本发明涉及半导体，特别涉及一种sonos器件的制造方法及sonos器件。
背景技术：
1、sonos(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon,sonos)存储器用硅-氧化层-氮化硅-氧化层-硅栅堆层代替了传统flash存储器件中的浮栅结构，是一种电荷陷阱型存储器。以sonos平台工艺为基础，结合高压器件制造工艺，在sonos器件中嵌入高压器件，生产出hv_sonos器件，从而能够生产出具有高稳定性，宽应用领域，高可靠性的微控制器单元产品。该微控制器单元产品有望在未来车载动力传递等微控制领域得以利用。因此提升hv_sonos器件工艺稳定性对未来车载芯片的应用具有关键性的影响，实现对hv_sonos器件工艺开发可控并保持该工艺稳定性具有十分积极的作用。
2、然而，在现有技术中，上述工艺制程为达到芯片与sonos器件两种设计匹配的目的，在整段工艺中采用了3道issg工艺，极大的增加了fab工艺流程的周期，同时热处理也极大影响了晶圆的生产，造成晶圆翘曲的问题，工艺稳定性难以控制，同时多道热处理工艺更可能会影响器件的漏电性能，最终导致芯片可靠性失效等问题。
3、需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种sonos器件的制造方法及sonos器件，以解决制造sonos器件时，所存在的生产周期长，工艺步骤多，造成晶圆翘曲和漏电的问题。
2、为解决上述技术问题，本发明提供一种sonos器件的制造方法，包括：
3、s1：提供衬底，并在所述衬底上至少分别形成ono区域和外围逻辑区域；
4、s2：在所述ono区域和外围逻辑区域通过炉管氧化工艺分别沉积前置氧化层；
5、s3：在所述前置氧化层的表面生长ono结构层，所述ono结构层的顶层为第二氧化层；
6、s4：将所述外围逻辑区域的ono结构层和前置氧化层，以及所述ono区域的第二氧化层去除；
7、s5：接着，采用issg法在所述ono区域和外围逻辑区域沉积薄膜层。
8、优选地，在所述s2中，所述炉管氧化工艺的温度为650～750℃。
9、优选地，在所述s2中，所述炉管氧化工艺为高温湿氧氧化工艺。
10、优选地，在所述s3中，通过炉管氧化工艺在所述前置氧化层的表面生长ono结构层。
11、优选地，在所述s3中，炉管氧化工艺包括高温干氧氧化工艺和高温湿氧氧化工艺。
12、优选地，所述ono结构层包括沉积在所述前置氧化层的第一氧化层，沉积在所述第一氧化层表面的氮化硅层，以及沉积在所述氮化硅层表面的第二氧化层。
13、优选地，所述s4包括：
14、将所述ono区域的ono结构层覆盖，然后，将所述外围逻辑区域的ono结构层去除；
15、将所述外围逻辑区域的前置氧化层，以及ono区域的第二氧化层去除。
16、优选地，所述外围逻辑区域的ono结构层通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺去除。
17、优选地，所述外围逻辑区域的前置氧化层，以及ono区域的第二氧化层通过湿法刻蚀工艺去除。
18、基于相同的发明思想，本发明还提供了一种sonos器件，包括：
19、采用上述所述的sonos器件的制造方法制造。
20、与现有技术相比，本发明的sonos器件的制造方法具有如下优点：
21、本发明通过提供衬底，并在所述衬底上至少分别形成ono区域和外围逻辑区域；在所述ono区域和外围逻辑区域通过炉管氧化工艺分别沉积前置氧化层；在所述前置氧化层的表面生长ono结构层，所述ono结构层的顶层为第二氧化层；将所述外围逻辑区域的ono结构层和前置氧化层，以及所述ono区域的第二氧化层去除；接着，采用issg法在所述ono区域和外围逻辑区域沉积薄膜层。由此，本发明提供的sonos器件的制造方法，由于将采用炉管氧化工艺在衬底生长前置氧化层，替代传统的工艺issg法生长工艺，能够减少一层湿法刻蚀及issg法沉积工艺，在整个工艺过程中，只采用一道issg法生产工艺，整个制程中减少两道issg制程，生产周期短，工艺步骤减少，有效的减少了热处理对晶圆造成的翘曲影响，极大的改善了后续工艺的对准及稳定性，同时满足外围逻辑区域及ono区域的电性匹配，对高压sonos器件工艺制程具有极大的改善作用，同时对整个工艺平台稳定性具有积极的作用。相对而言，本发明中的制造工艺在制造晶圆的过程中，对环境要求更低，产生的废液更少，对环境更友好。
22、本发明提供的sonos器件与本发明提供的sonos器件的制造方法属于同一发明构思，因此，本发明提供的sonos器件至少具有本发明提供的sonos器件的制造方法的所有优点，生产周期短，工艺步骤减少，有效的减少了热处理对晶圆造成的翘曲影响，极大的改善了后续工艺的对准及稳定性，同时满足外围逻辑区域及ono区域的电性匹配，对高压sonos器件工艺制程具有极大的改善作用，同时对整个工艺平台稳定性具有积极的作用。
1.一种sonos器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于，在所述s2中，所述炉管氧化工艺的温度为650～750℃。
3.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于，在所述s2中，所述炉管氧化工艺为高温湿氧氧化工艺。
4.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于，在所述s3中，通过炉管氧化工艺在所述前置氧化层的表面生长ono结构层。
5.根据权利要求4所述的sonos器件的制造方法，其特征在于，在所述s3中，炉管氧化工艺包括高温干氧氧化工艺和高温湿氧氧化工艺。
6.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于，所述ono结构层包括沉积在所述前置氧化层的第一氧化层，沉积在所述第一氧化层表面的氮化硅层，以及沉积在所述氮化硅层表面的第二氧化层。
7.根据权利要求6所述的sonos器件的制造方法，其特征在于，所述s4包括：
8.根据权利要求7所述的sonos器件的制造方法，其特征在于，所述外围逻辑区域的ono结构层通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺去除。
9.根据权利要求7所述的sonos器件的制造方法，其特征在于，所述外围逻辑区域的前置氧化层，以及ono区域的第二氧化层通过湿法刻蚀工艺去除。
10.一种sonos器件，其特征在于，包括：
