本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。
背景技术：
1、专利文献1公开的半导体制造方法，在对形成于半导体基片上的感光性膜进行显影的工序或在上述感光性膜的显影后对上述半导体基片进行清洗的工序中至少包括：使用表面张力比纯水小的显影液对上述感光性膜进行显影的工序、和使用表面张力比纯水小的清洗液对上述半导体基片进行清洗的工序中的任一工序。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开平5-326392号公报
技术实现思路
1、发明想要解决的技术问题
2、本发明的技术能够得到无机抗蚀剂的良好图案。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本发明的一个方式是一种基片处理方法，其包括：利用显影液对在基底膜上形成无机抗蚀剂的覆膜后实施了曝光处理的基片进行显影，形成上述无机抗蚀剂的图案的工序；向显影后的上述基片供给埋入液，使埋入液填充在上述图案中的相邻的凸部之间的工序；使填充了的上述埋入液干燥，在上述基片上形成埋入膜的工序；和利用紫外线来减小上述埋入膜的厚度的工序。
5、发明的效果
6、根据本发明，能够得到无机抗蚀剂的良好图案。
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
5.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
6.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
8.一种计算机存储介质，其保存有可读取的程序，该程序通过在控制基片处理装置的控制部的计算机上运行来使所述基片处理装置执行基片处理方法，所述计算机存储介质的特征在于：
9.一种基片处理装置，其用于对基片进行处理，所述基片处理装置的特征在于，包括：
