本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
背景技术：
1、mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化膜半导体场效应晶体管)等半导体装置被用于电力转换等用途。在半导体装置中，要求提高可靠性。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备导电部件、焊料层、芯片、覆盖膜、绝缘部和密封树脂。所述焊料层设于所述导电部件之上。所述芯片设于所述焊料层之上。所述覆盖膜为绝缘性。所述覆盖膜设于所述芯片之上。所述覆盖膜包含第一覆盖部分。所述第一覆盖部分覆盖所述芯片的上表面的外周端。所述绝缘部设于所述覆盖膜之上。所述密封树脂对所述焊料层、所述芯片、所述覆盖膜及所述绝缘部进行密封。
2、根据本实施方式，可提供能够提高可靠性的半导体装置。
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
9.一种半导体装置，其特征在于，具备：
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
