本公开涉及光掩模的制作方法、数据制作方法和电子器件的制造方法。
背景技术：
1、近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的arf准分子激光装置。
2、krf准分子激光装置和arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，为350～400pm。因此，在利用使krf和arf激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时会产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowing module：lnm)。将使谱线宽度窄带化的气体激光装置称为窄带化激光装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开第2021/110343号
技术实现思路
1、在本公开的1个观点中，被用于使用包含多个中心波长的脉冲激光进行的光刻的光掩模的制作方法包含以下步骤：利用脉冲激光经由测试掩模在第1方向上扫描测试晶片，对测试晶片进行构图；对构图后的测试晶片的晶片图案进行计测，取得计测晶片图案，该计测晶片图案表示在测试晶片的面上在与第1方向交叉的第2方向上排列的多个分割区域中的每一个分割区域中的计测结果；根据形成于测试掩模的测试掩模图案、计测晶片图案和感光基板的作为目标的晶片图案即目标图案，制作用于制作光掩模的校正掩模图案；以及根据校正掩模图案制作光掩模。
2、本公开的1个观点是一种数据制作方法，它是校正掩模图案的数据制作方法，该校正掩模图案用于制作光掩模，该光掩模被用于使用包含多个中心波长的脉冲激光进行的光刻，其中，数据制作方法包含以下步骤：利用脉冲激光经由测试掩模在第1方向上扫描测试晶片，对测试晶片进行构图；对构图后的测试晶片的晶片图案进行计测，取得计测晶片图案，该计测晶片图案表示在测试晶片的面上在与第1方向交叉的第2方向上排列的多个分割区域中的每一个分割区域中的计测结果；以及根据形成于测试掩模的测试掩模图案、计测晶片图案和感光基板的作为目标的晶片图案即目标图案，制作校正掩模图案。
3、在本公开的1个观点中，电子器件的制造方法包含以下步骤：利用包含多个中心波长的脉冲激光经由测试掩模在第1方向上扫描测试晶片，对测试晶片进行构图；对构图后的测试晶片的晶片图案进行计测，取得计测晶片图案，该计测晶片图案表示在测试晶片的面上在与第1方向交叉的第2方向上排列的多个分割区域中的每一个分割区域中的计测结果；根据形成于测试掩模的测试掩模图案、计测晶片图案和感光基板的作为目标的晶片图案即目标图案，制作用于制作光掩模的校正掩模图案，该光掩模被用于使用脉冲激光进行的光刻；根据校正掩模图案制作光掩模；以及经由光掩模在感光基板上曝光脉冲激光，以制造电子器件。
1.一种光掩模的制作方法，该光掩模被用于使用包含多个中心波长的脉冲激光进行的光刻，其中，所述光掩模的制作方法包含以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其中，
3.根据权利要求2所述的制作方法，其中，
4.根据权利要求2所述的制作方法，其中，
5.根据权利要求2所述的制作方法，其中，
6.根据权利要求5所述的制作方法，其中，
7.根据权利要求2所述的制作方法，其中，
8.根据权利要求2所述的制作方法，其中，
9.根据权利要求8所述的制作方法，其中，
10.根据权利要求1所述的制作方法，其中，
11.根据权利要求10所述的制作方法，其中，
12.根据权利要求10所述的制作方法，其中，
13.根据权利要求10所述的制作方法，其中，
14.根据权利要求10所述的制作方法，其中，
15.根据权利要求1所述的制作方法，其中，
16.根据权利要求15所述的制作方法，其中，
17.根据权利要求1所述的制作方法，其中，
18.根据权利要求17所述的制作方法，其中，
19.一种数据制作方法，它是校正掩模图案的数据制作方法，该校正掩模图案用于制作光掩模，该光掩模被用于使用包含多个中心波长的脉冲激光进行的光刻，其中，所述数据制作方法包含以下步骤：
20.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：
