本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种三维存储器的控制方法及其控制装置和存储介质。
背景技术：
三维存储器是实现数据在三维空间中的存储和传递，大幅提高存储设备的存储能力的存储器。在三维存储器中，通过控制存储层中的电荷来实现多bit存储功能。存储层的编程/擦除的循环次数表示产品的循环使用寿命，当循环次数多以后，产品的数据保持能力会减弱，容易导致数据出现错误。
技术实现要素：
本申请提供一种三维存储器的控制方法及其控制装置和存储介质，解决了三维存储器数据保持能力减弱，容易导致数据出现错误的问题。
本申请提供一种三维存储器的控制方法，所述三维存储器包括：衬底；形成在所述衬底上的由绝缘层和栅极层交替堆叠形成的堆叠层；垂直穿透所述堆叠层的沟道结构；所述控制方法包括：
获取所述三维存储器的当前温度值；
若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器的栅极层施加电压。
其中，所述沟道结构包括依次形成的隧穿层、存储层和阻挡层；根据所述隧穿层、所述存储层和所述阻挡层的厚度得到对所述栅极层施加的具体电压值，所述厚度越厚，所述具体电压值越高。
其中，所述控制方法还包括：对比并判断所述当前温度值和所述预设温度值的大小关系。
其中，通过驱动栅极供电模块对所述栅极层施加3～8v电压。
其中，根据所述存储层的编程/擦除次数，设置所述预设温度。
其中，获取所述存储层的编程/擦除次数，当所述存储层的编程/擦除次数小于1000，所述预设温度值为80度；当所述存储层的编程/擦除次数大于1000且小于2000，所述预设温度值为65度；当所述存储层的编程/擦除次数大于3000，所述预设温度值为50度。
其中，获取所述三维存储器的当前温度值时，持续获取所述三维存储器的温度。
其中，在所述获取所述三维存储器的当前温度值之前，所述控制方法还包括：获取所述三维存储器的工作状态；所述获取所述三维存储器的当前温度值包括：若所述三维存储器处于工作状态时，获取所述三维存储器的温度，作为所述当前温度值。
本申请还提供一种三维存储器的控制装置，所述三维存储器包括：衬底；形成在所述衬底上的由绝缘层和栅极层交替堆叠形成的堆叠层；垂直穿透所述堆叠层的沟道结构；所述控制装置包括：
获取单元，所述获取单元用于获取所述三维存储器的当前温度值；
控制单元，所述控制单元用于若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器的栅极层施加电压。
其中，所述控制单元包括：
计算模块，所述计算模块用于根据所述三维存储器的隧穿层、存储层和阻挡层的厚度得到对所述栅极层施加的具体电压值，所述厚度越厚，所述具体电压值越高。
其中，所述控制单元包括：
中央处理模块，用于对比所述当前温度值和所述预设温度值，并驱动栅极供电模块对所述栅极层施加所述具体电压值。
其中，所述预设温度值预先保存于所述中央处理模块中。
其中，根据所述存储层的编程/擦除次数，设置所述预设温度。
其中，所述控制单元包括预设温度获取模块，所述预设温度获取模块用于获取所述存储层的编程/擦除次数，若所述存储层的编程/擦除次数小于1000，则所述预设温度值为80度；若所述存储层的编程/擦除次数大于1000且小于2000，则所述预设温度值为65度；若所述存储层的编程/擦除次数大于3000，则所述预设温度值为50度。
其中，所述获取单元包括：
温度传感器，所述温度传感器埋设于所述三维存储器内，用于获取所述三维存储器的当前温度值。
其中，所述控制单元包括：
监测驱动模块，所述监测驱动模块用于驱动所述温度传感器持续获取所述三维存储器的温度。
其中，所述控制单元包括：
监测驱动模块，所述监测驱动模块用于当所述三维存储器工作时，驱动所述温度传感器获取所述三维存储器的温度。
本申请还保护一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意所述控制方法的步骤。
本申请通过获取所述三维存储器的当前温度值，若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器的栅极层施加电压，形成一个横向的电场，使得存储层中的电子趋向阻挡层，从而避免存储层的电子在高温条件及多次编程/擦除下，由于电子能量增加容易由隧穿层流失，保证了高温下存储层长时间的数据保持能力，保证了存储于存储层中的数据的准确。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是三维存储器的部分结构示意图。
图2是本申请实施例提供的一种三维存储器的控制方法的流程示意图。
图3是本申请实施例提供的另一种三维存储器的控制方法的流程示意图。
图4是本申请实施例提供的一种三维存储器的控制装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1是三维存储器100的部分结构示意图。数据保持能力一直是存储器的一个重要性能指标，它表明了保存电荷的能力。所述三维存储器包括衬底，形成在所述衬底上的由绝缘层和栅极层20交替堆叠形成的堆叠层和垂直穿透所述堆叠层的沟道结构，所述沟道结构为三维存储器100的存储单元10。三维存储器100通过存储单元10实现数据存储功能，存储单元10包括隧穿层11、存储层12和阻挡层13，存储层12位于隧穿层11和阻挡层13之间，通过控制存储层12中的电荷来实现多字节存储功能。存储单元10经过编程之后，存储层12会捕获电子，以实现数据存储。一般情况下，高温条件下，存储层12的数据保持能力和存储层12的编程/擦除的循环次数，两者不可兼得，存储层12的编程/擦除的循环次数越多，其数据保持能力越差。在编程/擦除的循环次数较多的情况下，隧穿层11会被破坏，电荷更容易从隧穿层11流失，造成数据错误。尤其在高温条件下，由于电子的能量增加，数据保持能力会变得更加的恶化。
鉴于上述问题，本申请提供了一种三维存储器的控制方法，以控制上述三维存储器100，该控制方法解决了三维存储器100的存储层12随着编程/擦除的循环次数越多，其数据保持能力越差，容易导致数据出现错误的问题。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的一种三维存储器的控制方法的流程示意图。如图2所示，所述三维存储器的控制方法包括如下的s110～s120。
s110：获取所述三维存储器100的当前温度值。
具体的，结合参阅图1，通过温度传感器获取所述当前温度值。具体的，本实施例中，先获取所述三维存储器100的工作状态，若所述三维存储器100处于工作状态时，驱动所述温度传感器获取所述三维存储器100的温度，作为所述当前温度值，从而保证仅在所述三维存储器100处于工作状态时，才驱动所述温度传感器获取所述三维存储器100的温度，避免了所述三维存储器100在没工作时，仍然开启所述温度传感器而导致的能源浪费和影响所述温度传感器的使用寿命。具体的，在所述三维存储器100处于工作状态时，驱动所述温度传感器持续获取所述三维存储器100的温度，从而时刻监测所述三维存储器100的温度。当然，在其他实施例中，在所述三维存储器100处于工作状态时，还可以驱动所述温度传感器间隔获取所述三维存储器100的温度，间隔时间可以根据实际需要设置，比如几分钟、十几分钟或其他时间，从而更加节能省电。当然，所述温度传感器还可以持续获取所述三维存储器100的温度。
s120：若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器100的栅极层20施加电压。
具体的，请结合参阅图1，首先，对比并判断所述当前温度值和所述预设温度值的大小关系，并通过驱动栅极供电模块对所述栅极层20施加电压。可选的，所述施加的电压为3～8v。可以理解的是，获得所述当前温度值之后，将所述当前温度值和预设温度值进行对比，本申请中的预设温度值为80度，若所述当前温度值大于预设温度值，即所述当前温度值大于80度，则驱动与三维存储器100电连接的驱动栅极供电模块对所述栅极层20施加3～8v电压。当然，在其他实施例中，所述预设温度值为80度还可以是其他温度，具体根据实际需要设定。
由于三维存储器100的温度越高，存储在存储层12中的电子的能量越大，越容易从隧穿层11流失，本申请通过将预设温度设定为80度，以在高温的情况下控制位于存储层12中的电子，也就是在电子能量较大，不稳定时控制电子的活动范围，以使电子更好的趋向阻挡层13，避免电子从隧穿层11流失，具有很好的保持数据的能力。本实施例中的栅极供电模块为三维存储器100控制系统中原有的模块，本控制方法可直接调用栅极供电模块以对栅极层20进行加压，在提高存储层12的数据保持能力的基础上不需要改变三维存储器100的其他电连接结构，控制方法简单方便。
本实施例中，根据所述三维存储器100的隧穿层11、存储层12和阻挡层13的厚度得到对所述栅极层20施加的具体电压值。具体的，隧穿层11、存储层12和阻挡层13的厚度越厚，施加给栅极层20的电压越大，举例来说，若存储层12的厚度为8nm，则施加在栅极层20的电压为6.5v，若存储层12的厚度为8.2nm，则施加在栅极层20的电压为6.8v。当然，还需要综合考虑隧穿层11和阻挡层13的厚度及所述隧穿层11的掺杂浓度，具体参数根据三维存储器100中的隧穿层11、存储层12和阻挡层13的具体参数决定，从而保证通过给栅极层20加压产生的横向电场能保证位于存储层12中的电子趋向阻挡层13，从而避免存储层12的电子在高温条件及多次编程/擦除下，由于电子能量增加容易由隧穿层11流失，保证了高温下存储层12长时间的数据保持能力。
本申请通过获取所述三维存储器100的当前温度值，若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器100的栅极层20施加电压，形成一个横向的电场，使得存储层12中的电子趋向阻挡层13，从而避免存储层12的电子在高温条件及多次编程/擦除下，由于电子能量增加容易由隧穿层11流失，保证了高温下存储层12长时间的数据保持能力，进而确保了存储于存储层12中的数据的准确。同时，本申请的控制方法直接调用三维存储器100控制系统的栅极供电模块对栅极层20进行加压，不需要新引入加压线路等结构和线路控制模块，无需改变三维存储器100的底层电路设计和工作模式，不会改变编程/擦除速度，对三维存储器100的其他性能没有副作用，控制方法简单方便。
请参阅图3，图3为本申请实施例提供的另一种三维存储器100的控制方法的流程示意图。如图3所示，所述三维存储器100的控制方法包括如下的s210～s220。
s210：获取所述三维存储器100的当前温度值。
具体的，请结合参阅图1，通过温度传感器获取所述当前温度值。具体的，本实施例中，先获取所述三维存储器100的工作状态，若所述三维存储器100处于工作状态时，驱动所述温度传感器获取所述三维存储器100的温度，作为所述当前温度值，从而保证仅在所述三维存储器100处于工作状态时，才驱动所述温度传感器获取所述三维存储器100的温度，避免了所述三维存储器100在没工作时，仍然开启所述温度传感器而导致的能源浪费和影响所述温度传感器的使用寿命。具体的，在所述三维存储器100处于工作状态时，驱动所述温度传感器持续获取所述三维存储器100的温度，从而时刻监测所述三维存储器100的温度。当然，在其他实施例中，在所述三维存储器100处于工作状态时，还可以驱动所述温度传感器间隔获取所述三维存储器100的温度，间隔时间可以根据实际需要设置，比如几分钟、十几分钟或其他时间，从而更加节能省电。当然，所述温度传感器还可以持续获取所述三维存储器100的温度。
s220：若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器100的栅极层20施加电压。
具体的，请结合参阅图1，首先，获取所述存储层12的编程/擦除次数，并根据获取的编程/擦除次数确定预设温度值，当所述存储层12的编程/擦除次数小于1000，所述预设温度值为80度。当所述存储层12的编程/擦除次数大于1000且小于2000，所述预设温度值为65度。当所述存储层12的编程/擦除次数大于3000，所述预设温度值为50度。然后，对比并判断所述当前温度值和所述预设温度值的大小关系，并通过驱动栅极供电模块对所述栅极层20施加电压。可选的，所述施加的电压为3～8v。可以理解的是，获得所述当前温度值之后，将所述当前温度值和预设温度值进行对比，若所述当前温度值大于预设温度值，则驱动与三维存储器100电连接的驱动栅极供电模块对所述栅极层20施加3～8v电压。当然，在其他实施例中，根据所述存储层12的编程/擦除次数确定预设温度值不限于以上描述。
由于存储层12的编程/擦除的循环次数越多，隧穿层11会被破坏，位于存储层12中的电子更容易从隧穿层11流失，其数据保持能力越差，且温度越高，电子的能量越大，越不稳定，越容易从隧穿层11流失，本申请通过对不同编程/擦除次数的三维存储器100设定不同的预设温度值，编程/擦除次数越多，预设温度值越小，也就是说，电子越容易从隧穿层11流失，就在电子能量越小时对栅极层20施加电压，从而能更好的控制位于存储层12中的电子，以使电子更好的趋向阻挡层13，具有更好的保持数据的能力。本实施例中的栅极供电模块为三维存储器控制系统中原有的模块，本控制方法可直接调用栅极供电模块以对栅极层20进行加压，在提高存储层12的数据保持能力的基础上不需要改变三维存储器100的其他电连接结构，控制方法简单方便。
本实施例根据所述三维存储器100的隧穿层11、存储层12和阻挡层13的厚度得到对所述栅极层20施加的具体电压值。具体的，隧穿层11、存储层12和阻挡层13的厚度越厚，施加给栅极层20的电压越大，举例来说，若存储层12的厚度为8nm，则施加在栅极层20的电压为6.5v，若存储层12的厚度为8.2nm，则施加在栅极层20的电压为6.8v。当然，还需要综合考虑隧穿层11和阻挡层13的厚度及所述隧穿层11的掺杂浓度，具体参数根据三维存储器100中的隧穿层11、存储层12和阻挡层13的具体参数决定，从而保证通过给栅极层20加压产生的横向电场能保证位于存储层12中的电子趋向阻挡层13，从而避免存储层12的电子在高温条件及多次编程/擦除下，由于电子能量增加容易由隧穿层11流失，保证了高温下存储层12长时间的数据保持能力。
本申请通过获取所述三维存储器100的当前温度值，若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器100的栅极层20施加电压，形成一个横向的电场，使得存储层12中的电子趋向阻挡层13，从而避免存储层12的电子在高温条件及多次编程/擦除下，由于电子能量增加容易由隧穿层11流失，保证了高温下存储层12长时间的数据保持能力，进而确保了存储于存储层12中的数据的准确。同时，本申请的控制方法直接调用三维存储器100控制系统的栅极供电模块对栅极层20进行加压，不需要新引入加压线路等结构和线路控制模块，无需改变三维存储器100的底层电路设计和工作模式，不会改变编程/擦除速度，对三维存储器100的其他性能没有副作用，控制方法简单方便。
请参阅图4，图4为本申请实施例提供的一种三维存储器100的控制装置200的结构示意图。所述控制装置200包括处理器210和配置为存储能够在处理器210上运行的计算机程序的三维存储器100。所述处理器210包括获取单元211和与获取单元211电连接的控制单元212，所述获取单元211用于获取所述三维存储器100的当前温度值，并将所述当前温度值发送给所述控制单元212。所述控制单元212用于若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器100的栅极层20施加电压。可选的，所述施加的电压为3～8v。本实施例中的所述预设温度值为80度，以在高温的情况下控制位于存储层12中的电子，也就是在电子能量较大，不稳定时控制电子的活动范围，以使电子更好的趋向阻挡层13，避免电子从隧穿层11流失，具有很好的保持数据的能力。其他实施例中，所述预设温度值还可根据实际需要设置为其他温度。
本申请将所述当前温度值与预设温度值对比，则对所述三维存储器100的栅极层20施加3～8v电压，形成一个横向的电场，使得存储层12中的电子趋向阻挡层13，从而避免存储层12的电子在高温条件及多次编程/擦除下，由于电子能量增加容易由隧穿层11流失，保证了高温下存储层12长时间的数据保持能力，进而确保了存储于存储层12中的数据的准确。
当然，在其他实施例中，所述控制单元212包括预设温度获取模块，所述预设温度值根据所述存储层12的编程/擦除次数决定。具体的，所述预设温度获取模块用于获取所述存储层12的编程/擦除次数，若所述存储层12的编程/擦除次数小于1000，则所述预设温度值为80度。若所述存储层12的编程/擦除次数大于1000且小于2000，则所述预设温度值为65度。若所述存储层12的编程/擦除次数大于3000，则所述预设温度值为50度。由于存储层12的编程/擦除的循环次数越多，隧穿层11会被破坏，电荷更容易从隧穿层11流失，其数据保持能力越差，且温度越高，电子的能量越大，越容易从隧穿层11流失，本申请通过对不同编程/擦除次数的三维存储器100设定不同的预设温度值，编程/擦除次数越多，预设温度值越小，也就是说，电子越容易从隧穿层11流失，就在电子能量越小时对栅极层20施加电压，从而能更好的控制位于存储层12中的电子，以使电子更好的趋向阻挡层13，具有更好的保持数据的能力。当然，根据所述存储层12的编程/擦除次数确定预设温度值不限于以上描述。
所述获取单元211包括温度传感器2111，所述控制单元212包括与温度传感器2111电连接的监测驱动模块2121，所述温度传感器2111埋设于所述三维存储器100内，用于获取所述三维存储器100的当前温度值。所述监测驱动模块2121用于当所述三维存储器100工作时，驱动所述温度传感器2111获取所述三维存储器100的温度。也就是说，仅所述三维存储器100处于工作状态时，才驱动所述温度传感器2111获取所述三维存储器100的温度，作为所述当前温度值，从而避免了所述三维存储器100在没工作时，仍然开启所述温度传感器2111而导致的能源浪费和影响所述温度传感器2111的使用寿命。当然，在其他实施例中，在所述三维存储器100处于工作状态时，还可以驱动所述温度传感器2111间隔获取所述三维存储器100的温度，间隔时间可以根据实际需要设置，比如几分钟、十几分钟或其他时间，从而更加节能省电。当然，所述监测驱动模块2121还可以用于驱动所述温度传感器2111持续获取所述三维存储器100的温度。
本实施例中，所述控制单元212包括中央处理模块2122和计算模块2123。中央处理模块2122和监测驱动模块2121和计算模块2123分别电连接。所述计算模块2123用于根据所述三维存储器100的隧穿层11、存储层12和阻挡层13的厚度得到对所述栅极层20施加的具体电压值。并将具体的电压值发送给中央处理模块2122。具体的，隧穿层11、存储层12和阻挡层13的厚度越厚，施加给栅极层20的电压越大，举例来说，若存储层12的厚度为8nm，则施加在栅极层20的电压为6.5v，若存储层12的厚度为8.2nm，则施加在栅极层20的电压为6.8v。当然，还需要综合考虑隧穿层11和阻挡层13的厚度及所述隧穿层11的掺杂浓度，具体参数根据三维存储器100中的隧穿层11、存储层12和阻挡层13的具体参数决定，从而保证通过给栅极层20加压产生的横向电场能保证位于存储层12中的电子趋向阻挡层13，从而避免存储层12的电子在高温条件及多次编程/擦除下，由于电子能量增加容易由隧穿层11流失，保证了高温下存储层12长时间的数据保持能力。中央处理模块2122接收到监测驱动模块2121发送的当前温度值后，对比所述当前温度值和所述预设温度值，并驱动栅极供电模块对所述栅极层20施加所述具体电压值。本实施例中，所述预设温度值预先保存于所述中央处理模块2122中。当然，其他实施例中，所述预设温度值还可以通过预设温度获取模块根据所述存储层12的编程/擦除次数获得。
本申请的控制装置200将所述当前温度值与预设温度值对比，则对所述三维存储器100的栅极层20施加电压，形成一个横向的电场，使得存储层12中的电子趋向阻挡层13，从而避免存储层12的电子在高温条件及多次编程/擦除下，由于电子能量增加容易由隧穿层11流失，保证了高温下存储层12长时间的数据保持能力，进而确保了存储于存储层12中的数据的准确。
本发明实施例还提供了一种存储介质，是计算机可读存储介质，例如包括计算机程序的三维存储器100，上述计算机程序可由三维存储器100的控制装置200的处理器210执行，以完成前述控制方法所述步骤。计算机可读存储介质可以是移动存储设备、只读存储器(rom，read-onlymemory)、随机存取存储器(ram，randomaccessmemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所揭露的仅为本申请较佳实施例而已，当然不能以此来限定本申请之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本申请权利要求所作的等同变化，仍属于申请所涵盖的范围。
1.一种三维存储器的控制方法，所述三维存储器包括：衬底；形成在所述衬底上的由绝缘层和栅极层交替堆叠形成的堆叠层；垂直穿透所述堆叠层的沟道结构；其特征在于，所述控制方法包括：
获取所述三维存储器的当前温度值；
若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器的栅极层施加电压。
2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述沟道结构包括依次形成的隧穿层、存储层和阻挡层；根据所述隧穿层、所述存储层和所述阻挡层的厚度得到对所述栅极层施加的具体电压值，所述厚度越厚，所述具体电压值越高。
3.如权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：对比并判断所述当前温度值和所述预设温度值的大小关系。
4.如权利要求3所述的控制方法，其特征在于，通过驱动栅极供电模块对所述栅极层施加3～8v电压。
5.如权利要求4所述的控制方法，其特征在于，根据所述存储层的编程/擦除次数，设置所述预设温度。
6.如权利要求5所述的控制方法，其特征在于，获取所述存储层的编程/擦除次数，当所述存储层的编程/擦除次数小于1000，所述预设温度值为80度；当所述存储层的编程/擦除次数大于1000且小于2000，所述预设温度值为65度；当所述存储层的编程/擦除次数大于3000，所述预设温度值为50度。
7.如权利要求1-6任一项所述的控制方法，其特征在于，获取所述三维存储器的当前温度值时，持续获取所述三维存储器的温度。
8.如权利要求1-6任一项所述的控制方法，其特征在于，在所述获取所述三维存储器的当前温度值之前，所述控制方法还包括：获取所述三维存储器的工作状态；
所述获取所述三维存储器的当前温度值包括：若所述三维存储器处于工作状态时，获取所述三维存储器的温度，作为所述当前温度值。
9.一种三维存储器的控制装置，所述三维存储器包括：衬底；形成在所述衬底上的由绝缘层和栅极层交替堆叠形成的堆叠层；垂直穿透所述堆叠层的沟道结构；其特征在于，所述控制装置包括：
获取单元，所述获取单元用于获取所述三维存储器的当前温度值；
控制单元，所述控制单元用于若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器的栅极层施加电压。
10.如权利要求9所述的控制装置，其特征在于，所述控制单元包括：
计算模块，所述计算模块用于根据所述三维存储器的隧穿层、存储层和阻挡层的厚度得到对所述栅极层施加的具体电压值，所述厚度越厚，所述具体电压值越高。
11.如权利要求10所述的控制装置，其特征在于，所述控制单元包括：
中央处理模块，用于对比所述当前温度值和所述预设温度值，并驱动栅极供电模块对所述栅极层施加所述具体电压值。
12.如权利要求11所述的控制装置，其特征在于，所述预设温度值预先保存于所述中央处理模块中。
13.如权利要求12所述的控制装置，其特征在于，根据所述存储层的编程/擦除次数，设置所述预设温度。
14.如权利要求13所述的控制装置，其特征在于，所述控制单元包括预设温度获取模块，所述预设温度获取模块用于获取所述存储层的编程/擦除次数，若所述存储层的编程/擦除次数小于1000，则所述预设温度值为80度；若所述存储层的编程/擦除次数大于1000且小于2000，则所述预设温度值为65度；若所述存储层的编程/擦除次数大于3000，则所述预设温度值为50度。
15.如权利要求9所述的控制装置，其特征在于，所述获取单元包括：
温度传感器，所述温度传感器埋设于所述三维存储器内，用于获取所述三维存储器的当前温度值。
16.如权利要求15所述的控制装置，其特征在于，所述控制单元包括：
监测驱动模块，所述监测驱动模块用于驱动所述温度传感器持续获取所述三维存储器的温度。
17.如权利要求15所述的控制装置，其特征在于，所述控制单元包括：
监测驱动模块，所述监测驱动模块用于当所述三维存储器工作时，驱动所述温度传感器获取所述三维存储器的温度。
18.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-9任一项所述控制方法的步骤。
技术总结