本申请涉及显示技术领域，尤其涉及液晶显示技术领域，具体涉及一种显示面板。
背景技术：
在psva(polymerstabilizedverticalalignment，聚合物稳定垂直排列)液晶显示技术应用中，显示面板中的液晶层会添加手性剂，然后对液晶盒进行psva制程处理，以形成液晶偏转的预倾角。由于像素电极周边区域的电场较弱，致使位于像素电极周边区域的液晶发生了不同角度的旋转，形成了一定的暗纹，降低了显示面板的穿透率。
技术实现要素：
本申请提供一种显示面板，解决的psva液晶显示技术导致显示穿透率低的问题。
本申请提供一种显示面板，其对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；液晶层包括混合设置的液晶分子和手性剂；显示面板还包括设置于像素电极、以及位于相邻像素电极之间的黑色矩阵；像素电极相互间形成有非透光区域；像素电极部分边缘因手性剂导致液晶分子旋转方向不同而形成有暗纹区域；且黑色矩阵覆盖非透光区域和暗纹区域。
基于第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，像素电极包括十字型主干电极、斜置型分支电极以及封口电极；十字型主干电极的躯干部与斜置型分支电极的一端连接；封口电极与斜置型分支电极的另一端和十字型主干电极的端部连接。
基于第一方面，在第一方面的第二种实施方式中，液晶分子的螺距为盒厚的2～7倍。
基于第一方面，在第一方面的第三种实施方式中，阵列基板上设置有第一配向层；彩膜基板上设置有第二配向层；第一配向层与第二配向层对应设置。
基于第一方面，在第一方面的第四种实施方式中，像素电极设置于阵列基板上；彩膜基板上依次设置有彩色滤光层和公共电极层。
基于第一方面，在第一方面的第五种实施方式中，彩膜基板面向阵列基板的一侧形成有支撑柱；支撑柱的高度小于或者等于液晶层的厚度。
第二方面，本申请提供了另一种显示面板，其包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；液晶层包括混合设置的液晶分子和手性剂；显示面板还包括设置于像素电极、以及位于相邻像素电极之间的黑色矩阵；像素电极相互间形成有非透光区域；像素电极部分边缘因手性剂导致液晶分子旋转方向不同而形成有暗纹区域；其中，像素电极被配置为对称结构图案，以及手性剂被配置为右旋手性剂时，黑色矩阵错位覆盖非透光区域和暗纹区域。
基于第二方面，在第二方面的第一种实施方式中，当四个相邻的像素电极呈矩形排列时，黑色矩阵包括由上至下依次相接的第一垂直黑矩阵、第二垂直黑矩阵、第三垂直黑矩阵以及第四垂直黑矩阵，和由左至右依次相接的第一水平黑矩阵、第二水平黑矩阵、第三水平黑矩阵以及第四水平黑矩阵；其中，相对于垂直中心线来说，第一垂直黑矩阵左偏，第二垂直黑矩阵右偏，第三垂直黑矩阵左偏，第四垂直黑矩阵右偏；相对于水平中心线来说，第一水平黑矩阵下偏，第二水平黑矩阵上偏，第三水平黑矩阵下偏，第四水平黑矩阵上偏。
基于第二方面，在第二方面的第二种实施方式中，当四个相邻的像素电极呈矩形排列时，黑色矩阵包括由上至下依次相接的第一垂直黑矩阵、第二垂直黑矩阵、第三垂直黑矩阵以及第四垂直黑矩阵，和由左至右依次相接的第一水平黑矩阵、第二水平黑矩阵、第三水平黑矩阵以及第四水平黑矩阵；其中，相对于垂直中心线来说，第一垂直黑矩阵右偏，第二垂直黑矩阵左偏，第三垂直黑矩阵右偏，第四垂直黑矩阵左偏；相对于水平中心线来说，第一水平黑矩阵上偏，第二水平黑矩阵下偏，第三水平黑矩阵上偏，第四水平黑矩阵下偏。
第三方面，本申请提供了另一种显示面板，其包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；液晶层包括混合设置的液晶分子和手性剂；显示面板还包括设置于像素电极、以及位于相邻像素电极之间的黑色矩阵；像素电极相互间形成有非透光区域；像素电极部分边缘因手性剂导致液晶分子旋转方向不同而形成有暗纹区域；其中，像素电极被配置为非对称结构图案，以及手性剂被配置为左旋手性剂时，位于暗纹区域中的分支电极和封口电极设置为加宽型像素电极，黑色矩阵对称覆盖非透光区域和暗纹区域。
本申请提供的显示面板，通过黑色矩阵与像素电极的相对设置，使黑色矩阵仅覆盖非透光区域和暗纹区域，增加了显示区面积，有效提高了psva型液晶显示的穿透率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1a为本申请实施例提供的psva型液晶的向列相示意图。
图1b为本申请实施例提供的psva型液晶(含手性剂)的胆甾相示意图。
图1c为本申请实施例提供的右旋液晶的旋转示意图。
图1d为本申请实施例提供的左旋液晶的旋转示意图。
图2a为本申请实施例提供的左旋液晶导致的暗纹区域在像素电极中的生成位置示意图。
图2b为本申请实施例提供的右旋液晶导致的暗纹区域在像素电极中的生成位置示意图。
图3为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
图4a为本申请实施例提供的对称结构型像素电极的结构示意图。
图4b为图4a中所示的像素电极与黑色矩阵的第一种结构示意图。
图4c为图4a中所示的像素电极与黑色矩阵的第二种结构示意图。
图5a为本申请实施例提供的非对称结构型像素电极的结构示意图。
图5b为图5a中所示的像素电极与黑色矩阵的一种结构示意图。
图6a为本申请实施例提供的非对称结构型像素电极的另一种结构示意图。
图6b为图6a中所示的像素电极与黑色矩阵的另一种结构示意图。
图7a为本申请实施例提供的像素电极采用封口设计的第一种结构示意图。
图7b为本申请实施例提供的像素电极采用封口设计的第二种结构示意图。
图7c为本申请实施例提供的像素电极采用封口设计的第三种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本实施例提供的显示面板可以但不限于应用在psva显示技术中，其也可以应用于显示技术领域，尤其是液晶显示技术。
为了更好地理解本发明的发明过程，现结合图1a、图1b、图1c以及图1d来说明一下手性剂对液晶旋转方向的影响。其中，图1a示出了psva显示技术中向列相液晶的排列，不同液晶的折射率n随其波长不同会发生变化；图1b示出了包含手性剂的胆甾相，其中的p(pitch)为螺距，不同波长的液晶会随着对其施加电压的不同发生变化；图1a和图1b中的液晶随着加入不同的手性单体，其中，手性单体可以包括左旋手性剂和右旋手性剂，跟进手性分子对光的诱导旋转方向不同，顺时针旋转为左旋手性剂，逆时针旋转为右旋手性剂，从而使得液晶在被施加电压后，分别形成了图1c中的右旋液晶和图1d中的左旋液晶。
对应地，图1c中的右旋液晶在像素电极的相对固定位置形成暗纹区域，如图2a所示；图1d中的左旋液晶在像素电极的相对固定位置形成暗纹区域，如图2b所示。
基于此，本发明通过黑色矩阵和像素电极的对应设置，来调整黑色矩阵在不同区域中的宽度，或者调整像素电极中相关的电极走线宽度，以改变暗纹区域在像素电极中的生成位置，使得黑色矩阵与暗纹区域相匹配，达到了增加显示区的面积，提高了穿透率的效果。下面将结合具体实施例进一步说明本发明的实施过程。
如图3所示，本实施例提供了一种显示面板，其包括对盒设置的阵列基板1和彩膜基板2，以及位于阵列基板1和彩膜基板2之间的液晶层3；液晶层3包括混合设置的液晶分子31和手性剂32；显示面板还包括设置于像素电极4、以及位于相邻像素电极4之间的黑色矩阵6；像素电极4相互间形成有非透光区域5；像素电极4中的部分边缘因手性剂32导致液晶分子31旋转方向不同而形成有暗纹区域41；且黑色矩阵6覆盖非透光区域5和暗纹区域41。
具体地，本实施例中黑色矩阵6和像素电极4的对应设置包括但不局限于调整黑色矩阵6的宽度，或者调整像素电极4中电极走线42的宽度，以增大显示区的面积，从而提升穿透率。其中，非透光区域5与暗纹区域41可以但不限于为邻接关系。其中，黑色矩阵6可设置在阵列基板1或者彩膜基板2上。
将液晶分子31注入液晶层3，液晶分子31注入方式可以为ijp(ink-jetprint，喷墨打印)方式或者其他方式。所述液晶分子31为负性液晶，同时在液晶分子31中增加手性剂32，手性剂32可以为左旋手性剂和右旋手性剂，然后进行贴合形成液晶盒，对液晶盒进行psva制程处理，即加电进行uv(ultraviolet，紫外光)照射，形成预倾角，进而形成液晶显示装置。
在其中一个实施例中，液晶分子31为负性液晶；液晶分子31的光程差为300nm～500nm。
具体地，本实施例中限定液晶分子31的材料类型和光程差范围，益于提高显示面板的穿透率。
在其中一个实施例中，显示面板的盒厚为2.5μm～3.5μm。
具体地，本实施例中限定显示面板的盒厚，益于提高显示面板的穿透率。
在其中一个实施例中，液晶分子31的螺距为盒厚的2～7倍。
具体地，本实施例中限定液晶分子31的螺距与显示面板的盒厚关系，益于提高显示面板的穿透率。
在其中一个实施例中，如图4a所示，像素电极4设置为对称结构图案4a，如图4b和4c所示，黑色矩阵6错位覆盖非透光区域5和暗纹区域41。
需要说明的是，如图4b所示，当四个相邻的像素电极4呈矩形排列时，黑色矩阵6可以包括由上至下依次相接的第一垂直黑矩阵、第二垂直黑矩阵、第三垂直黑矩阵以及第四垂直黑矩阵；和由左至右依次相接的第一水平黑矩阵、第二水平黑矩阵、第三水平黑矩阵以及第四水平黑矩阵；其中，相对于垂直中心线来说，第一垂直黑矩阵左偏，第二垂直黑矩阵右偏，第三垂直黑矩阵左偏，第四垂直黑矩阵右偏；相对于水平中心线来说，第一水平黑矩阵下偏，第二水平黑矩阵上偏，第三水平黑矩阵下偏，第四水平黑矩阵上偏。
如图4c所示，当四个相邻的像素电极4呈矩形排列时，黑色矩阵6可以包括由上至下依次相接的第一垂直黑矩阵、第二垂直黑矩阵、第三垂直黑矩阵以及第四垂直黑矩阵；和由左至右依次相接的第一水平黑矩阵、第二水平黑矩阵、第三水平黑矩阵以及第四水平黑矩阵；其中，相对于垂直中心线来说，第一垂直黑矩阵右偏，第二垂直黑矩阵左偏，第三垂直黑矩阵右偏，第四垂直黑矩阵左偏；相对于水平中心线来说，第一水平黑矩阵上偏，第二水平黑矩阵下偏，第三水平黑矩阵上偏，第四水平黑矩阵下偏。
具体地，暗纹区域41在像素电极4中的生成位置相对固定，对于对称结构的像素电极4，可以通过增大黑色矩阵6的宽度，使黑色矩阵6仅覆盖相对应的暗纹区域41，同时减小黑色矩阵6在像素电极4中显示区域的宽度，如此调整之后，黑色矩阵6将并非是通常所见的横平竖直且宽度一致，而是宽度不一，以错位的形式覆盖与于非透光区域5和暗纹区域41上，这样，既可以将暗纹区域41进行遮挡，同时也增大了显示区域的面积，进而提高了穿透率。其中，图4b为左旋液晶分子31对应的对称型像素电极4与黑色矩阵6的结构示意图；图4c为右旋液晶分子31对应的对称型像素电极4与黑色矩阵6的结构示意图。
在其中一个实施例中，如图5a和图6a所示，像素电极4设置为非对称结构图案4b或者4c，依次对应的实施方案为图5b和图6b所示，像素电极4包括多条电性连接的像素电极走线42，位于暗纹区域41中的像素电极走线42设置为加宽型像素电极走线，黑色矩阵6对称覆盖非透光区域5和暗纹区域41。
具体地，在本实施例中，通过增大暗纹区域41中的像素电极走线42宽度，使位于暗纹区域41中的液晶分子31被施加的电压更均匀，从而减小暗纹区域41，并可将暗纹区域41调整至像素电极4中更为边缘的位置，可减小黑色矩阵6的宽度，进而增加了显示区的面积，提高了穿透率。其中，图5b为左旋液晶分子31对应的非对称型像素电极4与黑色矩阵6的结构示意图；图6b为右旋液晶分子31对应的非对称型像素电极4与黑色矩阵6的结构示意图。
如图7a或者图7b或者图7c所示，在其中一个实施例中，像素电极4包括十字型主干电极421、斜置型分支电极423以及封口电极422；十字型主干电极421的躯干部与斜置型分支电极423的一端连接；封口电极422与斜置型分支电极423的另一端和十字型主干电极421的端部连接。
具体地，在本实施例中，像素电极4采用封口设计，使液晶分子31的配向更均匀，可以减小生成的暗纹区域41，进而提高了穿透率。
如图3所示，在其中一个实施例中，阵列基板1上设置有第一配向层(未示出)；彩膜基板2上设置有第二配向层(未示出)；第一配向层与第二配向层对应设置。
具体地，在本实施例中，为液晶层3提供了配向层，使液晶分子31的配向更均匀，可以有效减小生成的暗纹区域41，以提高穿透率。
如图3所示，在其中一个实施例中，像素电极4设置于阵列基板1上；彩膜基板2上依次设置有彩色滤光层(未示出)和公共电极层(未示出)。
如图3所示，在其中一个实施例中，彩膜基板2面向阵列基板1的一侧形成有支撑柱(未示出)；支撑柱的高度小于或者等于液晶层3的厚度。
在其中一个实施例中，本实施例提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置可以包括至少一个上述实施例中的显示面板，或者多个进行组合过的实施例中的显示面板，其同样具有提高液晶显示装置穿透率的效果。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
1.一种显示面板，其特征在于，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；所述液晶层包括混合设置的液晶分子和手性剂；所述显示面板还包括设置于像素电极、以及位于相邻所述像素电极之间的黑色矩阵；所述像素电极相互间形成有非透光区域；所述像素电极部分边缘因所述手性剂导致所述液晶分子旋转方向不同而形成有暗纹区域；且所述黑色矩阵覆盖所述非透光区域和所述暗纹区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极包括十字型主干电极、斜置型分支电极以及封口电极；所述十字型主干电极的躯干部与所述斜置型分支电极的一端连接；所述封口电极与所述斜置型分支电极的另一端和所述十字型主干电极的端部连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述液晶分子的螺距为盒厚的2～7倍。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上设置有第一配向层；所述彩膜基板上设置有第二配向层；所述第一配向层与所述第二配向层对应设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极设置于所述阵列基板上；所述彩膜基板上依次设置有彩色滤光层和公共电极层。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板面向所述阵列基板的一侧形成有支撑柱；所述支撑柱的高度小于或者等于所述液晶层的厚度。
7.一种显示面板，其特征在于，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；所述液晶层包括混合设置的液晶分子和手性剂；所述显示面板还包括设置于像素电极、以及位于相邻所述像素电极之间的黑色矩阵；所述像素电极相互间形成有非透光区域；所述像素电极部分边缘因所述手性剂导致所述液晶分子旋转方向不同而形成有暗纹区域；
其中，所述像素电极被配置为对称结构图案，以及所述手性剂被配置为右旋手性剂时，所述黑色矩阵错位覆盖所述非透光区域和所述暗纹区域。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，当四个相邻的所述像素电极呈矩形排列时，所述黑色矩阵包括由上至下依次相接的第一垂直黑矩阵、第二垂直黑矩阵、第三垂直黑矩阵以及第四垂直黑矩阵，和由左至右依次相接的第一水平黑矩阵、第二水平黑矩阵、第三水平黑矩阵以及第四水平黑矩阵；其中，相对于垂直中心线来说，所述第一垂直黑矩阵左偏，所述第二垂直黑矩阵右偏，所述第三垂直黑矩阵左偏，所述第四垂直黑矩阵右偏；相对于水平中心线来说，所述第一水平黑矩阵下偏，所述第二水平黑矩阵上偏，所述第三水平黑矩阵下偏，所述第四水平黑矩阵上偏。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，当四个相邻的所述像素电极呈矩形排列时，所述黑色矩阵包括由上至下依次相接的第一垂直黑矩阵、第二垂直黑矩阵、第三垂直黑矩阵以及第四垂直黑矩阵，和由左至右依次相接的第一水平黑矩阵、第二水平黑矩阵、第三水平黑矩阵以及第四水平黑矩阵；其中，相对于垂直中心线来说，所述第一垂直黑矩阵右偏，所述第二垂直黑矩阵左偏，所述第三垂直黑矩阵右偏，所述第四垂直黑矩阵左偏；相对于水平中心线来说，所述第一水平黑矩阵上偏，所述第二水平黑矩阵下偏，所述第三水平黑矩阵上偏，所述第四水平黑矩阵下偏。
10.一种显示面板，其特征在于，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；所述液晶层包括混合设置的液晶分子和手性剂；所述显示面板还包括设置于像素电极、以及位于相邻所述像素电极之间的黑色矩阵；所述像素电极相互间形成有非透光区域；所述像素电极部分边缘因所述手性剂导致所述液晶分子旋转方向不同而形成有暗纹区域；
其中，所述像素电极被配置为非对称结构图案，以及所述手性剂被配置为左旋手性剂时，位于所述暗纹区域中的所述分支电极和所述封口电极设置为加宽型像素电极，所述黑色矩阵对称覆盖所述非透光区域和所述暗纹区域。
技术总结