本发明属于光刻工艺，尤其涉及一种表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法。
背景技术：
1、具有台阶的基底的曝光工艺是集成电路制造中常见的工艺，与传统的平面光刻工艺相比，传统的旋转涂胶方式已经不能满足要求，会导致光刻胶在沿着旋转方向的台阶拐角处严重堆积。这导致无法获得距离台阶底部较近的光刻图形。全自动喷涂方法可以在很大程度上改善该问题，但是由于光刻胶的表面张力和台阶的拐角结构仍然会有光刻胶的积累，因此一旦光刻图形不断的靠近台阶底部，仍然会出现显开区边缘光刻胶全部翘起的问题，具体的情况如图1中圈定处所示。这在后续工艺中会直接影响到膜系质量，降低产品良率。目前随着芯片尺寸的不断变小，以及以微机械、大深度微光学、微流道、微电子器件为核心的微电子加工技术的迅速发展。光刻图形也在不断的向台阶靠近，如何获得好的光刻图形形貌，以及如何不影响后续制成膜系的良率成为需要解决的问题。为此提出一种表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法，旨在解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
3、一种表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法，包括以下步骤：
4、步骤1、在基底表面进行涂胶，以在基底表面形成光刻胶层；
5、步骤2、对光刻胶层进行有掩膜版的曝光，以在光刻胶层内形成曝光区域；
6、步骤3、显影后对光刻胶层进行选择性全面曝光；
7、步骤4、烘烤，形成最终的光刻胶图形形貌。
8、进一步的，所述光刻胶层为负性光刻胶。
9、进一步的，所述曝光为厚胶光学光刻技术。
10、进一步的，所述步骤3中，根据光刻图形的显开区边缘与台阶底部之间的距离以及后续镀膜工艺制成的底切高度决定是否进行全面曝光；当进行全面曝光处理时，全面曝光剂量为0～4000mj/cm2。
11、进一步的，所述底切高度高于后续镀膜工艺制成膜系的厚度。
12、进一步的，所述烘烤在全面曝光时，烘烤温度为100～150℃，烘烤时间为1～10min。
13、进一步的，所述烘烤在无全面曝光时分两次进行，具体为：
14、第一次烘烤温度为80～120℃，烘烤时间为1～10min；
15、第二次烘烤温度为100～150℃，烘烤时间为1～10min；
16、所述第二次烘烤的温度大于第一次烘烤的温度。
17、与现有技术相比，本发明的有益效果是：
18、本发明通过光刻图形距离台阶底部的远近来判断是否需要进行全面曝光，以及是否需要相应的调节烘烤的温度和时间。如果光刻图形距离台阶底部较远，则可以在显影后直接进行全面曝光，使光刻胶的表面产生足够多的光酸，然后通过热扩散使得光酸向下扩散并产生交联反应提高对基底的附着力，增加在后续制程中光刻胶的相貌保持。且底切高度不会有明显的变化，适用于后续工艺需求。如果光刻图形距离台阶底部较近，此处拐角处的光刻胶厚度会比正常的明显偏厚，因此需要在显影后取消全面曝光，直接烘烤，来防止表面光酸过多引起显开区边缘的胶完全翘起，大大提升了后续工艺的膜系质量。
1.一种表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述光刻胶层为负性光刻胶。
3.根据权利要求1所述的表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述曝光为厚胶光学光刻技术。
4.根据权利要求1所述的表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述步骤3中，根据光刻图形的显开区边缘与台阶底部之间的距离以及后续镀膜工艺制成的底切高度决定是否进行全面曝光；当进行全面曝光处理时，全面曝光剂量为0～4000mj/cm2。
5.根据权利要求4所述的表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述底切高度高于后续镀膜工艺制成膜系的厚度。
6.根据权利要求1所述的表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述烘烤在全面曝光时，烘烤温度为100～150℃，烘烤时间为1～10min。
7.根据权利要求1所述的表面具有台阶的基底的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述烘烤在无全面曝光时分两次进行，具体为：
