本技术涉及半导体和光伏，特别涉及一种施压组件及设置有该施压组件的粘棒设备。
背景技术：
1、硅片是半导体和光伏领域的主要生产材料，目前硅片切割多采用金刚线多线切割技术。金刚线多线切割技术包括粘棒工序，粘棒工序主要是将硅棒粘接在树脂板上，然后树脂板粘接在工件板上，待粘结胶水固化时间达到要求后，用于线切机切割。在粘棒的过程中，硅棒放置在涂满胶水的树脂板上固化前期，需要对硅棒施加一定的压力，以达到将硅棒、胶水、树脂板三者紧密粘接到一起和保证胶水均匀地分布到每一个接触位置的目的。传统的通过压块施加压力的方式为在放置于涂满胶水的树脂板上的硅棒上放置一个具有配重的重块，通过重块自身的重力对硅棒施加压力，达到规定时间后再将重块取走。但由于目前使用的重块与硅棒间为全面积接触，在使用过程中极容易出现局部不平整，导致硅棒受力不均匀，局部不受压，进而使得硅棒和树脂板间的胶层厚度偏差较大，影响后续切割。
技术实现思路
1、有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种施压组件，能够使硅棒受力均匀，不易出现局部不受压情况。
2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
3、一种施压组件，用于接触硅棒并提供作用于所述硅棒的压力，包括施压主体和凸块，其中：
4、所述施压主体靠近所述硅棒的侧面凸出设置有若干个所述凸块，以通过所述凸块接触所述硅棒；所述凸块的硬度小于所述硅棒的硬度。
5、可选地，在上述施压组件中，所述凸块凸出于所述施压主体的高度为h，5mm≤h≤10mm。
6、可选地，在上述施压组件中，所述施压主体的侧面开设有若干个凹槽，若干个所述凸块分别容置于所述凹槽内。
7、可选地，在上述施压组件中，所述凸块与所述施压主体可拆卸连接。
8、可选地，在上述施压组件中，所述凸块靠近所述硅棒的一侧设置有阶梯孔；
9、所述施压主体设置有连接孔；
10、第一紧固件穿过所述阶梯孔和所述连接孔以将所述凸块与所述施压主体连接。
11、可选地，在上述施压组件中，还包括限位件，所述限位件位于所述施压主体连接所述凸块的一侧，并且所述限位件位于所述施压主体的侧边，至少能在一个方向上对硅棒进行限位。
12、可选地，在上述施压组件中，所述限位件上设置有可拆卸连接的垫块，并且所述垫块位于靠近所述硅棒的一侧，所述垫块的硬度小于所述硅棒的硬度。
13、可选地，在上述施压组件中，所述限位件包括连接部和第二紧固件；
14、所述施压主体设置有长条形通孔，所述连接部能够沿所述长条形通孔移动；
15、所述第二紧固件能够将所述连接部固定于所述施压主体。
16、可选地，在上述施压组件中，所述长条形通孔为阶梯型孔。
17、一种粘棒设备，包括上述施压组件。
18、从上述技术方案可以看出，本实用新型设置若干个凸块与硅棒接触，将原有施压组件与硅棒之间的面接触转为点接触，使硅棒受力均匀，不易出现局部不受压情况，保证粘棒胶层厚度一致。降低施压组件与硅棒的接触面存在易残留异物的概率，减少硅棒损伤风险。可以避免频繁更换缓冲材料的情况产生，延长施压组件的使用寿命。
1.一种施压组件，用于接触硅棒并提供作用于所述硅棒的压力，其特征在于，包括施压主体(1)和凸块(2)，其中：
2.根据权利要求1所述的施压组件，其特征在于，所述凸块(2)凸出于所述施压主体(1)的高度为h，5mm≤h≤10mm。
3.根据权利要求1所述的施压组件，其特征在于，所述施压主体(1)的侧面开设有若干个凹槽(11)，若干个所述凸块(2)分别容置于所述凹槽(11)内。
4.根据权利要求1所述的施压组件，其特征在于，所述凸块(2)与所述施压主体(1)可拆卸连接。
5.根据权利要求4所述的施压组件，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的施压组件，其特征在于，还包括限位件(3)，所述限位件(3)位于所述施压主体(1)连接所述凸块(2)的一侧，并且所述限位件(3)位于所述施压主体(1)的侧边，至少能在一个方向上对硅棒进行限位。
7.根据权利要求6所述的施压组件，其特征在于，所述限位件(3)上设置有可拆卸连接的垫块(31)，并且所述垫块(31)位于靠近所述硅棒的一侧，所述垫块(31)的硬度小于所述硅棒的硬度。
8.根据权利要求7所述的施压组件，其特征在于，所述限位件(3)包括连接部(32)和第二紧固件(33)；
9.根据权利要求8所述的施压组件，其特征在于，所述长条形通孔为阶梯型孔(12)。
10.一种粘棒设备，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的施压组件。
