本发明涉及光伏领域，具体涉及一种硅棒的切割方法。
背景技术：
单晶硅片由单晶硅棒切割而成，一般是先制备100晶向的单晶硅棒，切割时先将硅棒的头尾两端切除，再对硅棒剩余段进行切方，得到长度方向与硅棒轴心平行的准方棒或方棒；再对准方棒或方棒进行切片，切片方向与准方棒或方棒的长度方向垂直，切片所得的硅片为100晶向的单晶硅片。
由上可知，现有单晶硅棒的切割方法，只能制得100晶向的单晶硅片。而随着太阳能电池技术的发展，非100晶向的单晶硅片也有需求，故需要对现有单晶硅棒的切割方法进行改进，以制备非100晶向的单晶硅片。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种硅棒的切割方法，其能制备非100晶向的单晶硅片。
为实现上述目的，本发明提供一种硅棒的切割方法，其将硅棒切割成硅片，包括切片步骤；所述硅棒为100晶向的单晶硅棒；切片方向与硅棒轴心存在非90度的夹角，切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。
优选的，将硅棒的头尾两端切除，再对硅棒剩余段进行切方，得到长度方向与硅棒轴心平行的准方棒或方棒；再对准方棒或方棒进行切片，切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在非90度的夹角，切片所得的硅片为非100晶向的第一单晶硅片。
优选的，所述对硅棒剩余段进行切方有产生边皮料；边皮料包括：切方所形成的长方形切割面，与切割面相背的弧面，以及分设于切割面长度方向两端的一对端面；以切割面为基准面；以切割面和弧面的结合部为尖角部；以弧面位于边皮料两侧尖角部之间的部分为弧形凸起部；
将边皮料两侧的尖角部切除，并将边皮料的弧形凸起部切除，得到长度方向与基准面长度方向一致的长方体状硅块；
对硅块进行切片，切片方向与基准面存在非90度的夹角，切片所得的硅片为非100晶向的第二单晶硅片。
优选的，第一单晶硅片切片时，切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在5～85度的夹角。
优选的，第二单晶硅片切片时，切片方向与基准面存在5～85度的夹角。
优选的，所述第一单晶硅片为110晶向或111晶向的单晶硅片。
优选的，所述第二单晶硅片为110晶向或111晶向的单晶硅片。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种硅棒的切割方法，其能制备非100晶向的单晶硅片。
本发明能将单晶硅棒切割出非100晶向的第一单晶硅片，主要是调整了准方棒或方棒的切片方向，对现有单晶硅棒切割方法的改动较小，易于推广。
本发明还能将边皮料切割出非100晶向的第二单晶硅片，可提高单晶硅棒的利用率，并提高非100晶向单晶硅片的产出。
附图说明
图1是边皮料的示意图。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种硅棒的切割方法，其将硅棒切割成硅片，包括切片步骤；所述硅棒为100晶向的单晶硅棒；切片方向与硅棒轴心存在非90度的夹角，切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。
本发明的具体实施例如下：
选择100晶向的单晶硅棒，切割时先将硅棒的头尾两端切除，再对硅棒剩余段进行切方，得到长度方向与硅棒轴心平行的准方棒或方棒；再对准方棒或方棒进行切片，切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在非90度（优选5～85度）的夹角，切片所得的硅片为非100晶向的第一单晶硅片（第一单晶硅片可以是110晶向的单晶硅片，也可以是111晶向的单晶硅片，还可以是其它非100晶向的单晶硅片）。
如图1所示，所述对硅棒剩余段进行切方有产生边皮料1；边皮料1包括：切方所形成的长方形切割面11，与切割面11相背的弧面12，以及分设于切割面11长度方向两端的一对端面；该对端面与切割面11垂直；以切割面11为基准面；以切割面11和弧面12的结合部为尖角部2；以弧面12位于边皮料1两侧尖角部2之间的部分为弧形凸起部3；
将边皮料1两侧的尖角部2切除，并将边皮料1的弧形凸起部3切除，得到长度方向与基准面长度方向一致的长方体状硅块4；对硅块4进行切片，切片方向与基准面11存在非90度且非0度（优选5～85度）的夹角，切片所得的硅片为非100晶向的第二单晶硅片（第二单晶硅片可以是110晶向的单晶硅片，也可以是111晶向的单晶硅片，还可以是其它非100晶向的单晶硅片）。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
1.硅棒的切割方法，其将硅棒切割成硅片，包括切片步骤；所述硅棒为100晶向的单晶硅棒；其特征在于，切片方向与硅棒轴心存在非90度的夹角，切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。
2.根据权利要求1所述的硅棒的切割方法，其特征在于，将硅棒的头尾两端切除，再对硅棒剩余段进行切方，得到长度方向与硅棒轴心平行的准方棒或方棒；再对准方棒或方棒进行切片，切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在非90度的夹角，切片所得的硅片为非100晶向的第一单晶硅片。
3.根据权利要求2所述的硅棒的切割方法，其特征在于，所述对硅棒剩余段进行切方有产生边皮料；边皮料包括：切方所形成的长方形切割面，与切割面相背的弧面，以及分设于切割面长度方向两端的一对端面；以切割面为基准面；以切割面和弧面的结合部为尖角部；以弧面位于边皮料两侧尖角部之间的部分为弧形凸起部；
将边皮料两侧的尖角部切除，并将边皮料的弧形凸起部切除，得到长度方向与基准面长度方向一致的长方体状硅块；
对硅块进行切片，切片方向与基准面存在非90度的夹角，切片所得的硅片为非100晶向的第二单晶硅片。
4.根据权利要求2所述的硅棒的切割方法，其特征在于，第一单晶硅片切片时，切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在5～85度的夹角。
5.根据权利要求3所述的硅棒的切割方法，其特征在于，第二单晶硅片切片时，切片方向与基准面存在5～85度的夹角。
6.根据权利要求2所述的硅棒的切割方法，其特征在于，所述第一单晶硅片为110晶向或111晶向的单晶硅片。
7.根据权利要求3所述的硅棒的切割方法，其特征在于，所述第二单晶硅片为110晶向或111晶向的单晶硅片。
技术总结