本发明涉及硫酯衍生物及其制造方法、酮衍生物及其制造方法、c-芳基-羟基糖苷衍生物的制造方法、以及c-芳基糖苷衍生物的制造方法。
背景技术：
1、sglt2抑制剂作为抗糖尿病药是有用的。需要说明的是，“sg lt2”是指钠-葡萄糖共转运载体-2。作为sglt2抑制剂，例如已知有卡格列净(1-(β-d-吡喃葡萄糖基)-4-甲基-3-[5-(4-氟苯基)-2-噻吩基甲基]苯)、恩格列净((1s)-1,5-脱水-1-c-{4-氯-3-[(4-{[(3s)-氧杂环戊烷-3-基]氧基}苯基)甲基]苯基}-d-葡萄糖醇)、依格列净((1s)-1,5-脱水-1-c-{3-[(1-苯并噻吩-2-基)甲基]-4-氟苯基}-d-葡萄糖醇-(2s)-吡咯烷-2-甲酸)、达格列净((2s,3r,4r,5s,6r)-2-[4-氯-3-(4-乙基氧基苄基)苯基]-6-(羟基甲基)四氢-2h-吡喃-3,4,5-硫醇)等。
2、作为sglt2抑制剂的制造方法，提出了将1-(β-d-吡喃葡萄糖基)-4-甲基-3-[5-(4-氟苯基)-2-噻吩基甲基]苯前体的保护基脱保护而合成卡格列净的方案(参见专利文献1)。1-(β-d-吡喃葡萄糖基)-4-甲基-3-[5-(4-氟苯基)-2-噻吩基甲基]苯前体也被称为c-芳基羟基糖苷衍生物，作为用于制造sglt-2抑制药的中间体而受到关注(专利文献1～2及非专利文献1～3)。
3、作为c-芳基羟基糖苷衍生物的制造方法，进行了各种提案，例如已知有下述方法：在-78℃的超低温下，使芳基锂作用于d-葡糖酸内酯衍生物从而使芳基进行加成反应的方法(非专利文献1及3)；在-20～-10℃的低温下，使armgbr·licl(ar表示芳基)等turbo格氏试剂作用于d-葡糖酸内酯衍生物从而使芳基进行加成反应的方法(非专利文献2)；使用由三正丁基镁锂(nbu3mgli)得到的镁酸根型络合物，在-15℃左右的温度环境下，使芳基与d-葡糖酸内酯衍生物进行加成反应的方法(专利文献2)；等等。另外，有报道称，通过在镍催化剂存在下使有机锌试剂与硫酯衍生物反应而引起偶合，可得到酮衍生物(非专利文献4及5)。
4、另外，下述式(x)所示的瑞德西韦(remdesivir)是可用作抗病毒药的化合物。瑞德西韦对于例如rs病毒、冠状病毒等单链rn a病毒显示出抗病毒活性。
5、[化学式1]
6、
7、在专利文献3中，公开了瑞德西韦及其中间体的制造方法。在专利文献3中，记载了通过在氯三甲基硅烷(tmscl)及正丁基锂的存在下，于-78℃使下述式(xi)所示的内酯、与下述式(ar”)所示的溴吡唑反应，可得到下述式(xii)所示的羟基核苷。该羟基核苷可以作为用于合成瑞德西韦的中间体来使用。需要说明的是，“bn”表示苄基。
8、[化学式2]
9、
10、现有技术文献
11、专利文献
12、专利文献1：wo2010/043682号公报
13、专利文献2：wo2015/012110号公报
14、专利文献3：wo2012/012776号公报
15、非专利文献
16、非专利文献1：j.med.chem.2008,51,1145-1149
17、非专利文献2：org.lett.2014,16,4090-4093
18、非专利文献3：j.org.chem.1989,54,610-612
19、非专利文献4：tetrahedron letters 2002,43,1039-1042
20、非专利文献5：chem.eur.j.2018,24,8774-8778
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、以前用于制造c-芳基羟基糖苷衍生物或者瑞德西韦或其中间体的方法均需要在严苛的低温条件下使用昂贵的试剂来实施，设备成本或运行成本变得极其昂贵，最终难以廉价地批量生产原药。因此，需要能够在工业上廉价且高效地制造c-芳基羟基糖苷衍生物或者瑞德西韦或其中间体的硫酯衍生物及其制造方法、酮衍生物及其制造方法、c-芳基-羟基糖苷衍生物的制造方法、以及c-芳基糖苷衍生物的制造方法。
3、本发明的一个目的在于提供新型硫酯衍生物及其制造方法、新型酮衍生物及其制造方法、c-芳基-羟基糖苷衍生物的新型制造方法、以及c-芳基糖苷衍生物的新型制造方法。
4、用于解决课题的手段
5、本发明提供以下的发明。
6、[1]下述式(i)表示的硫酯衍生物(i)。
7、[化学式3]
8、
9、[式中，
10、w1表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的环烷基、可具有取代基的杂环烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的杂芳基、可具有取代基的芳基烷基、或可具有取代基的芳基烯基，
11、r各自独立地表示可具有取代基的烷基，或者各自独立地表示可具有取代基的芳基，
12、在r各自独立地表示可具有取代基的烷基的情况下，r’表示：
13、可具有取代基的烷基甲硅烷基、
14、可具有取代基的四氢吡喃基、
15、式：-co-l1-l2[式中，l1表示可具有取代基的亚烷基或可具有取代基的卤代亚烷基，l2表示卤素原子。]表示的基团、
16、式：-c(-l3)(-l4)-o-l5[式中，l3表示氢原子或可具有取代基的烷基，l4及l5各自独立地表示可具有取代基的烷基。]表示的基团、或
17、式：-co-o-c(-l6)(-l7)(-l8)[式中，l6、l7及l8各自独立地表示可具有取代基的烷基。]表示的基团，
18、在r各自独立地表示可具有取代基的芳基的情况下，r’表示：
19、可具有取代基的烷基羰基、
20、可具有取代基的烷基甲硅烷基、
21、醛基、
22、式：-co-l1-l2[式中，l1及l2的含义与上文相同。]表示的基团、或
23、式：-co-c(-l9)(-l10)(-l11)[式中，l9、l10及l11各自独立地表示卤素原子。]表示的基团，
24、n表示1或2。]
25、[2]下述式(ii)表示的酮衍生物(ii)。
26、[化学式4]
27、
28、[式中，
29、w2表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的环烷基、可具有取代基的杂环烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的杂芳基、可具有取代基的芳基烷基、或可具有取代基的芳基烯基，
30、r各自独立地表示可具有取代基的烷基，或者各自独立地表示可具有取代基的芳基，
31、在r各自独立地表示可具有取代基的烷基的情况下，r’表示：
32、可具有取代基的烷基甲硅烷基、
33、可具有取代基的四氢吡喃基、
34、式：-co-l1-l2[式中，l1表示可具有取代基的亚烷基或可具有取代基的卤代亚烷基，l2表示卤素原子。]表示的基团、
35、式：-c(-l3)(-l4)-o-l5[式中，l3表示氢原子或可具有取代基的烷基，l4及l5各自独立地表示可具有取代基的烷基。]表示的基团、或
36、式：-co-o-c(-l6)(-l7)(-l8)[式中，l6、l7及l8各自独立地表示可具有取代基的烷基。]表示的基团，
37、在r各自独立地表示可具有取代基的芳基的情况下，r’表示：
38、可具有取代基的烷基羰基、
39、可具有取代基的烷基甲硅烷基、
40、醛基、
41、式：-co-l1-l2[式中，l1及l2的含义与上文相同。]表示的基团、或
42、式：-co-c(-l9)(-l10)(-l11)[式中，l9、l10及l11各自独立地表示卤素原子。]表示的基团，
43、n表示1或2。]
44、[3]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示可具有取代基的烷基羰基，所述方法包括下述工序：
45、在碱或路易斯酸的存在下，使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)与下述式(1)表示的羧酸酐(1)接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
46、[化学式5]
47、
48、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的芳基。]
49、[化学式6]
50、
51、[式中，r”各自独立地表示可具有取代基的烷基。]
52、[4]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示可具有取代基的烷基甲硅烷基，所述方法包括下述工序：
53、在碱的存在下，使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)与下述式(2)表示的甲硅烷基化试剂(2)接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
54、[化学式7]
55、
56、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的芳基。]
57、[化学式8]
58、
59、[式中，
60、r1、r2及r3各自独立地表示可具有取代基的烷基或可具有取代基的芳基，但r1、r2及r3中的1个以上表示可具有取代基的烷基，
61、x表示卤素原子或三氟甲磺酰基。]
62、[5]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示醛基，所述方法包括下述工序：
63、在碱及缩合剂的存在下，使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)与甲酸接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
64、[化学式9]
65、
66、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的芳基。]
67、[6]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示式：-co-l1-l2表示的基团，所述方法包括下述工序：
68、在碱的存在下，使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)、与式：j-co-l1-l2[式中，l1及l2的含义与上文相同，j表示卤素原子。]表示的化合物接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
69、[化学式10]
70、
71、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的芳基。]
72、[7]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示式：-co-c(-l9)(-l10)(-l11)表示的基团，所述方法包括下述工序：
73、使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)、与式：c(-l9)(-l10)(-l11)-co-o-co-c(-l9)(-l10)(-l11)[式中，l9、l10及l11的含义与上文相同。]表示的化合物接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
74、[化学式11]
75、
76、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的芳基。]
77、[8]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示可具有取代基的烷基甲硅烷基，所述方法包括下述工序：
78、在碱的存在下，使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)与下述式(2)表示的甲硅烷基化试剂(2)接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
79、[化学式12]
80、
81、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的烷基。]
82、[化学式13]
83、
84、[式中，
85、r1、r2及r3各自独立地表示可具有取代基的烷基或可具有取代基的芳基，但r1、r2及r3中的1个以上表示可具有取代基的烷基，
86、x表示卤素原子或三氟甲磺酰基。]
87、[9]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示可具有取代基的四氢吡喃基，所述方法包括下述工序：
88、在酸的存在下，使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)与可具有取代基的3,4-二氢-2h-吡喃接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
89、[化学式14]
90、
91、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的烷基。]
92、[10]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示式：-co-l1-l2表示的基团，所述方法包括下述工序：
93、在碱的存在下，使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)、与式：j-co-l1-l2[式中，l1及l2的含义与上文相同，j表示卤素原子。]表示的化合物接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
94、[化学式15]
95、
96、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的烷基。]
97、[11]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示式：-c(-l3)(-l4)-o-l5表示的基团，所述方法包括下述工序：
98、在酸的存在下，使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)、与式：l3-c(＝ch-k)-o-l5[式中，l3及l5的含义与上文相同，k表示氢原子或可具有取代基的烷基。]表示的化合物接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
99、[化学式16]
100、
101、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的烷基。]
102、[12]制造[1]所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示式：-co-o-c(-l6)(-l7)(-l8)表示的基团，所述方法包括下述工序：
103、在碱的存在下，使下述式(iii)表示的硫酯衍生物(iii)、与式：c(-l6)(-l7)(-l8)-o-co-o-co-o-c(-l6)(-l7)(-l8)[式中，l6、l7及l8的含义与上文相同。]表示的化合物接触，从而制造前述硫酯衍生物(i)。
104、[化学式17]
105、
106、[式中，w1及n的含义与[1]相同，r各自独立地表示可具有取代基的烷基。]
107、[13]如[3]～[12]中任一项所述的方法，其包括使下述式(3)表示的硫醇(3)、下述式(4)表示的格氏试剂(4)与下述式(iv)表示的酰基保护内酯衍生物(iv)接触从而制造前述硫酯衍生物(iii)的工序。
108、[化学式18]
109、w1-sh (3)
110、[式中，w1的含义与上文相同。]
111、[化学式19]
112、w3mgx (4)
113、[式中，
114、w3表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的环烷基、可具有取代基的杂环烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的杂芳基、可具有取代基的芳基烷基、或可具有取代基的芳基烯基，
115、x表示卤素原子。]
116、[化学式20]
117、
118、[式中，r及n的含义与上文相同。]
119、[14]如[13]所述的方法，其中，在前述工序中，通过前述硫醇(3)与前述格氏试剂(4)的反应而形成硫羟酸镁(magnesium thiolate)后，通过前述硫羟酸镁与前述酰基保护内酯衍生物(iv)的反应而形成前述硫酯衍生物(iii)。
120、[15]制造[2]所述的酮衍生物(ii)的方法，所述方法包括下述工序：
121、使[1]所述的硫酯衍生物(i)、选自下述式(5a)表示的格氏试剂(5a)及下述式(5b)表示的格氏试剂(5b)中的格氏试剂(5)、和铜盐接触，从而制造前述酮衍生物(ii)。
122、[化学式21]
123、w2mgx (5a)
124、[式中，w2的含义与[2]相同，x表示卤素原子。]
125、[化学式22]
126、w2mgx·licl (5b)
127、[式中，w2及x的含义与上文相同。]
128、[16]如[15]所述的方法，其中，在前述工序中，在钯催化剂的存在下，使前述硫酯衍生物(i)、前述格氏试剂(5)和前述铜盐接触。
129、[17]如[15]或[16]所述的方法，其中，在前述工序中，使前述格氏试剂(5)与前述铜盐接触从而形成有机铜试剂后，使前述有机铜试剂与前述硫酯衍生物(i)接触从而制造前述酮衍生物(ii)。
130、[18]如[15]～[17]中任一项所述的方法，其中，前述铜盐包含选自由氰化铜(i)及氯化铜(i)组成的组中的至少1种。
131、[19]如[18]所述的方法，其中，相对于前述格氏试剂(5)1摩尔而言，使用0.2～1.2摩尔的氰化铜(i)或1.3～1.5摩尔的氯化铜(i)。
132、[20]如[15]～[18]中任一项所述的方法，其中，在前述工序中，在-10℃以上100℃以下的温度范围内，使前述硫酯衍生物(i)、前述格氏试剂(5)和前述铜盐接触。
133、[21]制造下述式(v)表示的c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)的方法，所述方法包括下述工序：
134、使[2]所述的酮衍生物(ii)与第1酸及/或碱接触，使r’表示的基团从前述酮衍生物(ii)脱离后，根据需要使第2酸进一步接触，从而制造前述c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)。
135、[化学式23]
136、
137、[式中，
138、r各自独立地表示可具有取代基的烷基，或者各自独立地表示可具有取代基的芳基，
139、w2表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的环烷基、可具有取代基的杂环烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的杂芳基、可具有取代基的芳基烷基、或可具有取代基的芳基烯基，
140、r100表示氢原子、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷基羰基、或可具有取代基的芳基羰基，
141、n表示1或2。]
142、[22]制造下述式(ii’)表示的酮衍生物(ii’)及/或下述式(v’)表示的c-芳基-羟基糖苷衍生物(v’)的方法，所述方法包括下述工序：
143、在钯催化剂的存在下，使[1]所述的硫酯衍生物(i)与选自下述式(6a)表示的有机锌化合物(6a)、下述式(6b)表示的有机锌化合物(6b)及下述式(6c)表示的有机锌化合物(6c)中的有机锌化合物(6)接触，从而制造前述酮衍生物(ii’)及/或前述c-芳基-羟基糖苷衍生物(v’)。
144、[化学式24]
145、
146、[式中，
147、w2表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的环烷基、可具有取代基的杂环烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的杂芳基、可具有取代基的芳基烷基、或可具有取代基的芳基烯基，
148、r各自独立地表示可具有取代基的烷基，或者各自独立地表示可具有取代基的芳基，
149、n表示1或2。]
150、[化学式25]
151、
152、[式中，r、w2及n的含义与前述式(ii’)相同。]
153、[化学式26]
154、w2znx (6a)
155、[式中，w2的含义与上文相同，x表示卤素原子。]
156、[化学式27]
157、(w2)2zn (6b)
158、[式中，w2的含义与上文相同。]
159、[化学式28]
160、w2znx·licl (6c)
161、[式中，w2及x的含义与上文相同。]
162、[23]制造下述式(v’)表示的c-芳基-羟基糖苷衍生物(v’)的方法，所述方法包括下述工序：
163、使下述式(ii’)表示的酮衍生物(ii’)与碱接触，从而制造前述c-芳基-羟基糖苷衍生物(v’)。
164、[化学式29]
165、
166、[式中，
167、w2表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的环烷基、可具有取代基的杂环烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的杂芳基、可具有取代基的芳基烷基、或可具有取代基的芳基烯基，
168、r各自独立地表示可具有取代基的烷基，或者各自独立地表示可具有取代基的芳基，
169、n表示1或2。]
170、[化学式30]
171、
172、[式中，r、w2及n的含义与前述式(v’)相同。]
173、[24]制造下述式(vi)表示的c-芳基糖苷衍生物(vi)的方法，所述方法包括下述工序：
174、利用[21]所述的方法制造c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)后，或者，利用[22]或[23]所述的方法制造c-芳基-羟基糖苷衍生物(v’)后，使所得到的c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)或c-芳基-羟基糖苷衍生物(v’)、与硅烷化合物接触，从而制造前述c-芳基糖苷衍生物(vi)。
175、[化学式31]
176、
177、[式中，
178、w2表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的环烷基、可具有取代基的杂环烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的杂芳基、可具有取代基的芳基烷基、或可具有取代基的芳基烯基，
179、n表示1或2。]
180、发明效果
181、根据本发明，可提供新型硫酯衍生物及其制造方法、新型酮衍生物及其制造方法、c-芳基-羟基糖苷衍生物的新型制造方法、以及c-芳基糖苷衍生物的新型制造方法。根据本发明，能实现廉价且高效的硫酯衍生物、酮衍生物、c-芳基-羟基糖苷衍生物及c-芳基糖苷衍生物的工业制造，能大幅地抑制原料成本、设备成本、运行成本等。
1.下述式(i)表示的硫酯衍生物(i)，
2.下述式(ii)表示的酮衍生物(ii)，
3.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示可具有取代基的烷基羰基，所述方法包括下述工序：
4.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示可具有取代基的烷基甲硅烷基，所述方法包括下述工序：
5.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示醛基，所述方法包括下述工序：
6.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示式：-co-l1-l2表示的基团，所述方法包括下述工序：
7.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的芳基，r’表示式：-co-c(-l9)(-l10)(-l11)表示的基团，所述方法包括下述工序：
8.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示可具有取代基的烷基甲硅烷基，所述方法包括下述工序：
9.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示可具有取代基的四氢吡喃基，所述方法包括下述工序：
10.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示式：-co-l1-l2表示的基团，所述方法包括下述工序：
11.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示式：-c(-l3)(-l4)-o-l5表示的基团，所述方法包括下述工序：
12.制造权利要求1所述的硫酯衍生物(i)的方法，所述硫酯衍生物(i)中，r各自独立地表示可具有取代基的烷基，r’表示式：-co-o-c(-l6)(-l7)(-l8)表示的基团，所述方法包括下述工序：
13.如权利要求3～12中任一项所述的方法，其包括使下述式(3)表示的硫醇(3)、下述式(4)表示的格氏试剂(4)与下述式(iv)表示的酰基保护内酯衍生物(iv)接触从而制造所述硫酯衍生物(iii)的工序，
14.如权利要求13所述的方法，其中，在所述工序中，通过所述硫醇(3)与所述格氏试剂(4)的反应而形成硫羟酸镁后，通过所述硫羟酸镁与所述酰基保护内酯衍生物(iv)的反应而形成所述硫酯衍生物(iii)。
15.制造权利要求2所述的酮衍生物(ii)的方法，所述方法包括下述工序：
16.如权利要求15所述的方法，其中，在所述工序中，在钯催化剂的存在下，使所述硫酯衍生物(i)、所述格氏试剂(5)和所述铜盐接触。
17.如权利要求15或16所述的方法，其中，在所述工序中，使所述格氏试剂(5)与所述铜盐接触从而形成有机铜试剂后，使所述有机铜试剂与所述硫酯衍生物(i)接触从而制造所述酮衍生物(ii)。
18.如权利要求15或16所述的方法，其中，所述铜盐包含选自由氰化铜(i)及氯化铜(i)组成的组中的至少1种。
19.如权利要求18所述的方法，其中，相对于所述格氏试剂(5)1摩尔而言，使用0.2～1.2摩尔的氰化铜(i)或1.3～1.5摩尔的氯化铜(i)。
20.如权利要求15或16所述的方法，其中，在所述工序中，在-10℃以上100℃以下的温度范围内，使所述硫酯衍生物(i)、所述格氏试剂(5)和所述铜盐接触。
21.制造下述式(v)表示的c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)的方法，所述方法包括下述工序：
22.制造下述式(ii’)表示的酮衍生物(ii’)及/或下述式(v’)表示的c-芳基-羟基糖苷衍生物(v’)的方法，所述方法包括下述工序：
23.制造下述式(v’)表示的c-芳基-羟基糖苷衍生物(v’)的方法，所述方法包括下述工序：
24.制造下述式(vi)表示的c-芳基糖苷衍生物(vi)的方法，所述方法包括下述工序：
