本发明涉及具备包含金属多孔体、电介质膜和导电膜的电容形成部而成的电容器。
背景技术：
1、例如，在美国专利公开第2018/0277306号说明书(专利文献1)中，公开了通过金属多孔体、覆盖该金属多孔体的表面的电介质膜和覆盖该电介质膜的导电膜来设置电容形成部而成的电容器。在该电容器中，金属多孔体由金属粒子的烧结体构成，电介质层以及导电膜均通过原子层沉积(ald：atomic layer deposition)法而形成。
2、在先技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：美国专利公开第2018/0277306号说明书
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、然而，在上述专利文献1公开的电容器中，上述的电容形成部之中的导电膜变得非常薄，因此该导电膜的截面积变小，在该导电膜流过电流从而产生所谓的esr(等效串联电阻)会变高的问题。
3、因此，本发明正是为了解决上述的问题而完成的，其目的在于，在具备包含金属多孔体、电介质膜和导电膜的电容形成部而成的电容器中谋求低esr化。
4、用于解决问题的技术方案
5、基于本发明的电容器具备绝缘基板、电容形成部、和第1外部连接布线以及第2外部连接布线。上述绝缘基板具有第1主面以及位于与该第1主面相反的一侧的第2主面，上述电容形成部设置为与上述第1主面对置。上述第1外部连接布线以及第2外部连接布线与上述电容形成部连接。上述电容形成部包含：导电性的金属多孔体，与上述第1外部连接布线连接；电介质膜，覆盖上述金属多孔体的表面；和导电膜，覆盖上述电介质膜并且与上述第2外部连接布线连接。上述第1外部连接布线具有贯通上述绝缘基板使得从上述第1主面到达上述第2主面的第1过孔导体，上述第2外部连接布线具有贯通上述绝缘基板使得从上述第1主面到达上述第2主面的第2过孔导体、和覆盖上述导电膜使得填充上述电容形成部的内部的空间的内部导体。上述导电膜和上述第2过孔导体至少经由上述内部导体而连接。
6、在上述基于本发明的电容器中，上述第2外部连接布线也可以具有柱状导体，该柱状导体从上述第1主面朝向上述电容形成部突出并且被上述电容形成部包围，在该情况下，优选上述内部导体和上述第2过孔导体至少经由上述柱状导体而连接。
7、在上述基于本发明的电容器中，上述柱状导体也可以沿着上述第1主面的法线方向延伸，在该情况下，也可以是，在沿着上述第1主面的法线方向观察的情况下，上述柱状导体与上述第2过孔导体在至少一部分重叠，由此上述柱状导体与上述第2过孔导体连接。
8、在上述基于本发明的电容器中，上述电容形成部也可以包含在上述第1主面的法线方向上相互分离地层叠的第1电容形成部以及第2电容形成部，在该情况下，优选上述第1电容形成部的上述导电膜和上述第2电容形成部的上述导电膜通过上述内部导体以及上述柱状导体而连接。
9、在上述基于本发明的电容器中，优选位于上述第1电容形成部与上述第2电容形成部之间的部分的上述内部导体的厚度比上述导电膜的厚度大。
10、在上述基于本发明的电容器中，位于上述第1电容形成部与上述第2电容形成部之间的部分的上述内部导体的厚度也可以为上述导电膜的厚度的3倍以上。
11、在上述基于本发明的电容器中，也可以在上述绝缘基板设置有支承部，该支承部通过从上述第1主面朝向上述电容形成部突出并且被上述电容形成部包围，从而与上述电容形成部接合，由此对上述电容形成部进行支承。
12、在上述基于本发明的电容器中，上述第1外部连接布线也可以具有构成上述支承部的支承导体，在该情况下，优选上述支承导体与上述金属多孔体连接。
13、在上述基于本发明的电容器中，上述支承导体也可以沿着上述第1主面的法线方向延伸，在该情况下，也可以是，在沿着上述第1主面的法线方向观察的情况下，上述支承导体与上述第1过孔导体在至少一部分重叠，由此上述支承导体与上述第1过孔导体连接。
14、在上述基于本发明的电容器中，也可以在上述绝缘基板设置有支承部，该支承部通过从上述第1主面朝向上述电容形成部突出并且被上述电容形成部包围，从而与上述电容形成部接合，由此对上述电容形成部进行支承。而且，上述第1外部连接布线也可以具有构成上述支承部的支承导体，在该情况下，优选上述支承导体与上述金属多孔体连接。而且，上述支承导体也可以沿着上述第1主面的法线方向延伸，在该情况下，也可以是，在沿着上述第1主面的法线方向观察的情况下，上述支承导体与上述第1过孔导体在至少一部分重叠，由此上述支承导体与上述第1过孔导体连接。此外，在上述基于本发明的电容器中，也可以还具备密封部，该密封部设置在上述第1主面上，对上述电容形成部进行密封，并且对从上述电容形成部观察时位于与上述绝缘基板侧相反的一侧的外表面进行规定。在该情况下，也可以是，上述支承导体贯通上述电容形成部以及上述密封部，由此上述支承导体在上述外表面露出，此外，也可以是，上述柱状导体贯通上述电容形成部以及上述密封部，由此上述柱状导体在上述外表面露出。
15、在上述基于本发明的电容器中，上述支承导体也可以沿着上述第1主面的法线方向延伸，在该情况下，也可以是，在沿着上述第1主面的法线方向观察的情况下，上述支承导体不与上述第1过孔导体重叠。
16、在上述基于本发明的电容器中，优选上述支承导体包含与上述金属多孔体所包含的材料之中的至少一部分相同的材料。
17、在上述基于本发明的电容器中，也可以在上述绝缘基板设置有支承部，该支承部通过从上述第1主面朝向上述电容形成部突出并且被上述电容形成部包围，从而与上述电容形成部接合，由此对上述电容形成部进行支承，在该情况下，上述第1外部连接布线也可以具有构成上述支承部的支承导体。上述支承导体也可以沿着上述第1主面的法线方向延伸，并且与上述金属多孔体连接，进而，也可以是，在沿着上述第1主面的法线方向观察的情况下，上述支承导体与上述第1过孔导体在至少一部分重叠，由此上述支承导体与上述第1过孔导体连接。而且，上述电容形成部也可以包含在上述第1主面的法线方向上相互分离地层叠的第1电容形成部以及第2电容形成部。在该情况下，上述第1电容形成部的上述金属多孔体和上述第2电容形成部的上述金属多孔体也可以通过上述支承导体而连接，此外，上述第1电容形成部的上述导电膜和上述第2电容形成部的上述导电膜也可以通过上述内部导体以及上述柱状导体而连接。
18、在上述基于本发明的电容器中，也可以还具备密封部，该密封部设置在上述第1主面上，对上述电容形成部进行密封，并且对从上述电容形成部观察时位于与上述绝缘基板侧相反的一侧的外表面进行规定。在该情况下，也可以是，上述支承导体贯通上述电容形成部以及上述密封部，由此上述支承导体在上述外表面露出，此外，也可以是，上述柱状导体贯通上述电容形成部以及上述密封部，由此上述柱状导体在上述外表面露出。
19、在上述基于本发明的电容器中，优选的是，在沿着上述第1主面的法线方向观察的情况下，上述第1过孔导体以及上述第2过孔导体均设置在配置了上述电容形成部的区域内。
20、在上述基于本发明的电容器中，上述第1过孔导体也可以均设置有多个，此外，上述第2过孔导体也可以均设置有多个。
21、在上述基于本发明的电容器中，上述第1过孔导体以及上述第2过孔导体也可以在沿着上述第1主面的法线方向观察的情况下配置为阵列状，在该情况下，优选一个过孔导体的极性和与该过孔导体以最短距离相邻的过孔导体的极性不同。
22、在上述基于本发明的电容器中，优选上述内部导体包含ag以及导电性高分子之中的至少任一者作为主要材料。
23、发明效果
24、根据本发明，在具备包含金属多孔体、电介质膜和导电膜的电容形成部而成的电容器中，可谋求低esr化。
1.一种电容器，具备：
2.根据权利要求1所述的电容器，其中，
3.根据权利要求2所述的电容器，其中，
4.根据权利要求2或3所述的电容器，其中，
5.根据权利要求4所述的电容器，其中，
6.根据权利要求5所述的电容器，其中，
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的电容器，其中，
8.根据权利要求7所述的电容器，其中，
9.根据权利要求8所述的电容器，其中，
10.根据权利要求3所述的电容器，其中，
11.根据权利要求8所述的电容器，其中，
12.根据权利要求8至11中的任一项所述的电容器，其中，
13.根据权利要求3所述的电容器，其中，
14.根据权利要求13所述的电容器，其中，
15.根据权利要求1至14中的任一项所述的电容器，其中，
16.根据权利要求15所述的电容器，其中，
17.根据权利要求16所述的电容器，其中，
18.根据权利要求1至17中的任一项所述的电容器，其中，
