0.6～0.85份
光引发剂1～2份
抗静电剂1～2份
乙酸乙酯40～60份。
2.如权利要求1的高效型uv解黏保护膜，其特征在于，其胶黏剂包括：
n-90压克力胶100份
l75固化剂0.73份
184光引发剂1.4份
a9抗静电剂1.5份
s0003乙酸乙酯50份。
3.如权利要求1或2所述的高效型uv解黏保护膜的制备方法，其特征在于，在150μm哑雾po电晕面上胶贴合50μmpetr离型面，温度设定为50-110℃，烘干过程中依次设置7个温度区段：45℃-55℃、65℃-75℃、85℃-95℃、105℃-115℃、105℃-115℃、95℃-105℃和85℃-95℃。
4.如权利要求3所述的高效型uv解黏保护膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
温度设定为：50℃、70℃、90℃、110℃、110℃、100℃、90℃。
5.如权利要求3所述的高效型uv解黏保护膜的制备方法，其特征在于，厚度c/w＝20±1。
6.如权利要求3所述的高效型uv解黏保护膜的制备方法，其特征在于，生产在5000级洁净车间中进行，车速为30m/min。
技术总结