本发明涉及半导体精密加工技术领域，尤其涉及一种半导体精密阀门镜面处理方法。
背景技术：
在现有技术中，半导体精密阀门镜面抛光是采用人工手持打磨工具夹持砂纸棒、橡胶磨头、羊毛磨头等耗材对夹持在工作台的零件进行打磨、抛光处理。但是人工对半导体精密阀门进行镜面抛光导致产品的质量参差不齐，同时人工生产的效率极低、劳动强度大和耗材损耗快等缺点。所以需要一种适合应用于磨抛专用设备对半导体精密阀门进行镜面抛光的方法，以提高生产效率、降低生产成本和保证生产质量。
技术实现要素：
为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种半导体精密阀门镜面处理方法，其能解决人工生产的效率极低、劳动强度大和耗材损耗快的问题。
为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种半导体精密阀门镜面处理方法，包括以下步骤：
s1：将半导体精密阀门水平放置，采用直径为2.5mm的180#橡胶磨头对直径为3mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为3mm的羊毛磨头抛光30秒；
s2：采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为4mm的羊毛磨头抛光30秒；
s3：采用直径为12mm的金字塔纱布磨头对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨；
s4：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入研磨膏，再采用直径为10mm的羊毛毡磨头对孔底进行研磨以及直径为12mm的羊毛磨头对孔底进行抛光；
s5：将半导体精密阀门垂直放置，采用直径为4mm的180#橡胶磨头对直径为5mm的孔壁研磨40秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为5mm的羊毛磨头对孔研磨60秒；
s6：将半导体精密阀门翻转放置，采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为4mm的羊毛磨头对孔抛光30秒；
s7：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔底研磨30秒，同时向孔内加入研磨膏；
s8：采用直径为12mm的金字塔纱布磨头对直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨；
s9：采用直径为12mm的羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨，同时向孔内加入研磨膏；
s10：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔底抛光30秒，同时向孔内加入研磨膏。
优选的，s1和s2中所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为1.96n，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为1.96n，所述研磨膏为w28钻石研磨膏。
优选的，所述s3由以下步骤实现:
s3.1:采用直径为12mm的800#金字塔纱布磨头以20mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨10秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为2000rpm，侧向压力为4.9n；
s3.2：采用直径为12mm的1200#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨20秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为3000rpm，侧向压力为4.9n；
s3.3：采用直径为12mm的1500#金字塔纱布磨头以10mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨30秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为5000rpm，侧向压力为9.8n。
优选的，所述s4由以下步骤实现:
s4.1：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入w28钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为8000rpm，向下压力为9.8n；
s4.2:向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入w5钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，其中羊毛毡磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n；然后再向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以20mm/s的上下给进速度对孔壁研磨30秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n；
s4.3：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入绿蜡，采用直径为12mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底抛光50秒，其中羊毛毡磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8n；然后再向孔内加入绿蜡，采用直径为12mm的羊毛毡磨头以10mm/s的上下给进速度对孔壁研磨50秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8n。
优选的，所述s5由以下步骤实现：
s5.1：将半导体精密阀门垂直放置，采用直径为4mm的180#橡胶磨头以30mm/s的上下给进速度对直径为5mm的孔壁研磨40秒，所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为4.9n；
s5.2：向孔内加入w28钻石研磨膏，采用直径为5mm的羊毛磨头以20mm/s的上下给进速度对孔研磨60秒，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为4.9n；
s5.3：向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为5mm的羊毛磨头以30mm/s的上下给进速度对孔研磨60秒，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为4.9n。
优选的，所述s6由以下步骤实现：将半导体精密阀门翻转放置，采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为2.94n；再往孔内加入w28钻石研磨膏，采用直径为4mm的羊毛磨头对孔抛光30秒，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为2.94n。
优选的，所述s7由以下步骤实现：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头以10mm/s的左右移动速度对直径为16.6mm的孔的孔底研磨30秒，同时向孔内加入w28钻石研磨膏，所述倒锥羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n；再向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，所述倒锥羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n。
优选的，所述s8由以下步骤实现：
s8.1:采用直径为12mm的800#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨30秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为2000rpm，侧向压力为4.9n；
s8.2：采用直径为12mm的1200#金字塔纱布磨头以40mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨40秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为3000rpm，侧向压力为4.9n；
s8.3：采用直径为12mm的1500#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨60秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为5000rpm，侧向压力为9.8n。
优选的，所述s9由以下步骤实现：
s9.1：采用直径为12mm的羊毛磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨90秒，同时向孔内加入w5钻石研磨膏，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为9.8n；
s9.2：采用直径为12mm的羊毛磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨120秒，同时向孔内加入绿蜡，所述羊毛磨头的主轴转速为15000rpm，侧向压力为9.8n。
优选的，所述s10由以下步骤实现：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头以10mm/s的左右移动速度对直径为16.6mm的孔的孔底抛光30秒，同时向孔内加入绿蜡，所述倒锥羊毛磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8n
相比现有技术，本发明的有益效果在于：根据待磨抛的孔的实际情况来选择相应的磨头循序渐进地对孔由粗到细地进行打磨和抛光，同时根据磨头和/或研磨膏的特性来调节磨头的主轴转速、侧向压力、向下压力、移动速度和给进速度，以达到减少磨头(耗材)的损耗，降低生产成本。
附图说明
图1为本发明中的半导体精密阀门镜面处理方法的流程图。
图2为本发明中的工业机器人及配套设备的结构示意图。
图中：1-工作台；2-料架；3-直列刀库；4-工业机器人。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述：
本发明所述的半导体精密阀门镜面处理方法，应用于自动化打磨设备中，如图2所示，尤其是工业机器人4。其中，所述半导体精密阀门呈长方体结构，而且半导体精密阀门的各个端面均有需要根据不同要求进行打磨和抛光且尺寸不同的孔，在本发明所述的半导体精密阀门镜面处理方法中，将半导体精密阀门夹持在工作台1上，再对每个端面的孔进行打磨和抛光，其中，工业机器人4手臂末端第6轴上同时安装有用于移动被打磨半导体精密阀门的气缸夹紧装置，利用六轴工业机器人4来夹持半导体精密阀门进行移动和磨抛，此外工业机器人4手臂末端第6轴上安装有带力/位控制系统的电主轴(旋转电机)，电主轴内采用气动控制锁紧机构，能锁紧或放松磨头，从而达到自动更换磨头的效果。在半导体精密阀门的料架2上有12个用于放置待加工的半导体精密阀门的凹槽，因此先设定程序起始半导体精密阀门座标原点共12个点用于工业机器人4识别抓取和放置半导体精密阀门，同时工作台1上以产品大孔顶面圆心为半导体精密阀门加工座标原点，水平工作台1和竖直工作台1各设一个，用于工业机器人4识别加工及抓取半导体精密阀门。在本实施例中，设定电主轴末端中心为工具座标原点，直列刀库3上每个磨头柄末端圆心为参照点，以用于工业机器人4识别取、放磨头，设定好产品座标原点、产品加工座标原点、工具座标原点后，以使得工业机器人4可通过教器移动机器人并记录运动轨迹，从而生成从产品搬运到换取磨头到加工半导体精密阀门品等一系列动作的标准程序，当工业机器人4抓取到半导体精密阀门后放入水平工作台1上并由水平工作台1上的夹紧机构将半导体精密阀门固定，然后，工业机器人4去直列刀库取磨头，位于工作台1边的水平桁架上的工业摄像会过来对水平工作台1上半导体精密阀门及夹具进行拍照及自动与标准对比，确定产品位置正确并有效固定。
如图1-2所示，s1：将半导体精密阀门水平放置，采用直径为2.5mm的180#橡胶磨头对直径为3mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为3mm的羊毛磨头抛光30秒；
具体的，将半导体精密阀门水平放置，对半导体精密阀门第一个端面上的孔进行打磨和抛光，在本实施例中，先对若干个直径为3mm的孔的孔壁进行打磨，先采用直径为2.5mm的180#橡胶磨头对孔壁研磨20秒，所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为1.96n；再对孔壁进行抛光，往孔内加入w28钻石研磨膏，采用直径为3mm的羊毛磨头对孔壁抛光30秒，所述羊毛磨头主轴转速为8000rpm和侧向压力为1.96n。
s2：采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为4mm的羊毛磨头抛光30秒；
在本实施例中，先对若干个直径为4mm的孔的孔壁进行打磨，先采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对孔壁研磨20秒，所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为1.96n；再对孔壁进行抛光，往孔内加入w28钻石研磨膏，采用直径为3.5mm的羊毛磨头对孔壁抛光30秒，所述羊毛磨头主轴转速为8000rpm和侧向压力为1.96n。
s3：采用直径为12mm的金字塔纱布磨头对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨；
具体的，对于孔径较大的孔先通过多个步骤循序渐进地对孔壁进行打磨和抛光，使得孔壁的粗糙程度逐渐达到镜面标准，避免耗材的过度浪费，在被本实施例中，先采用采用直径为12mm的800#金字塔纱布磨头以20mm/s的上下进给速度对位于半导体精密阀门侧面(第二端面)的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨10秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为2000rpm，侧向压力为4.9n；再采用直径为12mm的1200#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨20秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为3000rpm，侧向压力为4.9n；然后采用直径为12mm的1500#金字塔纱布磨头以10mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨30秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为5000rpm，侧向压力为9.8n。
s4：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入研磨膏，再采用直径为10mm的羊毛毡磨头对孔底进行研磨以及直径为12mm的羊毛磨头对孔底进行抛光；
具体的，完成孔壁的打磨和抛光之后，再对孔底进行打磨和抛光，在本实施例中，孔壁与孔底的打磨和抛光的顺序可以调换，不影响打磨结果。首先，向孔内加入w28钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为8000rpm，向下压力为9.8n；其次，向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，其中羊毛毡磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n；然后再向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以20mm/s的上下给进速度对孔壁研磨30秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n；然后，向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入绿蜡，采用直径为12mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底抛光50秒，其中羊毛毡磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8n；然后再向孔内加入绿蜡，采用直径为12mm的羊毛毡磨头以10mm/s的上下给进速度对孔壁研磨50秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8n。
s5：将半导体精密阀门垂直放置，采用直径为4mm的180#橡胶磨头对直径为5mm的孔壁研磨40秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为5mm的羊毛磨头对孔研磨60秒；
具体的，将半导体精密阀门垂直放置，对位于半导体精密阀门第三端面上的孔进行打磨和抛光，在本实施例中，先通过机器人或者其他夹持装置将半导体精密阀门垂直放置，采用直径为4mm的180#橡胶磨头以30mm/s的上下给进速度对直径为5mm的孔壁研磨40秒，所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为4.9n；再向孔内加入w28钻石研磨膏，采用直径为5mm的羊毛磨头以20mm/s的上下给进速度对孔研磨60秒，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为4.9n；最后向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为5mm的羊毛磨头以30mm/s的上下给进速度对孔研磨60秒，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为4.9n
s6：将半导体精密阀门翻转放置，采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为4mm的羊毛磨头对孔抛光30秒；
具体的，将半导体精密阀门翻转放置，对半导体精密阀门的第四个端面上的孔进行打磨和抛光，在本实施例中，先采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为2.94n；再往孔内加入w28钻石研磨膏，采用直径为4mm的羊毛磨头对孔抛光30秒，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为2.94n。
s7：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔底研磨30秒，同时向孔内加入研磨膏；
在本实施例中，先采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头以10mm/s的左右移动速度对直径为16.6mm的孔的孔底研磨30秒，同时向孔内加入w28钻石研磨膏，所述倒锥羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n；再向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，所述倒锥羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n。
s8：采用直径为12mm的金字塔纱布磨头对直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨；
在本实施例中，先采用直径为12mm的800#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨30秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为2000rpm，侧向压力为4.9n；再使用直径为12mm的1200#金字塔纱布磨头以40mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨40秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为3000rpm，侧向压力为4.9n；最后通过直径为12mm的1500#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨60秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为5000rpm，侧向压力为9.8n。
s9：采用直径为12mm的羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨，同时向孔内加入研磨膏；
在本实施例中，先通过直径为12mm的羊毛磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨90秒，同时向孔内加入w5钻石研磨膏，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为9.8n；再使用直径为12mm的羊毛磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨120秒，同时向孔内加入绿蜡，所述羊毛磨头的主轴转速为15000rpm，侧向压力为9.8n。
s10：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔底抛光30秒，同时向孔内加入研磨膏。
在本实施例中，采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头以10mm/s的左右移动速度对直径为16.6mm的孔的孔底抛光30秒，同时向孔内加入绿蜡，所述倒锥羊毛磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8n。
对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。
1.一种半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1：将半导体精密阀门水平放置，采用直径为2.5mm的180#橡胶磨头对直径为3mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为3mm的羊毛磨头抛光30秒；
s2：采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为4mm的羊毛磨头抛光30秒；
s3：采用直径为12mm的金字塔纱布磨头对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨；
s4：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入研磨膏，再采用直径为10mm的羊毛毡磨头对孔底进行研磨以及直径为12mm的羊毛磨头对孔底进行抛光；
s5：将半导体精密阀门垂直放置，采用直径为4mm的180#橡胶磨头对直径为5mm的孔壁研磨40秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为5mm的羊毛磨头对孔研磨60秒；
s6：将半导体精密阀门翻转放置，采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为4mm的羊毛磨头对孔抛光30秒；
s7：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔底研磨30秒，同时向孔内加入研磨膏；
s8：采用直径为12mm的金字塔纱布磨头对直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨；
s9：采用直径为12mm的羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨，同时向孔内加入研磨膏；
s10：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔底抛光30秒，同时向孔内加入研磨膏。
2.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，s1和s2中所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为1.96n，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为1.96n，所述研磨膏为w28钻石研磨膏。
3.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述s3由以下步骤实现:
s3.1:采用直径为12mm的800#金字塔纱布磨头以20mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨10秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为2000rpm，侧向压力为4.9n；
s3.2：采用直径为12mm的1200#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨20秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为3000rpm，侧向压力为4.9n；
s3.3：采用直径为12mm的1500#金字塔纱布磨头以10mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨30秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为5000rpm，侧向压力为9.8n。
4.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述s4由以下步骤实现:
s4.1：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入w28钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为8000rpm，向下压力为9.8n；
s4.2:向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入w5钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，其中羊毛毡磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n；然后再向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以20mm/s的上下给进速度对孔壁研磨30秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n；
s4.3：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入绿蜡，采用直径为12mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底抛光50秒，其中羊毛毡磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8n；然后再向孔内加入绿蜡，采用直径为12mm的羊毛毡磨头以10mm/s的上下给进速度对孔壁研磨50秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8n。
5.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述s5由以下步骤实现：
s5.1：将半导体精密阀门垂直放置，采用直径为4mm的180#橡胶磨头以30mm/s的上下给进速度对直径为5mm的孔壁研磨40秒，所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为4.9n；
s5.2：向孔内加入w28钻石研磨膏，采用直径为5mm的羊毛磨头以20mm/s的上下给进速度对孔研磨60秒，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为4.9n；
s5.3：向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为5mm的羊毛磨头以30mm/s的上下给进速度对孔研磨60秒，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为4.9n。
6.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述s6由以下步骤实现：将半导体精密阀门翻转放置，采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为2.94n；再往孔内加入w28钻石研磨膏，采用直径为4mm的羊毛磨头对孔抛光30秒，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为2.94n。
7.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述s7由以下步骤实现：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头以10mm/s的左右移动速度对直径为16.6mm的孔的孔底研磨30秒，同时向孔内加入w28钻石研磨膏，所述倒锥羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n；再向孔内加入w5钻石研磨膏，采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，所述倒锥羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8n。
8.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述s8由以下步骤实现：
s8.1:采用直径为12mm的800#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨30秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为2000rpm，侧向压力为4.9n；
s8.2：采用直径为12mm的1200#金字塔纱布磨头以40mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨40秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为3000rpm，侧向压力为4.9n；
s8.3：采用直径为12mm的1500#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨60秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为5000rpm，侧向压力为9.8n。
9.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述s9由以下步骤实现：
s9.1：采用直径为12mm的羊毛磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨90秒，同时向孔内加入w5钻石研磨膏，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为9.8n；
s9.2：采用直径为12mm的羊毛磨头以30mm/s的上下进给速度对直径为16.6mm的孔的孔壁研磨120秒，同时向孔内加入绿蜡，所述羊毛磨头的主轴转速为15000rpm，侧向压力为9.8n。
10.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述s10由以下步骤实现：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头以10mm/s的左右移动速度对直径为16.6mm的孔的孔底抛光30秒，同时向孔内加入绿蜡，所述倒锥羊毛磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8n。
技术总结