本技术涉及电气元件，特别是一种igbt模块的散热装置。
背景技术：
1、igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。igbg应用广泛，例如配电柜内的有源设备逆变电路均是igbt构成的，igbt模块在工作时由于其开关频率的高低会产生不同程度的热量，现有技术中，通常在igbt模块上安装型材散热器，在型材散热器的侧面安装散热风扇，配电柜内igbt模块产生的热量通过型材散热器结合固定转速的散热风扇进行散热，这种散热方式散热效率低，不能使igbt在运行中产生的大量热量快速散失而容易导致igbt因温度过高炸毁。
技术实现思路
1、有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种能够实现igbt模块在配电柜内能够实现散热的igbt模块的散热装置。
2、本实用新型采用以下方法来实现：一种igbt模块的散热装置，包括设置于配电柜内的igbt模块，配电柜内设置有用于套设在所述igbt模块上的壳体，所述壳体内设置有用于实现igbt模块散热作用的第一散热件，所述壳体上表面设置有第二散热件，所述壳体内设置有用于检测igbt模块温度的测温探头。
3、进一步的，所述第一散热件包括储水箱，所述壳体下表面设置有所述储水箱，所述储水箱内右侧面设置有循环泵，所述循环泵连接有出水主管，所述出水主管上等距离连接有多个出水分管，且所述出水分管设置于所述壳体内，所述出水分管的出水口与所述储水箱连接设置，所述储水箱底面内等距离设置有多个第一导热块，所述多个第一导热块与第一吸热板连接设置，且所述第一导热块与所述第一吸热板垂直设置。
4、进一步的，所述第二散热件包括散热口，所述壳体上表面开设有所述散热口，所述壳体上表面连接有与所述散热口相对应的套筒，所述套筒内底部设置有过滤网，所述套筒内设置有排气扇。
5、进一步的，所述壳体左右侧面均等距离设置有多个第二导热块，所述第二导热块外表面连接有第二吸热板，且所述第二吸热板与所述第二导热块垂直设置。
6、本实用新型的有益效果在于：本实用新型在装置中加入了第一散热件和第二散热件，能够实现igbt模块的散热作用，且能够增大型材散热器的散热面积，提高散热效果；本实用新型结构简单，操作便捷，能够有效的节省人力物力，提高工作效率。
1.一种igbt模块的散热装置，其特征在于：包括设置于配电柜内的igbt模块，配电柜内设置有用于套设在所述igbt模块上的壳体，所述壳体内设置有用于实现igbt模块散热作用的第一散热件，所述壳体上表面设置有第二散热件，所述壳体内设置有用于检测igbt模块温度的测温探头。
2.根据权利要求1所述的一种igbt模块的散热装置，其特征在于：所述第一散热件包括储水箱，所述壳体下表面设置有所述储水箱，所述储水箱内右侧面设置有循环泵，所述循环泵连接有出水主管，所述出水主管上等距离连接有多个出水分管，且所述出水分管设置于所述壳体内，所述出水分管的出水口与所述储水箱连接设置，所述储水箱底面内等距离设置有多个第一导热块，所述多个第一导热块与第一吸热板连接设置，且所述第一导热块与所述第一吸热板垂直设置。
3.根据权利要求1所述的一种igbt模块的散热装置，其特征在于：所述第二散热件包括散热口，所述壳体上表面开设有所述散热口，所述壳体上表面连接有与所述散热口相对应的套筒，所述套筒内底部设置有过滤网，所述套筒内设置有排气扇。
4.根据权利要求1所述的一种igbt模块的散热装置，其特征在于：所述壳体左右侧面均等距离设置有多个第二导热块，所述第二导热块外表面连接有第二吸热板，且所述第二吸热板与所述第二导热块垂直设置。
