本实用新型涉及微波暗室测量技术领域，尤其涉及一种紧缩场测试系统及其反射面。
背景技术：
现有的紧缩场测试系统中，反射面的边沿通常为断面边或者锯齿边。当反射面的边沿为断面进行测试时，断面处会对电磁波产生散射，形成散射干扰信号，这些散射干扰信号与测试信号叠加，产生纹波，并将纹波引入到静区位置内的被测件上dut，使测试结果的准确度受到影响。
当反射面的边沿为锯齿边进行测试时，特别是高频毫米波的测试时，锯齿边相对于毫米波波长比较，同样会产生断面的散射效果，进而将散射干扰信号与测试信号叠加，产生纹波，类似地，纹波引入到被测件所在的静区位置上，测试结果同样受到影响。
技术实现要素：
为至少在一定程度上克服现有技术中的上述问题，本实用新型提供一种紧缩场测试系统及其反射面。
第一方面，本实用新型公开了一种紧缩场测试系统，包括：馈源、反射面和转台；所述馈源包括馈源天线；所述馈源天线的相位中心设置于所述反射面曲面的焦点；所述转台用于承载被测件；所述被测件设置于静区内；其中，所述反射面包括反射面本体；所述反射面本体包括抛物面，所述抛物面接收紧缩场中馈源发出的球面波，经过反射后产生的平面波发送至静区；所述反射面本体的边沿设置有卷边，所述卷边的卷曲朝向与所述静区相反的方向。
本实用新型实施例中，馈源天线的相位中心放置在反射面曲面的焦点位置，反射面本体中间的抛物面曲面接收馈源的球面波，反射至静区内产生平面波，卷边卷曲的边沿可以将产生的电流沿着卷曲边流动，在卷边的边沿处发生散射，由于卷边的边沿设置在与静区相反的位置上，因此不会对静区的信号产生干扰。
进一步地，上述紧缩场测试系统中，所述反射面本体为方形或矩形；
所述反射面本体相邻的两个卷边分别为第一卷边和第二卷边；所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第一卷边的边沿所呈的夹角为θ满足：40°≤θ≤50°；所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第二卷边的边沿所呈的夹角为γ满足：40°≤γ≤50°。
本实施例中，限定了相邻两个卷边与边沿的夹角在40°≤θ≤50°之间，当馈源发射的电磁波在第一卷边和所述第二卷边的交线附近区域时，交线卷边上下的电磁波以反射的方式至非静区区域，而交线所产生的散射能量已很小，对静区的幅度和相位性能影响较小。
进一步地，上述紧缩场测试系统中，所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第一卷边的边沿所呈的夹角θ＝45°；所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第二卷边的边沿所呈的夹角γ＝45°。
在本实用新型实施例中，限定卷边和交线的夹角为45°，当馈源发射的电磁波在第一卷边和所述第二卷边的交线附近区域时，交线卷边上下的电磁波以反射的方式至非静区区域，交线所产生的散射能量降到很低，不足以影响静区的幅度和相位性能，因此对测试结果的影响可以忽略。
进一步地，上述紧缩场测试系统中，所述馈源、所述反射面和所述转台设置于柜体内；所述柜体内壁设置有吸波结构。
本实用新型实施例中，柜体内壁设置有吸波结构，当交线卷边上下的电磁波以反射的方式至非静区区域后，被设置在内壁的吸波结构吸收，进一步降低对测试结果的影响。
进一步地，上述紧缩场测试系统中，所述柜体外还设置有分析与控制装置，所述分析与控制装置包括：雷达模拟器主机、频谱分析仪和转台控制器；所述雷达模拟器主机与所述馈源连接；所述频谱分析仪与所述雷达模拟器主机相连接；所述转台控制器与所述转台连接。本实用新型实施例的分析与控制装置设置于柜体外，但与柜体内的馈源和转台连接，实现对转台的控制以及馈源数据的分析。
进一步地，上述紧缩场测试系统中，还包括：上位机；所述雷达模拟器主机、所述频谱分析仪和所述转台控制器均与所述上位机连接。本实用新型实施例中，借助上位机良好的图形用户界面，实现对雷达模拟器主机、所述频谱分析仪和所述转台控制器的监控。
进一步地，上述紧缩场测试系统中，所述卷边的形状通过椭圆曲线拟合获取。
第二方面，本实用新型还公开了一种反射面，用于紧缩场测试系统，包括：反射面本体；所述反射面本体包括抛物面，所述抛物面接收紧缩场中馈源发出的球面波，经过反射后产生的平面波发送至静区；所述反射面本体的边沿设置有卷边，所述卷边的卷曲朝向与所述静区相反的方向。
本实施例反射面中，反射面本体中间的抛物面曲面接收馈源的球面波，反射至静区内产生平面波，卷边卷曲的边沿可以将产生的电流沿着卷曲边流动，在卷边的边沿处发生散射，由于卷边的边沿设置在与静区相反的位置上，因此不会对静区的信号产生干扰。
进一步地，上述反射面中，所述反射面本体为方形或矩形；所述反射面本体相邻的两个卷边分别为第一卷边和第二卷边；所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第一卷边的边沿所呈的夹角为θ满足：40°≤θ≤50°；所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第二卷边的边沿所呈的夹角为γ满足：40°≤γ≤50°。
本实用新型实施例反射面中，限定了相邻两个卷边与边沿的夹角在40°≤θ≤50°之间，当馈源发射的电磁波在第一卷边和所述第二卷边的交线附近区域时，交线卷边上下的电磁波以反射的方式至非静区区域，而交线所产生的散射能量已很小，对静区的幅度和相位性能影响较小。
进一步地，上述反射面中，所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第一卷边的边沿所呈的夹角θ＝45°；所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第二卷边的边沿所呈的夹角γ＝45°。
在本实用新型实施例反射面中，限定卷边和交线的夹角为45°，当馈源发射的电磁波在第一卷边和所述第二卷边的交线附近区域时，交线卷边上下的电磁波以反射的方式至非静区区域，交线所产生的散射能量降到很低，不足以影响静区的幅度和相位性能，因此对测试结果的影响可以忽略。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本实用新型。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。
图1为本实用新型紧缩场测试系统实施例的结构示意图；
图2为本实用新型紧缩场测试系统实施例中，反射面本体的工作原理示意图；
图3为本实用新型紧缩场测试系统实施例中，方形反射面的主视图；
图4为本实用新型紧缩场测试系统实施例中，方形反射面的侧视图。
其中：
1静区
2被测件
3转台
4馈源
5反射面
6反射面本体
7卷边
71第一卷边
72第二卷边
8交线
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
参照图1至图4，示出了本实用新型紧缩场测试系统实施例的结构示意图。
参照图1，本实施例紧缩场测试系统包括：馈源4、反射面5和转台3；馈源4包括馈源天线；馈源天线的相位中心设置于反射面5曲面的焦点；转台3用于承载被测件2；被测件2设置于静区1内；其中，反射面5包括反射面本体6；反射面本体6包括抛物面，抛物面接收紧缩场中馈源4发出的球面波，经过反射后产生的平面波到达至静区1；反射面本体6的边沿设置有卷边7，卷边7的卷曲朝向与静区1相反的方向。
参照图2，馈源天线的相位中心放置在反射面5曲面的焦点位置a，反射面本体6中间的抛物面曲面接收馈源4的球面波，反经过反射后产生的平面波到达至静区1。
卷边7卷曲的边沿可以将产生的电流沿着卷曲边流动，在卷边的边沿处发生散射，由于卷边的边沿设置在与静区1相反的位置上，因此不会对静区的信号产生干扰。
具体实施时，反射面本体6可以为方形，也可以为矩形。
当一个方形或矩形的反射面本体6进行卷边设计时，两边卷边的交接处会产生连接截断。这个连接截断将会导致严重的散射，而散射干扰信号会引入被测件测量的静区区域内，使测量结果的精度变差。
为了解决这个问题，可以通过如下结构的设计：反射面本体6的第一卷边71和第二卷边72的交线8与第一卷边71的边沿所呈的夹角θ＝45°；第一卷边71和第二卷边72的交线8与第二卷边72的边沿所呈的夹角γ＝45°。
在实施例中，卷边和交线的夹角为均为45°，当馈源发射的电磁波在第一卷边71和第二卷边72的交线8附近区域时，交线8卷边上下的电磁波以反射的方式至非静区区域，交线所产生的散射能量降到很低，不足以影响静区的幅度和相位性能，因此对测试结果的影响可以忽略。
需要说明的是，出于实际加工工艺的考虑，卷边和交线的夹角也可以处于一个区间范围40°≤θ≤50°。也就是说，
第一卷边71和第二卷边72的交线8与第一卷边71的边沿所呈的夹角为θ满足：40°≤θ≤50°；第一卷边71和第二卷边72的交线8与第二卷边72的边沿所呈的夹角为γ满足：40°≤γ≤50°。
这样，当馈源发射的电磁波在第一卷边和第二卷边的交线附近区域时，交线卷边上下的电磁波以反射的方式至非静区区域，而交线所产生的散射能量已很小，对静区的幅度和相位性能影响较小。
在一个实施例中，卷边的形状可以通过椭圆曲线拟合获取。
在一个优选的实施例中，馈源4、反射面5和转台3设置于柜体(未示出)内；柜体内壁设置有吸波结构。由于柜体内壁设置有吸波结构，当交线卷边上下的电磁波以反射的方式至非静区区域后，被设置在内壁的吸波结构吸收，进一步降低对测试结果的影响。具体实施时，柜体可以为暗室。
在一个实施例中，柜体外还设置有分析与控制装置，分析与控制装置包括：雷达模拟器主机、频谱分析仪、转台控制器和上位机。雷达模拟器主机与馈源连接。频谱分析仪与雷达模拟器主机相连接。转台控制器与转台连接。本实用新型实施例的分析与控制装置设置于柜体外，但与柜体内的馈源和转台连接，实现对转台的控制以及馈源数据的分析。同时，本实施例还可以借助上位机良好的图形用户界面，实现对雷达模拟器主机、频谱分析仪和转台控制器的监控。
另一方面，本实用新型还提供了一种反射面的实施例，用于紧缩场测试系统，反射面的具体结构在上述紧缩场测试系统中已经做了说明，相关之处，参照上述说明即可。在此不再赘述。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
1.一种紧缩场测试系统，其特征在于，包括：
馈源、反射面和转台；
所述馈源包括馈源天线；
所述馈源天线的相位中心设置于所述反射面曲面的焦点；
所述转台用于承载被测件；
所述被测件设置于静区内；其中，
所述反射面包括反射面本体；
所述反射面本体包括抛物面，所述抛物面接收紧缩场中馈源发出的球面波，经过反射后产生的平面波发送至静区；
所述反射面本体的边沿设置有卷边，所述卷边的卷曲朝向与所述静区相反的方向。
2.根据权利要求1所述的紧缩场测试系统，其特征在于，
所述反射面本体为方形或矩形；
所述反射面本体相邻的两个卷边分别为第一卷边和第二卷边；
所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第一卷边的边沿所呈的夹角为θ满足：40°≤θ≤50°；
所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第二卷边的边沿所呈的夹角为γ满足：40°≤γ≤50°。
3.根据权利要求2所述的紧缩场测试系统，其特征在于，
所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第一卷边的边沿所呈的夹角θ＝45°；
所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第二卷边的边沿所呈的夹角γ＝45°。
4.根据权利要求3所述的紧缩场测试系统，其特征在于，
所述馈源、所述反射面和所述转台设置于柜体内；
所述柜体内壁设置有吸波结构。
5.根据权利要求4所述的紧缩场测试系统，其特征在于，
所述柜体外还设置有分析与控制装置，所述分析与控制装置包括：
雷达模拟器主机、频谱分析仪和转台控制器；
所述雷达模拟器主机与所述馈源连接；
所述频谱分析仪与所述雷达模拟器主机相连接；
所述转台控制器与所述转台连接。
6.根据权利要求5所述的紧缩场测试系统，其特征在于，还包括：
上位机；
所述雷达模拟器主机、所述频谱分析仪和所述转台控制器均与所述上位机连接。
7.根据权利要求1所述的紧缩场测试系统，其特征在于，
所述卷边的形状通过椭圆曲线拟合获取。
8.一种反射面，用于紧缩场测试系统，其特征在于，包括：
反射面本体；
所述反射面本体包括抛物面，所述抛物面接收紧缩场中馈源发出的球面波，经过反射后产生的平面波发送至静区；
所述反射面本体的边沿设置有卷边，所述卷边的卷曲朝向与所述静区相反的方向。
9.根据权利要求8所述的反射面，其特征在于，
所述反射面本体为方形或矩形；
所述反射面本体相邻的两个卷边分别为第一卷边和第二卷边；
所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第一卷边的边沿所呈的夹角为θ满足：40°≤θ≤50°；
所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第二卷边的边沿所呈的夹角为γ满足：40°≤γ≤50°。
10.根据权利要求9所述的反射面，其特征在于，
所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第一卷边的边沿所呈的夹角θ＝45°；
所述第一卷边和所述第二卷边的交线与所述第二卷边的边沿所呈的夹角γ＝45°。
技术总结