本技术涉及单晶硅制造，特别是涉及一种多晶破碎承载及运输装置。
背景技术：
1、直拉单晶生产过程中，由于炉台及坩埚运行时间过长，导致完结段成晶效果较差，炉内温度偏高导致无法在合适的温度内进行单晶生长，从而在完结段时坩埚中剩料较少的情况下发生断线。由于硅料、埚帮及原料成本较高，无法对剩余埚底料进行报废，而会在合理的剩料情况下进行拉硅多晶处理。目前整体n型单晶硅拉多晶比例为35%，完结段成晶困难炉台现拉多晶平均长度为1000mm。
2、在破碎尾端多晶时，现采取措施为原地对多晶进行破碎，导致多晶料与地面接触，造成多晶回收料落地。在后续对多晶料回收时，由于落地污染会对此部分硅料进行降级处理，降低多晶硅回收料的使用比例。评测硅原料的污染及少子寿命，大部分落地料更会进行报废处理，造成在回收料过程中增加原料端口的成本。另外，在现场操作人员破碎多晶时，由于晶棒温度较高及放棒车距离地面高度较高，破碎过程中会发生硅料碎屑崩飞，导致操作人员受伤。
技术实现思路
1、本实用新型所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种多晶破碎承载及运输装置。
2、为了解决以上技术问题，本实用新型的技术方案如下：
3、一种多晶破碎承载及运输装置，包括：
4、底座；
5、移动轮，安装在所述底座的下端；
6、围挡，围设在所述底座的侧面，且所述围挡的一侧开设有供晶棒伸入的第一开口部，所述围挡上位于所述第一开口部所在的端部设置有第一卡扣；
7、其中，用于放置待处理的晶棒的放棒车上设置有与所述第一卡扣相配合的第二卡扣，当所述第一卡扣与所述第二卡扣扣合时，所述晶棒的尾部伸至围挡内，且位于所述底座上方。
8、作为本实用新型所述多晶破碎承载及运输装置的一种优选方案，其中：所述底座上开设有用于安装所述围挡的安装卡槽，所述围挡固定设置在所述安装卡槽内。
9、作为本实用新型所述多晶破碎承载及运输装置的一种优选方案，其中：所述围挡上固定安装有第一增高围挡，所述第一增高围挡朝向所述第一开口部的一侧开设有第二开口部。
10、作为本实用新型所述多晶破碎承载及运输装置的一种优选方案，其中：所述第一增高围挡上位于所述第二开口部所在的端部也设置有第一卡扣。
11、作为本实用新型所述多晶破碎承载及运输装置的一种优选方案，其中：所述第一增高围挡的上方固定安装有第二增高围挡，所述第二增高围挡朝向所述第一开口部的一侧开设有第三开口部。
12、作为本实用新型所述多晶破碎承载及运输装置的一种优选方案，其中：所述移动轮上设置有用于限制其转动的限位卡钳。
13、作为本实用新型所述多晶破碎承载及运输装置的一种优选方案，其中：所述底座和所述围挡均为四氟板。
14、作为本实用新型所述多晶破碎承载及运输装置的一种优选方案，其中：所述底座上远离所述第一开口部的一端固定安装有推拉把手。
15、本实用新型的有益效果是：
16、（1）本实用新型通过底座和围挡对多晶破碎后产生的多晶料进行承载，可避免多晶料与地面接触而导致多晶料被污染而降级处理，提高了多晶硅的回收料使用比例，在收料过程中降低了原料端口的成本。
17、（2）本实用新型通过与放棒车的连接，有效提高了多晶破碎操作时晶棒的位置稳定性，避免了多晶掉落过程中装置发生位移而导致多晶落地造成原料污染的问题。
18、（3）本实用新型在围挡上依次设置有第一增高围挡和第二增高围挡，增加了围挡的高度，可有效防止多晶破碎过程中料渣飞溅导致的安全事故。
1.一种多晶破碎承载及运输装置，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的多晶破碎承载及运输装置，其特征在于：所述底座(1)上开设有用于安装所述围挡(3)的安装卡槽(6)，所述围挡(3)固定设置在所述安装卡槽(6)内。
3.根据权利要求1所述的多晶破碎承载及运输装置，其特征在于：所述围挡(3)上固定安装有第一增高围挡(7)，所述第一增高围挡(7)朝向所述第一开口部的一侧开设有第二开口部。
4.根据权利要求3所述的多晶破碎承载及运输装置，其特征在于：所述第一增高围挡(7)上位于所述第二开口部所在的端部也设置有第一卡扣(4)。
5.根据权利要求3所述的多晶破碎承载及运输装置，其特征在于：所述第一增高围挡(7)的上方固定安装有第二增高围挡(8)，所述第二增高围挡(8)朝向所述第一开口部的一侧开设有第三开口部。
6.根据权利要求1所述的多晶破碎承载及运输装置，其特征在于：所述移动轮(2)上设置有用于限制其转动的限位卡钳(9)。
7.根据权利要求1所述的多晶破碎承载及运输装置，其特征在于：所述底座(1)和所述围挡(3)均为四氟板。
8.根据权利要求1所述的多晶破碎承载及运输装置，其特征在于：所述底座(1)上远离所述第一开口部的一端固定安装有推拉把手(10)。
