本技术是关于半导体制造设备，特别是关于一种扩散机台。
背景技术：
1、现有扩散机台进气位置相同，从炉尾伸进去一根进气管到炉口约20-30cm位置，在此位置通入扩散所需气体，一般向炉管内扩散三氯氧磷，通过真空泵把气体往炉尾方向抽，通过尾排排出。
2、三氯氧磷在600℃以上发生分解得到五氧化二磷，五氧化二磷淀积在电池片表面，五氧化二磷与电池片反应生成二氧化硅和磷原子，并在电池片表面形成一层磷硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。目前通入三氯氧磷时的工艺温度在750～800℃，三氯氧磷的分解速度更快，与氧气反应加快，导致炉口到炉尾位置电池片的掺杂量差异较大，使得位于尾部的电池片的掺杂量与位于前端的电池片的掺杂量减少，即炉管内的掺杂量不均匀，进而会影响到炉管尾部电池片的扩散质量。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种扩散机台，其通过新增支进气管和控制阀，能够保证在进气量不改变的情况下，减少炉口到炉中的扩散气体，增加炉中到炉尾的扩散气体，便于提升炉管内部扩散气体的均匀度，减少炉口到炉尾位置电池片的掺杂量差异较大的情况，便于提升炉管尾部电池片的扩散质量。
2、为实现上述目的，本实用新型提供了一种扩散机台，包括炉管，所述炉管包括炉管主体，所述炉管的两端分别设置有炉口和炉尾，所述炉尾上设置有主进气管，所述主进气管上设置有支进气管，所述支进气管上开设有多个出气口，所述支进气管上设置有用于调节进气量的控制阀。
3、在一个或多个实施方式中，所述支进气管的尾端设置有第一管体，所述出气口开设在第一管体上，所述第一管体的内径大于支进气管的内径，所述第一管体内滑动连接有调节组件。
4、在一个或多个实施方式中，所述调节组件包括调节管，所述调节管滑动连接在第一管体的内部，所述调节管的内径等于支进气管的内径。
5、在一个或多个实施方式中，所述调节管包括第一调节管和第二调节管，所述第一调节管远离炉尾的一端固定连接有第一拉杆，所述第二调节管远离炉尾的一端固定连接有第二拉杆，所述第二拉杆滑动连接在第一拉杆的内部。
6、在一个或多个实施方式中，所述第一拉杆和第二拉杆的一端位于第一管体的外部。
7、在一个或多个实施方式中，所述调节管的外径等于第一管体的内径，所述第一管体和调节管为过盈配合。
8、在一个或多个实施方式中，所述主进气管与支进气管的进气比例为(0:10)～(10:0)。
9、在一个或多个实施方式中，所述主进气管与支进气管的进气比例为3:7。
10、在一个或多个实施方式中，所述主进气管的长度小于支进气管的长度。
11、在一个或多个实施方式中，所述出气口位于炉管主体的中部或尾部。
12、与现有技术相比，根据本实用新型的一种扩散机台通过新增支进气管和控制阀，能够保证在进气量不改变的情况下，减少炉口到炉中的扩散气体，增加炉中到炉尾的扩散气体，便于提升炉管内部扩散气体的均匀度，减少炉口到炉尾位置电池片的掺杂量差异较大的情况，便于提升炉管尾部电池片的扩散质量。
1.一种扩散机台，其特征在于，包括炉管，所述炉管包括炉管主体，所述炉管的两端分别设置有炉口和炉尾，所述炉尾上设置有主进气管，所述主进气管上设置有支进气管，所述支进气管上开设有多个出气口，所述支进气管上设置有用于调节进气量的控制阀。
2.如权利要求1所述的一种扩散机台，其特征在于，所述支进气管的尾端设置有第一管体，所述出气口开设在第一管体上，所述第一管体的内径大于支进气管的内径，所述第一管体内滑动连接有调节组件。
3.如权利要求2所述的一种扩散机台，其特征在于，所述调节组件包括调节管，所述调节管滑动连接在第一管体的内部，所述调节管的内径等于支进气管的内径。
4.如权利要求3所述的一种扩散机台，其特征在于，所述调节管包括第一调节管和第二调节管，所述第一调节管远离炉尾的一端固定连接有第一拉杆，所述第二调节管远离炉尾的一端固定连接有第二拉杆，所述第二拉杆滑动连接在第一拉杆的内部。
5.如权利要求4所述的一种扩散机台，其特征在于，所述第一拉杆和第二拉杆的一端位于第一管体的外部。
6.如权利要求3～5任意一条权利要求所述的一种扩散机台，其特征在于，所述调节管的外径等于第一管体的内径，所述第一管体和调节管为过盈配合。
7.如权利要求1所述的一种扩散机台，其特征在于，所述主进气管与支进气管的进气比例为(0:10)～(10:0)。
8.如权利要求1或7所述的一种扩散机台，其特征在于，所述主进气管与支进气管的进气比例为3:7。
9.如权利要求1所述的一种扩散机台，其特征在于，所述主进气管的长度小于支进气管的长度。
10.如权利要求1或9所述的一种扩散机台，其特征在于，所述出气口位于炉管主体的中部或尾部。
