本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种amoled像素驱动电路、像素驱动方法及显示面板。
背景技术：
有机发光二极管(organiclightemittingdisplay，oled)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
oled显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型oled(passivematrixoled，pmoled)和有源矩阵型oled(activematrixoled，amoled)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)矩阵寻址两类。其中，amoled具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
目前大尺寸amoled面板像素电路普遍采用3t1c等为代表的外部补偿电路，这类电路的不足在于，倘若面板的开关tft的阈值电压负偏，数据电压难以稳定存储于存储电容中，数据会逐渐丢失，宏观上造成画面闪烁现象，产品品质受到严重影响。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种像素驱动电路、像素驱动方法及显示面板，旨在解决开关tft的阈值电压负偏造成数据信号的丢失，避免闪烁现象发生，保证画面的显示正常。
为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种amoled像素驱动电路，在所述amoled像素驱动电路中全部或部分薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，以调节所述amoled像素驱动电路中薄膜晶体管的阈值电压。
进一步的，所述amoled像素驱动电路包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的顶栅连接第一电路节点，第一电极接入电源电压，第二电极连接第二电路节点；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的顶栅接入第一扫描信号，第三电极接入数据电压，第四电极连接所述第一电路节点；
第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的顶栅接入第二扫描信号，第五电极连接所述第二电路节点，第六电极接入参考电压；
电容，一端连接所述第一电路节点，另一端连接所述第二电路节点；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点，阴极接入公共接地电压；
所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管中至少之一为双栅型薄膜晶体管。
进一步的，所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管均为双栅极薄膜晶体管，所述所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的底栅连接外部信号源，以调节所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管的阈值电压。
进一步的，所述底栅为所述amoled像素驱动电路的遮光层。
进一步的，所述像素驱动电路的状态包括第一复位状态和数据写入状态：
在所述像素驱动电路处于第一复位状态和数据写入状态时，所述第一扫描信号与所述第二扫描信号为高电位，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管打开状态，所述第一电位节点写入数据信号，所述第二电位节点被复位至参考点位，所述外部信号源输入的信号为正电位信号，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管的阈值电压负偏。
进一步的，所述像素驱动电路的状态还包括第二复位状态：
所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号为高电位，所述第二薄膜晶体管关闭状态，所述第三薄膜晶体管打开状态，所述外部信号源为负电位，所述第二薄膜晶体管的阈值电压正偏。
进一步的，所述像素驱动电路的状态还包括发光状态：
所述第一扫描信号和所述第二扫描信号为低电位，所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管为关闭状态，所述第一节点和所述第二节点电位相对第二复位状态同时抬升。
进一步的，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
所述第三薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
进一步的，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
进一步的，所述第一扫描信号、第二扫描信号、及数据电压均通过外部时序控制器产生。
第二方面，本申请提供一种像素驱动方法，用于利用以上任一所述的amoled像素驱动电路驱动显示面板中像素发光，所述方法包括：
第一复位状态和数据写入阶段：所述第一扫描信号与所述第二扫描信号升为高电位，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管打开，所述第一电位节点写入数据信号，所述第二电位节点被复位至参考点位，所述外部信号源输入正电位信号，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管的阈值电压负偏；
第二复位状态：所述第一扫描信号降为低电位，所述第二扫描信号为高电位，所述第二薄膜晶体管关闭，所述第三薄膜晶体管打开，所述外部信号源输入负电位信号，所述第二薄膜晶体管的阈值电压正偏；
发光阶段：所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号降为低电位，所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管关闭，所述第一电位节点和所述第二电位节点电位相对第二复位阶段同时抬升，所述有机发光二极管流经稳定电流，所述有机发光二极管发光。
进一步的，所述双栅型薄膜晶体管器件的底栅连接外部信号。
进一步的，所述底栅为所述amoled像素驱动电路的遮光层。
进一步的，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
所述第三薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
进一步的，所述第一扫描信号、第二扫描信号、及数据电压均通过外部时序控制器产生。
第三方面，本申请提供一种显示面板，包括如第一方面所述的amoled像素驱动电路。
有益效果：本发明实施例中提供一种像素驱动电路、像素驱动方法及显示面板，本发明实施例中amoled驱动电路中全部或部分薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，通过双栅型薄膜晶体管器件来实现开关tft阈值电压的可调性，防止作为开关tft的第二薄膜晶体管的阈值电压的负偏,帮助数据电压稳定存储于存储电容中，防止数据丢失造成的显示面板画面闪烁现象，进而提高显示面板的显示效果和品质。
本发明实施例中将所述amoled像素驱动电路的遮光层(lightshield，ls)作为底栅，amoled制程中本来就有遮光层这一道制程，在掩膜版曝光制作过程中，在第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3下方增加遮光层，只需要更改掩膜版图形，不会额外增加掩膜版数量，所以制程成本没有增加，有利于生产。另一方面，也起到了防止光照射有源层，维持tft稳定的作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有的一种amoled像素电路的3t1c示意图；
图2是本发明实施例提供一种amoled像素驱动电路结构示意图；
图3是本发明实施例提供一种时序示意图；
图4是现有的第二薄膜晶体管t2的负偏对第一薄膜晶体管t1的栅极电压g:vth、oled电流(g:ioled)的影响；
图5是本发明实施例提供的第二薄膜晶体管t2的负偏对第一薄膜晶体管t1的栅极电压g:vth、oled电流(g:ioled)的影响；
图6是本发明实施例提供一种amoled像素驱动电路中tft的底栅外接电压与阈值电压关系曲线图示意图；
图7本发明实施例提供一种薄膜晶体管结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
目前大尺寸amoled面板像素电路普遍采用3t1c等为代表的外部补偿电路，这类电路的不足在于，倘若面板的开关tft的阈值电压vth负偏，数据电压难以稳定存储于存储电容中，数据会逐渐丢失，宏观上造成画面闪烁现象，产品品质受到严重影响。
请参阅图1，图1为现有的amoled像素驱动电路的3t1c结构示意图，其中基本电路组成包括，第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体t2、第三薄膜晶体管t3、电容cst及有机发光二极管，具体的，在s点复位以及栅极点数据写入阶段，第一薄膜晶体管t1栅极连接第一电路节点g，漏极连接电源电压vdd，源级连接公共接地电压vss；第二薄膜晶体t2的栅极连接第一扫描信号wr，漏极连接数据电压data，源级连接第一电路节点g；第三薄膜晶体t3的顶栅接入第二扫描信号rd，漏极连接参考电压ref，源级连接第二电路节点s。
基于此，本发明实施例提供一种amoled像素驱动电路、像素驱动方法及显示面板，以下分别进行详细说明。
首先，本发明实施例中提供一种amoled像素驱动电路，所述在所述amoled像素驱动电路中全部或部分薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，以调节所述amoled像素驱动电路中薄膜晶体管的阈值电压。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，请参阅图2，图2为本实施例的amoled驱动电路图，所述amoled驱动电路包括：
第一薄膜晶体管t1，所述第一薄膜晶体管t1的顶栅连接第一电路节点g，第一电极接入电源电压vdd，第二电极连接第二电路节点s；
第二薄膜晶体管t2，所述第二薄膜晶体管t2的顶栅接入第一扫描信号wr，第三电极接入数据电压data，第四电极连接所述第一电路节点g；
具体的，第二薄膜晶体管t2为开关tft。
第三薄膜晶体管t3，所述第三薄膜晶体管t3的顶栅接入第二扫描信号rd，第五电极连接所述第二电路节点s，第六电极接入参考电压ref；
具体的，第一电极至第六电极可以为栅极或漏极，具体根据电压方向决定。
电容cst，一端连接所述第一电路节点g，另一端连接所述第二电路节点s；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点s，阴极接入公共接地电压vss；
所述第二薄膜晶体管t2和所述第三薄膜晶体管t3中至少之一为双栅型薄膜晶体管。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，所述第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3均为双栅极薄膜晶体管，所述所述第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3的底栅连接外部信号源ls，以调节所述第二薄膜晶体管t2和所述第三薄膜晶体管t3的阈值电压。
在本申请的另一个具体实施例中，所述底栅为所述amoled像素驱动电路的遮光层20(lightshield，ls)。
请参阅图7，为本实施例提供一种薄膜晶体管结构示意图，包括；玻璃基底10、遮光层20、底栅绝缘层30、层间介质层40、igzo50、栅极绝缘层60、第二金属层、钝化层80。
在本申请的另一个具体实施例中，所述像素驱动电路的状态包括第一复位状态和数据写入状态：
在所述像素驱动电路处于第一复位状态和数据写入状态时，所述第一扫描信号wr与所述第二扫描信号rd为高电位，所述第二薄膜晶体管t2与所述第三薄膜晶体管t3打开状态，所述第一电位节点g写入数据信号，所述第二电位节点s被复位至参考点位ref，所述外部信号源ls输入的信号为正电位信号，所述第二薄膜晶体管t2与所述第三薄膜晶体管t3的阈值电压负偏。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，所述像素驱动电路的状态还包括第二复位状态：
所述第一扫描信号wr为低电位，所述第二扫描信号rd为高电位，所述第二薄膜晶体管t2关闭状态，所述第三薄膜晶体管t3打开状态，所述外部信号源ls为负电位，所述第二薄膜晶体管t2的阈值电压正偏。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，所述像素驱动电路的状态还包括发光状态：
所述第一扫描信号wr和所述第二扫描信号rd为低电位，所述第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3为关闭状态，所述第一节点g和所述第二节点s电位相对第二复位状态同时抬升。
在本申请的另一个具体实施例中，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
所述第三薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
在本申请的另一个具体实施例中，所述第一扫描信号wr、第二扫描信号rd、及数据电压data均通过外部时序控制器产生。
为了更好实施本发明实施例中amoled像素驱动电路，在amoled像素驱动电路的基础之上，本发明实施例中还提供一种像素驱动方法，所述方法包括：
第一复位状态和数据写入阶段(s1)：所述第一扫描信号wr与所述第二扫描信号rd升为高电位，所述第二薄膜晶体管t2与所述第三薄膜晶体管t3打开，所述第一电位节点g写入数据信号，所述第二电位节点s被复位至参考点位ref，所述外部信号源ls输入正电位信号，所述第二薄膜晶体管t2与所述第三薄膜晶体管t3的阈值电压负偏；
请参阅图3，为本实施例的时序示意图，分别代表第一扫描信号wr、第二扫描信号r、外部信号ls、数据电压data、第一电位节点g和第二电位节点s的电压值。
具体的，源漏极的判断依据参考电压值，电压高的一极为漏极，可参考图3，此时在第一薄膜晶体管t1中，接入电源电压vdd的第一电极为漏极，连接第二电路节点s的第二电极为源极；在第二薄膜晶体管t2中，接入数据电压data的第三电极为漏极，连接所述第一电路节点的第四电极g为源极；在第三薄膜晶体管t3中，接入参考电压ref的第六电极为漏极，连接所述第二电路节点s的第五电极为源极。
第二复位状态(s2)：所述第一扫描信号wr降为低电位，所述第二扫描信号rd为高电位，所述第二薄膜晶体管t2关闭，所述第三薄膜晶体管t3打开，所述外部信号源ls输入负电位信号，所述第二薄膜晶体管t2的阈值电压正偏；
具体的，在此阶段，第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3的源级和漏极的方向相对(s1)不变。
发光阶段(s3)：所述第一扫描信号wr为低电位，所述第二扫描信号rd降为低电位，所述第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3关闭，所述第一电位节点g和所述第二电位节点s电位相对第二复位阶段同时抬升，所述有机发光二极管流经稳定电流，所述有机发光二极管发光；
具体的，在此阶段，由于所述第一电位节点g和所述第二电位节点s电位相对第二复位阶段同时抬升，第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3的源极和漏极相对(s1)交换：在第二薄膜晶体管t2中，接入数据电压data的第三电极为源级，连接所述第一电路节点的第四电极g为漏极；在第三薄膜晶体管t3中，接入参考电压ref的第六电极为源极，连接所述第二电路节点s的第五电极为漏极。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，所述双栅型薄膜晶体管器件的底栅连接外部信号ls。
在本申请的另一个具体实施例中，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
所述第三薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管中的一种或几种。
所在本申请的另一个具体实施例中，底栅为所述amoled像素驱动电路的遮光层20。
在本申请的另一个具体实施例中，所述第一扫描信号wr、第二扫描信号rd、及数据电压data均通过外部时序控制器产生。
在像素驱动方法的基础之上，本发明实施例中还提供一种显示面板，包括以上像素驱动电路。
需要说明的是，上述显示面板实施例中仅描述了上述结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本发明实施例显示面板中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，例如基板层，薄膜晶体管层，封装层等，具体此处不作限定。
传统电路没有外部信号ls，因此当第二薄膜晶体管t2负偏-7v时，第四电极g点电位损失，oled电流会迅速没有，导致oled无法发光，面板因此会出现闪烁现象。
请参阅图4和图5，图4为模拟了现有的第二薄膜晶体管t2的负偏对第一薄膜晶体管t1的栅极电压g:vth、oled电流(g:ioled)的影响。图5为本发明实施例中第二薄膜晶体管t2的负偏对第一薄膜晶体管t1的栅极电压g:vth、oled电流(g:ioled)的影响。
采用本发明实施例能够通过底栅控制调整第二薄膜晶体管t2的阈值电压vth，如果偏负，利用底栅给负电压，将阈值电压vth调整至正，这样栅极点电压锁定了，oled的电流也能够稳定。
请参阅图6，本发明实施例中amoled像素驱动电路中tft底栅外接电压与阈值电压vth关系曲线图示意图，由图中可知外接电压与阈值电压vth呈反比关系。
具体的，tft代表第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3。
本发明实施例中提供一种像素驱动电路、像素驱动方法及显示面板，amoled驱动电路中全部或部分薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，通过双栅型薄膜晶体管器件来实现开关tft阈值电压的可调性，防止作为第二薄膜t2晶体管的开关tft阈值电压的负偏,帮助数据电压稳定存储于存储电容中，防止数据丢失造成的显示面板画面闪烁现象，进而提高显示面板的显示效果和成品的品质。
本发明实施例中提供将所述amoled像素驱动电路的遮光层作为底栅，amoled制程中本来就有遮光层这一道制程，在掩膜版曝光制作过程中，在第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3下方增加遮光层，只需要更改掩膜版图形，不会额外增加掩膜版数量，所以制程成本没有增加，有利于生产。另一方面，也起到了防止光照射有源层，维持tft稳定的作用。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文其他实施例中的详细描述，此处不再赘述。
具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种amoled像素驱动电路、像素驱动方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
1.一种amoled像素驱动电路，其特征在于，在所述amoled像素驱动电路中全部或部分薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，以调节所述amoled像素驱动电路中薄膜晶体管的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的amoled像素驱动电路，其特征在于，所述amoled驱动电路包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的顶栅连接第一电路节点，第一电极接入电源电压，第二电极连接第二电路节点；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的顶栅接入第一扫描信号，第三电极接入数据电压，第四电极连接所述第一电路节点；
第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的顶栅接入第二扫描信号，第五电极连接所述第二电路节点，第六电极接入参考电压；
电容，一端连接所述第一电路节点，另一端连接所述第二电路节点；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点，阴极接入公共接地电压；
所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管中至少之一为双栅型薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的amoled像素驱动电路，其特征在于，所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管均为双栅极薄膜晶体管，所述所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的底栅连接外部信号源，以调节所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管的阈值电压。
4.根据权利要求2所述的amoled像素驱动电路，其特征在于，所述底栅为所述amoled像素驱动电路的遮光层。
5.根据权利要求2所述的amoled像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路的状态包括第一复位状态和数据写入状态：
在所述像素驱动电路处于第一复位状态和数据写入状态时，所述第一扫描信号与所述第二扫描信号为高电位，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管打开状态，所述第一电位节点写入数据信号，所述第二电位节点被复位至参考点位，所述外部信号源输入的信号为正电位信号，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管的阈值电压负偏。
6.根据权利要求5所述的amoled像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路的状态还包括第二复位状态：
所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号为高电位，所述第二薄膜晶体管关闭状态，所述第三薄膜晶体管打开状态，所述外部信号源为负电位，所述第二薄膜晶体管的阈值电压正偏。
7.根据权利要求6所述的amoled像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路的状态还包括发光状态：
所述第一扫描信号和所述第二扫描信号为低电位，所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管为关闭状态，所述第一节点和所述第二节点电位相对第二复位状态同时抬升。
8.一种像素驱动方法，其特征在于，用于利用如权利要求1至7中任一所述的amoled像素驱动电路驱动显示面板中像素发光，所述方法包括：
第一复位状态和数据写入阶段：所述第一扫描信号与所述第二扫描信号升为高电位，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管打开，所述第一电位节点写入数据信号，所述第二电位节点被复位至参考点位，所述外部信号源输入正电位信号，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管的阈值电压负偏；
第二复位状态：所述第一扫描信号降为低电位，所述第二扫描信号为高电位，所述第二薄膜晶体管关闭，所述第三薄膜晶体管打开，所述外部信号源输入负电位信号，所述第二薄膜晶体管的阈值电压正偏；
发光阶段：所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号降为低电位，所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管关闭，所述第一电位节点和所述第二电位节点电位相对第二复位阶段同时抬升，所述有机发光二极管流经稳定电流，所述有机发光二极管发光。
9.根据权利要求8所述的像素驱动方法，其特征在于，所述双栅型薄膜晶体管器件的底栅连接外部信号。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7一项所述的像素驱动电路。
技术总结