本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及包括半导体器件的半导体结构的实施例以及形成该半导体结构的方法的实施例。
背景技术：
1、现代集成电路(ic)设计中考虑的因素包括但不限于性能改善、尺寸缩放和功耗。然而，在这些因素之间通常存在一种折衷。例如，横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(ldmosfet)广泛用于放大器，例如射频(rf)放大器、微波功率放大器等，因为它们具有低接通电阻，并且因为，它们一般具有相对高的阻挡电压(blocking voltage)(在本领域中也称为漏极到源极击穿电压(bvdss))。然而，随着器件尺寸缩放并且在较高电压下操作，ldmosfet可能表现出性能劣化，包括但不限于减小的bvdss和减小的跨导(gm)。bvdss是指导致晶体管进入击穿区域的特定漏极到源极电压(vds)，其中，在击穿区域处，vds太高，漏极电流(id)迅速上升(即，显著增加)。gm是指例如器件的i/v曲线中某一时间段上id的变化与栅极电压(vg)的变化的比率(即，id2-id1/vg2-vg1)。
技术实现思路
1、本文公开了一种结构的实施例。所述结构可以包括半导体层和器件。所述器件可以包括：至少第一阱区，其位于所述半导体层中；多孔区，其位于所述第一阱区中；以及隔离结构，其位于所述第一阱区中。在该结构中，所述多孔区具体地可以紧邻所述隔离结构的至少一侧定位。
2、本文公开的结构的一些实施例可以包括半导体层和器件。所述器件可以包括：第一阱区，其位于所述半导体层中；多孔区，其位于所述第一阱区中；以及隔离结构，其位于所述第一阱区中。同样，所述多孔区可以紧邻所述隔离结构的至少一侧定位。所述器件还可以包括：漏极区，其紧邻所述第一阱区。所述器件还可以包括：第二阱区，其位于所述半导体层中并邻近所述第一阱区横向定位。所述多孔区和所述隔离结构具体地可以位于所述第二阱区和所述漏极区之间的所述第一阱区内。所述器件还可以包括：源极区，其紧邻所述第二阱区。所述器件还可以包括：栅极，其位于所述漏极区和所述源极区之间的所述半导体层上。所述栅极具体地可以与所述漏极区相隔第一距离，以及与所述源极区相隔小于所述第一距离的第二距离。所述器件还可以包括：漏极漂移区，其位于所述第一阱区中并与所述隔离结构接界，使其位于所述漏极区和所述栅极之间。
3、本文还公开了用于形成上述结构的方法。所述方法可以包括提供半导体层。所述方法还可以包括形成器件，所述器件包括位于所述半导体层中的第一阱区和位于所述第一阱区中的多孔区和隔离结构。所述多孔区和所述隔离结构具体地可以形成在所述第一阱区中，使得所述多孔区紧邻所述隔离结构的至少一侧定位。
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述多孔区为以下中任一种：
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一阱区在所述半导体层中比所述多孔区延伸得更深。
4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述器件还包括：
5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述器件还包括：第二阱区，其位于所述半导体层中并紧邻所述第一阱区定位，并且其中，所述栅极还位于所述半导体层上并邻近所述第二阱区。
6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述第二阱区邻接所述第一阱区，并且其中，所述栅极横越所述第一阱区和所述第二阱区之间的结。
7.根据权利要求5所述的结构，其中，所述第二阱区通过所述半导体层的附加区域与所述第一阱区物理地分离，并且其中，所述栅极横越所述附加区域。
8.根据权利要求5所述的结构，其中，所述器件还包括：源极区，其紧邻所述第二阱区，其中，所述栅极位于所述漏极区和所述源极区之间，并且其中，所述栅极与所述漏极区相隔第一距离，以及与所述源极区相隔小于所述第一距离的第二距离。
9.根据权利要求8所述的结构，
10.根据权利要求1所述的结构，其中，所述半导体层包括硅层，并且，所述多孔区是多孔硅区。
11.一种结构，包括：
12.一种方法，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述器件的形成包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一阱区和所述多孔区形成为使得所述第一阱区在所述半导体层中比所述多孔区延伸得更深。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述多孔区的形成包括执行电化学蚀刻工艺。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述器件的形成还包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一阱区和所述第二阱区形成为使得所述第二阱区邻接所述第一阱区，并且其中，所述栅极形成为横越所述第一阱区和第二阱区之间的结。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一阱区和所述第二阱区形成为使得所述第二阱区通过所述半导体层的附加区域与所述第一阱区物理地分离，并且其中，所述栅极形成为横越所述附加区域。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述器件的形成还包括形成漏极区和源极区，使得所述漏极区紧邻所述第一阱区，所述源极区紧邻所述第二阱区，并且使得所述栅极位于所述漏极区和所述源极区之间、与所述漏极区相隔第一距离，以及与所述源极区相隔小于所述第一距离的第二距离。
20.根据权利要求12所述的方法，其中，所述半导体层包括硅层，并且，所述多孔区是多孔硅区。
