本发明涉及半导体装置。
背景技术：
1、提案有一种多个引线与半导体元件以所谓的倒装芯片的形态接合的半导体装置。这样的半导体装置例如公开在专利文献1中。该半导体装置包括多个引线、半导体元件、接合层和密封树脂。半导体元件使多个第一电极与引线相对地搭载于引线。各第一电极包括与半导体层导通的基部、和从基部向引线突出的圆柱状的柱状部。柱状部经由接合层与引线接合。多个引线相互隔开规定以上的间隔地配置。在半导体元件中，与某一引线接合的第一电极和与另一引线接合的第一电极根据引线间的距离而分离地形成。当第一电极间的距离变长时，形成于半导体层内部的电流路径变长，因此电流路径中的电阻变大。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-77694号公报。
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、本发明的一个目的在于提供一种与现有技术相比实施了改良的半导体装置。特别是本发明鉴于上述情况，其一个目的在于提供一种能够抑制电流路径中的电阻的半导体装置。
3、用于解决问题的技术手段
4、由本发明的一个方面提供的半导体装置包括：半导体元件，其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的元件主面和元件背面、形成于所述元件主面的电极层、以及与所述电极层相接且在所述厚度方向上突出的电极端子；第一引线，其与所述半导体元件导通，并且具有在所述厚度方向上彼此朝向相反侧的第一主面和第一背面；和覆盖所述半导体元件的密封树脂。所述第一引线具有位于比所述第一主面靠所述第一背面侧的第一主体部。所述电极端子包括与所述第一引线相对的接合面。所述接合面包括在所述厚度方向上观察时不与所述第一主体部重叠的悬挑部。
5、发明效果
6、根据上述结构，能够提供能抑制电流路径中的电阻的半导体装置。
7、通过以下参照附图进行的详细说明，本发明的其他特征和优点将变得更加明确。
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于：
7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
8.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
9.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：
13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其特征在于：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于：
15.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其特征在于：
