本文中公开的实施例总体上涉及用于在半导体基板制造工艺中调谐等离子体的设备和方法，更具体地，涉及用于调谐在半导体基板的边缘附近的等离子体的设备和方法。
背景技术：
1、相关技术描述
2、在集成电路和其他电子器件的制造中，等离子体工艺通常用于沉积或蚀刻各种材料层。等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺是其中将电磁能施加到至少一种前驱物气体或前驱物蒸气以将前驱物转化为反应性等离子体的化学工艺。等离子体可在处理腔室内(即，原位)产生，或者在远离处理腔室设置的远程等离子体发生器中产生。所述工艺广泛地用于在基板上沉积材料以生产高品质且高性能的半导体器件。
3、在当前的半导体制造工业中，随着特征大小持续减小，晶体管结构已经变得越来越复杂和越来越有挑战性。为了满足处理需求，先进加工控制技术对于控制成本并最大化基板和晶粒良率是有用的。通常，在基板边缘处的晶粒遭受良率问题，诸如经由失准造成的接触，以及对硬掩模的差敏感性。在基板加工层面上，需要在工艺均匀性控制上的进步以允许精细、局部的工艺调谐以及跨整个基板的全局加工调谐。
4、因此，需要允许在基板边缘处进行精细、局部的工艺调谐的方法和设备。
技术实现思路
1、本文中公开的实施例总体上涉及用于在基板边缘附近的等离子体调谐的设备和方法。在一个实现方式中，公开了一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。所述方法包括：将第一射频功率提供到嵌入在基板支撑组件中的中心电极；将第二射频功率提供到嵌入在所述基板支撑组件中与所述中心电极不同的位置处的环形电极，其中所述环形电极与所述中心电极间隔开，并且所述环形电极周向地环绕所述中心电极；监测所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数；以及基于所监测的参数来调整所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者或两者。
2、在另一个实施例中，公开了一种半导体处理腔室。所述半导体处理腔室包括：基座，所述基座设置在所述腔室中，所述基座具有第一电极和周向地环绕所述第一电极的第二电极；高频电源和低频电源，所述高频电源和所述低频电源耦接到所述第一电极和所述第二电极两者；功率分配器，所述功率分配器设置在所述高频电源和所述低频电源与所述第一电极和所述第二电极之间；以及电极调谐电路，所述电极调谐电路耦接到所述第一电极和所述第二电极两者。
1.一种基板支撑组件，用于在半导体处理腔室中定位，所述基板支撑组件包括：
2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第二电极周向地环绕所述第一电极。
3.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第二电极具有比所述第一电极的表面面积更大的表面面积。
4.如权利要求1所述的基板支撑组件，进一步包括一个或多个电源，其中所述电路耦接在所述一个或多个电源与所述第一电极和第二电极之间。
5.如权利要求4所述的基板支撑组件，其中所述一个或多个电源能操作以将功率信号输入到所述电路，并且所述功率信号是处于固定频率的射频(rf)功率。
6.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述传感器在所述引线与所述第二引线之间。
7.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述传感器与所述电容器并联地设置。
8.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述电容器是固定电容器，并且所述电路进一步包括所述电容器与接地之间的可变电容器。
9.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述基板支撑件是基座。
10.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第二电极与所述第一电极部分地重叠。
11.一种基板支撑组件，用于在半导体处理腔室中定位，所述基板支撑组件包括：
12.如权利要求11所述的基板支撑组件，其中所述电路进一步包括：
13.如权利要求12所述的基板支撑组件，其中所述传感器与所述电容器并联地设置。
14.如权利要求11所述的基板支撑组件，其中所述第二电极具有比所述第一电极的表面面积更大的表面面积。
15.如权利要求11所述的基板支撑组件，其中所述第二电极周向地环绕所述第一电极。
16.如权利要求11所述的基板支撑组件，进一步包括一个或多个电源，其中所述电路耦接在所述一个或多个电源与所述第一电极和第二电极之间，所述一个或多个电源能操作以将功率信号输入到所述电路，并且所述功率信号是处于固定频率的射频(rf)功率。
17.一种用于控制等离子体的方法，所述方法包括：
18.如权利要求17所述的方法，其中所述调整包括当所述第一电极和所述第二电极中的一者或两者是射频功率源时，调整所述第一电极和所述第二电极中的一者或两者。
19.如权利要求17所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极中的一者或两者是接地电极。
20.如权利要求17所述的方法，其中所述第二电极周向地环绕所述第一电极。
