所描述的技术总体上涉及半导体存储器件及其制造方法，更具体地，涉及包括竖直沟道晶体管(vct)的半导体存储器件及其制造方法。
背景技术：
1、由于2d或平面半导体存储器件的集成度主要由单位存储单元所占用的面积决定，因此集成度很大程度上受精细图案形成技术水平的影响。随着技术的发展，集成度提高，但设备的价格相应提高，因此产品价格降低是有限度的。
2、为了减少占用面积，已经提出了包括具有沿竖直方向形成的沟道的竖直沟道晶体管的半导体存储器件，并且相应地出现了技术问题。
技术实现思路
1、所描述的技术致力于提高半导体存储器件的性能并且减少制造器件时发生的损坏。
2、根据实施例的半导体存储器件包括：衬底；位线，位于衬底上并且沿第一方向延伸；沟道容纳绝缘层，位于衬底上，并且限定暴露位线并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道层，沿沟道沟槽的底表面和侧表面延伸并且接触位线；字线，位于沟道沟槽中并且沿第二方向延伸；栅绝缘层，位于沟道层与字线之间；以及电容器结构，位于沟道层上并且电连接到沟道层，其中沟道层具有氧化物半导体层和第一石墨烯层的双层结构。
3、根据另一实施例的半导体存储器件包括：衬底；位线，位于衬底上并且沿第一方向延伸；字线，位于衬底上，与位线绝缘，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸；沟道层，位于衬底上，与位线接触，并且与字线绝缘；以及电容器结构，电连接到沟道层，其中沟道层包括：氧化物半导体层，与位线接触；以及第一石墨烯层，位于氧化物半导体层上。
4、根据另一实施例的制造半导体存储器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的位线；在衬底上形成沟道容纳绝缘层以限定暴露位线并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；在包括沟道容纳绝缘层的衬底上堆叠氧化物半导体层；在氧化物半导体层上堆叠第一石墨烯层；在第一石墨烯层上形成光刻胶膜；通过使用光刻胶薄膜作为掩模，蚀刻第一石墨烯层和氧化物半导体层来形成沟道层；通过去除光刻胶膜来暴露沟道层的第一石墨烯层；以及在包括沟道层和沟道容纳绝缘层的衬底上，形成沿第二方向延伸的字线、位于沟道层与字线之间的栅绝缘层、以及位于沟道层上并且电连接到沟道层的电容器结构。
5、因此，可以提高半导体存储器件的性能并且减少制造工艺期间发生的损坏。
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中：
4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中：
7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中：
8.一种半导体存储器器件，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中：
10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中：
11.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中：
12.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中：
13.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中：
14.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中：
17.根据权利要求15所述的方法，其中：
18.根据权利要求14所述的方法，其中：
19.根据权利要求14所述的方法，其中：
20.根据权利要求14所述的方法，其中：
