本发明涉及陶瓷材料，具体而言，涉及基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板及制备方法。
背景技术：
1、随着电子技术的不断发展，芯片的集成度越来越高，电路的布线也越来越精细，因而单位面积上的功率耗散也越来越大，产生的热量也在不断增加。如果这些热量不能及时散发，就会导致器件失效。aln陶瓷具有出色的导热性能、较低的介电常数以及优异的力学性能，而且，aln陶瓷的热膨胀系数与硅和砷化镓相匹配，因此，aln陶瓷逐渐代替al2o3陶瓷，成为混合集成电路、功率电子器件以及大规模集成电路等领域的理想封装材料。
2、直接覆铝(direct bond aluminum，dba)陶瓷基板是在dbc工艺技术基础上发展起来的新工艺，该工艺直接将铝敷接在陶瓷上，其不仅具有良好的导热性能，还具有较高的耐冷热冲击性与可靠性，是目前电子封装领域研究的热点。相关研究人员采用铝合金与aln陶瓷获得了dba陶瓷基板，但采用该方法制得的dba陶瓷基板存在的问题在于：一是，铝合金与aln陶瓷的界面导热性较差，使得dba陶瓷的导热性较差；二是，铝合金与aln陶瓷的热膨胀系数差异较大，造成接头残余应力过大，导致接头强度较低。
技术实现思路
1、本发明解决的问题是以下问题中的至少一种：采用铝合金和aln陶瓷制备dba陶瓷基板时，铝合金与aln陶瓷的界面导热性较差，使得dba陶瓷基板的导热性较差；铝合金与aln陶瓷的热膨胀系数差异较大，造成接头残余应力过大，导致接头强度较低。
2、为解决上述问题，本发明提供一种基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，包括：
3、步骤s1、将al-si合金粉与氮化硼混合后，进行球磨处理，得到第一混合物；其中，所述al-si合金粉中al和si的质量比为1：(1-9)；
4、步骤s2、向所述第一混合物中加入粘结剂，混合均匀，得到复合钎料；
5、步骤s3、将所述复合钎料均匀涂覆在aln陶瓷的待焊面上，得到表面形成有钎料层的aln陶瓷待焊件；
6、步骤s4、将所述aln陶瓷待焊件与铝合金待焊件装配在一起，以使得所述钎料层位于所述aln陶瓷与所述铝合金待焊件之间，得到组合待焊件；
7、步骤s5、向所述组合待焊件施加预设压力，在预设真空度下将所述组合待焊件加热至450-640℃，保温15-60min，冷却后得到dba陶瓷基板。
8、可选地，所述步骤s1中，所述氮化硼与所述al-si合金粉的质量比为(8-10)：(90-92)。
9、可选地，所述步骤s2中，所述粘结剂为松油醇，所述粘结剂与所述第一混合物的质量比为1：(5-6)。
10、可选地，所述步骤s1中，所述球磨处理包括：在惰性气体保护氛围下，以乙醇为球磨液体，将所述al-si合金粉与所述氮化硼混合得到的粉体在350-400rpm的转速下球磨1-2h，然后进行真空干燥处理。
11、可选地，所述真空干燥处理的温度为40-60℃，时间为2-4h。
12、可选地，所述步骤s3中，所述钎料层的厚度为50-100μm。
13、可选地，所述步骤s3中，所述将所述复合钎料均匀涂覆在aln陶瓷的待焊面上采用丝网印刷的方式进行。
14、可选地，所述步骤s5中，所述预设压力为3-5mpa，所述预设真空度为(1-2)×10-4pa。
15、可选地，所述步骤s5中，所述在预设真空度下将所述组合待焊件加热至450-640℃的过程中的加热速率为5-10℃/min。
16、本发明还提供了一种基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板，采用如上所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法制得。
17、与现有技术相比，本发明的提供的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，通过在aln陶瓷的待焊面上涂覆含有al-si合金粉和bn的复合钎料，在进行加热处理后，在aln陶瓷与铝合金的界面处生成了三维alnp网络，三维alnp网络在aln陶瓷与铝合金形成了过渡层，由于三维alnp网络的热膨胀系数介于铝合金与氮化铝陶瓷之间，因而可以减少接头的残余应力，有利于提升dba陶瓷基板的接头强度；另外，三维alnp网络的导热性较好，因而dba陶瓷基板在铝合金与aln陶瓷界面处的导热性较好，使得本发明中制得的dba陶瓷基板的导热性较好。
1.一种基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述氮化硼与所述al-si合金粉的质量比为(8-10)：(90-92)。
3.根据权利要求2所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述粘结剂为松油醇，所述粘结剂与所述第一混合物的质量比为1：(5-6)。
4.根据权利要求1所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述球磨处理包括：在惰性气体保护氛围下，以乙醇为球磨液体，将所述al-si合金粉与所述氮化硼混合得到的粉体在350-400rpm的转速下球磨1-2h，然后进行真空干燥处理。
5.根据权利要求4所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述真空干燥处理的温度为40-60℃，时间为2-4h。
6.根据权利要求1所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤s3中，所述钎料层的厚度为50-100μm。
7.根据权利要求1所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤s3中，所述将所述复合钎料均匀涂覆在aln陶瓷的待焊面上采用丝网印刷的方式进行。
8.根据权利要求1所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤s5中，所述预设压力为3-5mpa，所述预设真空度为(1-2)×10-4pa。
9.根据权利要求1所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤s5中，所述在预设真空度下将所述组合待焊件加热至450-640℃的过程中的加热速率为5-10℃/min。
10.一种基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的基于原位自生alnp网络的dba陶瓷基板的制备方法制得。
