本申请涉及发光，尤其涉及一种微型发光结构及发光装置。
背景技术：
1、micro-led(micro-light emitting diode，微米发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度led阵列的显示技术。
2、在相关技术中，微型发光结构存在像素密度偏低，解析率较低的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供了一种微型发光结构及发光装置。
2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案如下：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种微型发光结构，包括：
4、发光芯片，所述发光芯片包括多个发光组，每个所述发光组包括堆叠设置的至少两个发光单元，且沿第一方向分布的相邻所述两个发光单元之间设置有第一钝化层，以实现各所述发光单元彼此绝缘；所述发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层上设置有第一电极层，所述第二半导体层上设置有第二电极层；其中，每个所述发光单元的所述发光层能够发出一种颜色的光，且每个所述发光组包括的所述发光单元发出的光能够合成白光；
5、驱动芯片，所述驱动芯片设于所述发光芯片的一侧，且所述驱动芯片与所述第一电极层、所述第二电极层分别电连接。
6、在第一方面的其中一个实施例中，沿所述第一方向分布的相邻两个所述发光单元中，靠近所述驱动芯片的第一发光单元的所述第一半导体层至少部分暴露于远离所述驱动芯片的第二发光单元的边侧，所述第一电极层设置于所述第一发光单元的所述第一半导体层暴露于所述第二发光单元边侧的部位；
7、在一个所述发光单元中，所述第二半导体层至少部分暴露于所述发光层的边侧，所述第二电极层设置于所述第二半导体层暴露于所述发光层的部位。
8、在第一方面的其中一个实施例中，所述微型发光结构还包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层实现所述驱动芯片和对应第一电极层的电连接，所述第二导电层实现所述驱动芯片和对应第二电极层的电连接。
9、在第一方面的其中一个实施例中，所述第二导电层实现所述驱动芯片和一个所述发光组的第二电极层的电连接。
10、在第一方面的其中一个实施例中，所述第一导电层与其最接近的所述发光单元之间、所述第二导电层与其最接近的所述发光单元之间均设置有第二钝化层。
11、在第一方面的其中一个实施例中，多个所述发光单元呈阶梯状结构分布，多个所述发光单元沿第一方向的投影面积满足：沿靠近驱动芯片的方向依次增大。
12、在第一方面的其中一个实施例中，所述发光芯片通过键合层设置于所述驱动芯片。
13、在第一方面的其中一个实施例中，多个所述发光单元的所述发光层满足：不同所述发光层发射的基色光线颜色不同，不同颜色的基色光线波长沿靠近所述驱动芯片的方向依次减小。
14、在第一方面的其中一个实施例中，所述发光单元设有三个，三个所述发光单元沿靠近所述驱动芯片的方向，依次分别发射红色基色光线、绿色基色光线和蓝色基色光线。
15、在第一方面的其中一个实施例中，所述第一方向为所述驱动芯片垂直指向发光芯片的方向，沿所述第一方向分布的相邻两个所述发光单元中，靠近所述驱动芯片的第一发光单元的所述第一半导体层至少部分暴露于远离所述驱动芯片的第二发光单元的边侧，所述第一电极层设置于所述第一发光单元的所述第一半导体层暴露于所述第二发光单元边侧的部位；
16、在一个所述发光单元中，所述第二半导体层至少部分暴露于所述发光层的边侧，所述第二电极层设置于所述第二半导体层暴露于所述发光层的部位；
17、所述微型发光结构还包括多个第一导电层和第二导电层，每个所述第一导电层分别与所述驱动芯片和一个所述第一电极层连接，所述第二导电层分别与所述驱动芯片和多个所述第二电极层连接；
18、所述第一导电层与其最接近的所述发光单元之间、所述第二导电层与其最接近的所述发光单元之间均设置有第二钝化层；
19、多个所述第二钝化层分别设置于所述第一电极层与所述发光单元之间和所述第二电极层和所述发光单元之间；
20、多个所述发光单元呈阶梯状结构分布，多个所述发光单元沿第一方向的投影面积满足：沿靠近驱动芯片的方向依次增大；
21、所述发光芯片通过键合层设置于所述驱动芯片；
22、所述发光单元设有三个，三个所述发光单元沿靠近所述驱动芯片的方向，依次分别发射红色基色光线、绿色基色光线和蓝色基色光线。
23、第二方面，本申请实施例还提供了一种发光装置，包括上述任一实施例中所述的微型发光结构。
24、本申请提出了一种微型发光结构及发光装置，相较于相关技术，本申请通过将多个发射不同基色光线的发光单元堆叠设置，可以提高像素密度和解析率；通过外延生长形成发光单元的各功能层结构，并设置第一电极层和第二电极层分别与驱动芯片连接，避免巨量转移，提高生产良率和速度，降低成本。相较于相关技术，本申请提供的微型发光结构的像素密度更大，解析度更高。
1.一种微型发光结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光结构，其特征在于，沿所述第一方向分布的相邻两个所述发光单元中，靠近所述驱动芯片的第一发光单元的所述第一半导体层至少部分暴露于远离所述驱动芯片的第二发光单元的边侧，所述第一电极层设置于所述第一发光单元的所述第一半导体层暴露于所述第二发光单元边侧的部位；
3.根据权利要求1所述的微型发光结构，其特征在于，所述微型发光结构还包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层实现所述驱动芯片和对应第一电极层的电连接，所述第二导电层实现所述驱动芯片和对应第二电极层的电连接。
4.根据权利要求3所述的微型发光结构，其特征在于，所述第二导电层实现所述驱动芯片和一个所述发光组的第二电极层的电连接。
5.根据权利要求3或4所述的微型发光结构，其特征在于，所述第一导电层与其最接近的所述发光单元之间、所述第二导电层与其最接近的所述发光单元之间均设置有第二钝化层。
6.根据权利要求1所述的微型发光结构，其特征在于，多个所述发光单元呈阶梯状结构分布，多个所述发光单元沿第一方向的投影面积满足：沿靠近驱动芯片的方向依次增大。
7.根据权利要求1所述的微型发光结构，其特征在于，所述发光芯片通过键合层设置于所述驱动芯片。
8.根据权利要求1所述的微型发光结构，其特征在于，多个所述发光单元的所述发光层满足：不同所述发光层发射的基色光线颜色不同，不同颜色的基色光线波长沿靠近所述驱动芯片的方向依次减小。
9.根据权利要求1所述的微型发光结构，其特征在于，所述发光单元设有三个，三个所述发光单元沿靠近所述驱动芯片的方向，依次分别发射红色基色光线、绿色基色光线和蓝色基色光线。
10.根据权利要求1所述的微型发光结构，其特征在于，所述第一方向为所述驱动芯片垂直指向发光芯片的方向，沿所述第一方向分布的相邻两个所述发光单元中，靠近所述驱动芯片的第一发光单元的所述第一半导体层至少部分暴露于远离所述驱动芯片的第二发光单元的边侧，所述第一电极层设置于所述第一发光单元的所述第一半导体层暴露于所述第二发光单元边侧的部位；
11.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的微型发光结构。
