本公开的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
背景技术：
1、半导体集成电路(ic)行业生产各种各样的模拟和数字器件来解决许多不同领域的问题。半导体工艺技术节点的发展逐渐降低了组件尺寸并缩小了间距，从而逐渐增加了晶体管密度。ic变得越来越小。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一长方体单元区域，包括三维的l形区域、伪区域和驻留区域；l形区域包括具有相应可操作性的有源晶体管，有源晶体管的相应可操作性包括表示长方体单元区域的功能的l形区域的功能；驻留区域，包括具有相应可操作性的一个或多个有源晶体管，一个或多个有源晶体管的相应可操作性不包括l形区域的功能；l形区域包括：杆，包括第一部分、第二部分和第三部分，以及臂，从杆的第一部分延伸以形成第一凹口，并且伪区域和驻留区域位于第一凹口中；和臂的第一类型有源晶体管相对于杆的第一部分的一个或多个第二类型有源晶体管相应地堆叠；伪区域的一或多个伪晶体管相对于杆的第二部分的一个或多个第二类型有源晶体管相应地堆叠；以及驻留区域的一个或多个第一类型有源晶体管相对于杆的第三部分的一个或多个第二类型有源晶体管相应地堆叠。
2、本公开的另一实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一长方体单元区域和第二长方体单元区域，相应地包括三维的第一l形区域和第二l形区域、第一伪区域和第二伪区域、以及第一驻留区域和第二驻留区域；第一l形区域和第二l形区域中的每个包括具有相应可操作性的有源晶体管，有源晶体管的相应可操作性包括与第一l形区域和第二l形区域相应的功能，与第一l形区域和第二l形区域相应的功能表示与第一长方体单元区域和第二长方体单元区域相应的功能；第一驻留区域和第二驻留区域中的每个包括具有相应可操作性的一个或多个有源晶体管，一个或多个有源晶体管的相应可操作性不包括与第一长方体单元区域和第二长方体单元区域相应的l形区域的功能；第一l形区域和第二l形区域中的每个包括：杆，包括第一部分、第二部分和第三部分，以及臂，从相应杆的第一部分延伸以形成第一凹口，并且第一伪区域和第二伪区域表示与第二长方体单元区域和第一长方体单元区域相应的第三部分；对于第一长方体单元区域和第二长方体单元区域中的每个，伪区域和驻留区域位于第一凹口中；和每个臂的第一类型有源晶体管相对于相应的杆的第一部分的一个或多个第二类型有源晶体管相应地堆叠；每个伪区域的一个或多个伪晶体管相对于相应的杆的第二部分的一个或多个第二类型有源晶体管相应地堆叠；以及第一长方体单元区域和第二长方体单元区域相对于彼此互补地定向，以使得每个驻留区域的一个或多个第一类型有源晶体管相对于相应的杆的第三部分的一个或多个有源晶体管相应地堆叠。
3、本公开的又一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括形成第一长方体单元区域，形成第一长方体单元区域包括：形成晶体管组件的下组，下组的每个表示相应的第一类型的有源晶体管，下组表示包括在长方体单元区域中的l形区域的杆，和杆包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分、第二部分和第三部分相应地包括下组的一个或多个；以及在下组的相应下组上方形成晶体管组件的上组，上组的第一子集位于杆的第一部分上方并且表示l形区域的臂，臂从杆的第一部分延伸以形成第一凹口，上组的第二子集位于杆的第二部分上方并且表示包括在长方体单元区域中的伪区域，上组的第三子集位于杆的第三部分上方并且表示驻留区域，伪区域和驻留区域位于第一凹口中；臂和驻留区域的每个上组表示相应的第二类型有源晶体管，和伪区域的每个上组表示相应的伪晶体管；l形区域的下组和上组具有相应的可操作性，相应的可操作性包括表示长方体单元区域的功能的l形区域的功能；和驻留区域的上组具有不包括l形区域的功能的相应的可操作性。
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
9.一种半导体器件，包括：
10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括形成第一长方体单元区域，形成所述第一长方体单元区域包括：
