本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板、显示面板和显示装置。
背景技术：
显示装置包括公共电极电路，公共电极电路包括基底，多个公共电极和多条公共电极线。多个公共电极呈阵列分布在基底之上，多条公共电极线沿行方向延伸，每条公共电极线对应连接一行公共电极。其中，公共电极线和公共电极通过导电连接部跨接。
传统的公共电极电路中，通常采用氧化铟锡作为导电连接部来将公共电极连接在公共电极上，但氧化铟锡的电阻率过高，会使电信号损耗较大，从而造成各个公共电极之间的电压差较大，从而影响显示面板的均一性，降低显示画面的品质。
技术实现要素：
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板，其能够降低公共电极与公共电极线之间的电阻，从而降低显示基板中各公共电极之间的电压差，提高显示基板中公共电压的均一性。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括：
基底；
多个公共电极，呈阵列分布在所述基底之上；
多条公共电极线，沿行方向延伸，每条所述公共电极线对应连接一行所述公共电极；其中，
所述公共电极线通过导电连接部与所述公共电极相连，所述导电连接部包括相叠加的多层导电结构。
本发明提供的显示基板，由于跨接公共电极与公共电极线的导电连接部包括相叠加的多层导电结构，因此可以降低导电连接部的电阻，从而使公共电极与公共电极线之间的电阻降低，进而能够降低显示基板中各公共电极之间的电压差，提高显示基板中公共电压的均一性。
优选的，在本发明提供的显示基板中，所述显示基板还包括：多个像素单元，其中，所述多个像素单元中的每个像素单元均包括：薄膜晶体管和像素电极；
所述多层导电连接部包括第一导电结构和第二导电结构；其中，所述第一导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且与所述源极和/或漏极的材料相同，所述第二导电结构与所述像素电极同层设置，且与所述像素电极的材料相同。
优选的，在本发明提供的显示基板中，所述显示基板还包括多条栅线和多条数据线；
所述栅线和所述数据线交叉设置，限定出所述像素单元；在所述栅线和所述数据线之间设置有层间绝缘层；
其中，所述公共电极线与所述栅线延伸方向相同且同层设置，所述公共电极线与所述栅线的材料相同。
优选的，在本发明提供的显示基板中，所述第二导电结构的材料包括氧化铟锡。
优选的，在本发明提供的显示基板中，所述显示基板包括多层膜层，所述公共电极位于所述显示基板中的任意两个膜层之间。
优选的，在本发明提供的显示基板中，所述像素电极上具有多条狭缝，所述公共电极包括多个间隔设置的条状子电极；其中，
所述公共电极与所述像素电极一一对应，所述公共电极的条状子电极在所述基底上的正投影，和与之对应的所述像素电极的狭缝在基底上的正投影重叠。
优选的，在本发明提供的显示基板中，所述公共电极与所述公共电极线之间包括层间绝缘层和/或栅极绝缘层，且所述公共电极线设置在所述公共电极靠近所述基底一侧；
所述导电连接部通过设置所述层间绝缘层和/或栅极绝缘层中的过孔，将所述公共电极与所述公共电极线相连；其中，
所述过孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分的深度大于所述第二部分。
优选的，在本发明提供的显示基板中，所述第一部分在所述基底上的正投影的面积，为所述过孔在所述基底上的正投影的面积的四分之一。
相应地，本发明还提供一种显示面板，包括上述的显示基板。
相应地，本发明还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
附图说明
图1为本实施例提供的显示基板的一种实施例的结构示意图(俯视图)；
图2为本实施例提供的显示基板中公共电极与公共电极线的结构示意图(俯视图)；
图3为本实施例提供的显示基板中像素单元的局部结构示意图；
图4a为本实施例提供的显示基板的一种实施例的层结构图之一(沿图3中a-b方向的剖切图)；
图4b为本实施例提供的显示基板的一种实施例的层结构图之二(沿图3中a′-b′方向的剖切图)
图5为本实施例提供的显示基板的一种实施例的层结构图之三(沿图3中c-d方向的剖切图)；
图6为本实施例提供的显示基板中像素电极与公共电极的一种实施例的结构示意图；
图7为本实施例提供的显示基板中导电连接部上的过孔的一种实施例的结构示意图；
图8为本实施例提供的显示基板中导电连接部上的过孔的一种实施例沿图7中e-f方向的剖切图；
图9为本实施例提供的显示基板中导电连接部上的过孔的另一种实施例的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是为了便于对本发明实施例的内容的理解。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
如图1-图3所示，本实施例提供一种显示基板，该显示基板包括基底1、多条公共电极线2、多个公共电极3、多条栅线7、多条数据线8和多个像素单元9。其中，图1为本实施例提供的显示基板的俯视图，图2为本实施例提供的显示基板除去像素单元后的公共电极与公共电极线的俯视图，图3为图1中像素单元9的局部示意图。
具体地，参见图1、图3，基底1上包括多个呈阵列分布的像素单元9，每个像素单元9均包括像素电极5和薄膜晶体管6。多条栅线7沿行方向延伸，多条数据线8沿列方向延伸，栅线7与数据线8交叉设置，限定出像素单元9。每条栅线7对应连接一行像素单元9，每条数据线8对应连接一列像素单元9。具体的，每条栅线7通过与之相连的一行像素单元9中，每个像素单元9的薄膜晶体管6与像素电极5连接，薄膜晶体管6作为像素单元9的开关器件，受栅线7控制而打开或关闭，若一像素单元9中的薄膜晶体管6打开，则可将与该像素单元9相连的数据线8上的电压信号，传递到该像素单元9中的像素电极5上，若薄膜晶体管6关闭，则可以阻断数据线8上的电压信号传入该像素电极5上。
具体地，参见图2、图3，多个公共电极3呈阵列分布在基底1上，公共电极3与像素单元9中的像素电极5一一对应设置，且公共电极3设置在像素电极5靠近基底1一侧。多条公共电极线2沿行方向延伸，每条公共电极线2对应连接一行公共电极3，公共电极线2将公共电压(vcom)传入与之对应的一行公共电极3上。具体的，公共电极线2可以通过导电连接部4与公共电极3相连，导电连接部4包括相叠加的多层导电结构。
本实施例提供的显示基板，由于跨接公共电极3与公共电极线2的导电连接部4包括相叠加的多层导电结构，因此能够降低导电连接部4的电阻，从而使公共电极3与公共电极线2之间的电阻降低，因此，公共电极线2经过导电连接部4将公共电压信号传入公共电极3时，公共电压信号受到的信号损失减小，进而能够降低显示基板中各公共电极3之间的电压差，提高显示基板中公共电压的均一性。
进一步地，如图3、图4a、图4b和图5所示，其中，图4a为图3中的像素单元沿a-b切口剖切的切面图，图4b为图3中的像素单元沿a′-b′切口剖切的切面图，图5为图3中的像素单元沿c-d切口剖切的切面图。本实施例提供的显示基板中。参见图4a、图4b，本实施例提供的显示基板在基底1靠近像素电极5一侧设置有缓冲层11,缓冲层11靠近像素电极5一侧设置有薄膜晶体管6。薄膜晶体管6可以包括多个膜层，例如包括栅极(gateelectrode)61，栅极61设置在缓冲层11背离基底1一侧，栅极61之上包括有源层(activaarea)64，有源层64与栅极61之间包括栅极绝缘层12，有源层61背离栅极绝缘层12一侧设置有漏极(drainelectrode)62和源极(sourceelectrode)63，漏极62和源极63同层设置，漏极62和源极63之间包括层间绝缘层13。其中，有源层64由半导体材料构成，例如可以为非晶硅、多晶硅、有机半导体材料等，在此不做限定。
进一步地，参见图4a、图4b和图5，本实施例提供的显示基板中，像素电极5通过设置在层间绝缘层13之中的第一过孔01连接在薄膜晶体管6的漏极62之上，数据线8通过设置在层间绝缘层13之间的第二过孔02连接在薄膜晶体管6的源极63之上，栅线7连接薄膜晶体管6的栅极61，本实施例中栅极61与栅线7同层设置。栅线7与数据线8交叉设置，栅线7与数据线8之间设置有层间绝缘层13，以隔离栅极7与数据线8之间的信号，防止信号串扰。在像素电极5背离基底1一侧还可以设置一层钝化层14，以保护显示基板中的各个器件。
需要说明的是，本实施例提供的显示基板中，数据线8、栅线7可以设置在显示基板中的任意两个膜层之间，只要数据线8连接在薄膜晶体管6中的源极63上，栅线7连接在薄膜晶体管6中的漏极62上即可，在此不做限定。
进一步地，参见图4a、图5，本实施例提供的显示基板中，导电连接部4可以包括多层导电结构，例如，导电连接部4可以包括两层导电结构，分别为第一导电结构41和第二导电结构42。其中，第一导电结构41可以与薄膜晶体管8中的源极63和漏极62同层设置，且第一导电结构41与源极63和/漏极62的材料相同，也就是说，第一导电结构41可以与源极62和漏极62在同一道工序中通过图案化工艺制作完成，因此可以避免增加制作显示基板的工艺难度。并且，第二导电结构42可以与像素电极5同层设置，且第二导电结构42可以与像素电极5的材料相同。也就是说，第二导电结构42可以与像素电极5在同一道工序中通过图案化工艺制作完成，因此可以进一步避免增加制作显示基板的工艺难度。与漏极62和源极63同层设置的第一导电结构41，与像素电极5同层设置的第二导电结构42相叠加形成导电连接部4，通过控制第一导电结构41与第二导电结构42的材料可以降低导电连接部4的电阻率，从而使公共电极3与公共电极线2之间的电阻降低，因此，公共电极线2经过导电连接部4将公共电压信号传入公共电极3时，公共电压信号受到的信号损失减小，进而能够降低显示基板中各公共电极3之间的电压差，提高显示基板中公共电压的均一性。
可选地，薄膜晶体管中源极63和漏极62可以包括各类金属材料，例如银(ag)，铜(cu)，铝(al)中的任一种。由于第一导电结构41的材料可以与源极63和漏极62的材料相同，因此第一导电结构41的材料可以为银(ag)，铜(cu)，铝(al)中的任一种。像素电极5的材料可以包括各类型的透明半导体材料，例如可以是氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)。由于第二导电结构42的材料可以与像素电极5的材料相同，因此第二导电结构42的材料可以为ito。当然，第一导电结构41和第二导电结构42也可以为其他材料，在此不做限定。
需要说明的是，导电连接部4可以包括任意个导电结构，任意个导电结构相叠加形成导电连接部4，以降低导电连接部4的电阻，具体的导电连接部4中导电结构的数量可以根据需要设置，在此不做限定。
进一步地，参见图5，公共电极线2与栅线7的延伸方向相同，且公共电极线2与栅线7同层设置，公共电极线2可以与栅线7的材料相同。公共电极线2可以与栅线7在同一道工序中通过图案化工艺制作完成，因此可以避免增加制作显示基板的工艺难度。
需要说明的是，本实施例提供的显示基板中，薄膜晶体管6的结构可以包括多种类型，以及薄膜晶体管6与像素电极5、数据线8、栅线7之间的相对位置可以根据需要设置，图中仅为了便于描述所举的例子，并不对本发明实施例进行限制。
可选地，在本实施例提供的显示基板中，像素电极5和公共电极3之间的相对位置可以包括多种设置方式，例如公共电极3可以设置在像素电极5靠近基底1一侧，又例如公共电极3可以与像素电极5同层设置，又例如公共电极3可以与像素电极5相对设置，即公共电极3可以设置在显示面板上，像素电极5可以设置在阵列基板上，显示面板和阵列基板相对设置。具体的，公共电极3与像素电极5的相对位置可以根据需要设置，在此不做限定。在各种公共电极3与像素电极5的位置设置中，公共电极线2与公共电极3皆可以通过导电连接部4进行连接。本实施例中皆以公共电极3设置在像素电极5靠近基底1一侧为例进行说明，公共电极3和像素电极5之间包括层间绝缘层13，以隔离二者之间的信号，防止信号串扰。
进一步地，如图6所示，公共电极3与像素电极5一一对应设置，像素电极5和公共电极3可以包括多种类型的像素电极，例如块状电极、条状电极、狭缝电极、梳状电极、面电极等。以像素电极5为狭缝电极为例，像素电极5上可以具有多条狭缝51，相应地，公共电极3上可以包括多个间隔设置的条状子电极31。公共电极3上的条状子电极位于基底1上相对像素电极5的狭缝51的位置，也即，公共电极3的条状子电极31在基底1上的正投影，和与之对应的像素电极5的狭缝51在基底上的正投影重叠，从而公共电极3在被施加电压后所产生的电场可以由像素电极5的狭缝51处穿出，以维持像素电极5和公共电极3之间的电场。当然，公共电极3和像素电极5也可以是其他类型的电极，在此不做限定。
进一步地，参见图3-图5，在本实施例提供的显示基板中，公共电极3和公共电极线2位于不同层，例如，结合图4a、图5，公共电极3可以位于像素电极5的下方，且公共电极3设置在层间绝缘层13中，公共电极线2与栅线7同层设置，且公共电极线2设置在栅极绝缘层12中，公共电极3与公共电极线2之间包括层间绝缘层13和/或栅极绝缘层12，并且，公共电极线2设置在公共电极3靠近基底一侧。导电连接部4的一端通过设置在层间绝缘层13中的第三过孔03连接公共电极3，导电连接部4的另一端通过设置在层间绝缘层13以及栅极绝缘层12中的第四过孔04连接公共电极线2，从而将公共电极3和公共电极线2相连。
进一步地，参见图7、图8，图8为图7中的导电连接部4沿e-f方向剖切的切面图，第三过孔03和第四过孔04可以为深度不一的过孔，也、以第三过孔03为例，即第三过孔03可以包括第一部分031和第二部分032，其中第一部分031的深度h1大于第二部分032的深度h2，以下称第一部分031为“深孔部分”，第二部分031为“浅孔部分”，若本实施例提供的显示基板应用到现在装置中，显示基板的上方将具有液晶层，若要控制液晶的转向，则需要在显示基板背离基底1的最外侧设置配向(pi)层，在制作pi层时，需要将pi液涂覆在显示基板之上以形成pi层，在涂覆过程中，pi液可能会流入显示基板中的各个过孔中，通过将显示基板中的过孔设置为深度不一的过孔，能够使pi液在过孔的深孔部分和浅孔部分具有不同的表面张力，使过孔周围的pi液内部具有压力差，pi液流过过孔时会流入过孔的深孔部分，从而能够避免pi液在过孔周围堆积，增大pi液的流动性，进而能够保证pi层的均匀性。
可选地，在本实施例提供的上述显示基板中，通过调整过孔中第一部分和第二部分的占比，可以控制pi液的流动性。例如，如图7所示，过孔的四分之一为第一部分(即图7中过孔03周围的灰色填充对应的深孔部分)，剩余的四分之三为第二部分(即图7中过孔03周围的条纹填充对应浅孔部分)，也即过孔的第一部分在基底1上的正投影的面积，为整个过孔在基底1上的正投影的面积的四分之一。若pi液流过过孔，pi液将流入为四分之一的第一部分，从而避免pi液在过孔周围堆积。
可选地，如图9所示，在本实施例提供的上述显示基板中，过孔也可以为半孔结构，即过孔的二分之一为第一部分031，剩余的二分之一为第二部分032，也即过孔的第一部分031在基底1上的正投影的面积，与过孔的第二部分032在基底1上的正投影的面积，各占整个过孔在基底1上的正投影的面积的二分之一。若pi液流过过孔，pi液将流入为二分之一的第一部分031，从而避免pi液在过孔周围堆积。
需要说明的是，本实施例提供的发明的显示基板中，各膜层之间的过孔都可以采用上述深度不一的结构的过孔，例如第一过孔01、第二过孔02、第三过孔03和第四过孔04，从而避免pi液在显示基板中的过孔周围堆积，保证pi层的均匀性。
进一步地，参见图3、图4a，本实施例提供的显示基板包括多层膜层(例如栅极61、栅极绝缘层12、层间绝缘层13、漏极62和源极63等)，公共电极3可以位于显示基板中的任意两个膜层之间，导电连接部4可以通过公共电极3和公共电极线2之间的膜层中的过孔将二者连接。该过孔的结构均可以设置为上述具有深度不一的结构的过孔，在此不做限定。
需要说明的是，本实施例提供的显示基板适用于通过5层掩膜板(mask)、6mask工艺制作的阵列基板，也适用于其他可行数量的mask工艺制作的阵列基板，图中仅为便于描述举例说明，不对本发明实施例构成限定。
相应地，本实施例还提供一种显示面板，包括上述的显示基板。显示面板可以为任意形状，本实施例中以显示面板为矩形面板为例进行说明。
可选地，本实施例提供的显示面板还可以包括阵列基板栅极驱动(gatedriveronarray，goa)电路，goa电路与多条栅线相连，goa电路用于驱动栅线。源驱动印刷电路板(x-pcb)设置在显示面板的外侧，多条数据线通过柔性电路板(flexibleprintedcircuit，fpc)与x-pcb相连，x-pcb用于驱动多条数据线，给多条数据线提供电压信号。当然，显示面板也可以采用栅驱动集成电路(gatedriverintegratedcircuit，g-ic)驱动多条栅线，在此不做限定。
相应地，本实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
基底；
多个公共电极，呈阵列分布在所述基底之上；
多条公共电极线，沿行方向延伸，每条所述公共电极线对应连接一行所述公共电极；其中，
所述公共电极线通过导电连接部与所述公共电极相连，所述导电连接部包括相叠加的多层导电结构。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：多个像素单元，其中，所述多个像素单元中的每个像素单元均包括：薄膜晶体管和像素电极；
所述多层导电连接部包括第一导电结构和第二导电结构；其中，所述第一导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且与所述源极和/或漏极的材料相同，所述第二导电结构与所述像素电极同层设置，且与所述像素电极的材料相同。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括多条栅线和多条数据线；
所述栅线和所述数据线交叉设置，限定出所述像素单元；在所述栅线和所述数据线之间设置有层间绝缘层；
其中，所述公共电极线与所述栅线延伸方向相同且同层设置，所述公共电极线与所述栅线的材料相同。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二导电结构的材料包括氧化铟锡。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括多层膜层，所述公共电极位于所述显示基板中的任意两个膜层之间。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述像素电极上具有多条狭缝，所述公共电极包括多个间隔设置的条状子电极；其中，
所述公共电极与所述像素电极一一对应，所述公共电极的条状子电极在所述基底上的正投影，和与之对应的所述像素电极的狭缝在基底上的正投影重叠。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述公共电极与所述公共电极线位于不同层，所述公共电极与所述公共电极线之间包括层间绝缘层和/或栅极绝缘层，且所述公共电极线设置在所述公共电极靠近所述基底一侧；
所述导电连接部通过设置所述层间绝缘层和/或栅极绝缘层中的过孔，将所述公共电极与所述公共电极线相连；其中，
所述过孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分的深度大于所述第二部分。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一部分在所述基底上的正投影的面积，为所述过孔在所述基底上的正投影的面积的四分之一。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一所述的显示基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。
技术总结