一种高温超导线圈屏蔽电流消除装置的制作方法

专利2022-06-29  86


本发明涉及一种屏蔽电流消除装置,特别涉及一种高温超导线圈屏蔽电流消除装置。



背景技术:

近年来,超导磁体广泛应用于国民经济、科学研究等诸多领域。相较于传统的低温超导线材,高温超导带材,如商用bi-2223、rebco带材具有更高的临界温度、临界磁场以及机械强度,从诞生开始即得到科研人员的高度重视,其工作特性不断被改进。由于其具有优良的载流性能以及更高的运行温度区间,高温超导磁体在很多领域具有低温超导磁体不可替代的作用,如空间强磁场应用,极高场超导磁共振谱仪,传导冷却磁共振成像设备,超导电力传输,以及超导射频应用等领域。

同时高温超导带材的电磁特性具有很强的各向异性,其截面为独特的矩形结构,其在受到垂直磁场作用时,会在高温超导带材中感应出屏蔽电流。屏蔽电流的产生导致传导电流在高温超导带材内部不均匀分布,严重地影响了高温超导磁体均匀区磁场的分布,恶化磁场的均匀性。由于磁通蠕动作用的影响,屏蔽电流会随时间的推移出现缓慢的变化,导致磁场出现漂移的现象,直接影响高温超导磁体磁场的稳定性,这对于高温超导磁体在高精度的nmr和mri设备应用提出了挑战。



技术实现要素:

本发明的目的是有效消除高温超导线圈中屏蔽电流的影响,提出一种高温超导线圈屏蔽电流消除装置,以保证高温超导磁体在极高场nmr或mri等磁体领域的应用。

本发明的结构组成如下:

所述的高温超导线圈屏蔽电流消除装置由骨架、高温超导带材、不锈钢带材、第一接线柱、第二接线柱、第三接线柱、冷头、交流电源以及直流电源组成。

所述的骨架位于整个装置的最底部,高温超导带材与不锈钢带材表面不包绕绝缘材料,并列缠绕在骨架之上,不锈钢带材位于外侧,高温超导带材位于内侧。骨架内侧开有凹槽,此凹槽中安装有第三接线柱。骨架外侧开有圆孔,分别安装第一接线柱、第二接线柱以及冷头。高温超导带材与不锈钢带材内侧共用第三接线柱,高温超导带材外侧连接第一接线柱,不锈钢带材外侧连接第二接线柱,高温超导带材缠绕的线圈由直流电源供电,不锈钢带材缠绕的线圈由交流电源供电。

所述的骨架、第一接线柱、第二接线柱以及第三接柱由紫铜材料加工,骨架与第一接线柱之间,骨架与第二接线柱之间,骨架与第三接线柱之间采用聚酰亚胺薄膜绝缘。

所述的高温超导带材缠绕的线圈电感为l1,第一环向电阻为r1,不锈钢带材缠绕的线圈电感为l2,第二环向电阻为r2,高温超导带材与不锈钢带材表面金属直接接触,径向接触电阻为r3;高温超导带材缠绕的线圈电感l1与第一环向电阻r1串联连接,不锈钢带材缠绕的线圈电感l2与第二环向电阻r2串联连接,直流电源、交流电源、高温超导带材缠绕的线圈电感l1以及第一环向电阻r1、不锈钢带材缠绕的线圈电感l2以及第二环向电阻r2、径向接触电阻r3组成并联电路。

所述的高温超导线圈屏蔽电流消除装置的工作过程是:首先将骨架、高温超导带材、不锈钢带材、第一接线柱、第二接线柱以及第三接柱放置于真空绝热装置中,由冷头将骨架、高温超导带材、不锈钢带材、第一接线柱、第二接线柱以及第三接柱降温至95k以下,高温超导带材的环向电阻r1降低至0,由直流电源为整体电路供电,电流为i1,产生中心区域稳定磁场。然后打开交流电源,产生交流电流i2,由于高温超导带材缠绕的线圈电感l1和不锈钢带材缠绕的线圈电感l2的限制,交流电流i2将全部通过径向接触电阻r3,发热功率为p,在短时间内提升高温超导带材温度,并降低高温超导带材临界电流,降低屏蔽电流流动空间,进一步消除屏蔽电流对均匀磁场产生的影响。

附图说明

图1本发明高温超导线圈屏蔽电流消除装置的三维图;

图2本发明高温超导线圈屏蔽电流消除装置的电路图;

图3本发明高温超导线圈屏蔽电流消除装置中骨架的三维图;

图4本发明高温超导线圈屏蔽电流消除装置中第一接线柱的三维图;

图5本发明高温超导线圈屏蔽电流消除装置中第三接线柱的三维图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。

如图1-图5所示,本发明实施例由骨架1、高温超导带材3、不锈钢带材5、第一接线柱2、第二接线柱4、第三接柱6、冷头7、交流电源8以及直流电源9组成。

所述的骨架1位于整个装置的最底部,高温超导带材3与不锈钢带材5表面不包绕绝缘材料,并列缠绕在骨架5之上,不锈钢带材位于外侧,高温超导带材位于内侧。骨架1内侧开有凹槽,安装第三接线柱7。骨架1外侧开有圆孔,分别安装第一接线柱2、第二接线柱4以及冷头7。

所述的高温超导带材3与不锈钢带材5内侧共用第三接线柱6,高温超导带材3外侧连接第一接线柱2,不锈钢带材5外侧连接第二接线柱4,高温超导带材3缠绕的线圈由直流电源9供电,不锈钢带材5缠绕的线圈由交流电源8供电。

所述的骨架1、第一接线柱2、第二接线柱4以及第三接柱6由紫铜材料加工,骨架1与第一接线柱2之间,骨架1与第二接线柱4之间,骨架1与第三接线柱8之间采用聚酰亚胺薄膜绝缘。

所述的高温超导带材3缠绕的线圈电感为l1,第一环向电阻为r1,不锈钢带材5缠绕的线圈电感为l2,第二环向电阻为r2,高温超导带材3与不锈钢带材5表面金属直接接触,径向接触电阻为r3;高温超导带材缠绕的线圈电感l1与第一环向电阻r1串联连接,不锈钢带材5缠绕的线圈电感l2与第二环向电阻r2串联连接,直流电源9、交流电源8、高温超导带材缠绕的线圈电感l1以及第一环向电阻r1、不锈钢带材缠绕的线圈电感l2以及第二环向电阻r2、径向接触电阻r3组成并联电路。

本发明高温超导线圈屏蔽电流消除装置的工作原理和工作过程为,将骨架1、高温超导带材3、不锈钢带材5、第一接线柱2、第二接线柱4以及第三接柱6放置于真空绝热装置中,由冷头5将骨架1、高温超导带材3、不锈钢带材5、第一接线柱2、第二接线柱4以及第三接柱6降温至95k以下,高温超导带材3环向电阻r1降低至0。由直流电源9为整体电路供电,电流为i1,产生中心区域稳定磁场。然后打开交流电源8,产生交流电流i2,由于高温超导带材3缠绕的线圈电感l1和不锈钢带材缠绕的线圈电感l2的限制,交流电流i2将全部通过径向接触电阻r3,发热功率为p,在短时间内提升高温超导带材3温度,并降低高温超导带材3临界电流,降低屏蔽电流流动空间,进一步消除屏蔽电流对均匀磁场产生的影响。


技术特征:

1.一种高温超导线圈屏蔽电流消除装置,其特征是:所述的高温超导线圈屏蔽电流消除装置由骨架(1)、高温超导带材(3)、不锈钢带材(5)、第一接线柱(2)、第二接线柱(4)、第三接柱(6)、冷头(7)、交流电源(8)以及直流电源(9)组成;骨架(1)位于所述高温超导线圈屏蔽电流消除装置的最底部,高温超导带材(3)与不锈钢带材(5)表面不包绕绝缘材料,并列缠绕在骨架(5)之上,不锈钢带材(5)位于外侧,高温超导带材(3)位于内侧;骨架(1)内侧开有凹槽,安装第三接线柱(7),骨架(1)外侧开有圆孔,分别安装第一接线柱(2)、第二接线柱(4)以及冷头(7);高温超导带材(3)与不锈钢带材(5)内侧共用第三接线柱(6),高温超导带材(3)外侧连接第一接线柱(2),不锈钢带材(5)外侧连接第二接线柱(4),高温超导带材(3)缠绕的线圈由直流电源(9)供电,不锈钢带材(5)缠绕的线圈由交流电源(8)供电。

2.如权利要求1所述的高温超导线圈屏蔽电流消除装置,其特征是:骨架(1)、第一接线柱(2)、第二接线柱(4)以及第三接柱(6)由紫铜材料加工,骨架(1)与第一接线柱(2)之间,骨架(1)与第二接线柱(4)之间,骨架(1)与第三接线柱(8)之间采用聚酰亚胺薄膜绝缘。

3.如权利要求1所述的高温超导线圈屏蔽电流消除装置,其特征是:高温超导带材(3)缠绕的线圈电感为l1,第一环向电阻为r1,不锈钢带材(5)缠绕的线圈电感为l2,第二环向电阻为r2,高温超导带材(3)与不锈钢带材(5)表面金属直接接触,径向接触电阻为r3;高温超导带材缠绕的线圈电感l1与第一环向电阻r1串联连接,不锈钢带材缠绕的线圈电感l2与第二环向电阻r2串联连接,直流电源(9)、交流电源(8)、高温超导带材缠绕的线圈电感l1以及第一环向电阻r1、不锈钢带材缠绕的线圈电感l2以及第二环向电阻r2、径向接触电阻r3组成并联电路。

4.如权利要求1所述的高温超导线圈屏蔽电流消除装置,其特征是:将骨架(1)、高温超导带材(3)、不锈钢带材(5)、第一接线柱(2)、第二接线柱(4)以及第三接柱(6)放置于真空绝热装置中,由冷头(5)将骨架(1)、高温超导带材(3)、不锈钢带材(5)、第一接线柱(2)、第二接线柱(4)以及第三接柱(6)降温至95k以下,高温超导带材(3)的环向电阻r1降低至0,由直流电源(9)为整体电路供电,电流为i1,产生中心区域稳定磁场;然后打开交流电源(8),产生交流电流i2,由于高温超导带材(3)缠绕的线圈电感l1和不锈钢带材(5)缠绕的线圈电感l2的限制,交流电流i2将全部通过径向接触电阻r3,发热功率为p,提升高温超导带材(3)温度,并降低高温超导带材(3)临界电流,降低屏蔽电流流动空间,进一步消除屏蔽电流对均匀磁场产生的影响。

技术总结
一种高温超导线圈屏蔽电流消除装置,由骨架,冷头,高温超导带材,不锈钢带材,接线柱、交流电源以及直流电源组成。高温超导带材与不锈钢带材表面不包绕绝缘材料,并列绕在骨架之上。骨架内侧开有凹槽,安装接线柱,骨架外侧开有圆孔,分别安装接线柱及冷头。高温超导带材及不锈钢带材内侧共用接线柱,外侧分别连接独立的接线柱,高温超导带材连接直流电源,产生线圈中心区域的静态磁场,不锈钢带材连接交流电源,提供高温超导带材和不锈钢带材层间流动的电流,引起层间电阻发热,从而降低高温超导线圈中临界电流,进一步消除屏蔽电流的影响。

技术研发人员:王磊;王秋良;刘建华;秦朗;王康帅
受保护的技术使用者:中国科学院电工研究所
技术研发日:2020.01.19
技术公布日:2020.06.09

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