显示装置的像素和显示装置的制作方法

专利2026-07-01  5


实施例涉及一种显示装置的像素和显示装置。


背景技术:

1、显示装置的像素可以包括存储电容器、响应于扫描信号(或写入信号)将数据电压传输到存储电容器的扫描晶体管、基于存储在存储电容器中的数据电压产生驱动电流的驱动晶体管以及基于由驱动晶体管产生的驱动电流来发射光的发光元件。

2、然而,在扫描信号从导通电平变为截止电平的扫描信号的边沿(例如,下降沿),通过传输扫描信号的线和驱动晶体管的栅极(例如,栅极节点)之间的寄生电容器,可能发生其中驱动晶体管的栅极(例如,栅极节点)的电压被反冲电压改变(例如,减小)的反冲现象。此外,通过这种反冲现象,可能出现显示面板的中心部分和外围部分之间的亮度偏差。

3、将理解的是,该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而,该背景技术部分也可以包括不作为在本文中所公开的主题的相应的有效申请日期之前由相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的观点、构思或认识。


技术实现思路

1、实施例提供了一种显示装置的具有改善的图像质量的像素。

2、实施例提供了一种具有改善的图像质量的显示装置。

3、本公开要实现的技术目标不限于在本文中所描述的技术目标,并且本领域技术人员将从本公开的描述中清楚地理解在本文中未提及的其他技术目标。

4、根据实施例,一种显示装置的像素可以包括:第一晶体管,包括电连接到第一节点的栅极、第一端子和电连接到第二节点的第二端子;第一存储电容器,电连接在所述第一节点和所述第二节点之间;第二存储电容器,电连接在所述第一节点和所述第二节点之间;保持电容器,电连接在传输第一电源电压的线和所述第二节点之间;第二晶体管,包括电连接到所述第一节点的栅极、第一端子和电连接到所述第一节点的第二端子;第三晶体管,包括接收写入信号的栅极、电连接到数据线的第一端子和电连接到所述第一节点的第二端子;第四晶体管,包括接收复位信号的栅极、电连接到传输参考电压的线的第一端子和电连接到所述第一节点的第二端子;第五晶体管,包括接收初始化信号的栅极、电连接到所述第二节点的第一端子和电连接到传输初始化电压的线的第二端子;第六晶体管,包括接收发射信号的栅极、电连接到传输所述第一电源电压的所述线的第一端子以及电连接到所述第一晶体管的所述第一端子的第二端子;和发光元件,包括电连接到所述第二节点的阳极和电连接到传输第二电源电压的线的阴极。

5、在实施例中,所述第一存储电容器可以包括电连接到所述第一节点的第一电极和电连接到所述第二节点的第二电极。所述第二存储电容器可以包括电连接到所述第一节点的第三电极和电连接到所述第二节点的第四电极。所述第三电极可以不同于所述第一电极,并且所述第四电极可以不同于所述第二电极。

6、在实施例中,所述第一晶体管还可以包括电连接到所述第二节点的底栅极。

7、在实施例中,所述像素还可以包括:第七晶体管,包括接收所述写入信号的栅极、电连接到所述第一节点的第一端子以及电连接到所述第二晶体管的所述第一端子的第二端子。

8、在实施例中,所述像素还可以包括:第八晶体管,包括接收所述发射信号的栅极、电连接到传输所述第一电源电压的所述线的第一端子以及电连接到所述第二晶体管的所述第一端子的第二端子。

9、在实施例中,所述第二晶体管的所述第一端子可以电连接到所述第六晶体管的所述第二端子。

10、在实施例中,所述第二晶体管还可以包括电连接到所述第二节点的底栅极。

11、在实施例中,所述第一晶体管至所述第六晶体管可以是n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管。

12、在实施例中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管可以是氧化物晶体管。

13、在实施例中,用于所述显示装置的帧周期可以包括:第一周期,在所述第一周期中,所述复位信号和所述初始化信号具有导通电平并且所述发射信号和所述写入信号具有截止电平;第二周期,在所述第二周期中,所述发射信号和所述复位信号具有所述导通电平并且所述初始化信号和所述写入信号具有所述截止电平;第三周期,在所述第三周期中,所述写入信号具有所述导通电平并且所述发射信号、所述复位信号和所述初始化信号具有所述截止电平;以及第四周期,在所述第四周期中,所述发射信号具有所述导通电平并且所述复位信号、所述初始化信号和所述写入信号具有所述截止电平。

14、根据实施例,一种显示装置可以包括:显示面板,包括多个像素;数据驱动器,将数据电压提供到所述多个像素中的每一者;扫描驱动器,将写入信号、复位信号和初始化信号提供到所述多个像素中的每一者;发射驱动器,将发射信号提供到所述多个像素中的每一者;和控制器,控制所述数据驱动器、所述扫描驱动器和所述发射驱动器。所述多个像素中的每一者可以包括:第一晶体管,包括电连接到第一节点的栅极、第一端子和电连接到第二节点的第二端子;第一存储电容器,电连接在所述第一节点和所述第二节点之间;第二存储电容器,电连接在所述第一节点和所述第二节点之间;保持电容器,电连接在传输第一电源电压的线和所述第二节点之间;第二晶体管,包括电连接到所述第一节点的栅极、第一端子和电连接到所述第一节点的第二端子;第三晶体管,包括接收所述写入信号的栅极、电连接到数据线的第一端子和电连接到所述第一节点的第二端子;第四晶体管,包括接收所述复位信号的栅极、电连接到传输参考电压的线的第一端子和电连接到所述第一节点的第二端子;第五晶体管,包括接收所述初始化信号的栅极、电连接到所述第二节点的第一端子和电连接到传输初始化电压的线的第二端子;第六晶体管,包括接收所述发射信号的栅极、电连接到传输所述第一电源电压的所述线的第一端子以及电连接到所述第一晶体管的所述第一端子的第二端子;和发光元件,包括电连接到所述第二节点的阳极和电连接到传输第二电源电压的线的阴极。

15、在实施例中,所述第一存储电容器可以包括电连接到所述第一节点的第一电极和电连接到所述第二节点的第二电极。所述第二存储电容器可以包括电连接到所述第一节点的第三电极和电连接到所述第二节点的第四电极。所述第三电极可以不同于所述第一电极,并且所述第四电极可以不同于所述第二电极。

16、在实施例中,所述第一晶体管还可以包括电连接到所述第二节点的底栅极。

17、在实施例中,所述多个像素中的每一者还可以包括:第七晶体管,包括接收所述写入信号的栅极、电连接到所述第一节点的第一端子、以及电连接到所述第二晶体管的所述第一端子的第二端子。

18、在实施例中,所述多个像素中的每一个还可以包括:第八晶体管,包括接收所述发射信号的栅极、电连接到传输所述第一电源电压的所述线的第一端子、和电连接到所述第二晶体管的所述第一端子的第二端子。

19、在实施例中,所述第二晶体管的所述第一端子可以电连接到所述第六晶体管的所述第二端子。

20、在实施例中,所述第二晶体管还可以包括电连接到所述第二节点的底栅极。

21、在实施例中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管可以是n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管。

22、在实施例中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管可以是氧化物晶体管。

23、在实施例中,用于所述显示装置的帧周期可以包括:第一周期,在所述第一周期中,所述复位信号和所述初始化信号具有导通电平并且所述发射信号和所述写入信号具有截止电平;第二周期,在所述第二周期中,所述发射信号和所述复位信号具有所述导通电平并且所述初始化信号和所述写入信号具有所述截止电平;第三周期,在所述第三周期中,所述写入信号具有所述导通电平并且所述发射信号、所述复位信号和所述初始化信号具有所述截止电平;以及第四周期,在所述第四周期中,所述发射信号具有所述导通电平并且所述复位信号、所述初始化信号和所述写入信号具有所述截止电平。

24、如上所述,根据实施例的显示装置的像素可以包括并联耦接(或连接)在第一节点(例如,栅极节点)和第二节点(例如,源极节点)之间的第一存储电容器和第二存储电容器,以及具有耦接(或连接)到第一节点的栅极的第二晶体管。在根据实施例的像素和显示装置中,可以减少反冲现象,并且可以减少由阈值电压变化引起的亮度变化。


技术特征:

1.一种显示装置的像素,其中,所述像素包括:

2.根据权利要求1所述的像素,其中,

3.根据权利要求1所述的像素,其中,所述第一晶体管还包括电连接到所述第二节点的底栅极。

4.根据权利要求1所述的像素,其中,所述像素还包括:

5.根据权利要求1所述的像素,其中,所述像素还包括:

6.根据权利要求1所述的像素,其中,所述第二晶体管的所述第一端子电连接到所述第六晶体管的所述第二端子。

7.根据权利要求1所述的像素,其中,所述第二晶体管还包括电连接到所述第二节点的底栅极。

8.根据权利要求1所述的像素,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管是n型金属氧化物半导体晶体管。

9.根据权利要求1所述的像素,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管是氧化物晶体管。

10.根据权利要求1所述的像素,其中,用于所述显示装置的帧周期包括:

11.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:

12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,

13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一晶体管还包括电连接到所述第二节点的底栅极。

14.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述多个像素中的每一者还包括:

15.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述多个像素中的每一者还包括:

16.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二晶体管的所述第一端子电连接到所述第六晶体管的所述第二端子。

17.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二晶体管还包括电连接到所述第二节点的底栅极。

18.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管是n型金属氧化物半导体晶体管。

19.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管是氧化物晶体管。

20.根据权利要求11所述的显示装置,其中,用于所述显示装置的帧周期包括:


技术总结
本公开涉及显示装置的像素和显示装置。显示装置的像素包括:第一晶体管,包括电连接到第一节点的栅极、第一端子和连接到第二节点的第二端子;第一存储电容器,电连接在所述第一节点和所述第二节点之间;第二存储电容器,电连接在所述第一节点和所述第二节点之间;第二晶体管,包括电连接到所述第一节点的栅极、第一端子和电连接到所述第一节点的第二端子;第三晶体管;第四晶体管;第五晶体管;第六晶体管,包括接收发射信号的栅极、电连接到传输第一电源电压的线的第一端子以及电连接到所述第一晶体管的所述第一端子的第二端子;和发光元件,包括电连接到所述第二节点的阳极和电连接到传输第二电源电压的线的阴极。

技术研发人员:李相明,姜尚贤,朴修玭,尹柱善,李民圣,陈圣铉,许浚
受保护的技术使用者:三星显示有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/7/25
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