本技术涉及光纤传感领域，尤其涉及一种高可靠性的y波导芯片。
背景技术：
1、y波导芯片是光纤陀螺的重要部件，具有起偏、检偏、分束、合束和调制等功能。图1示出了y波导芯片的典型结构，其包括铌酸锂晶体，设置于铌酸锂晶体上的y形分支波导和调制电极等。
2、y波导芯片主要应用于军工国防领域，对芯片耐温湿性能有明确要求，例如需要通过双85试验等。由于y波导芯片的调制电极间距较窄，典型值为12-20um，在高湿环境中，水汽或雾气容易造成电极短路，使器件丧失调制功能。为提高芯片的耐温湿性能，通常在芯片表面涂覆一层保护硅胶，将水汽隔离，例如图2示出的典型涂胶范围。
3、y波导芯片在实际应用中，由于硅胶与铌酸锂晶圆表面及金属电极的结合力较差，且硅胶不能完全覆盖包裹y波导芯片，只覆盖部分区域。另外受限于室温涂覆硅胶工艺，硅胶与铌酸锂晶圆表面会存在尺寸较大的微观缺陷(缝隙)，且数量较多，极端情况下甚至存在宏观间隙。在长时间的高温高湿环境中，水汽沿着硅胶与铌酸锂晶体交界面的微观缝隙扩散，进入调制电极区域。电极末端距离硅胶边缘较近(最近处小于1.5mm)，水汽有一定概率沿铌酸锂晶体与硅胶的交界面处的缝隙进入调制电极区域。在水汽扩散进入的情况下，由于电极间距较小，容易产生尖端放电效应，降低电极之间的绝缘电阻，劣化y波导芯片的波形斜度，劣化y波导芯片的调制性能。长时间带电工作时，可能造成电极末端发霉现象及软击穿，最终引起电极短路，器件失效，降低了高温高湿条件下y波导芯片的可靠性。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型提出了一种新型的y波导芯片，其通过尤其在调制电极上方覆盖介质保护膜以替代传统的硅胶保护结构，能够有效阻挡水汽扩散进入调制电极区域。因此，与传统涂覆硅胶方案相比，本实用新型的y波导芯片可以具有更高的可靠性，能够保证在高温高湿环境下正常工作。
2、具体而言，本实用新型的y波导芯片可以包括铌酸锂晶体、y形分支波导和调制电极，其中，调制电极和y形分支波导分别形成于铌酸锂晶体上，其特征在于，所述铌酸锂晶体和调制电极的表面上还形成有介质保护膜。
3、进一步地，本实用新型的y波导芯片还包括用于金线键合的键合焊盘，且在所述键合焊盘上未设有介质保护膜，以方便后续的金线键合。
4、优选地，所述介质保护膜为氧化硅材质。
5、优选地，所述介质保护膜为氮化硅材质。
6、进一步地，所述介质保护膜沉积于所述铌酸锂晶体和调制电极的表面上。
7、优选地，所述介质保护膜通过蒸发或溅射工艺形成。
8、优选地，所述介质保护膜可以具有60-1500nm的厚度。
1.一种y波导芯片，其包括铌酸锂晶体、y形分支波导和调制电极；
2.如权利要求1所述的y波导芯片，其特征在于还包括用于金线键合的键合焊盘，所述键合焊盘上未设有介质保护膜。
3.如权利要求1所述的y波导芯片，其特征在于，所述介质保护膜为氧化硅材质。
4.如权利要求1所述的y波导芯片，其特征在于，所述介质保护膜为氮化硅材质。
5.如权利要求1所述的y波导芯片，其特征在于，所述介质保护膜沉积于所述铌酸锂晶体和调制电极的表面上。
6.如权利要求5所述的y波导芯片，其特征在于，所述介质保护膜通过蒸发或溅射工艺形成。
7.如权利要求1、3-6中任一项所述的y波导芯片，其特征在于，所述介质保护膜具有60-1500nm的厚度。
