本发明涉及半导体，特别是涉及一种扇出型半导体封装构件及其形成方法。
背景技术：
1、在半导体芯片的封装过程中，来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（半导体芯片），然后将切割好的晶片用粘结材料贴装到相应的载板的相应位置上，然后再对封装基板进行封装处理，封装完成后进行成品测试，进而获得合格的半导体封装构件，然后将合格的半导体封装构件贴装到印刷线路板上。而在半导体封装构件的制备过程中，为了消除电磁干扰，通常需要在封装层外设置一金属屏蔽层，进而在将半导体封装构件从载板上取下时，容易在半导体封装构件的四周边缘产生金属毛刺，进而在贴装半导体封装构件时，金属毛刺容易掉落而造成短路，进而需要去除金属毛刺。
技术实现思路
1、本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种扇出型半导体封装构件及其形成方法。
2、为实现上述目的，本发明提供了一种扇出型半导体封装构件的形成方法，所述扇出型半导体封装构件的形成方法包括以下步骤：提供一载板，在所述载板上放置一半导体芯片；在所述载板上形成封装层，所述封装层包裹所述半导体芯片；对所述封装层的两个侧面进行处理，以形成两个倾斜的侧面；接着在所述封装层上喷涂一有机胶层；然后在所述有机胶层上形成金属纳米线层/金属层复合屏蔽结构，以形成芯片封装体；从载板上剥离所述芯片封装体时，在所述芯片封装体的四周边缘处产生金属毛刺；接着对所述芯片封装体的四周边缘区域进行离子注入工艺，使得所述金属毛刺被氮化或氧化，然后通过激光烧蚀工艺去除金属氮化物毛刺或金属氧化物毛刺，以得到芯片封装单元；提供一电路基板，在所述电路基板上设置多个所述芯片封装单元以及导电柱；形成塑封层，所述塑封层包裹所述芯片封装单元和所述导电柱；在所述塑封层的表面形成多个凹槽，在所述凹槽中设置额外的所述芯片封装单元，接着在所述塑封层上形成重新分布层。
3、优选的是，所述封装层通过传递模塑成型、压缩成型、层压、旋涂或喷涂工艺形成。
4、优选的是，对所述封装层的两个侧面进行机械切割处理、化学机械研磨处理或激光烧蚀处理，以形成两个倾斜的侧面。
5、优选的是，通过旋涂工艺或喷涂工艺形成所述金属纳米线层，通过热蒸镀、磁控溅射、电子束蒸发或化学气相沉积形成所述金属层。
6、优选的是，通过交替形成所述金属纳米线层和所述金属层，以得到多层堆叠的复合屏蔽结构，所述交替的次数为2-4次。
7、优选的是，所述离子注入工艺的注入离子为氧离子或氮离子，所述注入离子的注入剂量为2×1011-3×1013cm-2，氧离子的注入能量为10-60 kev。
8、优选的是，所述电路基板与所述芯片封装单元电连接。
9、本发明还提出一种扇出型半导体封装构件，所述扇出型半导体封装构件采用上述形成方法制备形成的。
10、相较于现有技术，本发明的扇出型半导体封装构件及其形成方法有如下的有益效果：在本发明中，通过对封装层的两个侧面进行处理以形成两个倾斜的侧面，进而形成金属纳米线层/金属层复合屏蔽结构。这有效提高金属纳米线层/金属层复合屏蔽结构与封装层的结合稳固性，且通过对所述芯片封装体的四周边缘区域进行离子注入工艺，使得所述金属毛刺被氮化或氧化。通过控制离子注入的方向，可以有效使得金属毛刺被氮化或氧化，且不会损伤金属纳米线层/金属层复合屏蔽结构，然后再通过激光烧蚀工艺去除金属氮化物毛刺或金属氧化物毛刺时，可以方便毛刺去除干净，进而可以有效避免后续安装过程损伤印刷电路板的电路，有效避免短路现象。
1.一种扇出型半导体封装构件的形成方法，其特征在于：所述扇出型半导体封装构件的形成方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装构件的形成方法，其特征在于：所述封装层通过传递模塑成型、压缩成型、层压、旋涂或喷涂工艺形成。
3.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装构件的形成方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装构件的形成方法，其特征在于：通过旋涂工艺或喷涂工艺形成所述金属纳米线层，通过热蒸镀、磁控溅射、电子束蒸发或化学气相沉积形成所述金属层。
5.根据权利要求4所述的扇出型半导体封装构件的形成方法，其特征在于：通过交替形成所述金属纳米线层和所述金属层，以得到多层堆叠的复合屏蔽结构，所述交替的次数为2-4次。
6.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装构件的形成方法，其特征在于：所述离子注入工艺的注入离子为氧离子或氮离子，所述注入离子的注入剂量为2×1011-3×1013cm-2，氧离子的注入能量为10-60 kev。
7.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装构件的形成方法，其特征在于：所述电路基板与所述芯片封装单元电连接。
8.一种扇出型半导体封装构件，其特征在于：所述扇出型半导体封装构件采用权利要求1-7中任一项所述的形成方法制备形成的。
