本申请涉及防窥膜领域，更具体地说，它涉及一种高耐候、抗蓝光防窥膜及制备工艺。
背景技术：
1、在现代生活中，随时电子通信设备的功能化越来越强大，电子通信设备中也有越来越多的信息存储，对信息的保护越来越受到大家的重视。而防窥膜的产生则可以有效保护商业机密和个人隐私，可以帮助用户在使用电脑时避免荧幕信息外泄而造成的商业损失，隐私得到重要保护。
2、目前，传统的防窥膜基于超百叶窗光学技术得到，即：先采用uv涂布或热压印出棱形体结构，再用黑色或灰色组分进行填充得到防窥膜，而在电子显示终端应用时，普遍存在对眼睛有害的蓝光，为解决蓝光问题时，大都采用电镀等工艺，在基材表面镀上抗蓝光膜或添加抗蓝光材料于基材中，但由于材料之间的折射率不匹配而导致产生叠影和成像清透性不佳的问题，同时影响防窥膜的抗蓝光性能。
技术实现思路
1、本申请提供一种高耐候、抗蓝光防窥膜及制备工艺，可有效解决防窥膜产生叠影和成像清透性不佳的问题，同时使得防窥膜具有优异的防蓝光性能和耐候性。
2、第一方面，本申请提供的一种高耐候、抗蓝光防窥膜采用如下的技术方案：
3、一种高耐候、抗蓝光防窥膜，包括基材层、复合在基材层上的连接层以及黑胶层；所述连接层厚度为50-100µm；
4、所述连接层经由改性胶进行压印，以形成多个连续间隔设置的长条形槽，最后经固化成型后得到；所述长条形槽宽度为5-9μm，所述长条形槽的深度为60-80µm；
5、所述黑胶层经由黑胶填充至长条形槽内，经固化成型后形成黑胶层；
6、所述改性胶包括以下重量份的原料：吸收剂0.8-2份，氧化剂1-2份，光引发剂3-8份，uv单体30-50份，环氧丙烯酸酯树脂15-25份，uv成型树脂20-30份，消泡剂0.5-1份，流平剂0.5-1份。
7、进一步的，所述基材层包括pet层、pp层、pe层中的一种。
8、通过采用上述技术方案，严格把控连接层的厚度以及压印形成的长条形槽的结构，利用特定的防窥膜结构，并配合特定组分体系的改性胶所形成的连接层和黑胶层，将吸收剂加入到改性胶组分中可以对折射率进行调整与黑胶及防窥膜结构进行匹配，进行压印成型后可以避免传统工艺进行抗蓝光工艺电镀或基材中添加造成的镀膜厚度不均形成的光散射造成传统的防窥膜的叠影问题，使得防窥膜具有优异的防蓝光性能，且防窥膜成像不出现叠影、成像清透性佳，同时赋予防窥膜优异的耐候性，耐湿性和热稳定性佳。
9、优选的，所述长条形槽的槽底与连接层底壁的距离为6-9µm，相邻所述长条形槽之间的距离为30-40µm。
10、通过采用上述技术方案，进一步优化压印形成的长条形槽的位置，辅助改善防窥膜成像的清透性并消除产生的叠影现象，提高防窥膜的综合质量。
11、优选的，所述黑胶包括质量比为(92-96):(4-8) 的uv色浆与改性胶。
12、进一步的，uv色浆为畅的新材料科技（上海）有限公司生产的cd-uv-175产品。
13、通过采用上述技术方案，选用特定比例的uv色浆与改性胶配合形成黑胶，最终形成黑胶层，配合特定的连接层，可明显消除树脂折射率的差别造成的叠影现象，增加防窥膜的清透性。
14、优选的，所述消泡剂为byk1790消泡剂，所述流平剂为byk361n流平剂，所述氧化剂为无毒亚磷酸酯1500。
15、优选的，所述光引发剂包括2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉-1-丙酮、2-异丙基硫杂蒽酮中的至少一种。
16、优选的，所述光引发剂包括80-90wt%的2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉-1-丙酮和10-20wt%的2-异丙基硫杂蒽酮。
17、优选的，所述uv单体包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、己二醇二丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯、2-苯氧基乙基丙烯酸酯中的一种或几种。
18、进一步的，吸收剂为畅的新材料科技（上海）有限公司生产的牌号为uv400或uv-415b产品。
19、通过采用上述技术方案，优化消泡剂、流平剂、光引发剂、uv单体以及吸收剂的组分选用，赋予防窥膜具有优异的防蓝光和耐候性能，改善防窥膜的综合质量。
20、第二方面，本申请提供一种高耐候、抗蓝光防窥膜的制备工艺，采用如下的技术方案：
21、一种高耐候、抗蓝光防窥膜的制备工艺，包括以下步骤：
22、制备改性胶：将吸收剂、氧化剂和光引发剂溶解至uv单体中，加入环氧丙烯酸酯树脂和uv成型树脂，搅拌均匀后，再加入消泡剂及流平剂，真空脱泡，得到改性胶；
23、制备连接层：将改性胶进行压印并形成长条形槽，通过uv固化成型，得到连接层；
24、制备防窥膜，将uv色浆加入改性胶中，搅拌混合均匀得到黑胶，将黑胶填充至长条形槽中，并将连接层复合于基材层表面，再次进行uv固化得到防窥膜。
25、进一步的，uv固化时间为2-6s。
26、通过采用上述技术方案，采用上述方法制得的防窥膜具有优异的防蓝光性能及耐候性，同时可有效解决防窥膜产生叠影和成像清透性不佳的问题，防窥膜的综合质量佳、应用场景广泛。
27、优选的，所述真空脱泡的条件为：温度20-60℃，压强为-0.1mpa至-0.05mpa。
28、通过采用上述技术方案，优化真空脱泡的条件，减少气泡的影响，从而改善改性胶的质量。
29、优选的，制备改性胶步骤中，将吸收剂、氧化剂和光引发剂在温度为40-80℃的条件下溶解至uv单体中。
30、进一步的，可通过水浴加热或超声的方式将温度调至40-80℃。
31、通过采用上述技术方案，提高溶解温度，有助于各原料组分的充分溶解和混合，改善体系的分散均匀性。
32、综上所述，本申请具有以下有益效果：
33、严格把控连接层的厚度以及压印形成的长条形槽的结构，利用特定的防窥膜结构，并配合特定组分体系的改性胶所形成的连接层和黑胶层，将吸收剂加入到改性胶组分中可以对折射率进行调整与黑胶及防窥膜结构进行匹配，进行压印成型后可以避免传统工艺进行抗蓝光工艺电镀或基材中添加造成的镀膜厚度不均形成的光散射造成传统的防窥膜的叠影问题，使得防窥膜具有优异的防蓝光性能，且防窥膜成像不出现叠影、成像清透性佳，同时赋予防窥膜优异的耐候性，耐湿性和热稳定性佳。
34、附图说明
35、图1为本申请实施例1的防窥膜的结构示意图。
36、图2为本申请实施例1的sem图。
37、图3为本申请实施例2的sem图。
38、图4为本申请实施例3的sem图。
39、图5为本申请实施例4的sem图。
40、图6为本申请实施例5的sem图。
41、图7为本申请实施例1和对比例1的成像对比图，其中左侧为实施例1的成像情况，右侧为对比例1的成像情况。
1.一种高耐候、抗蓝光防窥膜，其特征在于，包括基材层（1）、复合在基材层上的连接层（2）以及黑胶层（3）；所述连接层（2）厚度为50-100μm；
2.根据权利要求1所述的高耐候、抗蓝光防窥膜，其特征在于：所述黑胶包括质量比为(92-96):(4-8) 的uv色浆与改性胶。
3.根据权利要求1所述的高耐候、抗蓝光防窥膜，其特征在于：所述消泡剂为byk1790消泡剂，所述流平剂为byk361n流平剂，所述氧化剂为无毒亚磷酸酯1500。
4.根据权利要求3所述的高耐候、抗蓝光防窥膜，其特征在于：所述光引发剂包括2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉-1-丙酮、2-异丙基硫杂蒽酮中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的高耐候、抗蓝光防窥膜，其特征在于：所述光引发剂包括80-90wt%的2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉-1-丙酮和10-20wt%的2-异丙基硫杂蒽酮。
6.根据权利要求1所述的高耐候、抗蓝光防窥膜，其特征在于：所述uv单体包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、己二醇二丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯、2-苯氧基乙基丙烯酸酯中的一种或几种。
7.如权利要求1-6任一项所述的高耐候、抗蓝光防窥膜的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的高耐候、抗蓝光防窥膜的制备工艺，其特征在于：所述真空脱泡的条件为：温度20-60℃，压强为-0.1mpa至-0.05mpa。
9.根据权利要求7所述的高耐候、抗蓝光防窥膜的制备工艺，其特征在于：制备改性胶步骤中，将吸收剂、氧化剂和光引发剂在温度为40-80℃的条件下溶解至uv单体中。
