本发明实施例涉及化学机械平坦化系统，特别涉及一种可使用于化学机械平坦化系统及化学机械平坦化工艺的多层窗口。
背景技术：
集成电路的形成经常使用化学机械研磨。一般而言，将化学机械研磨使用于半导体晶圆的平坦化。化学机械研磨将物理及化学力的结合效果利用于晶圆的研磨。其执行是通过对静置于研磨垫上的晶圆的背面施加负载力。然后当含有磨料(abrasive)及/或反应性化学品的研磨浆(slurry)通过其间时，将研磨垫与晶圆反向旋转(counter-rotated)。化学机械研磨是一种达到晶圆全域平面化(globalplanarization)的有效方法。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种化学机械平坦化系统，包括：研磨垫，包括窗口(window)，其包括：透明结构层(transparentstructurallayer)，其具有第一表面及相对此第一表面的第二表面；以及亲水性界面活性剂(hydrophilicsurfactant)的第一层，位于此透明结构层的此第一表面的至少一部分上。
本发明实施例提供一种化学机械平坦化系统，包括：一平台，其包含配置于终点检测器(endpointdetector)之上的窗口，此窗口包括：透明结构层，其具有第一表面及相对此第一表面的第二表面；以及亲水性界面活性剂的第一层，其位于此透明结构层的此第一表面的至少一部分上。
本发明实施例提供一种化学机械平坦化系统的制造方法，包括：对透明结构层的第一表面涂覆亲水性界面活性剂，以形成窗口；以及将此窗口安装至开口内，其位于化学机械平坦化系统的平台或研磨垫中。
附图说明
由以下的详细叙述配合说明书附图，可最好地理解本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，可任意地放大或缩小各种元件的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例所讨论的内容。
图1是根据一些实施例，示出化学机械平坦化系统的示意图。
图2是根据一些实施例，示出部分化学机械平坦化系统的示意图。
图3a-图3c是根据一些实施例，示出多层窗口的示意图。
图4是根据一些实施例，示出本发明实施例形成窗口或垫窗口(padwindow)的方法的流程图。
图5是根据一些实施例，示出控制系统的示意图，其用于化学机械平坦化系统的控制操作。
附图标记说明：
10平台
12平台转轴
20研磨垫
30晶圆载具
32保持环
34载膜
36晶圆载具转轴
40晶圆
50研磨浆输送系统
52研磨浆臂
54出口
60研磨浆
62湿气
80窗口
82透明结构层
84亲水性界面活性剂
85垫窗口
86、88开口
87、89表面
90终点检测器
92激光束
100化学机械平坦化系统
110控制系统
111处理器
112输入/输出接口
113存储器
114网络接口
115总线
116网络
117指令
120、122操作
具体实施方式
以下公开提供了许多的实施例或范例，用于实施本发明实施例的不同元件。各元件和其配置的具体范例描述如下，以简化本发明实施例的说明。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本发明实施例。举例而言，叙述中若提及第一元件形成在第二元件之上，可能包含第一和第二元件直接接触的实施例，也可能包含额外的元件形成在第一和第二元件之间，使得它们不直接接触的实施例。此外，本发明实施例可能在各种范例中重复参考数值以及/或字母。如此重复是为了简明和清楚的目的，而非用以表示所讨论的不同实施例及/或配置之间的关系。
再者，其中可能用到与空间相对用词，例如“在……之下”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”等类似用词，是为了便于描述附图中一个(些)部件或特征与另一个(些)部件或特征之间的关系。空间相对用词用以包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，其中所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。
此处描述的多层窗口可用于化学机械平坦化系统及化学机械平坦化工艺。本发明实施例的多层窗口通过减少激光束通过窗口上的不均匀湿气(moisture)(例如液滴)所造成的激光散射来改善终点检测。此多层窗口可位于研磨垫、平台、或两者中。
根据生产集成电路工艺中的各种实施例，本发明实施例也包括使用此处描述的化学机械平坦化系统。举例而言，方法包括使用此述的化学机械平坦化系统，以平坦化集成电路形成于其上或其中的晶圆。
图1示出化学机械平坦化系统100的透视示意图。化学机械平坦化系统100包括平台10及在平台10的顶部上的研磨垫20，以及晶圆载具30，配置以支撑晶圆40，其用于化学机械平坦化系统100的工艺。化学机械平坦化系统100还包括研磨浆输送系统50的配置，用以对研磨垫20输送研磨浆60，促进金属或非金属部件从晶圆40移除。控制系统110是配置以控制化学机械平坦化系统100的操作。化学机械平坦化系统100还包括修整盘(dressingdisk)(未示出)，其配置以复原研磨垫20的粗糙度(roughness)。
化学机械平坦化工艺期间，平台10通过一机制，例如马达(motor)(未示出)，沿一个方向旋转。平台10是配置可沿至少一个第一方向旋转(如沿d1方向)。一些实施例中，将平台10配置为可沿多于一个方向旋转。一些实施例中，平台10是配置为具有固定的(constant)旋转速率。一些实施例中，平台10是配置为具有可变的(variable)旋转速率。一些实施例中，平台10通过经马达驱动的平台转轴12而旋转。一些实施例中，马达是交流电马达、直流电马达、通用马达(universalmotor)、或另一种适合的马达。在其他的实施例中，平台10是配置以保持其固定。
平台10及平台转轴12是各自以对研磨浆60具良好化学抗性的材料制作。一些实施例中，平台10及平台转轴12是各自以不锈钢或聚醚醚酮(polyetheretherketone,peek)制作。
一些实施例中，将平台10配置以转换(translate)一或多个方向，使其可以在化学机械平坦化工艺期间，于晶圆40的表面上施加压力。其他实施例中，晶圆载具30可推动晶圆40抵向研磨垫20，使得晶圆40与研磨垫20接触的表面可通过研磨浆60研磨。
随着平台10旋转，研磨垫跟着被旋转。平台10、研磨垫20、或两者皆被配置使得研磨垫20旋转的方向及速率与平台10相同。一些实施例中，将研磨垫20以可拆卸的方式耦合(removablycoupled)(如经由粘着剂)至平台10。在某些平台10是固定的实施例中，研磨垫20是被保持固定的。
研磨垫20具有纹理的(textured)表面，其配置以移除在化学机械平坦化系统100的操作期间，来自晶圆40的材料。研磨垫20由够硬的材料形成，使研磨浆中的磨粒(abrasiveparticle)可对位于晶圆载具30与研磨垫20之间的晶圆40进行机械研磨。另一方面，研磨垫20够软，以至于在研磨工艺期间与晶圆40接触时，几乎不刮到晶圆40的表面。此外，研磨垫20是以对研磨浆60具良好化学抗性的材料制作。某些实施例中，研磨垫20是以聚氨酯(polyurethane)制作。
在化学机械平坦化系统100的操作期间，晶圆载具30是配置以保持晶圆40紧邻(proximate)研磨垫20。某些实施例中，晶圆载具30包括保持环32。保持环32内部的载膜(carrierfilm)34使晶圆40附接上晶圆载具30。
为晶圆40的进一步平坦化，晶圆载具30可旋转(例如沿方向d1，如图所示，或相反方向)，导致晶圆40旋转且同时在研磨垫20上移动，不过本发明的各种实施例并不局限于此方式。也就是说将晶圆载具30配置为沿第二方向旋转。一些实施例中，第二方向与第一方向相同。换句话说，晶圆载具30及研磨垫20沿相同方向旋转(例如顺时针方向或逆时针方向)。一些实施例中，第二方向与第一方向相反。换句话说，晶圆载具30及研磨垫20沿相反方向旋转。一些实施例中，晶圆载具30是配置为以固定的旋转速率旋转。一些实施例中，晶圆载具30是配置为以可变的旋转速率旋转。一些实施例中，晶圆载具30通过经马达驱动的晶圆载具转轴36而旋转。一些实施例中，马达是交流电马达、直流电马达、通用马达、或另一种适合的马达。在其他的实施例中，晶圆载具30是保持固定的。一些实施例中，晶圆载具30相对研磨垫20而转移。晶圆载具30、载膜34及晶圆载具转轴36是各自以对研磨浆60具良好化学抗性的材料制作。一些实施例中，晶圆载具30及晶圆载具转轴36是各自以不锈钢或聚醚醚酮制作，且载膜34是以聚氨酯制作。
当化学机械平坦化系统100在操作时，研磨浆60在晶圆40及研磨垫20之间。研磨浆60包括与晶圆40表面层起反应的反应性化学品，以及用于机械研磨晶圆40表面的磨粒。经由研磨浆60中的反应性化学品与晶圆40表面层之间的化学反应以及机械研磨，将晶圆40表面层移除。
研磨浆60一般包含水溶液中的磨粒。一些实施例中，研磨浆60还包含一或多种化学添加剂，例如氧化剂、螯合剂(chelatingagent)、腐蚀抑制剂(corrosioninhibitor)、或酸碱值调节剂(phadjustingagent)。化学添加剂助于提供将被研磨的金属表面适当的调整，帮助改善研磨效率。
磨粒对晶圆40表面进行机械研磨。磨粒的例子包括sio2、al2o3、ceo2、tio2、zro2、mgo、mno2。一些实施例中，研磨浆60包含单一类型的磨粒。一些实施例中，研磨浆60包含二或多种类型的磨粒的混和。举例而言，某些实施例中，研磨浆60包含一些ceo2磨粒，以及一些sio2或al2o3磨粒。一些实施例中，为助于取得好的分散稳定度(dispersionstability)以及将刮痕的发生减至最少，研磨浆60包含胶态的(colloidal)sio2、胶态的al2o3、胶态的ceo2、或前述的组合。
为助于取得有利的研磨速率，磨粒具有平均粒子尺寸(例如平均粒子直径)约20nm至约500nm。若磨粒尺寸太小，则化学机械平坦化工艺的研磨速率变得太低而不具效率。若磨粒尺寸太大，因刮痕而在晶圆40表面上产生缺陷的机会则变高。一些实施例中，研磨浆60包括类似尺寸的磨粒。一些实施例中，研磨浆60包括不同尺寸的磨粒的混和。举例而言，某些实施例中，研磨浆60包括一些尺寸群聚在较小数值附近的磨粒，例如小于约50nm，以及其他尺寸群聚在较大数值附近的磨粒，例如大于约100nm或更大。
研磨浆60包括任何适合的磨粒数量。一些实施例中，研磨浆60包括约10wt.％或少于10wt.％的磨粒。一些实施例中，研磨浆60包括约0.01wt.％至约10wt.％的磨粒。研磨浆60中较高wt.％的磨粒提供较大的研磨速率。不过若是磨粒的浓度太高，磨粒聚集(agglomerate)成较大的粒子，其从溶液中下落，使研磨浆变得不适合用于研磨。因此，在不造成磨粒聚集的前提下，将研磨浆60中磨粒的浓度依实际状况设定得越高越好。
可选地(optionally)，将氧化剂结合至研磨浆60中以促进有效率的移除及较佳的平坦化。氧化剂促进阻障层及导电材料层中的金属氧化成对应的金属氧化物，且此金属氧化物随后通过机械研磨移除。举例而言，使用氧化剂将钨氧化为氧化钨；之后机械研磨此氧化钨且将其移除。更进一步的例子中，氧化剂能将铜氧化成氧化亚铜或氧化铜；之后机械研磨此氧化亚铜或氧化铜且将其移除。氧化剂的例子包括过氧化氢(hydrogenperoxide)、过氧硫酸(peroxosulfates)、硝酸(nitricacid)、过碘酸钾(potassiumperiodate)、次氯酸(hypochlorousacid)、臭氧(ozone)、硝酸铁(ferricnitrate,fe(no3)3)、硝酸钾(potassiumnitrate,k(no3))、以及前述的组合。若存在氧化剂，研磨浆60包括任何适合的氧化剂剂量，在平衡化学机械平坦化性能时，以确保金属层的快速氧化。
可选地，将螯合剂结合至研磨浆60中，以改善金属表面的平坦化或研磨。螯合剂能形成带有金属离子的错合物(complexcompound)，例如带有铜或钨离子，使氧化的金属能从研磨中的金属表面移除。举例而言，螯合剂的例子包括无机酸，例如：磷酸(phosphoricacid)、有机酸，例如：醋酸(aceticacid)、草酸(oxalicacid)、丙二酸(malonicacid)、酒石酸(tartaricacid)、柠檬酸(citricacid)、马来酸(maleicacid)、邻苯二甲酸(phthalicacid)、或琥珀酸(succinicacid)、以及胺类(amines)，例如：乙醇胺(ethanolamine)或丙醇胺(propanolamine)。
可选地，将腐蚀抑制剂结合至研磨浆60中，助于防止金属在化学机械平坦化工艺期间腐蚀。一些实施例中，腐蚀抑制剂包括与螯合剂相同的材料。若存在腐蚀抑制剂，研磨浆包括任何适合的腐蚀抑制剂剂量。一些实施例中，研磨浆60包括10wt.％或少于10wt.％的腐蚀抑制剂。一些实施例中，研磨浆60包括约0.01wt.％至约10wt.％的腐蚀抑制剂。
可选地，将酸碱值调节剂结合至研磨浆60中，以维持研磨浆的酸碱值水平(phlevel)在从约2到约11的范围内。研磨浆60的酸碱值依照存在表面的将被研磨的金属而变。举例而言，为了研磨钨或铝，研磨浆60的酸碱值一般从约2到7，而为了研磨铜、钴或钌，研磨浆的酸碱值设定为从约7到11。一些实施例中，采用酸以降低研磨浆的酸碱值，例如采用盐酸(hydrochloricacid)、硝酸、硫酸(sulfuricacid)、醋酸、酒石酸、琥珀酸、柠檬酸、苹果酸(malicacid)、丙二酸、各种脂肪酸(fattyacids)、以及各种多羧酸(polycarboxylicacid)。
如本发明实施例所属领域中技术人员所理解的，某些前揭的化合物能执行超过一种功能。举例而言，某些化合物，例如有机酸，能用作氧化剂、螯合剂、以及酸碱值调节剂。
研磨浆配送器(slurrydispenser)50，其具有位于研磨垫20上方的出口54，用于配送研磨浆60至研磨垫20上。研磨浆输送系统50还包含研磨浆臂(slurryarm)52，其配置以转移出口54相对于研磨垫20表面的位置。研磨浆臂52是由对研磨浆60具良好化学抗性的材料制作。一些实施例中，研磨浆臂52是由不锈钢或聚氨酯制作
排流杯(draincup)(未示出)可被设置于平台10的周缘处(perimeter)附近。排流杯能收集在化学机械平坦化工艺期间，配送至研磨垫20上的过量研磨浆60。
总而言之，当化学机械平坦化系统100在操作时，研磨浆臂52配送研磨浆60至研磨垫20的研磨表面上。马达在控制系统110的控制下，通过平台转轴12，沿一研磨垫轴(polishingpadaxis)旋转平台10及研磨垫20，如箭头d1所示。另一马达也在控制系统110的控制下，通过晶圆载具转轴36，沿一晶圆轴(waferaxis)旋转置于晶圆载具30内的晶圆40，如箭头d1所示。当此双旋转发生，晶圆40被“压(pressed)”入研磨浆60中且研磨垫20的研磨表面具有一施加于晶圆载具30的向下力(downforce)。结合机械力及化学交互作用，研磨晶圆40的表面直到抵达化学机械平坦化操作终点。
为了在终点结束化学机械平坦化工艺的研磨部分，化学机械平坦化系统100包括终点检测器90，其置于平台10中的窗口80下。相似地，研磨垫20包括垫窗口85，其置于平台10的窗口80之上。
在各种实施例中，窗口80或垫窗口85为圆形的，或两者皆为圆形的。其他实施例中，窗口80或垫窗口85为矩形的，或两者皆为矩形的。在其他实施例中，窗口80或垫窗口85为弧状的(arc-shaped)，或两者皆为弧状的。窗口80及垫窗口85可由任何适合的方式形成，例如安装于开口内的插件(insert)。此类的实施例中，开口86、88形成于平台10或研磨垫20中，且窗口80或垫窗口85安装于开口86、88中。
各种实施例中，窗口80的顶部表面大致上与平台10的顶部表面共平面。在其他实施例中，窗口80的顶部表面凸出平台10的顶部表面上。还有一些其他的实施例，窗口80的顶部表面凹入平台10的顶部表面下。
各种实施例中，垫窗口85的顶部表面大致上与研磨垫20的研磨表面共平面。其他实施例中，垫窗口85的顶部表面凹入研磨垫20的研磨表面下。
本发明实施例的化学机械平坦化系统100可还包括定位感测器(positioningsensor)(未示出)，以感测何时窗口80邻近于晶圆40。化学机械平坦化系统100，其包括终点检测器90、定位感测器等等，是在控制系统110的控制下，其相关于图5进一步描述如下。
如图2所示的区域放大视图，其为图1中虚线矩形所围取的区域，终点检测器90包括激光干涉仪(laserinterferometer)，能产生指向晶圆40的激光束92，以及检测反射回终点检测器90的光。研磨工艺期间，至少在晶圆40覆在窗口80之上时，窗口80提供路径予激光束以冲击(impinge)晶圆40。
窗口80或垫窗口85为多层窗，或两者皆为多层窗，其包含已涂覆亲水性界面活性剂84于其上的透明结构层82，如图3a-图3c所示出。使用任何适合的技术，可对透明结构层的一表面或两表面皆涂覆亲水性界面活性剂84。各种实施例中，对透明结构层82的表面87涂覆亲水性界面活性剂84，如图3a所示。其他实施例中，对透明结构层82的表面89涂覆亲水性界面活性剂84，如图3b所示。进一步的实施例中，对透明结构层82的表面87及表面89皆涂覆亲水性界面活性剂84，如图3c所示。然而，如所理解的，在各种实施例中，可对窗口80或垫窗口85、或两者的透明结构层82的表面87和表面89的其中之一或两者皆涂覆亲水性界面活性剂84。
一些实施例中，将亲水性界面活性剂84涂覆至透明结构层82的至少一表面的至少一部分，此一部分包括激光束行经的位置。一些实施例中，在透明结构层82的至少一表面的外侧边缘附近涂覆亲水性界面活性剂84。一些实施例中，在透明结构层82的至少一表面的中央区域涂覆亲水性界面活性剂84。一些实施例中，将亲水性界面活性剂84涂覆至透明结构层82的至少一表面的至少一大部分(majority)。进一步的实施例中，将亲水性界面活性剂84涂覆至透明结构层82的至少一整个平面。一些实施例中，对透明结构层82的两表面都涂覆亲水性界面活性剂84。在一特定的实施例中，不涂覆亲水性界面活性剂84于垫窗口85的透明结构层82的一表面上。另一特定的实施例中，垫窗口85的顶部表面凹入研磨垫20的研磨表面下，并且将亲水性界面活性剂84涂覆至透明结构层82的顶部表面。
透明结构层82是以适合的材料制作，其对研磨浆60具良好化学抗性且提供激光束足够的穿透。此外，使用作透明结构层82的适合的材料是能充分抗研磨的，使伴随的接触不会损坏(mar)表面及削弱(impair)激光束的穿透、具有高负载乘载能力(highloadbearingcapacity)、且是抗水的，以将可到达终点检测器的液体量减至最少。举例来说，透明结构层82可由聚氨酯形成。如所理解的，聚氨酯可被官能化(functionalized)至官能基不妨碍所述特性的程度。各种实施例中，聚氨酯是疏水性的(hydrophobic)。特定的实施例中，聚氨酯是热固性(thermosetting)聚氨酯。
透明结构层82可具任何适合的厚度，使透明结构层82及亲水性界面活性剂84的结合厚度与标准的化学机械平坦化元件(例如平台、研磨垫)相容。在一些实施例中，透明结构层82具有的厚度范围从约50μm至约2200μm。
亲水性界面活性剂84可为任何适合的界面活性剂，其具有充分的亲水性，在接触化学机械平坦化研磨浆时，创造由水构成的大致均匀层于表面上。一些实施例中，由水构成的大致均匀层如原子般地薄(例如单层、双层、三层等等)
一些实施例中，亲水性界面活性剂包括亲水性聚合物。各种实施例中，亲水性界面活性剂84包括聚乙烯链(polyethylenechain)、羧基(-cooh)官能基、羟基官能基、或前述的组合。各种实施例中，亲水性界面活性剂是羟基化合物(r-oh)。一些实施例中，亲水性界面活性剂包括聚氧乙烯链(polyoxyethylenechain)。某些实施例中，亲水性界面活性剂包括羧基官能基。某些特定实施例中，亲水性界面活性剂为聚乙二醇(polyethyleneglycol)。
如上所提，亲水性界面活性剂84可具任何适合的厚度，使透明结构层82及亲水性界面活性剂84的结合厚度与标准的化学机械平坦化元件(例如平台、研磨垫)相容。此外，亲水性界面活性剂84应具足够的厚度，以对与表面接触的水有预期的亲水效应，而不削弱终点检测器的效能。也就是说，亲水性界面活性剂84应具足够厚度以产生亲水性表面，水可形成大体上一致的层于其上，而非形成微滴或珠粒，不使激光穿透率失真(distort)。在一些实施例中，亲水性界面活性剂84具有的厚度范围从约20μm至约50μm。
一些实施例中，如图4所示，本发明实施例形成窗口或垫窗口的方法包括：通过涂覆亲水性界面活性剂至透明结构层的第一表面，以形成窗口(操作120)、以及将窗口或垫窗口安装至平台或研磨垫中的开口内(操作122)。
可使用任何适合的方法将亲水性界面活性剂84涂覆至部分透明结构层82的表面。一些特定实施例中，将亲水性界面活性剂84涂刷至部分透明结构层82的表面上。其他的实施例中，将亲水性界面活性剂84喷洒至部分透明结构层82的表面上。在各种实施例中，涂覆亲水性界面活性剂84的多个涂层。特定实施例中，至少涂覆两个涂层。
一些实施例中，在窗口或垫窗口分别安装到平台或研磨垫中之前，将亲水性界面活性剂84涂覆至透明结构层82。其他实施例中，在窗口或垫窗口分别安装到平台或研磨垫中之后，将亲水性界面活性剂84涂覆至透明结构层82。
在特定实施例中，本发明实施例形成窗口或垫窗口的方法包括：通过涂覆亲水性界面活性剂至透明结构层的第一表面，以形成窗口、在平台或研磨垫中形成开口、以及将窗口或垫窗口安装至此开口中。
参照图2，当化学机械平坦化工艺在进行中时，使用终点检测器90。随着研磨浆60流动到研磨垫20上，一些来自研磨浆60的湿气62泄漏到终点检测器90和窗口80之间的空间、及/或窗口80和垫窗口85之间的空间中。若水在窗口及/或垫窗口上形成微滴或珠粒，其可能通过散射激光束削弱终点检测器的效能。本发明实施例的多层窗口的优势是提供亲水性表面，水可形成大体上一致的层于此表面上，而非形成微滴或珠粒。这导致当终点检测器90的激光束92通过窗口80反射朝向晶圆40，然后反射回终点检测器90时，具较佳的穿透率。此改善的穿透率提供更可靠及准确的终点检测，其具有数个助益。第一，因为研磨垫不会在到达终点后，因检测错误而继续研磨晶圆，因而延长了研磨垫的寿命。此外，可提升化学机械平坦化系统的使用效率，增加可被研磨的晶圆数量以及减少总研磨成本。进一步地，研磨的晶圆品质及一致性随着终点更准确地检测而提升。
图5是根据一或多个实施例，示出控制系统110的方框图，其用于化学机械研磨系统的控制操作。根据一些实施例，控制系统110产生输出控制信号，以控制化学机械研磨系统的一或多个元件的操作。根据一些实施例，控制系统110接收来自化学机械研磨系统的一或多个元件的输入信号。一些实施例中，控制系统110相邻化学机械研磨系统。某些实施例中，控制系统110远离(remotefrom)化学机械研磨系统。
控制系统110包括处理器111、输入/输出(i/o)装置/接口112、存储器113、及网络接口114，各自经由总线115或其他互连通信机制通信连接(communicativelycoupled)。
处理器111是布置以执行及/或解译存储在存储器113的一或多组指令117。一些实施例中，处理器111是中央处理单元(cpu)、多重处理器(multi-processor)、分散式处理系统(distributedprocessingsystem)、应用特定集成电路(applicationspecificintegratedcircuit,asic)、及/或适合的处理单元。
输入/输出接口112连接至外部电路。一些实施例中，输入/输出接口112包含键盘、键板(keypad)、鼠标、轨迹球、触控板(trackpad)、及/或游标方向键(cursordirectionkeys)，用于传达信息及指令(command)给处理器111。
存储器113(也称为电脑可读取媒体(computer-readablemedium))包括随机存取存储器或其他动态存储装置，其通信连接至总线115以存储由处理器111执行的数据及/或指令。一些实施例中，在执行将被处理器111执行的指令期间，使用存储器113存储暂时变数(temporaryvariable)或其他中间信息(intermediateinformation)。一些实施例中，存储器113也包括只读存储器或其他静态存储装置，其连接至总线115，为处理器111存储静态信息或指令。一些实施例中，存储器113是电子式、磁性式、光学式、电磁式、红外光式、及/或半导体系统(或仪器(apparatus)或装置)。举例而言，存储器113包括半导体或固态存储器，磁带(magnetictape)、可移式电脑磁片(removablecomputerdiskette)、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、硬磁盘(rigidmagneticdisk)、及/或光盘(opticaldisk)。在某些使用光盘的实施例中，存储器113包括只读光盘(cd-rom)、可覆写光盘(compactdisk-read/write,cd-r/w)、及/或数字视频光盘(dvd)。
存储器113是以电脑程序码(也就是一组可执行指令117)编码(也就是存储)，用于控制化学机械研磨系统的一或多个元件且使控制系统110执行化学机械研磨工艺。一些实施例中，存储器113也存储执行化学机械研磨工艺所需的信息以及执行化学机械研磨工艺期间所产生的信息。
网络接口114包括连接至网络116的机制，一或多个其他电脑系统连接至此网络。一些实施例中，网络接口114包括有线及/或无线连接机制。网络接口114包含无线网络接口例如蓝牙、wifi、wimax、gprs、或wcdma；或有线网络接口例如以太网络(ethernet)、usb、或ieee-1394。一些实施例中，控制系统110经由网络接口114连接化学机械平坦化系统的一或多个元件。某些实施例中，控制系统110直接连接化学机械平坦化系统的一或多个元件，例如与连接至总线115的元件连接而非经由网络接口114。
本发明实施例包括化学机械平坦化系统，其包含研磨垫，此研磨垫具有透明层构成的窗口且亲水性界面活性剂涂覆至此透明层表面的至少一部分。
本发明实施例的进一步实施例包括化学机械平坦化系统，其包含平台，此平台具由透明层构成的窗口且亲水性界面活性剂涂覆至此透明层表面的至少一部分。
本发明实施例的附加实施例包括制造方法，其包含对透明材料的表面涂覆亲水性界面活性剂，以形成一窗口，且此窗口位于平台或研磨垫中的开口内。
一些实施例中，窗口包括亲水性界面活性剂的第二层，其位于透明结构层的第二表面上。一些实施例中，透明结构层为聚氨酯。一些实施例中，亲水性界面活性剂包括羟基官能基、聚氧乙烯链、羧基官能基、或前述的组合。一些实施例中，亲水性界面活性剂为聚乙二醇。一些实施例中，透明结构层的第二表面与研磨垫的研磨表面大致上共平面。
一些实施例中，亲水性界面活性剂位于透明结构层的整个第一表面上。一些实施例中，透明结构层的第二表面最为接近终点检测器。一些实施例中，透明结构层的第一表面与平台的一表面大致上共平面。一些实施例中，透明结构层的第一表面凹入平台的一表面之下。
一些实施例中，涂覆亲水性界面活性剂包括涂刷亲水性界面活性剂于透明结构层的表面上。一些实施例中，涂覆亲水性界面活性剂包括喷洒亲水性界面活性剂于透明结构层的表面上。一些实施例中，还包括对透明结构层的第二表面涂覆亲水性界面活性剂，此第二表面位于此透明结构层的第一表面的对立面。一些实施例中，还包括形成开口。
以上概述数个实施例的特点，以便在本发明所属技术领域中技术人员可更好地了解本发明的各个方面。在本发明所属技术领域中技术人员，应理解其可轻易地利用本发明实为基础，设计或修改其他工艺及结构，以达到和此中介绍的实施例的相同的目的及/或优点。在本发明所属技术领域中技术人员，也应理解此类等效的结构并无背离本发明的构思与范围，且其可于此作各种的改变、取代、和替换而不背离本发明的构思与范围。
1.一种化学机械平坦化系统，包括：
一研磨垫，包括一窗口，其包括：
一透明结构层，其具有一第一表面及相对该第一表面的一第二表面；以及
一亲水性界面活性剂的一第一层，位于该透明结构层的该第一表面的至少一部分上。
技术总结