本发明涉及半导体封装，具体涉及一种半导体芯片的封装工艺优化方法。
背景技术：
1、随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸逐渐缩小，集成度不断提高，对封装工艺的要求也愈发严格。然而，传统的半导体芯片封装工艺在键合控制方面面临着自动化程度较低和通用性较弱的挑战。传统的封装工艺通常依赖于人工操作，不仅效率低下，而且难以保证封装的一致性和稳定性。特别是在键合控制环节，由于芯片焊点众多、分布复杂，传统的人工操作方式往往难以准确控制焊点的位置和焊接质量，导致封装效果不佳，甚至影响芯片的性能和可靠性。此外，传统的封装工艺在通用性方面也存在不足。由于不同芯片类型和封装需求各异，传统的封装工艺往往需要针对不同的芯片进行定制化的设计和优化，这不仅增加了工艺的复杂性和成本，而且难以适应快速变化的市场需求。
技术实现思路
1、本申请提供了一种半导体芯片的封装工艺优化方法，解决了传统半导体芯片的封装工艺在键合控制方面自动化程度较低且通用性较弱的技术问题。
2、鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种半导体芯片的封装工艺优化方法。
3、本申请实施例提供了一种半导体芯片的封装工艺优化方法，所述方法包括：
4、将待键合芯片固定于封装基板预设位置，采集芯片图像信息；对所述芯片图像信息进行语义分割，生成焊盘分布坐标和焊盘类型；根据所述焊盘类型和键合线材料，匹配基准焊点模型；配置焊点质量评价因子，其中，所述焊点质量评价因子包括焊点缺陷因子、焊点完整度因子、键合线形变向量因子；根据所述基准焊点模型，结合所述焊点缺陷因子、所述焊点完整度因子、所述键合线形变向量因子对键合控制参数进行寻优，生成键合控制参数优化结果；根据所述键合控制参数优化结果进行所述待键合芯片的封装键合控制。
5、本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
6、首先，将待键合芯片固定于封装基板预设位置，采集芯片图像信息。接着，对芯片图像信息进行语义分割，生成焊盘分布坐标和焊盘类型。然后，根据焊盘类型和键合线材料，匹配基准焊点模型。同时，配置焊点质量评价因子，其中，所述焊点质量评价因子包括焊点缺陷因子、焊点完整度因子、键合线形变向量因子。进一步，根据基准焊点模型，结合焊点缺陷因子、焊点完整度因子、键合线形变向量因子对键合控制参数进行寻优，生成键合控制参数优化结果。最后，根据键合控制参数优化结果进行待键合芯片的封装键合控制。解决了传统半导体芯片的封装工艺在键合控制方面自动化程度较低且通用性较弱的技术问题，达到了提高封装自动化程度和通用性的技术效果。
1.一种半导体芯片的封装工艺优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的一种半导体芯片的封装工艺优化方法，其特征在于，对所述芯片图像信息进行语义分割，生成焊盘分布坐标和焊盘类型，包括：
3.如权利要求2所述的一种半导体芯片的封装工艺优化方法，其特征在于，遍历所述基准焊盘类型列表，基于所述基准焊盘灰度值列表，对所述芯片灰度图像进行邻近二值化处理，生成二值化图像列表，包括：
4.如权利要求3所述的一种半导体芯片的封装工艺优化方法，其特征在于，获得所述第一基准焊盘类型的灰度偏差阈值，包括：
5.如权利要求1所述的一种半导体芯片的封装工艺优化方法，其特征在于，根据所述基准焊点模型，结合所述焊点缺陷因子、所述焊点完整度因子、所述键合线形变向量因子对键合控制参数进行寻优，生成键合控制参数优化结果，包括：
6.如权利要求5所述的一种半导体芯片的封装工艺优化方法，其特征在于，根据所述基准焊点模型，结合所述焊点缺陷因子、所述焊点完整度因子、所述键合线形变向量因子，对所述初始键合控制状态集合进行寻优，获得所述键合控制参数优化结果，包括：
7.如权利要求6所述的一种半导体芯片的封装工艺优化方法，其特征在于，遍历所述仿真焊点模型集合，比对所述基准焊点模型，结合所述适应度评价函数，获得适应度评价值集合，包括：
8.如权利要求6所述的一种半导体芯片的封装工艺优化方法，其特征在于，根据所述适应度评价值集合对所述初始键合控制状态集合进行寻优，生成所述键合控制参数优化结果，包括：
