本发明涉及新能源电池，更具体地说，涉及一种太阳能电池片装置。
背景技术：
1、随着科学技术等的发展，太阳能电池从最初的理论上最清洁的取之不尽用之不竭的能源，一步步变成如今能稳定大规模生产供能的能源，太阳能电池的产量也在年年攀升。且随着光伏行业的发展，提升太阳能电池的转换效率也成为光伏企业追求的目标。为了实现太阳能电池的高效率，人们设计多种电池结构，其中，钝化接触技术(tunnel oxidepassivated contact，topcon)是在电池的背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，以形成钝化接触结构，具有高效率、长寿命、无lid和弱光响应好等优点。另外，在现有的太阳能电池中，双面太阳能电池由于能利用双面吸收光线，大大提升了单位面积的电池的光电转换效率，因而越来越受到各界的关注。
2、现有技术中，由于太阳能电池在生产制造中需要对硅片进行切割，其边缘区域会产生损伤，在实际使用过程中损伤区域会产生复合现象，影响电池的性能。
技术实现思路
1、本申请的内容部分用于以简要的形式介绍构思，这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。本申请的内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
2、本申请的一些实施例提出了一种太阳能电池片装置，来解决以上背景技术部分提到的技术问题。
3、作为本申请的第一方面，本申请的一些实施例提供了一种太阳能电池片装置，包括内芯件，用于提供载流子移动的载体；钝化层，用于减少所述太阳能电池片的复合；其中，所述内芯件包含：硅片、隧穿氧化层和掺杂导电层，所述硅片的一侧设有隧穿氧化层和掺杂导电层；所述内芯件的第一面以及至少三个垂直于第一面的侧面均包裹有钝化层的第一部分，所述钝化层还包含至少一个槽口穿过的第二部分，所述第二部分至少部分包裹于所述内芯件相对于第一面的第二面。
4、进一步的，所述内芯件垂直于所述第一面的侧面均包裹有钝化层的第一部分。
5、进一步的，位于所述第二面的钝化层从靠近所述侧面的区域至远离所述侧面的区域其厚度逐渐减小。
6、进一步的，位于所述第一面的钝化层靠近所述侧面的区域的厚度大于其远离所述侧面区域的厚度。
7、进一步的，所述钝化层为三氧化二铝。
8、进一步的，所述太阳能电池片还设有氮化硅层，所述氮化硅层设置于所述内芯件第一面和第二面的钝化层外围。
9、进一步的，所述氮化硅远离内芯件的所述第一面的一侧上靠近侧面的区域设有所述钝化层。
10、进一步的，所述氮化硅远离内芯件的所述第二面的一侧上靠近侧面的区域设有所述钝化层。
11、进一步的，所述内芯件的第一面设有被构造成具有金字塔形的绒面结构。
12、进一步的，所述掺杂导电层为多晶硅层。
13、进一步的，所述掺杂导电层为复数多晶硅层的叠层结构。
14、进一步的，所述侧面的钝化层的厚度范围是2至6纳米。
15、进一步的，位于所述第一面的钝化层较厚区域的钝化层的厚度范围是3.5至11纳米。
16、进一步的，位于所述第一面的钝化层较薄区域的钝化层的厚度范围是3.5至6纳米。
17、进一步的，位于所述第二面的钝化层的较厚区域的钝化层的厚度范围是2至11纳米。
18、进一步的，位于所述第二面的钝化层的较薄区域的钝化层的厚度小于3纳米。
19、进一步的，还包括正面电极和背面电极，所述正面电极和背面电极分别设置于所述硅片的两侧。
20、进一步的，所述背面电极为银电极；和\或，所述正面电极为银电极或铝电极。
21、进一步的，还包括两个金属电极，两个所述金属电极设置于所述硅片的背面。
22、本申请的有益效果在于：通过在硅片的正面、侧面以及背面的部分区域设置厚度不同的钝化层，有效减少了太阳能电池片的复合现象的发生，同时将背面的钝化层从靠近侧面的区域至远离侧面的区域其厚度逐渐减小，有效的避免了太阳能电池片外观不良的发生。
1.一种太阳能电池片装置，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述内芯件垂直于所述第一面的侧面均包裹有钝化层的第一部分。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池片装置，其特征在于，位于所述第二面的钝化层从靠近所述侧面的区域至远离所述侧面的区域其厚度逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池片装置，其特征在于，位于所述第一面的钝化层靠近所述侧面的区域的厚度大于其远离所述侧面区域的厚度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述钝化层为三氧化二铝。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述太阳能电池片还设有氮化硅层，所述氮化硅层设置于所述内芯件第一面和第二面的钝化层外围。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述氮化硅层远离内芯件的所述第一面的一侧上靠近侧面的区域设有所述钝化层。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述氮化硅层远离内芯件的所述第二面的一侧上靠近侧面的区域设有所述钝化层。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述内芯件的第一面设有被构造成具有金字塔形的绒面结构。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述掺杂导电层为多晶硅层。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述掺杂导电层为复数多晶硅层的叠层结构。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述侧面的钝化层的厚度范围是2至6纳米。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池片装置，其特征在于，位于所述第一面的钝化层较厚区域的钝化层的厚度范围是3.5至11纳米。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池片装置，其特征在于，位于所述第一面的钝化层较薄区域的钝化层的厚度范围是3.5至6纳米。
15.根据权利要求12所述的太阳能电池片装置，其特征在于，位于所述第二面的钝化层的较厚区域的钝化层的厚度范围是2至11纳米。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池片装置，其特征在于，位于所述第二面的钝化层的较薄区域的钝化层的厚度小于3纳米。
17.根据权利要求1所述的太阳能电池片装置，其特征在于，还包括正面电极和背面电极，所述正面电极和背面电极分别设置于所述硅片的两侧。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池片装置，其特征在于，所述背面电极为银电极；和\或，所述正面电极为银电极或铝电极。
19.根据权利要求1所述的太阳能电池片装置，其特征在于，还包括两个金属电极，两个所述金属电极设置于所述硅片的背面。
