本技术涉及一种电极装置，特别是涉及一种具有多个馈入点的电极装置，以及具有所述电极装置的沉积设备。
背景技术：
1、原子层沉积(atomic layer deposition,ald)是一种可以将材料以层堆迭的方式成长的薄膜制程技术，其具有自限制性生长的特性、薄膜生长厚度精确可控等特点，越来越受到工业界的重视，尤其是半导体产业。
2、目前的原子层沉积设备，一般使用平行板电容式电极，射频电源装置经由导线将能量传输至匹配器，匹配器与电极模块电性连接，传统将电极馈入点设置于电极模块的中心，射频能量通过气体喷头进入腔体内，解离反应气体产生电浆。然而，以射频电极单点馈入的方式，此种方式容易引起电磁场的不均匀，进而导致薄膜成长不均匀，使得薄膜制程的效率及品质不佳。
3、因此，如何通过电极模块的结构设计的改良来提升原子层薄膜沉积的工程效果，来克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。
技术实现思路
1、本实用新型所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种具有多个馈入点的电极装置，通过多电极馈入点方式输入射频功率，有效平均分配电浆功率，使电磁场强度较均匀，由此改善反应腔体内电磁场均匀性，使电浆解离状态均匀，所产出的薄膜其均匀性因此提高。
2、为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的其中一技术方案是提供一种电极装置，搭配沉积设备使用，所述沉积装置具有反应腔体，电极装置位于所述反应腔体内。电极装置包括：环形导电体及射频输入体。环形导电体具有相对的上表面及下表面，环形导电体具有位于下表面的多个引脚，每个引脚上设置有一射频进入点，其中多个引脚中相邻的两者之间的距离相同。射频输入体具有射频输入点，射频输入体位于环形导电体的上表面上且电性连接环形导电体。
3、依据一可行的实施方案，每个引脚包括本体部、调控部及接脚，射频进入点位于接脚，调控部连接接脚并可沿水平方向移动接脚。
4、依据一可行的实施方案，每个引脚在竖直方向上的位置相同。
5、依据一可行的实施方案，电极装置进一步包括：电极模块，位于环形导电体的下表面下且电性连接环形导电体。
6、依据一可行的实施方案，电极装置进一步包括：匹配器，位在射频输入点。
7、依据一可行的实施方案，电极装置进一步包括：支撑部，形状对应环形导电体，支撑部位于环形导电体与电极模块之间，并与环形导电体以及电极模块绝缘。
8、依据一可行的实施方案，电极装置进一步包括：板体，位于支撑部与环形导电体之间，并与环形导电体绝缘。
9、本实用新型还提供一种沉积设备，其包括反应腔体及前述的电极装置。电极装置位于反应腔体内。
10、本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的电极装置及沉积设备，其能通过“每个所述引脚上设置有一射频进入点，其中所述多个引脚中相邻的两者之间的距离相同”的技术方案，达到平均分配射频功率，改善电磁场均匀性，使电浆解离更均匀，以及增加薄膜均匀性等技术功效。
11、更进一步的，本实用新型通过“每个所述引脚包括本体部、调控部及接脚，所述射频进入点位于所述接脚，所述调控部连接所述接脚，并可沿水平方向移动所述接脚”的技术方案，以控制电浆分布，改善薄膜均匀性。
12、更进一步的，本实用新型通过“每个所述引脚在一竖直方向上的位置相同”的技术方案，使各馈入点间传输路径长度相同，以使电场强度分配均匀。
13、本实用新型的电极装置能够达到平均分配射频功率、改善电磁场均匀性，使电浆解离更均匀，以及增加薄膜均匀性等技术功效。
14、为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本实用新型加以限制。
1.一种电极装置，搭配一沉积设备使用，所述沉积设备具有反应腔体，其特征在于，所述电极装置包括：
2.根据权利要求1所述的电极装置，其特征在于，每个所述引脚包括一本体部、一调控部及一接脚，所述射频进入点位于所述接脚，所述调控部连接所述接脚并能沿水平方向移动所述接脚。
3.根据权利要求1所述的电极装置，其特征在于，每个所述引脚在竖直方向上的位置相同。
4.根据权利要求1所述的电极装置，其特征在于，所述电极装置还包括：一匹配器，位于所述射频输入点。
5.根据权利要求1所述的电极装置，其特征在于，所述电极装置还包括：一电极模块，位于所述环形导电体的所述下表面下且电性连接所述环形导电体。
6.根据权利要求5所述的电极装置，其特征在于，所述电极装置还包括：一支撑部，形状对应所述环形导电体，所述支撑部位于所述环形导电体与所述电极模块之间并与所述环形导电体以及所述电极模块绝缘。
7.根据权利要求6所述的电极装置，其特征在于，所述电极装置还包括：一板体，位于所述支撑部与所述环形导电体之间并与所述环形导电体绝缘。
8.一种沉积设备，其特征在于，所述沉积设备包括：
