本发明涉及一种光学测量装置与光学测量方法。
背景技术：
在一般的半导体生产过程中，晶片允收测试(waferacceptancetest,wat)是相当重要的线上(in-line)检测，作为判断制作工艺好坏及好或坏的管芯的依据，也是作为监控制作工艺飘动的直接证据。
另一方面，光子集成电路的硅光波导在制造上会遇到几个与传统半导体生产不同的问题，包括：1.布局(layout)较为困难，且设计规则检查(designrulechecking)较复杂；2.制作工艺所得的结构粗糙度与蚀刻深度较为敏感；3.不易快速判断结果，且光输入与光输出的测量方法较电测复杂。
一种现有的光子集成电路的测量方法是在硅光波导的结构上制作绕射光栅，而光纤对准绕射光栅而接收来自绕射光栅的绕射光，以达到光输出的目的。然而，采用此方法容易有光纤不易对准绕射光栅的问题，且因对准的精度需较高而不易达成。此外，受限于绕射光栅与光纤的尺寸，采用此方法难以在光子集成电路芯片的有限面积中达到较多的光输入与输出埠，且阵列测试(arraytest)不易。
技术实现要素：
本发明的一实施例提出一种光学测量装置，用以测量光子集成电路。光学测量装置包括基板、至少一光波导元件、第一连接器及第二连接器。此至少一光波导元件配置于基板上。第一连接器与第二连接器连接至此至少一光波导元件。此至少一光波导元件包括从第一连接器延伸至第二连接器的光波导。来自第一光纤的部分光信号依序经由第一连接器传递至此至少一光波导元件，经由光子集成电路的至少一第一渐消式耦合器传递至光子集成电路内部，经由光子集成电路的至少一第二渐消式耦合器传递至此至少一光波导元件且经由第二连接器传递至至少一第二光纤。
本发明的一实施例提出一种光学测量装置，用以测量光子集成电路。光学测量装置包括基板、至少一光波导元件、第一连接器及第二连接器。此至少一光波导元件配置于基板上。第一连接器与第二连接器连接至此至少一光波导元件。此至少一光波导元件包括彼此分开的第一光波导与第二光波导，第一光波导连接第一连接器，且第二光波导连接第二连接器。来自第一光纤的光信号依序经由第一连接器传递至此至少一光波导元件，经由光子集成电路的至少一第一渐消式耦合器传递至光子集成电路内部，经由光子集成电路的至少一第二渐消式耦合器传递至此至少一光波导元件且经由第二连接器传递至至少一第二光纤。
本发明的一实施例提出一种光学测量方法，包括：利用第一连接器将来自第一光纤的光信号传递至至少一光波导元件；使此至少一光波导元件中的光信号经由光子集成电路的至少一第一渐消式耦合器传递至光子集成电路内部；使光子集成电路内部的光信号经由至少一第二渐消式耦合器传递至此至少一光波导元件；以及利用第二连接器将来自此至少一光波导元件的光信号传递至至少一第二光纤。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的一实施例的光学测量装置与光子集成电路芯片的示意图；
图2为图1中的一个光子集成电路芯片的局部示意图；
图3a为图1中的光学测量装置在未对光子集成电路芯片作测量时的示意图；
图3b为图1中的光学测量装置在对光子集成电路芯片作测量时的示意图；
图4为光学测量装置中的光波导元件的另一变形的示意图；
图5为图4的光学测量装置在对光子集成电路芯片作测量时光波导元件与渐消式耦合器的对应关系的上视图与侧视图；
图6为本发明的另一实施例的光学测量装置在对光子集成电路芯片作测量时光波导元件与渐消式耦合器的对应关系的上视图与剖视图；
图7a为本发明的一实施例的光学测量装置在测量光子集成电路芯片时光波导元件与渐消式耦合器的侧视示意图；
图7b为图7a中的连接器、光波导元件与光子集成电路芯片的立体示意图；
图8为本发明的一实施例的光学测量装置的基板与光波导元件与光子集成电路芯片的渐消式耦合器的对应关系的示意图；
图9为本发明的一实施例的光学测量装置的部分结构的下视示意图；
图10a为本发明的另一实施例的光学测量装置的剖面示意图；
图10b为本发明的又一实施例的光学测量装置的部分结构的立体示意图；
图11为本发明的再一实施例的光学测量装置的剖面示意图；
图12为本发明的另一实施例的光学测量装置的剖面示意图；
图13为本发明的又一实施例的光学测量装置的剖面示意图；
图14为本发明的再一实施例的光学测量装置的剖面示意图；
图15为本发明的另一实施例的光学测量装置在尚未测量光子集成电路时的剖面示意图；
图16为图15中的光学测量装置在测量光子集成电路时的剖面示意图；
图17为本发明的一实施例的光学测量方法的流程图。
符号说明
40：第一光纤
50：第二光纤
60：切割道
70：光源
72：光信号
80：光功率计
81：处理器
100、100h：光子集成电路芯片
110：渐消式耦合器
110a：第一渐消式耦合器
110b：第二渐消式耦合器
120：波导
130：元件
131：多工与解多工器
132：光检测器
133：转换阻抗放大器
134：调变器
135：激光二极管
136：监测器
140、210：基板
150：埋入氧化物层
160：绝缘层
170：第二电极
200、200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g、200h：光学测量装置
212、254：底面
214、252：侧面
220、220a、220c、220d：光波导元件
222：第一光波导
224：第二光波导
230：第一连接器
240：第二连接器
250：支撑座
260：支撑层
270、270g、270f：保护层
272g、274g：子保护层
280：电性探针
290：重分布层
292：第一电极
d1、d2：间距
s110～s140：步骤
具体实施方式
图1是本发明的一实施例的光学测量装置与光子集成电路芯片的示意图，图2是图1中的一个光子集成电路芯片的局部示意图，图3a是图1中的光学测量装置在未对光子集成电路芯片作测量时的示意图，图3b是图1中的光学测量装置在对光子集成电路芯片作测量时的示意图，图4绘示光学测量装置中的光波导元件的另一变形，而图5绘示图4的光学测量装置在对光子集成电路芯片作测量时光波导元件与渐消式耦合器的对应关系的上视图与侧视图。
请参照图1至图5，本实施例的光学测量装置200用以测量光子集成电路(photonicintegratedcircuit,photonicic)，例如是光子集成电路芯片100。在光子集成电路芯片100的制造过程中，一个晶片(wafer)上可以制作有多个呈阵列排列的光子集成电路芯片100，而这些光子集成电路芯片100之间被切割道60隔开。光学测量装置200包括基板210、至少一光波导元件220(在图1中是以多个光波导元件220为例)、第一连接器230及第二连接器240。此至少一光波导元件220配置于基板210上。第一连接器230与第二连接器240连接至此至少一光波导元件220。
当光学测量装置200测量光子集成电路芯片100时，来自第一光纤40的光信号72依序经由第一连接器230传递至此至少一光波导元件220、从此至少一光波导元件220经由光子集成电路芯片100的至少一第一渐消式耦合器(evanescentcoupler)110a传递至光子集成电路芯片100内部、从光子集成电路芯片100内部经由光子集成电路芯片100的至少一第二渐消式耦合器110b传递至此至少一光波导元件220且从此至少一光波导元件220经由第二连接器240传递至第二光纤50。
在本实施例中，光子集成电路芯片100包括多个渐消式耦合器110，其包括上述至少一第一渐消式耦合器110a与上述至少一第二渐消式耦合器110b，而图2中绘示一个渐消式耦合器110为代表。此外，光子集成电路芯片100还包括基板140、埋入氧化物层(burriedoxidelayer)150、多个波导120及多个元件130。基板140例如为硅基板。埋入氧化物层150配置于基板140上。渐消式耦合器110、波导120及这些元件130配置于埋入氧化物层150上。波导120例如为硅波导。这些元件130可包括多工与解多工器(multiplexinganddemultiplexingdevice)131、光检测器(photodetector)132、转换阻抗放大器(transimpedanceamplifier)133、调变器(modulator)134、激光二极管135、监测器(monitor)136、其他电子或光电元件或其适当的组合，其中波导120可连接多工与解多工器(multiplexinganddemultiplexingdevice)131、光检测器(photodetector)132、调变器(modulator)134、激光二极管135及监测器(monitor)136，以使光信号72在这些元件130之间传递。转换阻抗放大器133可电连接至光检测器132，以放大来自光检测器132的电信号。
在图3a的实施例中，每一光波导元件220为从第一连接器230延伸至第二连接器240的一个光波导，而在图4的实施例中，每一光波导元件220a包括彼此分开的第一光波导222与第二光波导224，其中第一光波导222连接第一连接器230，且第二光波导224连接第二连接器240。在本实施例中，光波导元件220与220a的材质例如为氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(siliconoxynitride)或聚合物(polymer)但不限于此。在图1与图3a的实施例中，光波导(也就是光波导元件220)的长度等于或略大于第一连接器230与第二连接器240之间的最短距离，也就是光波导呈直线形延伸，但本发明不以此为限。
每一渐消式耦合器110的末端为逐渐尖细端，在本实施例中，渐消式耦合器110的末端在平行于基板140表面的方向上的宽度逐渐缩小，然而在垂直于基板140表面的方向上的厚度则是维持不变，如图5所绘示。此外，在图4的实施例中，第一光波导222在靠近第一渐消式耦合器110a的一端为逐渐尖细端，且第二光波导224在靠近第二渐消式耦合器110b的一端为逐渐尖细端。在本实施例中，第一光波导222与第二光波导224的末端在平行于基板210表面的方向上的宽度逐渐缩小，然而在垂直于基板140的方向上的厚度则是维持不变。
在本实施例中，当光学测量装置200测量光子集成电路芯片100时，光波导元件220或220a直接接触第一渐消式耦合器110a，且直接接触第二渐消式耦合器110b。在图3b的实施例中，来自第一连接器230且在光波导元件220中传递的部分光信号72经由第一渐消式耦合器110a传递至光子集成电路芯片100中的波导120(例如硅波导)。在波导120中传递的光信号72再经由第二渐消式耦合器110b传递至光波导元件220。此外，如图3a所示，当光学测量装置200没有测量光子集成电路芯片100时，来自第一连接器230的光信号72经由光波导元件220直接传递至第二渐消式耦合器110b，并经由第二光纤50输出，如此测得的光信号72可以用来作为校正光学测量装置200的用途。
在本实施例中，如图1所绘示，第一光纤40的一端可设有光源70，光源70所发出的光信号72经由第一光纤40输入至光学测量装置200中。另一方面，第二光纤50的一端可设有光功率计(opticalpowermeter)80或其他的光检测器，光学测量装置200可经由第二光纤50输出光信号72至光功率计80。在图3b的实施例中，通过光功率计80所测得的光信号72之功率，便可判断出被测量的光子集成电路芯片100是良好的芯片或是不良的芯片。另一方面，也可通过比较在图3a(即没有测量时)与图3b(即测量时)的情况下光功率计80所测得的光信号72之功率，而更加准确地判断出被测量的光子集成电路芯片100是良好的芯片或是不良的芯片。
此外，在图4的实施例中，当光学测量装置200a测量光子集成电路芯片100时，第一光波导222直接接触第一渐消式耦合器110a，而第二光波导224直接接触第二渐消式耦合器110b。来自第一连接器230的光信号72输入第一光波导222，在第一光波导222中传递的光信号72经由第一渐消式耦合器110a传递至光子集成电路芯片100中的波导120(例如硅波导)。在波导120中传递的光信号72再经由第二渐消式耦合器110b传递至第二光波导224，而在第二光波导224中传递的光信号再经由第二连接器240传递至第二光纤50。
在图3a、图3b及图4的实施例中，光学测量装置200、200a还包括支撑座(holder)250，其中基板210配置于支撑座250上。在上述实施例中，基板210位于光波导元件220与支撑座250之间。此外，光子集成电路芯片100可还包括绝缘层160，覆盖波导120与元件130，其中绝缘层160的折射率低于光波导元件220、220a的折射率，且低于波导120的折射率。再者，光波导元件220、220a的折射率可大于第一光纤40与第二光纤50的折射率。另外，光学测量装置200、200a可还包括支撑层260，设于光波导元件220旁。若光学测量装置200、200a具有多个光波导元件220(例如图1所绘示)或多个光波导元件220a，则支撑层260可填充于这些光波导元件220、220a之间的间隙。此外，光波导元件220、220a的折射率大于支撑层260的折射率，而支撑层260的材料例如为聚合物。
在本实施例的光学测量装置200、200a中，由于是采用光波导元件220、220a来对光子集成电路芯片100上的渐消式耦合器110进行光信号的输入与输出，因此渐消式耦合器110在光子集成电路芯片100上的布置(layout)不会受限于光纤的尺寸与测量方向。也就是说，光波导元件220、220a的布置可以弹性调整而作为渐消式耦合器110与光纤之间的桥梁，因此不会有现有技术中光纤不易对准绕射光栅的问题。此外，通过光波导元件220、220a的布置之弹性调整，也可以容易地达成阵列测试。另外，通过光波导元件220、220a，可依需求一次测量完整个光子集成电路芯片100上不同方向的所有渐消式耦合器110。另外，光波导元件220、220a的尺寸可被缩减，进而大幅减少光输入与输出的测量所需的面积，且不受限于光纤的尺寸。
在图1的实施例中，多个第一光纤40、多个光波导元件220及多个第二光纤50是以一对一的方式互相对应，但本发明不以此为限。在其他实施例中，一个第一光纤40可对应至多个光波导元件220，且对应至一个第二光纤50。具体而言，来自一个第一光纤40的光信号72被第一连接器230分波为多个子信号而分别在这些光波导元件220中传递，这些子信号分别从这些光波导元件220传递至多个第一渐消式耦合器110a，且分别从多个第二渐消式耦合器110b传递至这些光波导元件220，然后这些子信号合并为光信号72而从这些光波导元件220经由第二连接器240传递至一个第二光纤50。而在图1的实施例中，这些子信号分别从这些光波导元件220经由第二连接器240传递至多个第二光纤50(如图1所绘示)。在本实施例中，光信号72可以是具有较为宽广的波长范围的光，然后被分波为具有不同较狭窄的波长范围的子信号，最后这些子信号在被合并为具有较为宽广的波长范围的光信号72。
图6绘示本发明的另一实施例的光学测量装置在对光子集成电路芯片作测量时光波导元件与渐消式耦合器的对应关系的上视图与剖视图，其中附图下方的三个剖面分别为沿着其上方上视图中的三条虚线切开所得的剖面。请参照图6，渐消式耦合器110可以具有多层结构，其上层可与光波导元件220a接触(如图6下方中间的那个剖面所绘示)，而其下层可邻近波导120(如图6下方左边的那个剖面所绘示)，且各层之间及下层与波导120之间可填充有绝缘层160的材料。此外，各层之间的光耦合可以是采用渐消耦合(evanescentcoupling)的方式。另外，图6中的渐消式耦合器110是以第二渐消式耦合器110b为例，但同样的结构也可适用于第一渐消式耦合器110a。
图7a绘示本发明的一实施例的光学测量装置在测量光子集成电路芯片时光波导元件与渐消式耦合器的侧视示意图，图7b为图7a中的连接器、光波导元件与光子集成电路芯片的立体示意图，图8绘示本发明的一实施例的光学测量装置的基板与光波导元件与光子集成电路芯片的渐消式耦合器的对应关系，而图9绘示本发明的一实施例的光学测量装置的部分结构的下视示意图。请参照图7a、图7b、图8及图9，从图7a可知，光波导元件220可以是可挠的，以适用于各种连接器(如第一连接器230与第二连接器240)的设置位置。此外，多个光波导元件220从靠近光子集成电路芯片100的一端至靠近连接器的一端可以是扇出(fanout)的，也就是呈扇形散开(如图9所绘示)，而图7b绘示的扇出形状220是如同图9那样包含有多条光波导元件220，而相邻的光波导元件220之间及这些光波导元件220的两旁填充有支撑层260)。从图8可看出，多个光波导元件220的末端的布置位置可与光子集成电路芯片100的渐消式耦合器110的布置位置相对应，且可位于基板210的四个边缘或切割道60上，因此测量位置不受限于光纤的测量方向。图9所绘示的多个光波导元件220的扇出形状只绘示在图9上面的光波导元件220上作为代表，而实际上图9的左右两边及下面的光波导元件220也都可以有扇出形状及其所连接的连接器。在一实施例中，基板210的四侧都可以设有连接器，而基板210四边的光波导元件220分别扇出至这四侧的连接器。或者，在另一实施例中，也可以是基板210的相对两边设有连接器，而基板210上的这些光波导元件220分别扇出且延伸至这相对两边的连接器。
请同时参照图8与图9，在本实施例中，这些光波导元件220分别与第一渐消式耦合器110a耦合，且分别与第二渐消式耦合器110b耦合，其中这些第一渐消式耦合器110a的相邻者的间距d1或第二渐消式耦合器110b的相邻者的间距d1是小于这些光波导元件220在第一连接器230与第二连接器240处的间距d2。如此一来，光子集成电路芯片100上的渐消式耦合器的密度与数量便可以较多，而不受限于光纤的尺寸，且不会产生光纤难以对位的情形。
图10a为本发明的另一实施例的光学测量装置的剖面示意图，而图10b为本发明的又一实施例的光学测量装置的部分结构的立体示意图。请先参照图10a，本实施例的光学测量装置200c与图3a的光学测量装置200类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的光学测量装置200c中，光波导(即光波导元件220c)的长度大于第一连接器230与第二连接器240之间的最短距离，也就是说，光波导具有可弯曲的部分。在本实施例中，光波导(即光波导元件220c)从基板210的底面212弯曲至基板210的侧面214。此外，在本实施例中，第一连接器230与第二连接器240可设于支撑座250的侧面。
请再参照图10b，本实施例的光学测量装置200b与图9的光学测量装置类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的光学测量装置200b中，多个光波导元件220除了如同图9一般扇出之外，也如同图10a那样在扇出后从基板的底面弯曲至基板的侧面与支撑座250的侧面252，并与位于支撑座250的侧面252上的连接器(例如是第一连接器230或第二连接器240)连接。如同图9的叙述，图10b只绘示了在附图中右侧的光波导元件220往右延伸后往上弯曲，但实际上附图中的前侧、左侧及后侧的光波导元件220也会往适当的方向延伸与弯曲，而在支撑座250的四侧或相对两侧可配置有连接器，而这些光波导元件220分别延伸至这四侧或这相对两侧的连接器。
图11为本发明的再一实施例的光学测量装置的剖面示意图。请参照图11，本实施例的光学测量装置200d与图10a的光学测量装置200c类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的光学测量装置200d中，光波导(即光波导元件220d)从基板210的底面212弯曲至基板210的侧面214后，再弯曲至支撑座250的底面254并沿着支撑座250的底面254延伸，最后连接至连接器230、240。
图12为本发明的另一实施例的光学测量装置的剖面示意图。请参照图12，本实施例的光学测量装置200e与图3b的光学测量装置200类似，而两者的差异如下所述。本实施例的光学测量装置200e还包括保护层270，包覆光波导元件220的表面。来自光波导元件220的光信号72经由保护层270传递至第一渐消式耦合器110a，且来自第二渐消式耦合器110b的光信号72经由保护层270传递至光波导元件220。也就是说，当光学测量装置200e测量光子集成电路芯片100时，是通过保护层270接触第一渐消式耦合器110a与第二渐消式耦合器110b。保护层270的折射率可与光波导元件220的折射率接近或一致。
图13为本发明的又一实施例的光学测量装置的剖面示意图。请参照图13，本实施例的光学测量装置200f与图12的光学测量装置200e类似，而两者的差异如下所述。本实施例的光学测量装置200f是采用如图4之光波导元件220a，其包括第一光波导222与第二光波导224，其中保护层270f覆盖了第一光波导222、第二光波导224与基板210的底面212。
图14为本发明的再一实施例的光学测量装置的剖面示意图。请参照图14，本实施例的光学测量装置200g与图13的光学测量装置200f类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的光学测量装置200g中，保护层270g可分为互相分开的子保护层272g与子保护层274g，其分别包覆第一光波导222与第二光波导224，且保护层270g暴露出基板210的部分底面212。
图15为本发明的另一实施例的光学测量装置在尚未测量光子集成电路时的剖面示意图，而图16为图15中的光学测量装置在测量光子集成电路时的剖面示意图。请参照图15与图16，本实施例的光学测量装置200h与图3a的光学测量装置200类似，而两者的差异如下所述。本实施例的光学测量装置200h还包括基板210、支撑座250与重分布层(redistributionlayer,rdl)290、多个第一电极292以及多个电性探针280。重分布层290例如是配置于基板210上的支撑座250上。这些第一电极292配置于重分布层290上。这些电性探针280穿过基板210与光波导元件220，且每一电性探针280的一部分设于支撑座250中。当光学测量装置200h测量光子集成电路芯片100h时，这些电性探针280分别连接这些第一电极292与光子集成电路芯片100h的多个第二电极170。第一电极292可通过重分布层290电连接至外部的电性信号供应器及电性检测器等，而第二电极170可电连接至光子集成电路芯片100h内部的元件130。如此一来，便能够通过电性探针280来检测光子集成电路芯片100h的电性，且通过光波导元件220来进行光子集成电路芯片100h的光学测量。
图17为本发明的一实施例的光学测量方法的流程图。本实施例的光学测量方法可以利用上述任一实施例的光学测量装置来执行，以下以利用光学测量装置200来执行为例进行说明。请参照图3b与图17，本实施例的光学测量方法包括以下被实现的步骤。首先，实现步骤s110，其为利用第一连接器230将来自第一光纤40的光信号72传递至至少一光波导元件220。接着，实现步骤s120，其为使此至少一光波导元件220中的光信号72经由光子集成电路(例如是光子集成电路芯片100)的至少一第一渐消式耦合器110a传递至光子集成电路内部。然后，实现步骤s130，其为使光子集成电路内部的光信号72经由至少一第二渐消式耦合器110b传递至此至少一光波导元件220。之后，实现步骤s140，其为利用第二连接器240将来自此至少一光波导元件220的光信号72传递至至少一第二光纤50。在本实施例中，在进行测量时，将光波导元件220靠近或接触第一渐消式耦合器110a与第二渐消式耦合器110b时，随着光信号72的传递，则步骤s110～s140则自然会依序被实现。
本实施例的光学测量方法可以达到上述各实施例的光学测量装置的优点与功效，在此不再赘述。
在图1、图3a与图3b的实施例中，当采用光学测量装置200测量光子集成电路芯片100时，光波导元件220直接接触第一渐消式耦合器110a，且直接接触第二渐消式耦合器110b。在图3b的实施例中，来自第一连接器230且在光波导元件220中传递的部分光信号72经由第一渐消式耦合器110a传递至光子集成电路芯片100中的波导120(例如硅波导)。在波导120中传递的光信号72再经由第二渐消式耦合器110b传递至光波导元件220。此外，如图3a所示，当光学测量装置200没有测量光子集成电路芯片100时，则光波导元件220不接触第一渐消式耦合器110a与第二渐消式耦合器110b，则来自第一连接器230的光信号72经由光波导元件220直接传递至第二渐消式耦合器110b，并经由第二光纤50输出，如此测得的光信号72可以用来作为校正光学测量装置200的用途。举例而言，光功率计(opticalpowermeter)80可电连接至处理器81，处理器81可比较光功率计80所检测到的于测量光子集成电路芯片100时与没有测量光子集成电路芯片100时来自第二光纤50的光信号72，以达到校正测量光子集成电路芯片100时所测得的光信号72的效果。
在一实施例中，处理器81例如为中央处理单元(centralprocessingunit,cpu)、微处理器(microprocessor)、数字信号处理器(digitalsignalprocessor,dsp)、可编程控制器、可编程逻辑装置(programmablelogicdevice,pld)或其他类似装置或这些装置的组合，本发明并不加以限制。此外，在一实施例中，处理器81的各功能可被实作为多个程序代码。这些程序代码会被存储在一个存储器中，由处理器81来执行这些程序代码。或者，在一实施例中，处理器81的各功能可被实作为一或多个电路。本发明并不限制用软件或硬件的方式来实作处理器81的各功能。
综上所述，在本实施例的光学测量装置与方法中，由于是采用光波导元件来对光子集成电路芯片上的渐消式耦合器对准及接触后，进行光信号的输入与输出，因此渐消式耦合器在光子集成电路芯片上的布置不会受限于光纤的尺寸与测量方向。也就是说，光波导元件的布置可以弹性调整而作为渐消式耦合器与光纤之间的桥梁，因此不会有现有技术中光纤不易对准绕射光栅的问题。此外，通过光波导元件的布置之弹性调整，也可以容易地达成阵列测试。
此外，在本实施例的光学测量装置与方法中，这些光波导元件在第一连接器与第二连接器处的间距大于这些第一渐消式耦合器的相邻者的间距，且大于这些第二渐消式耦合器的相邻者的间距。如此一来，光子集成电路芯片上的渐消式耦合器的密度与数量便可以较多，而不受限于光纤的尺寸，且不会产生光纤难以对位的情形。
虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。
1.一种光学测量装置，用以测量光子集成电路，其特征在于，该光学测量装置包括：
基板；
至少一光波导元件，配置于该基板上；以及
第一连接器与第二连接器，连接至该至少一光波导元件，其中该至少一光波导元件包括从该第一连接器延伸至该第二连接器的光波导，来自第一光纤的部分光信号依序经由该第一连接器传递至该至少一光波导元件，经由该光子集成电路的至少一第一渐消式耦合器传递至该光子集成电路内部，经由该光子集成电路的至少一第二渐消式耦合器传递至该至少一光波导元件，且经由该第二连接器传递至至少一第二光纤。
2.如权利要求1所述的光学测量装置，其中该光波导元件的长度大于或等于该第一连接器与该第二连接器之间的最短距离。
3.如权利要求2所述的光学测量装置，其中该光波导从该基板的底面弯曲至该基板的侧面。
4.如权利要求1所述的光学测量装置，还包括支撑座，其中该基板配置于该支撑座上。
5.如权利要求4所述的光学测量装置，其中该光波导从该基板的底面弯曲至该基板的侧面后，再弯曲至该支撑座的底面并沿着该支撑座的底面延伸。
6.如权利要求4所述的光学测量装置，其中该光波导从该基板的底面弯曲至该基板的侧面与该支撑座的侧面。
7.如权利要求1所述的光学测量装置，还包括保护层，包覆该至少一光波导元件的表面。
8.如权利要求1所述的光学测量装置，其中该至少一光波导元件为多个光波导元件，该至少一第一渐消式耦合器为多个第一渐消式耦合器，该至少一第二渐消式耦合器为多个第二渐消式耦合器。
9.如权利要求8所述的光学测量装置，其中该多个光波导元件在该第一连接器与该第二连接器处的间距大于该多个第一渐消式耦合器的相邻者的间距，且大于该多个第二渐消式耦合器的相邻者的间距。
10.如权利要求1所述的光学测量装置，其中该至少一光波导元件为多个光波导元件，该至少一第二光纤为多个第二光纤，在该多个光波导元件中的光信号经由该第二连接器分别传递至该多个第二光纤。
11.如权利要求1所述的光学测量装置，其中当该光学测量装置测量该光子集成电路时，该至少一光波导元件直接接触该至少一第一渐消式耦合器，且直接接触该至少一第二渐消式耦合器。
12.如权利要求1所述的光学测量装置，还包括：
多个电性探针，穿过该基板与该至少一光波导元件，
其中，当该光学测量装置测量该光子集成电路时，该多个电性探针连接该光子集成电路的多个电极。
13.如权利要求1所述的光学测量装置，还包括：
光检测器，用以测量来自该第二光纤的该光信号；以及
处理器，电连接至该光检测器，其中当该光学测量装置测量该光子集成电路时，该至少一光波导元件接触该至少一第一渐消式耦合器与该至少一第二渐消式耦合器，而当该光学测量装置没有测量该光子集成电路时，该至少一光波导元件不接触该至少一第一渐消式耦合器与该至少一第二渐消式耦合器，而来自该第一光纤的该光信号经过该至少一光波导元件且由该第二光纤输出，该处理器用以比较该光学测量装置测量与不测量该光子集成电路时该光检测器所测得的该光信号，以校正该光学测量装置测量该光子集成电路时该光检测器所测得的该光信号。
14.一种光学测量装置，用以测量光子集成电路，其特征在于，该光学测量装置包括：
基板；
至少一光波导元件，配置于该基板上；以及
第一连接器与第二连接器，连接至该至少一光波导元件，其中该至少一光波导元件包括彼此分开的第一光波导与第二光波导，该第一光波导连接该第一连接器，且该第二光波导连接该第二连接器，来自第一光纤的光信号依序经由该第一连接器传递至该至少一第一光波导元件，经由该光子集成电路的至少一第一渐消式耦合器传递至该光子集成电路内部，经由该光子集成电路的至少一第二渐消式耦合器传递至该至少一第二光波导元件，且经由该第二连接器传递至至少一第二光纤。
15.如权利要求14所述的光学测量装置，其中该第一光波导在靠近该第一渐消式耦合器的一端为逐渐尖细端，且该第二光波导在靠近该第二渐消式耦合器的一端为逐渐尖细端。
16.如权利要求14所述的光学测量装置，还包括支撑座，其中该基板配置于该支撑座上。
17.如权利要求14所述的光学测量装置，还包括保护层，包覆该至少一第一光波导元件与该至少一第二光波导元件的表面。
18.如权利要求14所述的光学测量装置，其中该至少一光波导元件为多个光波导元件，该至少一第二光纤为多个第二光纤，在该多个光波导元件中的光信号经由该第二连接器分别传递至该多个第二光纤。
19.如权利要求14所述的光学测量装置，其中该至少一光波导元件为多个光波导元件，该至少一第一渐消式耦合器为多个第一渐消式耦合器，该至少一第二渐消式耦合器为多个第二渐消式耦合器，该多个光波导元件在该第一连接器与该第二连接器处的间距大于该多个第一渐消式耦合器的相邻者的间距，且大于该多个第二渐消式耦合器的相邻者的间距。
20.如权利要求14所述的光学测量装置，还包括：
多个电性探针，穿过该基板与该至少一光波导元件，
其中，当该光学测量装置测量该光子集成电路时，该多个电性探针分别连接该光子集成电路的多个电极。
21.一种光学测量方法，包括：
利用第一连接器将来自第一光纤的光信号传递至至少一光波导元件；
使该至少一光波导元件中的光信号经由光子集成电路的至少一第一渐消式耦合器传递至该光子集成电路内部；
使该光子集成电路内部的该光信号经由至少一第二渐消式耦合器传递至该至少一光波导元件；以及
利用第二连接器将来自该至少一光波导元件的该光信号传递至至少一第二光纤。
技术总结