本发明涉及数据可视化，具体地说是一种芯片堆叠的封装方法及结构。
背景技术：
1、目前2.5d及3d半导体先进封装领域，一般性的芯片堆叠方式主要有倒装焊或者热压焊加底填胶（fc/tcb+underfill），underfill底填需要边上预留点胶平面，对于二次堆叠芯片underfill底填无法进行工艺。非导电胶加热压焊（ncf-tcb），用ncf替代underfill来实现多芯片堆叠间隙，但是ncf膜贴附包裹凸点时易发生气泡；另外热压焊接对于凸点分布不均匀的情况下，易对薄芯片产生开裂异常。热压焊加塑封（tcb-muf），塑封料很难实现填充多芯片堆叠间隙。混合键合技术（hybrid bonding）虽然省去了凸点制作流程，但是该制程对于环境和设备要求及芯片表面平整度要求非常高，成本上大大提升。
技术实现思路
1、本发明为克服现有技术的不足，提供一种芯片堆叠的封装方法及结构。
2、为实现上述目的，设计一种芯片堆叠的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：
3、s1，上芯片贴acf膜，并划片；
4、s2，将上芯片与硅转接板堆叠，并封装；
5、所述的步骤s1的具体方法如下：
6、s11，在上芯片的正面贴膜，并将上芯片的背面减薄至30~50um；
7、s12，将上芯片倒膜翻转，并在上芯片正面贴acf膜，acf膜覆盖上芯片表面；
8、s13，撕去acf膜的底膜；
9、s14，划片成单颗芯片；
10、所述的步骤s2的具体方法如下：
11、s21，载片支撑硅转接板；
12、s22，将上芯片倒装热压焊至硅转接板一侧表面；
13、s23，塑封，包裹整个堆叠结构；
14、s24，去除载片；
15、s25，在硅转接板的另一侧表面植金属球；
16、s26，划片，形成单个封装体。
17、所述的上芯片的数量为一个及以上，若干上芯片均位于同一平面。
18、为实现上述目的，设计一种芯片堆叠的封装结构，包括硅转接板一侧焊盘通过acf膜电连接上芯片，硅转接板另一侧焊盘连接金属球。
19、为实现上述目的，设计一种芯片堆叠的封装方法，包括如下步骤：
20、a1，上芯片贴acf膜，并划片；
21、a2，中间芯片贴acf膜，并划片；
22、a3，分别将中间芯片、上芯片堆叠在下芯片上，并封装；
23、所述的步骤a1的具体方法如下：
24、a11，在上芯片的正面贴膜，并将上芯片的背面减薄至30~50um；
25、a12，将上芯片倒膜翻转，并在上芯片正面贴acf膜，acf膜覆盖上芯片表面；
26、a13，撕去acf膜的底膜；
27、a14，划片成单颗芯片；
28、所述的步骤a2的具体方法如下：
29、a21，中间芯片背面进行tsv工艺加工，加工至厚度为30~50um，
30、a22，中间芯片正面贴acf膜；
31、a23，撕去acf膜的底膜；
32、a24，划片成单颗芯片；
33、所述的步骤a3的具体方法如下：
34、a31，载片支撑下芯片；
35、a32，中间芯片倒装热压焊至下芯片一侧表面；
36、a33，上芯片倒装焊至中间芯片上；
37、a34，塑封，包裹整个堆叠结构；
38、a35，在下芯片另一侧表面植金属球；
39、a36，划片，形成单个封装体。
40、所述的中间芯片的数量为一个及以上，若干中间芯片呈垂直堆叠。
41、为实现上述目的，设计一种芯片堆叠的封装结构，从下至上包括堆叠的下芯片、中间芯片、上芯片，下芯片与中间芯片之间、中间芯片与上芯片之间通过acf膜电连接。
42、所述的下芯片一侧表面的焊盘连接金属球。
43、所述的中间芯片的数量为一个及以上，相邻中间芯片之间通过acf膜电连接。
44、本发明同现有技术相比，采用acf膜取代现有的凸点焊接、混合键合方式，省略了凸点制作流程封大大降低封装成本，封装设备简单，无尘环境要求不高，大大降低了设备成本投入。并且acf膜里的金属球是均匀分布，对于超薄芯片的热压压力适配性高，降低芯片开裂异常发生率。非互联区域也有金属球分布，大大提升了该封装体的散热效果。
1.一种芯片堆叠的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种芯片堆叠的封装方法，其特征在于：所述的上芯片（1）的数量为一个及以上，若干上芯片（1）均位于同一平面。
3.一种根据权利要求1或2任一项所述的芯片堆叠的封装结构，其特征在于：包括硅转接板（5）一侧焊盘通过acf膜（4）电连接上芯片（1），硅转接板（5）另一侧焊盘连接金属球（7）。
4.一种3d芯片堆叠的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种堆叠的封装方法，其特征在于：所述的中间芯片（2）的数量为一个及以上，若干中间芯片（2）呈垂直堆叠。
6.一种根据权利要求4或5任一项所述的芯片堆叠的封装结构，其特征在于：从下至上包括堆叠的下芯片（3）、中间芯片（2）、上芯片（1），下芯片（3）与中间芯片（2）之间、中间芯片（2）与上芯片（1）之间通过acf膜（4）电连接。
7.根据权利要求6所述的一种芯片堆叠的封装结构，其特征在于：所述的下芯片（3）一侧表面的焊盘连接金属球（7）。
8.根据权利要求6所述的一种芯片堆叠的封装结构，其特征在于：所述的中间芯片的数量为一个及以上，相邻中间芯片（2）之间通过acf膜（4）电连接。
