本申请属于薄膜电阻器技术领域，具体涉及一种薄膜电阻器结构及制备方法。
背景技术：
电阻器是电子行业基础元件之一，集成电路沿着摩尔定律发展，及电子产品往小型化发展，对电阻器体积小型化的要求愈发明显。传统的打线用的片状薄膜电阻器，其结构如图1所示，其具有两个低电阻率的电极1，一般不小于0.15mm宽度，电极间是电阻薄膜材料2，薄膜材料一般是氮化钽，铬硅合金，氮化钛，多晶硅等。为了提高阻值，可以设计成条状结构。如果对于小尺寸，如0201型号，电阻器长度仅0.6mm,如果单个电极宽度0.15mm,约50％的面积被电极占用。因此，现有的薄膜电阻器其电阻材料面积受限，制约了小体积、高阻值薄膜电阻器的可产品化。
技术实现要素：
针对上述现有技术的缺点或不足，本申请要解决的技术问题是提供一种薄膜电阻器结构及制备方法。
为解决上述技术问题，本申请通过以下技术方案来实现：
本申请提出了一种薄膜电阻器结构，包括：
绝缘衬底，
电阻层，其分布在所述绝缘衬底的表面；
绝缘层，其覆盖在所述电阻层上且预留通孔；
以及金属电极层，其分布在所述绝缘层上并通过所述通孔与所述电阻层连接。
进一步地，上述的薄膜电阻器结构，其中，所述电阻层设置为条状结构并按照蛇形盘绕在所述绝缘衬底上。
进一步地，上述的薄膜电阻器结构，其中，所述电阻层中电阻的两端相对其中间部分为宽条状结构，其该两端部的宽度为25-40um。
进一步地，上述的薄膜电阻器结构，其中，所述绝缘衬底由氮化铝、氧化铝、氮化硅或石英材料制成。
进一步地，上述的薄膜电阻器结构，其中，所述电阻层包括氮化钽薄膜、铬硅薄膜、多晶硅薄膜、二氧化钛薄膜或二氧化锆薄膜。
进一步地，上述的薄膜电阻器结构，其中，所述绝缘层包括二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氧化铝薄膜或有机绝缘树脂薄膜。
进一步地，上述的薄膜电阻器结构，其中，所述通孔的设置数量为至少两个，其中，所述通孔用于暴露出所述电阻层的连接部位。
本申请还提出了一种所述的薄膜电阻器结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
采用光刻和等离子刻蚀的工艺，在绝缘衬底上形成电阻层；
采用溅射工艺，在所述电阻层上溅射绝缘层；
利用光刻和二氧化硅湿法腐蚀工艺，在所述绝缘层上开至少两个通孔；
通过光刻和金属层剥离的工艺，在所述绝缘层及所述通孔内覆盖所述金属电极层，通过所述通孔使得所述金属电极层与所述电阻层连接。
进一步地，上述的制备方法，其中，所述电阻层中电阻的长宽比大于等于2000，电阻值大于等于100kω。
进一步地，上述的制备方法，其中，所述电阻层中电阻的两端相对其中间部分为宽条状结构，其该两端部的宽度为25-40um。
与现有技术相比，本申请具有如下技术效果：
本申请薄膜电阻器结构具有小尺寸、高阻值，其中的电阻层有绝缘层覆盖，使电阻层与外部环境隔离，提高了薄膜电阻器结构的可靠性；
本申请中的电阻层不再限制在两个电极之间分布，而是按照蛇形盘绕绝缘衬底上，可以大幅度提高长宽比，从而增加电阻器阻值，并且电阻器体积不需要额外增加；
本申请中的金属电极层仅通过绝缘层中的通孔与电阻层连接，其它部分则分布在绝缘层上，本申请通过通孔引出电极，最大电流耐受取决于通孔尺寸的直径，其中，该通孔形状和尺寸均可控，可靠性强；并且申请的金属电极层设置在结构的顶部，具有更高的集成度；
本申请制备方法中，采用的是半导体薄膜工艺，先形成薄膜，再使用刻蚀形成所需图案，优点是精度和可靠性更高，适用于大规模量产。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1：现有的打线薄膜电阻器的结构示意图；
图2：本申请薄膜电阻器结构的分层结构示意图；
图3：本申请薄膜电阻器结构的剖视图；
图4：本申请薄膜电阻器结构的制备方法流程图。
其中，1-绝缘衬底，2-电阻层，3-绝缘层，4-金属电极层。
具体实施方式
以下将结合附图对本申请的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本申请的目的、特征和效果。
如图2和图3所示，本申请的其中一个实施例中，一种薄膜电阻器结构，包括：
绝缘衬底1，
电阻层2，其分布在所述绝缘衬底1的表面；
绝缘层3，其覆盖在所述电阻层2上且预留通孔；
以及金属电极层4，其分布在所述绝缘层3上并通过所述通孔与所述电阻层2连接。
本实施例薄膜电阻器结构具有小尺寸、大阻值，其中的电阻层2有绝缘层3覆盖，使电阻层2与外部环境隔离，提高了薄膜电阻器结构的可靠性；其中，所述金属电极层4仅通过绝缘层3中的通孔与电阻层2连接，其它部分则分布在绝缘层3上，其通过通孔引出电极，最大电流耐受取决于通孔尺寸的直径，且该通孔形状和尺寸均可控，可靠性强；并且申请的金属电极层4设置在结构的顶部，具有更高的集成度。
在本实施例中，所述绝缘衬底1包括但不限于由氮化铝、氧化铝、氮化硅或石英材料制成。其中，优选地，所述绝缘衬底1的单元尺寸为：长度0.6mm，宽度0.3mm，上述仅示意了其中一种所述绝缘衬底1的尺寸，其并不对本申请的保护范围造成限定。
进一步地，所述电阻层2包括但不限于氮化钽薄膜、铬硅薄膜、多晶硅薄膜、二氧化钛薄膜或二氧化锆薄膜。
进一步地，在本实施例中，所述电阻层2设置为条状结构并按照蛇形盘绕在所述绝缘衬底1上。通过上述设置方式可以大幅度提高长宽比，从而增加电阻器阻值，并且电阻器体积不需要额外增加。
进一步地，通过下文所述的制备方法中，用光刻和等离子刻蚀的工艺，形成蛇形电阻，经过长宽设计优化，可以至少得到长宽比2000，即设计电阻阻值至少可达到100kω。
所述电阻层2中电阻的两端相对其中间部分为宽条状结构，其该两端部的宽度为25-40um，通过上述宽条状结构的设计，可增加所述电阻的接触面积；进一步地，上述宽度优选为25-35um；进一步地，上述宽度优选为20-30um。
在本实施例中，所述绝缘层3包括但不限于二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氧化铝薄膜或有机绝缘树脂薄膜。
其中，所述绝缘层3厚度为5000a。
进一步地，在上述两端部位于电阻的宽条状结构位置，利用光刻和二氧化硅湿法腐蚀工艺，开一通孔，通过该通孔将所述电阻层2和所述金属电极层4连接，连接可靠性强。
其中，该通孔的宽度优选为20-30um，进一步优选地，20-25um。
其中，所述通孔可设置在所述电阻层2的两端或者电阻条的首、尾部位。
进一步地，所述通孔的设置数量为至少两个，可以设置多个通孔以减小接触电阻。其中，所述通孔用于暴露出所述电阻层2的连接部位。
如图4所示，本申请还提出了一种所述的薄膜电阻器结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
步骤一：采用光刻和等离子刻蚀的工艺，在绝缘衬底1上形成电阻层2；
所述绝缘衬底1包括但不限于由氮化铝、氧化铝、氮化硅或石英材料制成。其中，优选地，所述绝缘衬底1的单元尺寸为：长度0.6mm，宽度0.3mm，上述仅示意了其中一种所述绝缘衬底1的尺寸，其并不对本申请的保护范围造成限定。
所述电阻层2包括但不限于氮化钽薄膜、铬硅薄膜、多晶硅薄膜、二氧化钛薄膜或二氧化锆薄膜。
其中，所述电阻层2设置为条状结构并按照蛇形盘绕在所述绝缘衬底1上。通过上述设置方式可以大幅度提高长宽比，从而增加电阻器阻值，并且电阻器体积不需要额外增加。
采用光刻和等离子刻蚀的工艺，形成蛇形电阻，经过长宽设计优化，可以至少得到长宽比2000，即设计电阻阻值至少可达到100kω。
所述电阻层2中电阻的两端相对其中间部分为宽条状结构，其该两端部的宽度为25-40um，通过上述宽条状结构的设计，可增加所述电阻的接触面积；进一步地，上述宽度优选为25-35um；进一步地，上述宽度优选为20-30um。
步骤二：采用溅射工艺，在所述电阻层2上溅射绝缘层3；
所述绝缘层3包括但不限于二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氧化铝薄膜或有机绝缘树脂薄膜。其中，所述绝缘层3厚度为5000a。
步骤三：利用光刻和二氧化硅湿法腐蚀工艺，在所述绝缘层3上开至少两个通孔；
在上述两端部位于电阻的宽条状结构位置，利用光刻和二氧化硅湿法腐蚀工艺，开一通孔，通过该通孔将所述电阻层2和所述金属电极层4连接，连接可靠性强。
其中，该通孔的宽度优选为20-30um，进一步优选地，20-25um。
其中，所述通孔可设置在所述电阻层2的两端或者电阻条的首、尾部位。
进一步地，所述通孔的设置数量为至少两个，可以设置多个通孔以减小接触电阻。其中，所述通孔用于暴露出所述电阻层2的连接部位。
步骤四：通过光刻和金属层剥离的工艺，在所述绝缘层3及所述通孔内覆盖所述金属电极层4，通过所述通孔使得所述金属电极层4与所述电阻层2连接。
其中，所述金属电极层4仅通过绝缘层3中的通孔与电阻层2连接，其它部分则分布在绝缘层3上，其通过通孔引出电极，最大电流耐受取决于通孔尺寸的直径，且该通孔形状和尺寸均可控，可靠性强。所述金属电极层4的厚度为1um，为了方便打线使用，该金属电极层4的宽度为180um，长度为280um。
本申请薄膜电阻器结构具有小尺寸、高阻值，其中的电阻层有绝缘层覆盖，使电阻层与外部环境隔离，提高了薄膜电阻器结构的可靠性；本申请中的电阻层不再限制在两个电极之间分布，而是按照蛇形盘绕绝缘衬底上，可以大幅度提高长宽比，从而增加电阻器阻值，并且电阻器体积不需要额外增加；本申请中的金属电极层仅通过绝缘层中的通孔与电阻层连接，其它部分则分布在绝缘层上，本申请通过通孔引出电极，最大电流耐受取决于通孔尺寸的直径，其中，该通孔形状和尺寸均可控，可靠性强；并且申请的金属电极层设置在结构的顶部，具有更高的集成度；本申请制备方法中，采用的是半导体薄膜工艺，先形成薄膜，再使用刻蚀形成所需图案，优点是精度和可靠性更高，适用于大规模量产。
以上实施例仅用以说明本申请的技术方案而非限定，参照较佳实施例对本申请进行了详细说明。本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本申请技术方案的精神和范围，均应涵盖在本申请的权利要求范围内。
1.一种薄膜电阻器结构，其特征在于，包括：
绝缘衬底，
电阻层，其分布在所述绝缘衬底的表面；
绝缘层，其覆盖在所述电阻层上且预留通孔；
以及金属电极层，其分布在所述绝缘层上并通过所述通孔与所述电阻层连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述电阻层设置为条状结构并按照蛇形盘绕在所述绝缘衬底上。
3.根据权利要求2所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述电阻层中电阻的两端相对其中间部分为宽条状结构，其该两端部的宽度为25-40um。
4.根据权利要求1或2或3所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述绝缘衬底由氮化铝、氧化铝、氮化硅或石英材料制成。
5.根据权利要求1或2或3所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述电阻层包括氮化钽薄膜、铬硅薄膜、多晶硅薄膜、二氧化钛薄膜或二氧化锆薄膜。
6.根据权利要求1所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述绝缘层包括二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氧化铝薄膜或有机绝缘树脂薄膜。
7.根据权利要求1或2或3或6所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述通孔的设置数量为至少两个，其中，所述通孔用于暴露出所述电阻层的连接部位。
8.一种如权利要求1至7任一项所述的薄膜电阻器结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
采用光刻和等离子刻蚀的工艺，在绝缘衬底上形成电阻层；
采用溅射工艺，在所述电阻层上溅射绝缘层；
利用光刻和二氧化硅湿法腐蚀工艺，在所述绝缘层上开至少两个通孔；
通过光刻和金属层剥离的工艺，在所述绝缘层及所述通孔内覆盖所述金属电极层，通过所述通孔使得所述金属电极层与所述电阻层连接。
9.根据权利要求8的制备方法，其特征在于，所述电阻层中电阻的长宽比大于等于2000，电阻值大于等于100kω。
10.根据权利要求8或9的制备方法，其特征在于，所述电阻层中电阻的两端相对其中间部分为宽条状结构，其该两端部的宽度为25-40um。
技术总结