本公开涉及一种薄膜晶体管基板以及具备该薄膜晶体管基板的显示面板。
背景技术：
液晶显示面板或者有机el(electroluminescence：电致发光)显示面板等显示面板具备设置有薄膜晶体管(tft；thinfilmtransistor)的薄膜晶体管基板(以下，记载为“tft基板”)。
特别是在有源矩阵驱动方式的显示面板中，具备按像素区域的每个像素设置有tft的有源矩阵基板，来作为tft基板。有源矩阵驱动方式的液晶显示面板例如具备按每个像素设置有tft的tft基板、与tft基板对置的对置基板以及配置在tft基板与对置基板之间的液晶层。
在tft基板的像素区域中，除了tft以外，还形成有栅极信号线和源极信号线等多个布线。另外，在tft基板上安装有向栅极信号线供给栅极信号的栅极驱动器和向源极信号线供给影像信号的源极驱动器。
作为栅极驱动器和源极驱动器的安装方法，例如能够列举将在柔性布线基板安装有栅极驱动器和源极驱动器的tcp(tapecarrierpackage：薄膜封装)连接于tft基板的边框区域的cof(chiponfilm：覆晶薄膜)方式、或者在tft基板上直接安装栅极驱动器和源极驱动器的cog(chiponglass：玻璃衬底芯片)方式等。因此，在tft基板的边框区域中设置有包括与栅极驱动器电连接的多个栅极端子电极的栅极端子部以及包括与源极驱动器电连接的多个源极端子电极的源极端子部。
一般来说，栅极端子部和源极端子部设置于矩形的tft基板的边框区域中的相邻的两边，但近年来，以显示面板的窄边框化等为目的，提出了一种将栅极端子部和源极端子部设置于边框区域的同一边的技术(例如，专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2008-501138号公报
专利文献2：美国专利申请公开第2010/0188378号说明书
技术实现要素：
发明要解决的问题
在将栅极端子部和源极端子部设置于边框区域的同一边的情况下，例如考虑将栅极端子部和源极端子部仅设置于一对长边中的一边。
在该情况下，为了将栅极端子部与沿行方向(与短边平行的方向)延伸的栅极信号线电连接，在像素区域内另外形成沿列方向(与长边平行的方向)延伸的多个栅极引出线，将相互正交的多个栅极引出线与多个栅极信号线经由接触孔连接。这样，通过设置与栅极信号线立体交叉的栅极引出线，即使在将栅极端子部和源极端子部设置于边框区域的相同的长边的情况下，也能够经由栅极引出线将栅极端子部与栅极信号线电连接。也就是说，能够将栅极驱动器与栅极信号线电连接。
在该情况下，在横长矩形的tft基板中，沿行方向排列的像素的数量与沿列方向排列的像素的数量不同，因此沿列方向延伸的栅极引出线不需要形成在像素区域内的整个区域，而是局部地形成在像素区域内。其结果，在像素区域内产生栅极引出线的布线图案的密度差。
因此，以往提出了以下一种技术(专利文献2)：在具有多个栅极信号线与多个栅极引出线立体交叉的构造的tft基板中，为了抑制由栅极引出线的布线图案的密度差引起的负载效应，与栅极引出线平行地形成多个虚拟栅极引出线。
然而，在专利文献2所公开的构造中，为了对多个虚拟栅极引出线施加规定的电位，在使所有的虚拟栅极引出线靠近边框区域之后连接于栅极端子部，因此栅极引出线、虚拟栅极引出线以及源极信号线等各种布线在边框区域中的布局的自由度低。
特别是在栅极端子部和源极端子部被设置于边框区域的同一边的情况下，不仅是栅极引出线，源极信号线等各种布线也集中于一个边，布线布局的制约增大。并且，在通过cog方式在边框区域直接安装栅极驱动器和源极驱动器的情况下，不仅栅极驱动器和源极驱动器的配置布局的自由度变低，而且栅极引出线和源极信号线等各种布线的布线布局的自由度也进一步降低。
本公开是为了解决这种问题而完成的，其目的在于提供如下一种tft基板以及显示面板：虽然具有多个栅极信号线与多个栅极引出线及多个虚拟栅极引出线交叉的构造，但布线布局的自由度高。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本公开所涉及的第一tft基板的一个方式是一种薄膜晶体管基板，其具有由多个像素构成的像素区域和包围所述像素区域的边框区域，所述薄膜晶体管基板具备：薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管和所述像素电极设置于所述多个像素中的各个像素；多个栅极信号线，所述多个栅极信号线在所述像素区域中沿第一方向延伸，用于向所述多个像素各自的所述薄膜晶体管供给栅极信号；多个栅极引出线和多个虚拟栅极引出线，所述多个栅极引出线和所述多个虚拟栅极引出线在所述像素区域中沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；多个公共线，所述多个公共线在所述像素区域中沿所述第一方向和所述第二方向中的至少一个方向延伸，被施加公共电位；以及共用电极，其与所述像素电极对置地设置，与所述多个公共线电连接，其中，所述多个栅极引出线在所述多个栅极信号线与所述多个栅极引出线的多个交叉部中的至少一个部位与所述栅极信号线连接，对所述多个虚拟栅极引出线施加所述公共电位。
另外，关于本公开所涉及的第一tft基板的一个方式，也可以是，还具备：多个源极信号线，所述多个源极信号线在所述像素区域中沿所述第二方向延伸，用于向所述多个像素各自的所述薄膜晶体管供给数据信号；栅极端子部，其包括与所述多个栅极引出线连接的多个栅极端子电极；以及源极端子部，其包括与所述多个源极信号线连接的多个源极端子电极，其中，所述栅极端子部和所述源极端子部设置于所述薄膜晶体管基板的所述边框区域的一对长边中的一个长边。
另外，关于本公开所涉及的第一tft基板的一个方式，也可以是，还具备：屏蔽电极，其形成于所述边框区域，被施加所述公共电位；以及第一连接布线，其经由形成于所述边框区域的第一接触孔将所述多个虚拟栅极引出线分别与所述屏蔽电极连接。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述第一连接布线与所述像素电极形成在同一层。
或者，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述第一连接布线与所述共用电极形成在同一层。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述屏蔽电极与所述薄膜晶体管的源漏电极形成在同一层。
或者，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述屏蔽电极与所述虚拟栅极引出线形成在同一层。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述屏蔽电极形成为网格状。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，对于一个所述第一连接布线而言，所述第一接触孔至少形成在所述虚拟栅极引出线上和所述屏蔽电极上这两个部位。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述第一接触孔形成于所述一对长边中的另一个长边。
另外，关于本公开所涉及的第一tft基板的一个方式，也可以是，还具备：公共总线布线，其形成于所述边框区域，被施加所述公共电位；以及第二连接布线，其经由形成于所述边框区域的第二接触孔将所述多个虚拟栅极引出线分别与所述公共总线布线连接，所述多个公共布线连接于所述公共总线布线。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述第二连接布线与所述像素电极形成在同一层。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述公共总线布线具有与所述共用电极形成在同一层的第一电极、以及层叠于所述第一电极上且与所述公共线形成在同一层的第二电极。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述第二接触孔形成于所述一个长边。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述第二接触孔形成于所述一对长边中的另一个长边。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述像素电极与所述共用电极相比位于上层，所述公共总线布线具有开口，所述第二接触孔形成在所述开口内。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，还具备：公共总线布线，其形成于所述边框区域，与所述多个公共线连接；以及屏蔽电极，其形成于所述边框区域，被施加所述公共电位，其中，所述公共总线布线与所述屏蔽电极电连接，所述多个虚拟栅极引出线还经由形成于所述边框区域的接触孔与所述公共总线布线连接。
在该情况下，所述接触孔也可以形成于所述一个长边。
另外，所述接触孔也可以形成于所述一对长边中的另一个长边。
另外，关于本公开所涉及的第一tft基板的一个方式，也可以是，还具备：公共连接布线，该公共连接布线经由形成于所述边框区域的接触孔将所述公共总线布线与所述屏蔽电极连接，所述公共连接布线与所述像素电极形成在同一层。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，在所述栅极端子部或所述源极端子部中，还包括用于对所述公共线施加所述公共电位的公共端子电极。
另外，在本公开所涉及的第一tft基板的一个方式中，也可以是，所述共用电极与所述像素电极相比位于上层。
另外，本公开所涉及的第二tft基板的一个方式是一种薄膜晶体管基板，具有由多个像素构成的像素区域和包围所述像素区域的边框区域，所述薄膜晶体管基板具备：多个栅极信号线，所述多个栅极信号线在所述像素区域中沿第一方向延伸；以及多个栅极引出线和多个虚拟栅极引出线，所述多个栅极引出线和所述多个虚拟栅极引出线在所述像素区域中沿与所述第一方向不同的第二方向延伸，其中，所述多个栅极引出线在所述多个栅极信号线与所述多个栅极引出线的多个交叉部中的至少一个部位与所述栅极信号线连接，在将所述像素区域沿着所述第一方向至少分割为第一区域、第二区域以及第三区域这三个区域的情况下，(i)所述多个栅极引出线形成于所述第二区域，并且，所述多个虚拟栅极引出线形成于所述第一区域和所述第三区域各区域，或者，(ii)所述多个栅极引出线形成于所述第一区域和所述第三区域各区域，并且，所述虚拟栅极引出线形成于所述第二区域。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述第一区域是所述像素区域的所述第一方向上的一个端部区域，所述第三区域是所述像素区域的所述第一方向上的另一个端部区域。
另外，关于本公开所涉及的第二tft基板的一个方式，也可以是，还具备栅极端子部，该栅极端子部包括与所述多个栅极信号线电连接的多个栅极端子电极，在所述薄膜晶体管基板的所述边框区域的一对长边中的一个长边上设置有2个所述栅极端子部，所述第二区域是形成有与所述2个栅极端子部连接的所有的所述多个栅极引出线的区域。
另外，关于本公开所涉及的第二tft基板的一个方式，也可以是，还具备：多个源极信号线，所述多个源极信号线在所述像素区域中沿所述第二方向延伸；以及源极端子部，其包括与所述多个源极信号线电连接的多个源极端子电极，其中，所述源极端子部设置于与设置有所述栅极端子部的长边相同的长边。
另外，关于本公开所涉及的第二tft基板的一个方式，也可以是，还具备第一栅极驱动器和第二栅极驱动器，所述第一栅极驱动器和所述第二栅极驱动器在所述第一方向上隔开间隔地配置，经由所述多个栅极引出线向所述多个栅极信号线供给栅极信号，所述多个栅极引出线由与所述第一栅极驱动器连接的多个第一栅极引出线以及与所述第二栅极驱动器连接的多个第二栅极引出线构成，所述多个第一栅极引出线配置于所述第一区域，所述多个第二栅极引出线配置于所述第三区域，并且，所述多个虚拟栅极引出线配置于所述第二区域。
另外，关于本公开所涉及的第二tft基板的一个方式，也可以是，还具备：像素电极，其设置于所述多个像素中的各个像素；共用电极，其与所述像素电极对置地设置；屏蔽电极，其形成于所述边框区域，被施加公共电位；以及第一连接布线，其经由形成于所述边框区域的第一接触孔将所述多个虚拟栅极引出线分别与所述屏蔽电极连接。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述第一连接布线与所述像素电极形成在同一层。
或者，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述第一连接布线与所述共用电极形成在同一层。
另外，关于本公开所涉及的第二tft基板的一个方式，也可以是，具备设置于所述多个像素中的各个像素的薄膜晶体管，所述屏蔽电极与所述薄膜晶体管的源漏电极形成在同一层。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述屏蔽电极与所述虚拟栅极引出线形成在同一层。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述屏蔽电极形成为网格状。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，对于一个所述第一连接布线而言，所述第一接触孔至少形成在所述虚拟栅极引出线上和所述屏蔽电极上这两个部位。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述第一接触孔形成于所述一对长边中的另一个长边。
另外，关于本公开所涉及的第二tft基板的一个方式，还具备：公共总线布线，其形成于所述边框区域，被施加所述公共电位；以及第二连接布线，其经由形成于所述边框区域的第二接触孔将所述多个虚拟栅极引出线分别与所述公共总线布线连接，所述多个公共布线与所述公共总线布线连接。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述第二连接布线与所述像素电极形成在同一层。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述公共总线布线具有与所述共用电极形成在同一层的第一电极、以及层叠于所述第一电极上且与所述公共线形成在同一层的第二电极。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述第二接触孔形成于所述一个长边。
另外，关于本公开所涉及的第二tft基板的一个方式，也可以是，具备公共总线布线，该公共总线布线形成于所述边框区域，与所述多个公共线连接，所述公共总线布线与所述屏蔽电极电连接，所述多个虚拟栅极引出线经由形成于所述边框区域的接触孔与所述公共总线布线连接。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述接触孔形成于所述一个长边。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述接触孔形成于所述一对长边中的另一个长边。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，包括用于对所述虚拟栅极引出线施加规定的电位的虚拟栅极端子电极，在所述边框区域内的所述虚拟栅极引出线和所述虚拟栅极端子电极的路径中设置有虚拟栅极中继布线，所述多个栅极引出线及所述多个虚拟栅极引出线与所述多个源极信号线形成在同一层，所述虚拟栅极中继布线与所述多个栅极信号线形成在同一层，并且与所述多个源极信号线形成在不同的层，所述虚拟栅极中继布线经由接触孔连接于所述虚拟栅极引出线，并且经由接触孔连接于所述虚拟栅极端子电极。
另外，在本公开所涉及的第二tft基板的一个方式中，也可以是，所述虚拟栅极中继布线和所述多个栅极信号线与设置于所述多个像素中的各个像素的薄膜晶体管的栅电极形成在同一层。
另外，本公开所涉及的第三tft基板的一个方式是一种薄膜晶体管基板，其具有由多个像素构成的像素区域和包围所述像素区域的边框区域，所述薄膜晶体管基板具备：多个栅极信号线，所述多个栅极信号线在所述像素区域中沿第一方向延伸；多个源极信号线，所述多个源极信号线在所述像素区域中沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸；多个栅极引出线和多个虚拟栅极引出线，所述多个栅极引出线和所述多个虚拟栅极引出线在所述像素区域中沿所述第二方向延伸；栅极端子部，其包括与所述多个栅极引出线连接的多个栅极端子电极；以及源极端子部，其包括与所述多个源极信号线连接的多个源极端子电极，其中，所述多个栅极引出线在所述多个栅极信号线与所述多个栅极引出线的多个交叉部中的至少一个部位与所述栅极信号线连接，在所述边框区域内的所述虚拟栅极引出线和所述虚拟栅极端子电极的路径中设置有虚拟栅极中继布线，所述多个栅极引出线及所述多个虚拟栅极引出线与所述多个源极信号线形成在同一层，所述虚拟栅极中继布线与所述多个栅极信号线形成在同一层，并且与所述多个源极信号线形成在不同的层，所述虚拟栅极中继布线经由接触孔连接于所述虚拟栅极引出线，并且经由接触孔连接于所述虚拟栅极端子电极。
另外，本公开所涉及的显示面板的一个方式具备上述的第一tft基板～第三tft基板中的任一个tft基板以及与所述tft基板对置的对置基板。
发明的效果
根据本公开，能够实现如下的tft基板以及显示面板等：虽然具有多个栅极信号线与多个栅极引出线及多个虚拟栅极引出线交叉的构造，但布线布局的自由度高。
附图说明
图1是示意性地示出实施方式所涉及的图像显示装置的概要结构的图。
图2是示出实施方式所涉及的显示面板的像素的结构的俯视图。
图3是示出实施方式所涉及的显示面板中的栅极端子部和源极端子部的周边的结构的俯视图。
图4是图2的iv-iv线处的截面图。
图5是图1的v-v线处的截面图。
图6是图1的vi-vi线处的截面图。
图7是图1的vii-vii线处的截面图。
图8是图3的viii-viii线处的截面图。
图9是变形例1所涉及的显示面板的局部截面图。
图10是示出变形例2所涉及的显示面板的概要结构的俯视图。
图11是图10的xi-xi线处的局部截面图。
图12是变形例3所涉及的显示面板的局部截面图。
图13是示出变形例4所涉及的显示面板的概要结构的俯视图。
图14是变形例5所涉及的显示面板的局部截面图。
图15是示出变形例5所涉及的显示面板的其它结构的图。
图16是示出变形例6所涉及的图像显示装置的概要结构的俯视图。
图17是示出变形例7所涉及的图像显示装置的概要结构的俯视图。
图18是示出变形例7所涉及的图像显示装置的显示面板中的栅极端子部和源极端子部的周边的结构的俯视图。
图19是图18的xix-xix线处的截面图。
附图标记说明
1、1f、1g：图像显示装置；2、2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g：显示面板；2a：像素区域；2b：边框区域；3a：栅极驱动器；3b：源极驱动器；4：柔性布线基板；5：电路基板；6：定时控制器；7：电源电路；8：图像处理电路；11：栅极信号线；11a：栅极接触孔；12：源极信号线；13：栅极引出线；14：虚拟栅极引出线；15：公共线；16：栅极中继布线；16a、16b、19a、19b、83a：接触孔；17：源极中继布线；18、18d：公共中继布线；19：虚拟栅极中继布线；20：tft；30、30e：像素电极；40：共用电极；40a：开口部；50：公共总线布线；50a：开口；51：第一电极；52：第二电极；60：屏蔽电极；71：栅极端子部；71a：栅极端子电极；71b：虚拟栅极端子电极；72：源极端子部；72a：源极端子电极；72b：公共端子电极；81、81a、81b、81e：第一连接布线；81a：第一接触孔；82：第二连接布线；82a：第二接触孔；83：公共连接布线；100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g：tft基板；110：第一透明基板；121：第一绝缘膜；122：第二绝缘膜；123：第三绝缘膜；124：第四绝缘膜；125：第五绝缘膜；200：cf基板；300：液晶层；400：密封构件。
具体实施方式
以下，对本公开的实施方式进行说明。此外，以下说明的实施方式均表示本公开的一个具体例。因而，以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素以及构成要素的配置位置、连接方式等是一例，并非意在限定本公开。由此，关于以下的实施方式的构成要素中的在表示本公开的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，设为任意的构成要素来进行说明。
各图是示意图，未必严格地进行了图示。因而，在各图中，比例尺等未必一致。另外，在各图中，实质上对同一结构标注同一附图标记，省略或简化重复的说明。
(实施方式)
首先，参照图1～图3对实施方式所涉及的图像显示装置1的概要结构进行说明。图1是示意性地示出实施方式所涉及的图像显示装置1的概要结构的图。图2是示出实施方式所涉及的显示面板2的像素px的结构的俯视图。此外，在图2中，示出了像素区域2a中的形成有栅极引出线13的第二区域a2中的像素px的结构。另外，图3是示出实施方式所涉及的显示面板2中的栅极端子部71和源极端子部72的周边的结构的俯视图。此外，在图3中，示出了在栅极端子部71和源极端子部72上既没有被安装栅极驱动器3a和源极驱动器3b也没有被安装柔性布线基板4的状态。
图像显示装置1在由多个像素构成的像素区域中显示图像(影像)。图像显示装置1中显示的图像可以是静止图像和运动图像中的任一个。
如图1所示，图像显示装置1具备：显示面板2、作为驱动显示面板2的驱动器而设置的栅极驱动器3a和源极驱动器3b、连接于显示面板2的柔性布线基板4以及连接于柔性布线基板4的电路基板5。
另外，图像显示装置1还具备：定时控制器6，其向栅极驱动器3a和源极驱动器3b输出控制信号；电源电路7，其生成向栅极驱动器3a、源极驱动器3b以及显示面板2供给的各种控制电压；以及图像处理电路8，其根据输入影像信号向定时控制器6输出图像数据。
在本实施方式中，定时控制器6和电源电路7安装于电路基板5。电路基板5是大致矩形板状的印刷电路板(pcb；printedcircuitboard)，在电路基板5安装有构成定时控制器6和电源电路7等的多个电子部件。电路基板5具有将从定时控制器6输出的各种信号和从电源电路7输出的各种控制电压传递到栅极驱动器3a、源极驱动器3b以及显示面板2的功能。
此外，在本实施方式中，图像显示装置1是液晶显示装置，因此显示面板2是液晶显示面板。因而，虽然没有图示，但图像显示装置1具备配置在显示面板2的背面侧的背光灯。
显示面板2是显示彩色图像的液晶显示面板，包括在一对基板之间设置有液晶层的液晶单元和夹持液晶单元的一对偏振板。
夹持液晶层的一对基板中的一方是形成有tft和布线等的tft基板100(第一基板)，一对基板中的另一方是形成有r(红)、g(绿)以及b(蓝)各种滤色器(cf)的cf基板200(第二基板)。
在本实施方式中，显示面板2是有源矩阵驱动方式的显示面板，因此tft基板100是以矩阵状等形状设置有多个tft的有源矩阵基板(tft阵列基板)。显示面板2的液晶驱动方式例如是ips(inplaneswitching：面内切换)方式或ffs(fringefieldswitching：边缘场切换)方式等横电场方式，但也可以是va(verticalalignment：垂直对齐)方式或tn(twistednematic：扭曲向列)方式等。
如图1所示，显示面板2具有由多个像素构成的像素区域2a和包围像素区域2a的边框区域2b。也就是说，tft基板100和cf基板200具有像素区域2a和边框区域2b。像素区域2a是显示图像的显示区域(有效区域)，例如由矩阵状地排列的多个像素构成。边框区域2b是显示面板2的周边区域，是位于像素区域2a的外侧的区域。另外，边框区域2b是不显示图像的非显示区域(无效区域)。在本实施方式中，显示面板2的俯视形状是矩形。具体地说，tft基板100和cf基板200的俯视形状是矩形。因而，像素区域2a的形状是矩形，边框区域2b的形状是矩形框状。
tft基板100具备多个栅极信号线11(扫描信号线)、多个源极信号线12(数据线)、多个栅极引出线13、多个虚拟栅极引出线14以及多个公共线15，来作为布线。多个栅极信号线11、多个源极信号线12、多个栅极引出线13、多个虚拟栅极引出线14以及多个公共线15至少形成于像素区域2a。
多个栅极信号线11在像素区域2a中沿第一方向延伸。在本实施方式中，第一方向是作为横向的行方向(与矩形的tft基板100的长边平行的方向)，因此多个栅极信号线11沿行方向延伸。多个栅极信号线11在像素区域2a中相互平行地形成。
另外，多个源极信号线12在像素区域2a中沿与第一方向不同的第二方向延伸。在本实施方式中，第二方向是与第一方向正交的方向，是作为纵向的列方向(与矩形的tft基板100的短边平行的方向)，因此多个源极信号线12沿列方向延伸。因而，多个源极信号线12与多个栅极信号线11立体交叉。多个源极信号线12在像素区域2a中相互平行地形成。
构成像素区域2a的多个像素的各像素是由沿行方向延伸的栅极信号线11和沿列方向延伸的源极信号线12围成的区域。
如图2所示，针对每个在列方向上相邻的2个像素px(子像素)的边界部各设置有1根栅极信号线11。各栅极信号线11与沿行方向排列的多个像素px各自的tft20连接，来向各tft供给栅极信号。具体地说，各栅极信号线11与各像素px的tft20的栅电极gt连接。
针对每个在行方向上相邻的2个像素px的边界部各设置有1根源极信号线12。各源极信号线12与沿列方向排列的多个像素px各自的多个tft20连接，来向各tft供给数据信号。具体地说，各源极信号线12与各tft20的一对源漏电极sd中的一方连接。此外，在各像素px中，tft20的源漏电极sd的另一方与像素电极30连接。
如图2所示，在构成像素区域2a的多个像素px的各像素中设置有tft20、像素电极30以及共用电极(公共电极)40。tft20具有栅电极gt和一对源漏电极sd。一对源漏电极sd中的一方是源电极，另一方是漏电极。
在各像素px中各设置有一个tft20和一个像素电极30。具体地说，在红色用像素pxr、绿色用像素pxg以及蓝色用像素pxb各像素中设置有一个tft20和一个像素电极30。此外，也可以在各像素px中各设置多个tft20和多个像素电极30。
共用电极40与像素电极30对置地设置。共用电极40和像素电极30既可以在层叠方向上对置，也可以在与层叠方向交叉的方向上对置。
另外，共用电极40以遍及多个像素px的方式设置。具体地说，共用电极40以遍及像素区域2a的所有像素px的方式设置。也就是说，共用电极40是在所有的像素px中共用的一个平面状的电极，形成在整个像素区域2a中。此外，也可以按每个像素px设置共用电极40。
如图1所示，在tft基板100中形成有多个栅极引出线13。多个栅极引出线13在像素区域2a中沿第二方向延伸。具体地说，多个栅极引出线13沿列方向(纵向)延伸。多个栅极引出线13在像素区域2a中相互平行地形成。也就是说，多个栅极引出线13与多个源极信号线12平行地形成，另外，与多个栅极信号线11正交。因而，多个栅极引出线13与多个栅极信号线11立体交叉。
各栅极引出线13将从栅极驱动器3a输出的栅极信号供给到与该栅极引出线13对应的栅极信号线11。因而，多个栅极引出线13在多个栅极信号线11与多个栅极引出线13的多个交叉部中的至少一个部位与栅极信号线11连接。也就是说，多个栅极信号线11分别与一个以上的栅极引出线13电连接。具体地说，多个栅极信号线11与多个栅极引出线13在像素区域2a内的多个栅极信号线11与多个栅极引出线13的多个立体交叉部中的至少一个部位经由栅极接触孔11a进行连接。
例如，1根栅极信号线11与1根栅极引出线13在一个部位连接。因而，各栅极信号线11在一个部位的栅极接触孔11a处与1根栅极引出线13连接。
此外，1根栅极信号线11也可以与2根栅极引出线13连接。在该情况下，1根栅极信号线11在2个部位的栅极接触孔11a处与2根栅极引出线13连接。另外，1根栅极信号线11中的栅极接触孔11a的数量不限于一个或两个，既可以是三个以上，至少为一个即可。即，1根栅极信号线11与至少1根栅极引出线13连接即可。
如图2所示，栅极引出线13设置于在行方向上相邻的2个像素px之间。例如，局部地按在行方向上相邻的每3个像素px各设置1根栅极引出线13。作为一例，以红色用像素pxr、绿色用像素pxg以及蓝色用像素pxb这3个子像素为一个单位，按每3个子像素各设置1根栅极引出线13。此外，栅极引出线13也可以根据沿行方向延伸的多个栅极信号线11的根数形成在像素区域2a内的任意的像素间。
这样，作为从栅极驱动器3a输出的栅极信号用的布线(栅极线)，显示面板2中设置有沿行方向延伸的横栅极线、即栅极信号线11，并且设置有沿列方向延伸的纵栅极线、即栅极引出线13。
另外，如图1所示，在tft基板100形成有多个虚拟栅极引出线14。多个虚拟栅极引出线14在像素区域2a中沿第一方向延伸。具体地说，与多个源极信号线12及多个栅极引出线13同样地，多个虚拟栅极引出线14沿列方向(纵向)延伸。多个虚拟栅极引出线14在像素区域2a中相互平行地形成。也就是说，多个虚拟栅极引出线14与多个源极信号线12及多个栅极引出线13平行地形成，另外，与多个栅极信号线11正交。因而，多个虚拟栅极引出线14与多个栅极信号线11立体交叉。
多个虚拟栅极引出线14与栅极引出线13不同，没有与栅极信号线11连接。另外，多个虚拟栅极引出线14也没有与栅极引出线13连接。也就是说，不向多个虚拟栅极引出线14各虚拟栅极引出线供给栅极信号。详细情况后述，对多个虚拟栅极引出线14施加被施加于公共线15的公共电位。
由于为了抑制由栅极引出线13的布线图案的密度差引起的显示品质的降低等理由而形成虚拟栅极引出线14。因此，虚拟栅极引出线14也可以在像素区域2a中的没有形成栅极引出线13的区域中以与栅极引出线13相同的布局形成。
例如，与栅极引出线13同样地，优选按在行方向上相邻的每3个像素px各设置1根虚拟栅极引出线14。作为一例，以红色用像素pxr、绿色用像素pxg以及蓝色用像素pxb这3个子像素为一个单位，按每3个子像素各设置1根虚拟栅极引出线14。
在本实施方式中，多个栅极引出线13集中地形成。另外，多个虚拟栅极引出线14也集中地形成。也就是说，在像素区域2a中存在如下的区域：在栅极引出线13和虚拟栅极引出线14中只有栅极引出线13集中地形成多根的区域；以及在栅极引出线13和虚拟栅极引出线14中只有虚拟栅极引出线14集中地形成多根的区域。
具体地说，如图1所示，在将像素区域2a沿第一方向(在本实施方式中为行方向)分割为第一区域a1、第二区域a2以及第三区域a3这3个区域的情况下，多个栅极引出线13集中地形成在第二区域a2，并且多个虚拟栅极引出线14集中地形成在第一区域a1和第三区域a3各区域。
也就是说，在第二区域a2中仅形成有栅极引出线13和虚拟栅极引出线14中的栅极引出线13，没有形成虚拟栅极引出线14。第二区域a2是形成有用于将栅极引出线13与栅极信号线11连接的栅极接触孔11a的栅极连接区域。
另一方面，第一区域a1和第三区域a3是仅形成有栅极引出线13和虚拟栅极引出线14中的虚拟栅极引出线14的虚拟区域，在第一区域a1和第三区域a3中没有形成栅极引出线13。
在本实施方式中，第一区域a1是像素区域2a的行方向上的一个端部区域，第三区域a3是像素区域2a的行方向上的另一个端部区域。第二区域a2是第一区域a1与第三区域a3之间的区域。具体地说，第二区域a2是包括tft基板100的中央的中央区域，是形成有所有与2个栅极端子部71连接的多个栅极引出线13的区域。此外，第一区域a1、第二区域a2以及第三区域a3的宽度既可以相同，也可以不同。
公共线15在像素区域2a中沿第一方向和第二方向中的至少一个方向延伸。如图1所示，在本实施方式中，与多个源极信号线12、多个栅极引出线13以及多个虚拟栅极引出线14同样地，多个公共线15仅沿列方向(纵向)延伸，在像素区域2a中相互平行地形成。也就是说，多个公共线15与多个源极信号线12、多个栅极引出线13以及多个虚拟栅极引出线14平行地形成，另外，与多个栅极信号线11正交。因而，多个公共线15与多个栅极信号线11立体交叉。
如图2所示，在本实施方式中，公共线15设置于在行方向上相邻的2个像素px之间。具体地说，按在行方向上相邻的每3个像素px各设置1根公共线15。例如，与栅极引出线13同样地，以红色用像素pxr、绿色用像素pxg以及蓝色用像素pxb这3个子像素为一个单位，按每3个子像素各设置1根公共线15。公共线15以遍及像素区域2a的整个区域的方式形成。也就是说，在第一区域a1、第二区域a2以及第三区域a3各区域中形成有公共线15。
此外，公共线15也可以设置在所有的像素间。另外，公共线15并不限于仅沿列方向延伸的情况，也可以仅沿行方向延伸，还可以沿行方向和列方向这两个方向延伸。
如图2所示，公共线15在第二区域a2中以在俯视时与栅极引出线13重叠的方式沿列方向延伸。另外，虽然未图示，但公共线15在第一区域a1和第三区域a3中以在俯视时与虚拟栅极引出线14重叠的方式沿列方向延伸。此外，公共线15也可以形成为在俯视时不与栅极引出线13及虚拟栅极引出线14重叠。
对多个公共线15施加了公共电位。在本实施方式中，多个公共线15与被施加公共电位的公共总线布线50连接。也就是说，从公共总线布线50对多个公共线15施加公共电位。另外，公共线15与共用电极40接触，对共用电极40施加公共电位。也就是说，公共线15和共用电极40被设定为相同电位。另外，公共线15与虚拟栅极引出线14也是相同电位。
公共总线布线50形成在tft基板100的边框区域2b。在本实施方式中，公共总线布线50以包围像素区域2a的方式形成。具体地说，公共总线布线50形成为矩形的框状。此外，如果公共总线布线50与所有的公共线15连接，则公共总线布线50的形状不限于框状。
另外，在tft基板100的边框区域2b中也形成有屏蔽电极60。屏蔽电极60也以包围像素区域2a的方式形成。在本实施方式中，屏蔽电极60以包围公共总线布线50的方式形成。具体地说，屏蔽电极60形成在矩形的tft基板100的边框区域2b的最外周，以跨越边框区域2b的长边和短边的方式形成。作为一例，屏蔽电极60以遍及除设置有栅极端子部71和源极端子部72的边以外的至少3个边的方式形成。
这样，通过设置屏蔽电极60，能够抑制信号噪声。因而，优选对屏蔽电极60施加固定的电位。在本实施方式中，对屏蔽电极60施加了公共电位。也就是说，屏蔽电极60、公共总线布线50以及公共线15被设定为相同电位。另外，屏蔽电极60与虚拟栅极引出线14也是相同电位。
优选在屏蔽电极60中形成有狭缝状或圆形形状的多个开口。作为一例，屏蔽电极60以具有无数个开口的方式形成为网格状。这样，通过在屏蔽电极60中形成多个开口，即使在使将tft基板100与cf基板200之间的液晶层密封的密封构件层叠于屏蔽电极60的情况下，也能够容易地使密封构件固化。例如，在密封构件的材料是紫外线固化型树脂的情况下，能够经由屏蔽电极60的开口向涂布在屏蔽电极60上的密封构件照射紫外线来使密封构件固化。
如上所述，在tft基板100中设置有多个栅极信号线11、多个源极信号线12、多个栅极引出线13、多个虚拟栅极引出线14以及公共线15，来作为布线。
源极信号线12、栅极引出线13、虚拟栅极引出线14及公共线15与栅极信号线11正交，因此源极信号线12、栅极引出线13、虚拟栅极引出线14及公共线15与栅极信号线11形成在互不相同的金属层(布线层)上。另外，源极信号线12、栅极引出线13以及虚拟栅极引出线14形成在同一金属层上。
在本实施方式中，形成有栅极信号线11的第一金属层与形成有源极信号线12、栅极引出线13以及虚拟栅极引出线14的第二金属层相比位于下层。具体地说，栅极信号线11被栅极绝缘膜覆盖，源极信号线12、栅极引出线13以及虚拟栅极引出线14配置在该栅极绝缘膜的上方。具体地说，在形成有栅极信号线11的第一金属层与形成有源极信号线12、栅极引出线13以及虚拟栅极引出线14的第二金属层之间形成有栅极绝缘膜，来作为层间绝缘膜。此外，公共线15位于形成有源极信号线12、栅极引出线13以及虚拟栅极引出线14的第二金属层的上层。
经由栅极引出线13向栅极信号线11供给由栅极驱动器3a生成的栅极信号。另外，向源极信号线12供给由源极驱动器3b生成的数据信号。
如图1所示，栅极驱动器3a和源极驱动器3b通过cog方式安装于tft基板100。具体地说，栅极驱动器3a安装于被设置在tft基板100的边框区域2b的栅极端子部71。另外，源极驱动器3b安装于被设置在tft基板100的边框区域2b的源极端子部72。
在本实施方式中，栅极端子部71和源极端子部72安装于tft基板100的边框区域2b的一对边中的一边。也就是说，栅极端子部71和源极端子部72设置在边框区域2b的同一边。
具体地说，栅极端子部71和源极端子部72仅设置在矩形的tft基板100的边框区域2b的4个边中的一对长边中的一边(图1的下侧的长边)。因而，栅极驱动器3a和源极驱动器3b也仅安装于tft基板100的边框区域2b的一对长边中的一边。也就是说，栅极驱动器3a和源极驱动器3b安装于相同的长边。
作为一例，在边框区域2b的一对长边中的一个长边上设置有2个栅极端子部71。因而，在边框区域2b的一对长边中的一个长边上设置有2个栅极驱动器3a。2个栅极驱动器3a中的一方是第一栅极驱动器，2个栅极驱动器3a中的另一方是第二栅极驱动器。第一栅极驱动器和第二栅极驱动器在行方向(第一方向)上隔开间隔地配置，经由多个栅极引出线13向多个栅极信号线11供给栅极信号。
另外，在与设置有栅极端子部71的长边相同的长边上设置有4个源极端子部72。因而，在与安装有栅极驱动器3a的长边相同的长边上安装有4个源极驱动器3b。4个源极驱动器3b在行方向(第一方向)上隔开间隔地配置。
此外，各栅极端子部71设置在相邻的2个源极端子部72之间。也就是说，各栅极驱动器3a安装在相邻的2个源极驱动器3b之间。
如图3所示，栅极端子部71包括与多个栅极信号线11电连接的多个栅极端子电极71a。具体地说，多个栅极端子电极71a各自经由与各栅极端子电极71a对应的栅极引出线13与各栅极信号线11电连接。多个栅极端子电极71a一对一地与多个栅极信号线11电连接。
另外，源极端子部72包括与多个源极信号线12电连接的多个源极端子电极72a。具体地说，多个源极端子电极72a一对一地与多个源极信号线12电连接。
安装于栅极端子部71的栅极驱动器3a与栅极信号线11电连接。在本实施方式中，栅极驱动器3a经由栅极引出线13与栅极信号线11电连接。具体地说，栅极驱动器3a通过在tft基板100的边框区域2b中设置的栅极中继布线16与栅极信号线11及栅极引出线13电连接。
栅极中继布线16将栅极引出线13与栅极端子部71的栅极端子电极71a连接。栅极中继布线16形成于与栅极引出线13不同的金属层，经由接触孔16a连接于栅极引出线13。另外，栅极中继布线16经由接触孔16b连接于栅极端子电极71a。在本实施方式中，栅极中继布线16与栅极信号线11形成在同一层。因而，接触孔16a和16b形成于第一金属层与第二金属层之间的栅极绝缘膜，其中，该第一金属层形成有栅极中继布线16和栅极信号线11，该第二金属层形成有源极信号线12和栅极引出线13。
栅极驱动器3a将与从定时控制器6供给的定时信号相应的电压作为栅极信号来供给到像素区域2a的各栅极信号线11。具体地说，当经由柔性布线基板4和源极端子部72向栅极驱动器3a供给由定时控制器6生成的定时信号时，栅极驱动器3a根据该定时信号生成用于将写入数据信号的像素的tft导通的导通电压von(栅极导通电压)和用于将tft截止的截止电压voff，来作为栅极信号。经由栅极中继布线16和栅极引出线13向栅极信号线11供给由栅极驱动器3a生成的栅极信号。栅极驱动器3a例如是由ic芯片构成的栅极驱动器ic。
安装于源极端子部72的源极驱动器3b与源极信号线12电连接。在本实施方式中，源极驱动器3b通过在tft基板100的边框区域2b中设置的源极中继布线17与源极信号线12电连接。
源极中继布线17将源极信号线12与源极端子部72的源极端子电极72a连接。源极中继布线17形成在与源极信号线12相同的金属层，形成在与栅极中继布线16不同的层。由此，源极中继布线17与栅极中继布线16能够在边框区域2b中立体交叉。另外，由于源极中继布线17与源极信号线12形成在相同的金属层，因此源极中继布线17和源极信号线12不经由接触孔而连续地形成。
源极驱动器3b将与从定时控制器6供给的表示各像素的灰度值的影像信号相应的电压作为数据信号供给到像素区域2a的各源极信号线12。具体地说，当向源极驱动器3b供给由定时控制器6生成的影像信号时，源极驱动器3b根据与该影像信号相应的电压，来生成向与由栅极驱动器3a选择出的栅极信号线11连接的tft分别供给的数据信号。由源极驱动器3b生成的数据信号被供给到像素区域2a内的各源极信号线12。由此，向与选择出的栅极线对应的像素写入数据信号。源极驱动器3b例如是由ic芯片构成的源极驱动器ic。
柔性布线基板4是在ffc(flexibleflatcable：挠性扁平电缆)或fpc(flexibleprintedcable：挠性印制电缆)等柔性基板上形成有多个图案布线的布线电缆。此外，在本实施方式中，在柔性布线基板4既没有安装栅极驱动器3a也没有安装源极驱动器3b。
柔性布线基板4的一端部例如通过acf(anisotropicconductivefilm：异向导电胶膜)压接连接于tft基板100的边框区域2b。另一方面，柔性布线基板4的另一端部通过acf压接连接于电路基板5。由此，在tft基板100的边框区域2b中设置的栅极端子部71及源极端子部72与电路基板5的定时控制器6及电源电路7经由柔性布线基板4电连接。
在本实施方式中，柔性布线基板4仅与栅极端子部71及源极端子部72中的源极端子部72连接。因而，从电路基板5供给的各种控制信号和各种控制电压经由柔性布线基板4仅被输入到源极端子部72。因此，从电路基板5向栅极端子部71供给的各种控制信号和各种控制电压经由源极端子部72被输入到栅极端子部71。在该情况下，在源极端子部72中除了包括被输入来自定时控制器6的影像信号的源极端子电极72a以外，还包括栅极用中继端子电极以及多个控制信号用端子电极及控制电压用端子电极，其中，该栅极用中继端子电极被输入从定时控制器6经由栅极端子部71向栅极驱动器3a供给的定时信号，多个控制信号用端子电极和控制电压用端子电极被输入从电源电路7向栅极驱动器3a和源极驱动器3b供给的控制信号和控制电压。
在本实施方式中，在源极端子部72中还包括用于对公共线15施加公共电位的公共端子电极72b。公共端子电极72b经由柔性布线基板4与电路基板5的电源电路7电连接。从电源电路7向公共端子电极72b输入公共电压vcom。被供给到公共端子电极72b的公共电压vcom经由形成于边框区域2b的公共中继布线18被供给到屏蔽电极60。公共中继布线18将公共端子电极72b与屏蔽电极60连结。
由此，经由公共中继布线18对屏蔽电极60施加公共电位(公共电压vcom)。另外，由于将屏蔽电极60与公共总线布线50连接，因此当对屏蔽电极60施加公共电位时，也对公共总线布线50施加公共电位。因而，对连接于公共总线布线50的多个公共线15施加公共电位。此外，公共电压vcom是固定的电压，作为一例，是1v～7v，但并不限于此。
定时控制器6读出存储器中存储的校正数据，根据该校正数据对来自图像处理电路8的图像数据进行颜色调整等各种图像信号处理，作为向tft基板100供给的控制信号，生成表示各像素的灰度值的影像信号和定时信号。由定时控制器6生成的定时信号经由柔性布线基板4和栅极端子部71被供给到栅极驱动器3a。另外，由定时控制器6生成的影像信号经由柔性布线基板4和源极端子部72被供给到源极驱动器3b。此外，定时控制器6例如由cpu等运算处理电路构成。作为一例，定时控制器6由ic芯片构成。
电源电路7生成各种控制电压。具体地说，电源电路7生成电源电压(驱动电压)和接地电压并且生成公共电压vcom等各种电压，来作为用于控制栅极驱动器3a和源极驱动器3b等的控制电压。由电源电路7生成的控制电压(电源电压、接地电压、公共电压等)经由柔性布线基板4被供给到栅极驱动器3a、源极驱动器3b以及tft基板100。另外，由电源电路7生成的公共电压经由柔性布线基板4被供给到公共总线布线50和屏蔽电极60。
图像处理电路8接收从外部的系统(未图示)发送来的输入影像信号，在执行了图像处理之后，向定时控制器6输出图像数据。此外，图像处理电路8没有被安装于电路基板5，但也可以被安装于电路基板5。作为一例，定时控制器6由ic芯片构成。
接着，参照图1～图3并使用图4～图8来说明显示面板2的截面构造。图4～图8是实施方式所涉及的显示面板2的局部截面图。图4是图2的iv-iv线处的截面图。图5是图1的v-v线处的截面图。图6是图1的vi-vi线处的截面图。图7是图1的vii-vii线处的截面图。图8是图3的viii-viii线处的截面图。
如图4～图7所示，显示面板2具备tft基板100、与tft基板100对置的cf基板200以及被配置在tft基板100与cf基板200之间的液晶层300。液晶层300通过形成于边框区域2b的框状的密封构件400被密封在tft基板100与cf基板200之间。
在tft基板100中设置有tft20、栅极信号线11、源极信号线12、栅极引出线13、虚拟栅极引出线14以及公共线15等各种布线、形成在这些布线之间的层间绝缘膜、像素电极30、共用电极40、公共总线布线50以及屏蔽电极60。这些构件形成于第一透明基板110。第一透明基板110例如是玻璃基板或透明树脂基板的透明基材。
如图4所示，形成于第一透明基板110的tft20由栅电极gt、一对源漏电极sd以及作为沟道层的半导体层sc构成。在本实施方式中，tft20是底栅构造的tft，具备形成在第一透明基板110的上方的栅电极gt、形成在栅电极gt的上方的作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜121以及隔着第一绝缘膜121形成在栅电极gt的上方的半导体层sc。此外，一对源漏电极sd形成在半导体层sc的上方。
栅电极gt例如既可以由包括钼膜和铜膜的双层构造的金属膜构成，也可以由包括铜膜等的单层的金属膜构成。第一绝缘膜121例如既可以由氧化硅膜和氮化硅膜的双层构造的绝缘膜构成，也可以由氧化硅膜或氮化硅膜的单层的绝缘膜构成。半导体层sc例如既可以由包括i-非晶硅膜和n-非晶硅膜的双层构造的半导体膜构成，也可以由单层的半导体膜构成。一对源漏电极sd例如既可以由包括钼膜和铜膜的双层构造的金属膜构成，也可以由包括铜膜等的单层的金属膜构成。
此外，栅电极gt、一对源漏电极sd、半导体层sc以及第一绝缘膜(栅极绝缘膜)121的材料并不限定于上述材料。例如，作为半导体层sc的材料，也可以使用in-ga-zn-o系氧化物半导体等。
如图4所示，栅极信号线11与栅电极gt形成在同一层。也就是说，栅极信号线11和栅电极gt形成在同一个第一金属层，通过对相同的金属膜进行图案化来形成。因而，栅电极gt和栅极信号线11由相同的材料构成。在本实施方式中，栅电极gt是栅极信号线11的一部分。
另外，源极信号线12、栅极引出线13及虚拟栅极引出线14与一对源漏电极sd形成在同一层。也就是说，源极信号线12、栅极引出线13及虚拟栅极引出线14与一对源漏电极sd形成在同一个第二金属层(源漏极层)，通过对相同的金属膜进行图案化来形成。在本实施方式中，一对源漏电极sd中的与源极信号线12连接的源漏电极是源极信号线12的一部分。
另外，如图5所示，在形成有虚拟栅极引出线14的第二金属层(源漏极层)中形成有屏蔽电极60。也就是说，屏蔽电极60与源极信号线12、栅极引出线13、虚拟栅极引出线14及一对源漏电极sd形成在同一层。因而，屏蔽电极60、源极信号线12、栅极引出线13、虚拟栅极引出线14以及一对源漏电极sd由相同的材料构成。
形成有栅极信号线11和栅电极gt的第一金属层与形成有源极信号线12和栅极引出线13等的第二金属层相比位于下层。因而，栅极信号线11及栅电极gt与源极信号线12、栅极引出线13、虚拟栅极引出线14、一对源漏电极sd及屏蔽电极60形成在不同的金属层。
如图2和图4所示，形成在不同的金属层的栅极信号线11与栅极引出线13经由栅极接触孔11a连接。栅极接触孔11a是栅极信号线11与栅极引出线13的接触部，如图4所示那样形成于第一金属层与第二金属层之间的第一绝缘膜121，其中，在第一金属层形成有栅极信号线11，在第二金属层形成有栅极引出线13。
另外，如图4～图8所示，在第一透明基板110的上方，以覆盖源极信号线12、栅极引出线13、虚拟栅极引出线14以及屏蔽电极60的方式形成有第二绝缘膜122。具体地说，第二绝缘膜122覆盖在第一绝缘膜121的上方形成的第二金属层。第二绝缘膜122例如由无机绝缘膜构成，该无机绝缘膜由氮化硅膜等无机材料形成。作为无机绝缘膜的第二绝缘膜122例如能够通过cvd(chemicalvapordeposition：化学气相沉积)法进行成膜。
进而，以覆盖第二绝缘膜122的方式形成有第三绝缘膜123。在本实施方式中，第三绝缘膜123的厚度比第二绝缘膜122的厚度厚。具体地说，第三绝缘膜123的厚度为第二绝缘膜122的厚度的10倍以上，作为一例，是3000nm。由此，能够增大栅极信号线11和源极信号线12等布线与共用电极40之间的厚度方向上的距离，因此能够减轻由栅极信号线11及源极信号线12等布线以及共用电极40形成的寄生电容。而且，通过增厚第三绝缘膜123，能够使形成有tft20、栅极信号线11以及源极信号线12等的层叠构造的tft层平坦化。由此，能够形成表面被平坦化的第三绝缘膜123，因此能够将第三绝缘膜123的正上方的共用电极40形成为平坦的平面状。
在本实施方式中，第三绝缘膜123由有机绝缘膜构成，该有机绝缘膜由含有碳的有机材料形成。能够通过涂布例如液状的有机材料并使其固化来形成作为有机绝缘膜的第三绝缘膜123。由此，能够容易地使第三绝缘膜123厚膜化，因此能够遍及所有的像素px地容易地使第三绝缘膜123的表面变得平坦。也就是说，第三绝缘膜123作为平坦化层发挥功能。
另外，形成于tft基板100的共用电极40和像素电极30隔着第四绝缘膜124对置地层叠。在本实施方式中，像素电极30与共用电极40相比位于上层。也就是说，共用电极40与像素电极30相比位于下层。
具体地说，共用电极40形成在第三绝缘膜123的上方，以覆盖共用电极40的方式形成有第四绝缘膜124。而且，在第四绝缘膜124的上方以规定形状形成有像素电极30。作为一例，按各像素px梳齿状地形成有像素电极30，但并不限于此。
共用电极40和像素电极30例如是由铟锡氧化物(ito：indiumtinoxide)等透明金属氧化物构成的透明电极。另外，第四绝缘膜124例如由氮化硅膜等无机绝缘膜构成。作为无机绝缘膜的第四绝缘膜124例如能够通过cvd法进行成膜。
如上所述，共用电极40是以遍及所有的像素px的方式形成的平面状的固体电极。由此，栅极信号线11和源极信号线12等布线被共用电极40覆盖，因此能够利用共用电极40屏蔽在栅极信号线11和源极信号线12等布线中产生的电场。也就是说，能够利用共用电极40屏蔽在tft层中产生的电场。因而，在共用电极40的上方形成的像素电极30的形状和大小的设计的自由度提高，因此能够容易地提高像素px的光透射率和开口率。
共用电极40是薄膜平面状的固体电极，但如图2所示，在共用电极40的栅极信号线11的上方形成有开口部40a，以将tft20的源漏电极sd与像素电极30连接。因而，在共用电极40的开口部40a处设置有贯通第二绝缘膜122、第三绝缘膜123以及第四绝缘膜124的3层构造的绝缘层的接触孔，在各像素px中，tft20的源漏电极sd与像素电极30经由该接触孔连接。
如图4所示，在共用电极40的上方形成有多个公共线15。在本实施方式中，各公共线15设置在共用电极40的正上方。即，各公共线15以与共用电极40接触的方式层叠于共用电极40。因而，第四绝缘膜124不仅覆盖共用电极40，还覆盖层叠于共用电极40上的公共线15。
各公共线15由电阻比共用电极40低的材料构成。例如，公共线15是由金属材料构成的具有遮光性和导电性的金属膜。在本实施方式中，公共线15由铜膜构成。这样，能够通过在共用电极40上层叠公共线15来降低共用电极40的时间常数。
经由公共总线布线50对公共线15施加公共电位。如图5所示，公共总线布线50具有：第一电极51，其与共用电极40形成在同一层；以及第二电极52，其层叠于第一电极51上，与公共线15形成在同一层。因而，第一电极51由与共用电极40相同的材料构成，第二电极52由与公共线15相同的材料构成。与共用电极40及公共线15同样地，公共总线布线50被第四绝缘膜124覆盖。
另外，在像素电极30的上方形成有第五绝缘膜125。第五绝缘膜125以覆盖像素电极30的方式形成在第四绝缘膜124的上方。在本实施方式中，第五绝缘膜125以遍及所有的像素px的方式形成。
第五绝缘膜125是由无机材料构成的无机绝缘膜或者由有机材料构成的有机绝缘膜。第五绝缘膜125也可以是由有机绝缘膜构成的取向膜。取向膜与液晶层300接触，来控制液晶层300的液晶分子的初始取向角度。具体地说，为了使液晶分子的初始取向角度与固定方向一致，对取向膜实施摩擦处理。此外，在第五绝缘膜125不是取向膜的情况下，优选在第五绝缘膜125的上方另外形成取向膜。
在本实施方式中，第一绝缘膜121、第二绝缘膜122、第三绝缘膜123、第四绝缘膜124以及第五绝缘膜125不仅形成在像素区域2a，还形成在边框区域2b。具体地说，第一绝缘膜121、第二绝缘膜122、第三绝缘膜123、第四绝缘膜124以及第五绝缘膜125形成在第一透明基板110上的整个面。
在此，详细地说明各种布线以及电极的连接关系。首先，详细地说明被施加公共电位的构件之间的连接关系。在本实施方式中，对虚拟栅极引出线14、公共线15、共用电极40、公共总线布线50以及屏蔽电极60施加了公共电位。
如图1所示，显示面板2(tft基板100)具备用于将多个虚拟栅极引出线14分别与屏蔽电极60连接的第一连接布线81。也就是说，各虚拟栅极引出线14与屏蔽电极60经由第一连接布线81连接。具体地说，虚拟栅极引出线14的一个端部通过第一连接布线81与屏蔽电极60连接。
如图5所示，第一连接布线81经由形成于边框区域2b的第一接触孔81a将多个虚拟栅极引出线14分别与屏蔽电极60连接。由此，能够经由屏蔽电极60对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。
在本实施方式中，第一连接布线81与像素电极30形成在同一层。因而，第一连接布线81由与像素电极30相同的材料构成。这样，在使将虚拟栅极引出线14与屏蔽电极60连接的第一连接布线81与像素电极30形成在同一层的情况下，第一接触孔81a形成为贯通第二绝缘膜122、第三绝缘膜123以及第四绝缘膜124。
在该情况下，能够与形成用于将像素电极30和tft20的源漏电极连接的接触孔时的处理同时地形成第一接触孔81a。由此，不增加光掩模就能够形成第一接触孔81a。另外，能够与对像素电极30进行图案化时的处理同时地将第一连接布线81形成为规定形状。此外，对于一个第一连接布线81而言，至少在虚拟栅极引出线14的上方和屏蔽电极60的上方这两个部位形成有第一接触孔81a。
另外，在本实施方式中，第一接触孔81a形成于边框区域2b的一对长边中的另一个长边(图1的上侧的长边)。也就是说，第一接触孔81a形成于与设置有栅极端子部71及源极端子部72的长边(图1的下侧的长边)相反一侧的长边。因而，第一连接布线81形成于与设置有栅极端子部71及源极端子部72的长边相反一侧的长边。
另一方面，如图1所示，在设置有栅极端子部71和源极端子部72的长边(图1的下侧的长边)上，虚拟栅极引出线14的另一个端部与被施加公共电位的公共总线布线50连接。具体地说，显示面板2(tft基板100)具备将多个虚拟栅极引出线14与公共总线布线50连接的第二连接布线82。也就是说，各虚拟栅极引出线14的另一个端部与公共总线布线50经由第二连接布线82连接。如图6所示，第二连接布线82经由形成于边框区域2b的第二接触孔82a将多个虚拟栅极引出线14分别与公共总线布线50连接。具体地说，第二连接布线82通过与公共总线布线50的上层的第二电极52的上表面接触来连接于第二电极52。
在本实施方式中，第二连接布线82与像素电极30形成在同一层。也就是说，第二连接布线82与第一连接布线81形成在同一层。因而，与第一连接布线81同样地，第二连接布线82由与像素电极30相同的材料构成。这样，在使将虚拟栅极引出线14与公共总线布线50连接的第二连接布线82与像素电极30形成在同一层的情况下，与第一接触孔81a同样地，第二接触孔82a形成为贯通第二绝缘膜122、第三绝缘膜123以及第四绝缘膜124。
由此，与第一接触孔81a同样地，能够与形成用于将像素电极30和tft20的源漏电极连接的接触孔时的处理同时地形成第二接触孔82a。另外，与第一连接布线81同样地，能够与对像素电极30进行图案化时的处理同时地将第二连接布线82形成为规定形状。也就是说，能够通过相同的处理来形成第一连接布线81和第二连接布线82。
此外，针对一个第一连接布线81形成有2个第一接触孔81a，但针对一个第二连接布线82形成有一个第二接触孔82a。具体地说，公共总线布线50具有开口50a，第二接触孔82a形成在该开口50a内。能够通过对公共总线布线50进行图案化时的处理来形成公共总线布线50的开口50a。
另外，在本实施方式中，第二接触孔82a形成于边框区域2b的一对长边中的另一个长边(图1的下侧的长边)。也就是说，第二接触孔82a形成于设置有栅极端子部71和源极端子部72的长边。因而，第二连接布线82形成于设置有栅极端子部71和源极端子部72的长边。
这样，虚拟栅极引出线14的一个端部通过第一连接布线81连接于屏蔽电极60，并且另一个端部通过第二连接布线82连接于公共总线布线50。也就是说，虚拟栅极引出线14连接于均被施加公共电位的屏蔽电极60和公共总线布线50，从两端部被施加公共电位。此外，虚拟栅极引出线14也可以不从两端部被施加公共电位，也可以仅从两端部中的一个端部被施加公共电位。也就是说，设置第一连接布线81和第二连接布线82中的至少一方即可。
如图1所示，公共总线布线50与屏蔽电极60互相连接。具体地说，显示面板2(tft基板100)具备将公共总线布线50与屏蔽电极60连接的公共连接布线83(第三连接布线)。也就是说，公共总线布线50与屏蔽电极60经由公共连接布线83连接。如图7所示，公共连接布线83经由形成于边框区域2b的接触孔83a将公共总线布线50与屏蔽电极60连接。
在本实施方式中，公共连接布线83与像素电极30形成在同一层。也就是说，公共连接布线83与第一连接布线81及第二连接布线82形成在同一层。因而，与第一接触孔81a及第二接触孔82a同样地，接触孔83a形成为贯通第二绝缘膜122、第三绝缘膜123以及第四绝缘膜124。由此，与第一接触孔81a及第二接触孔82a同样地，能够与形成用于将像素电极30和tft20的源漏电极连接的接触孔时的处理同时地形成接触孔83a。另外，与第一连接布线81及第二连接布线82同样地，能够与对像素电极30进行图案化时的处理同时地将公共连接布线83形成为规定形状。也就是说，能够通过相同的处理来形成第一连接布线81、第二连接布线82以及公共连接布线83。
接着，对栅极端子部71和源极端子部72的周边的布线的连接关系进行说明。
如图8所示，栅极引出线13与源极信号线12形成在同一层，栅极信号线11与源极信号线12形成在不同的层。另外，栅极中继布线16与栅极信号线11形成在同一层。因而，栅极中继布线16经由形成于第一绝缘膜121的接触孔16a和16b与栅极引出线13及栅极端子电极71a分别连接。由此，能够使栅极中继布线16与源极中继布线17立体交叉。
此外，栅极中继布线16的引绕方式不限于图8所示的方法。例如，栅极中继布线16也可以在经由接触孔被引绕于形成有共用电极40或像素电极30的金属层之后，返回到原来的金属层，并与栅极引出线13连接。
接着，对cf基板200进行说明。如图4～图8所示，cf基板200是与tft基板100对置的对置基板。在本实施方式中，cf基板200是具有滤色器的滤色器基板。
虽然没有图示，但cf基板200具有由玻璃基板或透明树脂基板等透明基材构成的第二透明基板以及形成于第二透明基板的滤色器层及遮光层。
滤色器层具有与各像素px对应的滤色器。具体地说，滤色器层具有与红色用像素pxr对应的红色滤色器、与绿色用像素pxg对应的绿色滤色器以及与蓝色用像素pxb对应的蓝色滤色器。这些滤色器形成于遮光层之间的区域(也就是遮光层的开口部)。
遮光层是黑色层，例如由炭黑构成。针对每个在列方向上相邻的2个像素px的边界部形成有遮光层。具体地说，遮光层以至少覆盖栅极信号线11的方式沿行方向形成为线状。此外，遮光层也可以以覆盖栅极引出线13和源极信号线12的方式还沿列方向形成为线状。在该情况下，遮光层是形成为格子状的黑矩阵。
在像这样构成的显示面板2上粘贴有一对偏振板(未图示)。例如，一对偏振板中的一方形成在tft基板100的外表面，一对偏振板中的另一方形成在cf基板200的外表面。一对偏振板被配置为偏振方向互相正交。另外，也可以在一对偏振板上粘贴相位差板。
此外，以tft基板100位于背光灯bl侧、cf基板200位于观察者侧的方式配置显示面板2。也就是说，以使cf基板200与tft基板100相比靠前方的方式配置显示面板2。
如以上所说明的那样，本实施方式的显示面板2和tft基板100具备多个栅极信号线11、以及与多个栅极信号线交叉的多个栅极引出线13及多个虚拟栅极引出线14，对多个虚拟栅极引出线14施加了公共电位。在本实施方式中，利用被施加公共电位的屏蔽电极60和公共总线布线50对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。具体地说，通过将多个虚拟栅极引出线14连接于屏蔽电极60及公共总线布线50，来对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。
由此，即使将多个虚拟栅极引出线14靠近边框区域2b而不与栅极端子部71或源极端子部72连接，也能够对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位来作为规定的电位。因而，与以靠近边框区域2b的方式引绕多个虚拟栅极引出线14的情况相比，能够抑制栅极引出线13、虚拟栅极引出线14以及源极信号线12等各种布线在边框区域2b中的布局的自由度降低。
另外，本实施方式的显示面板2和tft基板100具备多个栅极信号线11、以及与多个栅极信号线交叉的多个栅极引出线13及多个虚拟栅极引出线14，在将像素区域2a沿着第一方向至少分割为第一区域a1、第二区域a2以及第三区域a3这三个区域的情况下，多个栅极引出线13形成于第二区域a2，并且多个虚拟栅极引出线14形成于第一区域a1和第三区域a3各区域。
这样，将形成栅极引出线13的区域与形成虚拟栅极引出线14的区域区分开，由此在栅极引出线13、虚拟栅极引出线14以及源极信号线12等各种布线以靠近边框区域2b的方式连接于栅极端子部71或源极端子部72时，能够减少各种布线交叉的比例。因而，能够抑制栅极引出线13、虚拟栅极引出线14以及源极信号线12等各种布线在边框区域2b中的布局的自由度降低。
特别是在栅极端子部71和源极端子部72设置于边框区域2b的同一边的情况下，栅极引出线13和源极信号线12等各种布线集中于一个边，布线布局的限制增加。而且，在如本实施方式那样通过cog方式在边框区域2b中直接安装栅极驱动器3a和源极驱动器3b的情况下，不仅栅极驱动器3a和源极驱动器3b的配置布局的自由度变低，而且栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度也进一步降低。
与此相对地，在本实施方式的显示面板2和tft基板100中，利用被施加公共电位的屏蔽电极60和公共总线布线50对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。由此，即使将栅极端子部71和源极端子部72设置于边框区域2b的同一边、或者通过cog方式在边框区域2b中直接安装栅极驱动器3a和源极驱动器3b，也能够有效地抑制栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度降低。
另外，在本实施方式的显示面板2和tft基板100中，将形成栅极引出线13的区域与形成虚拟栅极引出线14的区域区分开。由此，即使将栅极端子部71和源极端子部72设置于边框区域2b的同一边、或者通过cog方式在边框区域2b中直接安装栅极驱动器3a和源极驱动器3b，也能够有效地抑制栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度降低。
另外，在本实施方式的显示面板2和tft基板100中，对多个虚拟栅极引出线14施加了公共电位。在本实施方式中，利用被施加公共电位的屏蔽电极60和公共总线布线50对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。具体地说，通过将多个虚拟栅极引出线14连接于屏蔽电极60及公共总线布线50，来对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。
由此，即使将多个虚拟栅极引出线14靠近边框区域2b而不与栅极端子部71或源极端子部72连接，也能够对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位来作为规定的电位。因而，与以靠近边框区域2b的方式引绕多个虚拟栅极引出线14的情况相比，能够进一步抑制栅极引出线13、虚拟栅极引出线14以及源极信号线12等各种布线在边框区域2b中的布局的自由度降低。
以上，根据本实施方式，能够实现如下的tft基板100以及显示面板2：虽然具有多个栅极信号线11与多个栅极引出线13及多个虚拟栅极引出线14交叉的构造，但布线布局的自由度高。
(变形例1)
接着，使用图9对上述实施方式的变形例1进行说明。图9是变形例1所涉及的显示面板2a的局部截面图。图9对应于上述实施方式的显示面板2的图5的截面部分。此外，在本变形例中，第一连接布线81a以外的结构是与上述实施方式相同的结构。
在上述实施方式的显示面板2和tft基板100中，将虚拟栅极引出线14与屏蔽电极60连接的第一连接布线81与像素电极30形成在同一层，但如图9所示，在本变形例的显示面板2a和tft基板100a中，将虚拟栅极引出线14与屏蔽电极60连接的第一连接布线81a与共用电极40形成在同一层。因而，第一连接布线81a由与共用电极40相同的材料构成。
这样，在使将虚拟栅极引出线14与屏蔽电极60连接的第一连接布线81a与共用电极40形成在同一层的情况下，第一接触孔81a形成为贯通第二绝缘膜122和第三绝缘膜123。
以上，与上述实施方式的显示面板2和tft基板100同样地，在本变形例的显示面板2a和tft基板100a中，也利用被施加公共电位的屏蔽电极60和公共总线布线50对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。由此，能够抑制栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度降低，能够实现布线布局的自由度高的显示面板2a和tft基板100a。
(变形例2)
接着，使用图10和图11对上述实施方式的变形例2进行说明。图10是示出变形例2所涉及的显示面板2b的概要结构的俯视图。图11是图10的xi-xi线处的局部截面图。图11对应于上述实施方式的显示面板2的图6的截面部分。此外，在本变形例中，第一连接布线81b以外的结构是与上述实施方式相同的结构。
在上述实施方式的显示面板2和tft基板100中，第一连接布线81将虚拟栅极引出线14与屏蔽电极60连接，但如图10和图11所示，在本变形例的显示面板2b和tft基板100b中，第一连接布线81b将虚拟栅极引出线14与公共总线布线50连接。
也就是说，在本变形例中，各虚拟栅极引出线14的两端部连接于公共总线布线50。具体地说，在各虚拟栅极引出线14中，一个端部经由第一接触孔81a通过第一连接布线81a连接于公共总线布线50，与上述实施方式的显示面板2和tft基板100同样地，另一个端部经由第二接触孔82a通过第二连接布线82连接于公共总线布线50。此外，第一连接布线81b和第二连接布线82通过均与公共总线布线50的上层的第二电极52的上表面接触来连接于第二电极52。
另外，在本变形例中，第一连接布线81b与像素电极30形成在同一层。也就是说，第一连接布线81b与第二连接布线82形成在同一层。因而，与第二连接布线82同样地，第一连接布线81b由与像素电极30相同的材料构成。这样，通过使将虚拟栅极引出线14与公共总线布线50连接的第一连接布线81b及第二连接布线82与像素电极30形成在同一层，能够与对像素电极30进行图案化时的处理同时地将第一连接布线81b和第二连接布线82形成为规定形状。也就是说，能够通过相同的处理来形成第一连接布线81b、第二连接布线82以及像素电极30。
以上，与上述实施方式的显示面板2和tft基板100同样地，在本变形例的显示面板2b和tft基板100b中，也利用被施加公共电位的公共总线布线50对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。由此，能够抑制栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度降低，能够实现布线布局的自由度高的显示面板2b和tft基板100b。
另外，在本变形例中，不利用屏蔽电极60而对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。因而，即使在显示面板2b和tft基板100b中没有形成屏蔽电极60，也能够对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。
(变形例3)
接着，使用图12对上述实施方式的变形例3进行说明。图12是变形例3所涉及的显示面板2c的局部截面图。图12对应于上述实施方式的显示面板2的图6的截面部分。此外，在本变形例中，第二接触孔82a的周边构造以外的结构是与上述实施方式相同的结构。
在上述实施方式的显示面板2和tft基板100中，虚拟栅极引出线14的另一个端部通过第二连接布线82连接于公共总线布线50。也就是说，利用形成在与公共总线布线50不同的层的构件来作为第二连接布线82，将虚拟栅极引出线14与公共总线布线50经由第二连接布线82进行了连接。
与此相对地，在本变形例的显示面板2c和tft基板100c中，如图12所示，不使用形成在与公共总线布线50不同的层的构件，来将虚拟栅极引出线14与公共总线布线50进行连接。也就是说，将公共总线布线50的一部分用作第二连接布线，来将虚拟栅极引出线14与公共总线布线50直接连接。具体地说，公共总线布线50的下层的第一电极51与虚拟栅极引出线14的上表面接触，由此公共总线布线50连接于虚拟栅极引出线14。
在该情况下，在边框区域2b的一对长边中的一个长边(设置有栅极端子部71和源极端子部72的长边)上，多个虚拟栅极引出线14经由形成于边框区域2b的第二接触孔82a直接连接于公共总线布线50。
以上，与上述实施方式的显示面板2和tft基板100同样地，在本变形例的显示面板2c和tft基板100c中，也利用被施加公共电位的公共总线布线50对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。由此，能够抑制栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度降低，能够实现布线布局的自由度高的显示面板2c和tft基板100c。
此外，本变形例也可以应用于上述变形例2的第一接触孔81a。具体地说，也可以是，在边框区域2b的一对长边中的另一个长边(与设置有栅极端子部71和源极端子部72的长边相反一侧的长边)上，不使用第一连接布线81b，而将虚拟栅极引出线14与公共总线布线50直接连接。
(变形例4)
接着，使用图13对上述实施方式的变形例4进行说明。图13是示出变形例4所涉及的显示面板2d的概要结构的俯视图。此外，在本变形例中，除公共中继布线18以外的结构是与上述实施方式相同的结构。
在上述实施方式的显示面板2和tft基板100中，源极端子部72中包括的公共端子电极72b经由公共中继布线18连接于屏蔽电极60，但如图13所示，在本变形例的显示面板2d和tft基板100d中，公共端子电极72b经由公共中继布线18d连接于公共总线布线50。也就是说，在本变形例中，公共中继布线18d将公共端子电极72b与公共总线布线50连结。
在该情况下，当从电源电路7向公共端子电极72b输入公共电位时，经由公共中继布线18d对公共总线布线50施加公共电位。由此，对虚拟栅极引出线14和公共线15施加公共电位。此外，在本变形例中，经由公共连接布线83从公共总线布线50对屏蔽电极60施加公共电位。也就是说，经由公共总线布线50对屏蔽电极60施加公共电位。
以上，与上述实施方式的显示面板2和tft基板100同样地，在本变形例的显示面板2d和tft基板100d中，也利用被施加公共电位的公共总线布线50对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。由此，能够抑制栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度降低，能够实现布线布局的自由度高的显示面板2d和tft基板100d。
(变形例5)
接着，使用图14对上述实施方式的变形例5进行说明。图14是变形例5所涉及的显示面板2e的局部截面图。图14对应于上述实施方式的显示面板2的图5的截面部分。
在上述实施方式的显示面板2和tft基板100中，像素电极30与共用电极40相比位于上层，但在本变形例的显示面板2e和tft基板100e中，像素电极30e与共用电极40相比位于下层。也就是说，共用电极40与像素电极30e相比位于上层。具体地说，与上述实施方式同样地，共用电极40形成在第三绝缘膜123的上方，但像素电极30e不形成在第四绝缘膜124的上方而形成在第二绝缘膜122的上方。
而且，在本变形例中，将虚拟栅极引出线14与屏蔽电极60连接的第一连接布线81e与共用电极40形成在同一层。因而，第一连接布线81e由与共用电极40相同的材料构成。
这样，在使将虚拟栅极引出线14与屏蔽电极60连接的第一连接布线81e与共用电极40形成在同一层的情况下，第一接触孔81a形成为贯通第二绝缘膜122和第三绝缘膜123。
此外，在本变形例中，其它结构是与上述实施方式的显示面板2e及tft基板100e相同的结构。
以上，与上述实施方式的显示面板2和tft基板100同样地，在本变形例的显示面板2e和tft基板100e中，也利用被施加公共电位的屏蔽电极60和公共总线布线50对多个虚拟栅极引出线14施加公共电位。由此，能够抑制栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度降低，能够实现布线布局的自由度高的显示面板2a和tft基板100a。
另外，如图15所示，在本变形例中，也可以将第一连接布线81e与像素电极30e形成在同一层。由此，能够与对像素电极30e进行图案化时的处理同时地将第一连接布线81e形成为规定形状。也就是说，能够通过相同的处理来形成第一连接布线81e和像素电极30e。
(变形例6)
接着，使用图16对上述实施方式的变形例6进行说明。图16是示出变形例6所涉及的图像显示装置1f和显示面板2f的概要结构的俯视图。此外，在本变形例中，除形成栅极引出线13和虚拟栅极引出线14的区域以外的结构是与上述实施方式相同的结构。
在上述实施方式的显示面板2和tft基板100中，多个栅极引出线13形成于第二区域a2，并且多个虚拟栅极引出线14形成于第一区域a1和第三区域a3各区域，但在本变形例的显示面板2f和tft基板100f中，多个栅极引出线13形成于第一区域a1和第三区域a3各区域，并且虚拟栅极引出线14形成于第二区域a2。
也就是说，在本变形例中，第一区域a1和第三区域a3为栅极连接区域，在第一区域a1和第三区域a3中仅形成有栅极引出线13和虚拟栅极引出线14中的栅极引出线13。另一方面，在第二区域a2中仅形成有栅极引出线13和虚拟栅极引出线14中的虚拟栅极引出线14，第二区域a2为虚拟区域。
具体地说，多个栅极引出线13由多个第一栅极引出线和多个第二栅极引出线构成，其中，该多个第一栅极引出线与在行方向上隔开间隔地配置的2个栅极驱动器3a中的一个第一栅极驱动器连接，该多个第二栅极引出线与2个栅极驱动器3a中的另一个第二栅极驱动器连接。而且，多个第一栅极引出线配置于第一区域a1，多个第二栅极引出线配置于第三区域a3，并且多个虚拟栅极引出线14配置于第二区域a2。
以上，与上述实施方式的显示面板2和tft基板100同样地，在本变形例的显示面板2f和tft基板100f中，也将形成栅极引出线13的区域与形成虚拟栅极引出线14的区域区分开。由此，能够抑制栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度降低，能够实现布线布局的自由度高的显示面板2a和tft基板100a。
(变形例7)
接着，使用图17～图19对上述实施方式的变形例7进行说明。图17是示出变形例7所涉及的图像显示装置1g和显示面板2g的概要结构的俯视图。图18是示出变形例7所涉及的显示面板2g中的栅极端子部71和源极端子部72的周边的结构的俯视图。图19是图18的xix-xix线处的截面图。
在上述实施方式的显示面板2中，对虚拟栅极引出线14施加了公共电位，但并不限于此。具体地说，在上述实施方式的显示面板2中，从公共端子电极72b经由公共中继布线18对屏蔽电极60或公共总线布线50施加的公共电位被施加于虚拟栅极引出线14。
与此相对地，在本变形例的显示面板2g和tft基板100g中，对多个虚拟栅极引出线14施加用于将tft20的栅极截止的截止电压voff，使得对多个虚拟栅极引出线14施加规定的电位。
具体地说，在本变形例中，在栅极端子部71中包括用于对虚拟栅极引出线14施加规定的电位的虚拟栅极端子电极71b。另外，在边框区域2b内的虚拟栅极引出线14和虚拟栅极端子电极71b的路径中设置有虚拟栅极中继布线19。虚拟栅极中继布线19将虚拟栅极引出线14与虚拟栅极端子电极71b连接。也就是说，虚拟栅极端子电极71b与虚拟栅极引出线14通过虚拟栅极端子电极71b连接。
然后，对虚拟栅极端子电极71b输入从栅极驱动器3a输出的截止电压voff。由此，被输入到虚拟栅极端子电极71b的截止电压voff经由虚拟栅极中继布线19被施加于虚拟栅极引出线14。截止电压voff是固定的电压，作为一例，是-7v～-1v，但并不限于此。
如图19所示，虚拟栅极中继布线19形成于与虚拟栅极引出线14不同的金属层，经由接触孔19a连接于虚拟栅极引出线14。另外，虚拟栅极中继布线19经由接触孔19b连接于虚拟栅极端子电极71b。
在本实施方式中，虚拟栅极中继布线19与栅极信号线11形成在同一层，并且，与源极信号线12形成在不同的层。具体地说，虚拟栅极中继布线19及栅极信号线11与tft20的栅电极gt形成在同一层。因而，接触孔19a和19b形成于第一金属层与第二金属层之间的第一绝缘膜121(栅极绝缘膜)，其中，该第一金属层形成有栅极中继布线19和栅极信号线11，该第二金属层形成有源极信号线12和虚拟栅极引出线14。这样，虚拟栅极中继布线19经由形成于第一绝缘膜121的接触孔19a和19b与虚拟栅极引出线14及虚拟栅极端子电极71b分别连接。由此，能够使虚拟栅极中继布线19与源极中继布线17立体交叉。
此外，虚拟栅极中继布线19的引绕方式并不限于图19所示的方法。例如，虚拟栅极中继布线19也可以在经由接触孔被引绕于形成有共用电极40或像素电极30的金属层之后，返回到原来的金属层，并与虚拟栅极引出线14连接。
以上，与上述实施方式的显示面板2和tft基板100同样地，在本变形例的显示面板2g和tft基板100g中，也将形成栅极引出线13的区域与形成虚拟栅极引出线14的区域区分开。由此，能够抑制栅极引出线13和源极信号线12等各种布线的布线布局的自由度降低，能够实现布线布局的自由度高的显示面板2b和tft基板100b。
此外，在本变形例中，用于对虚拟栅极引出线14施加规定的电位的虚拟栅极端子电极71b包括在栅极端子部71中，但并不限于此。例如，虚拟栅极端子电极71b也可以设置于源极端子部72，还可以不包括在源极端子部72和栅极端子部71中的任一个端子部中，而单独设置于tft基板100的边框区域2b。
(其它变形例)
以上，基于实施方式对本公开所涉及的tft基板和显示面板等进行了说明，但本公开不限定于上述实施方式。
例如，在上述实施方式中，公共总线布线50是第一电极51和第二电极52的双层构造，但不限于此。具体地说，公共总线布线50也可以是仅由第一电极51和第二电极52中的一方构成的单层构造。在该情况下，在将公共总线布线50的一部分用作第一连接布线或第二连接布线的情况下，第一连接布线或第二连接布线也可以仅由第一电极51和第二电极52中的一方构成。
另外，在上述实施方式中，像素区域2a被分割为第一区域a1、第二区域a2以及第三区域a3这3列的区域，但不限于此。具体地说，像素区域2a也可以被分割为4列以上的区域。
另外，在上述实施方式中，对栅极信号线11与栅极引出线13及源极信号线12在俯视时正交(也就是以90°交叉)的情况进行了说明，但不限于此。例如，也可以是栅极信号线11与栅极引出线13及源极信号线12以90°以外的角度交叉的情况。
另外，在上述实施方式中，栅极驱动器3a和源极驱动器3b通过cog方式安装于显示面板2(tft基板100)，但不限于此。例如，栅极驱动器3a和源极驱动器3b也可以通过cof方式安装于显示面板2(tft基板100)。在该情况下，在通过cof方式安装源极驱动器3b的情况下，将安装有源极驱动器3b的柔性布线基板4连接于tft基板100即可。
另外，在上述实施方式中，被输入来自电源电路7的公共电位的公共端子电极72b包括在源极端子部72中，但不限于此。例如，公共端子电极72b也可以包括在栅极端子部71中。或者，公共端子电极72b也可以不包括在源极端子部72和栅极端子部71中的任一个端子部中，而单独设置于tft基板100的边框区域2b。
另外，在上述实施方式中，使用了液晶显示面板作为显示面板2，但不限于此。例如，显示面板2也可以是有机el面板或无机el面板等其它显示设备。也就是说，上述实施方式的tft基板100也能够应用于有机el面板或无机el面板等。
除此以外，对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形所得到的方式、通过在不脱离本公开的宗旨的范围内使实施方式的构成要素和功能任意地组合而实现的方式也包括在本公开中。
1.一种薄膜晶体管基板，具有由多个像素构成的像素区域和包围所述像素区域的边框区域，所述薄膜晶体管基板具备：
薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管和所述像素电极设置于所述多个像素中的各个像素；
多个栅极信号线，所述多个栅极信号线在所述像素区域中沿第一方向延伸，用于向所述多个像素各自的所述薄膜晶体管供给栅极信号；
多个栅极引出线和多个虚拟栅极引出线，所述多个栅极引出线和所述多个虚拟栅极引出线在所述像素区域中沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；
多个公共线，所述多个公共线在所述像素区域中沿所述第一方向和所述第二方向中的至少一个方向延伸，被施加公共电位；以及
共用电极，其与所述像素电极对置地设置，与所述多个公共线电连接，
其中，所述多个栅极引出线在所述多个栅极信号线与所述多个栅极引出线的多个交叉部中的至少一个部位与所述栅极信号线连接，
对所述多个虚拟栅极引出线施加所述公共电位。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还具备：
多个源极信号线，所述多个源极信号线在所述像素区域中沿所述第二方向延伸，用于向所述多个像素各自的所述薄膜晶体管供给数据信号；
栅极端子部，其包括与所述多个栅极引出线连接的多个栅极端子电极；以及
源极端子部，其包括与所述多个源极信号线连接的多个源极端子电极，
其中，所述栅极端子部和所述源极端子部设置于所述薄膜晶体管基板的所述边框区域的一对长边中的一个长边。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还具备：
屏蔽电极，其形成于所述边框区域，被施加所述公共电位；以及
第一连接布线，其经由形成于所述边框区域的第一接触孔将所述多个虚拟栅极引出线分别与所述屏蔽电极连接。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
所述第一连接布线与所述像素电极形成在同一层。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
所述第一连接布线与所述共用电极形成在同一层。
6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
所述屏蔽电极与所述薄膜晶体管的源漏电极形成在同一层。
7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
所述屏蔽电极与所述虚拟栅极引出线形成在同一层。
8.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
所述屏蔽电极形成为网格状。
9.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
对于一个所述第一连接布线而言，所述第一接触孔至少形成在所述虚拟栅极引出线上和所述屏蔽电极上这两个部位。
10.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
所述第一接触孔形成于所述一对长边中的另一个长边。
11.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还具备：
公共总线布线，其形成于所述边框区域，被施加所述公共电位；以及
第二连接布线，其经由形成于所述边框区域的第二接触孔将所述多个虚拟栅极引出线分别与所述公共总线布线连接，
所述多个公共布线连接于所述公共总线布线。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
所述第二连接布线与所述像素电极形成在同一层。
13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
所述公共总线布线具有与所述共用电极形成在同一层的第一电极、以及层叠于所述第一电极上且与所述公共线形成在同一层的第二电极。
14.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
所述像素电极与所述共用电极相比位于上层，
所述公共总线布线具有开口，
所述第二接触孔形成在所述开口内。
15.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还具备：
公共总线布线，其形成于所述边框区域，与所述多个公共线连接；以及
屏蔽电极，其形成于所述边框区域，被施加所述公共电位，
其中，所述公共总线布线与所述屏蔽电极电连接，
所述多个虚拟栅极引出线还经由形成于所述边框区域的接触孔与所述公共总线布线连接。
16.一种显示面板，具备：
根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板；以及
对置基板，其与所述薄膜晶体管基板对置。
17.一种薄膜晶体管基板，具有由多个像素构成的像素区域和包围所述像素区域的边框区域，所述薄膜晶体管基板具备：
多个栅极信号线，所述多个栅极信号线在所述像素区域中沿第一方向延伸；以及
多个栅极引出线和多个虚拟栅极引出线，所述多个栅极引出线和所述多个虚拟栅极引出线在所述像素区域中沿与所述第一方向不同的第二方向延伸，
其中，所述多个栅极引出线在所述多个栅极信号线与所述多个栅极引出线的多个交叉部中的至少一个部位与所述栅极信号线连接，
在将所述像素区域沿着所述第一方向至少分割为第一区域、第二区域以及第三区域这三个区域的情况下，
(i)所述多个栅极引出线形成于所述第二区域，并且，所述多个虚拟栅极引出线形成于所述第一区域和所述第三区域各区域，或者，(ii)所述多个栅极引出线形成于所述第一区域和所述第三区域各区域，并且，所述虚拟栅极引出线形成于所述第二区域。
18.根据权利要求17所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
还具备第一栅极驱动器和第二栅极驱动器，所述第一栅极驱动器和所述第二栅极驱动器在所述第一方向上隔开间隔地配置，经由所述多个栅极引出线向所述多个栅极信号线供给栅极信号，
所述多个栅极引出线由与所述第一栅极驱动器连接的多个第一栅极引出线以及与所述第二栅极驱动器连接的多个第二栅极引出线构成，
所述多个第一栅极引出线配置于所述第一区域，所述多个第二栅极引出线配置于所述第三区域，并且，所述多个虚拟栅极引出线配置于所述第二区域。
19.根据权利要求18所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，
在所述栅极端子部或所述源极端子部中包括用于对所述虚拟栅极引出线施加规定的电位的虚拟栅极端子电极，
在所述边框区域内的所述虚拟栅极引出线和所述虚拟栅极端子电极的路径中设置有虚拟栅极中继布线，
所述多个栅极引出线及所述多个虚拟栅极引出线与所述多个源极信号线形成在同一层，
所述虚拟栅极中继布线与所述多个栅极信号线形成在同一层，并且与所述多个源极信号线形成在不同的层，
所述虚拟栅极中继布线经由接触孔连接于所述虚拟栅极引出线，并且经由接触孔连接于所述虚拟栅极端子电极。
技术总结